CN110637356A - 用于重复缺陷分析的相对缺陷位置的高精准度 - Google Patents

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Abstract

本发明提供用于变换在晶片上检测到的缺陷的定位的方法及系统。一种方法包含对准检验子系统针对印刷于所述晶片上的多裸片光罩的第一例子中的第一裸片中的第一扫描带中的第一帧的输出与印刷于所述晶片上的其它光罩例子中的对应帧、扫描带及裸片的输出。所述方法还包含：基于所述帧及与其对准的所述对应帧的所述输出的扫描带坐标分别确定所述其它光罩例子中的所述帧中的每一者的不同扫描带坐标偏移；及基于其中检测到所述缺陷的所述其它光罩例子将所述不同扫描带坐标偏移中的一者应用于针对所述缺陷报告的所述扫描带坐标，借此将所述缺陷的所述扫描带坐标从所述其它光罩例子中的扫描带坐标变换为所述第一光罩例子。

Description

用于重复缺陷分析的相对缺陷位置的高精准度
技术领域
本发明大体上涉及用于针对重复缺陷分析(repeater analysis)以相对较高精准度确定相对缺陷位置的方法及系统。
背景技术
以下描述及实例不凭借其包含于此章节中而被认为是现有技术。
制作半导体装置(例如逻辑及存储器装置)通常包含使用大量半导体制作工艺处理基板(例如半导体晶片)以形成半导体装置的各种特征及多个层级。举例来说，光刻是涉及将图案从光罩转印到布置于半导体晶片上的光致抗蚀剂的半导体制作工艺。半导体制作工艺的额外实例包含但不限于化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子植入。可在单个半导体晶片上的布置中制作多个半导体装置且接着将其分离成个别半导体装置。
在半导体制程期间的各个步骤使用检验过程检测晶片上的缺陷以促进制程中的更高良率及因此更高利润。检验始终为制作半导体装置(例如IC)的重要部分。然而，随着半导体装置尺寸的减小，检验对于成功制造可接受半导体装置变得甚至更为重要，这是因为较小缺陷可引起装置发生故障。
一些当前检验方法检测晶片上的重复缺陷(repeater defect)以借此检测光罩上的缺陷。举例来说，光罩重复地印刷于晶片上的不同区域中以借此产生印刷于晶片上的光罩的多个例子。因而，如果在对应于光罩上的相同位置的晶片上的多个位置处重复检测到缺陷(“重复缺陷”)，那么缺陷可能是由光罩本身引起。因此，可分析重复缺陷以确定其是否由光罩缺陷引起而非某一其它原因。单裸片光罩大体上定义为由仅一个裸片组成的光罩。多裸片光罩是由多个裸片组成的光罩。
一般来说，重复缺陷检测(RDD)执行为晶片后处理(PP)操作。举例来说，检验工具可执行正常裸片对裸片缺陷检测(DD)，且在报告全部晶片缺陷之后，可在扫描晶片时在后处理步骤中而非在不同计算机组件中执行RDD。重复缺陷定义为在印刷于晶片上的光罩的若干例子中定位于相同相对光罩位置(在特定容限内)处的缺陷。
在一些当前使用的重复缺陷检测方法及系统(例如针对已印刷于晶片上的多裸片光罩执行的方法及系统)中，逐扫描带检测缺陷且报告相对于裸片或光罩的缺陷位置。此类方法及系统产生每一扫描带内的良好缺陷位置，这是因为预映射及运行时间对准(RTA)对准相同扫描带或光罩行中的裸片。然而，不存在对准跨光罩行的扫描带之间的光罩例子的任何机制。不同光罩例子上的扫描带之间的重复缺陷位置可为扫描带位置精准度的2倍大，例如约300nm或约10个像素。理想地，应将重复缺陷容限设置为等于或大于300nm以找到全部重复缺陷例子。相对较大重复缺陷容限引起将更多随机缺陷被检测为重复缺陷。
因此，发展出用于针对重复缺陷分析以相对较高精准度确定相对缺陷位置的不具有上文描述的缺点中的一或多者的系统及/或方法将为有利的。
发明内容
各种实施例的下列描述不应以任何方式解释为限制所附权利要求书的标的物。
一个实施例涉及一种经配置以变换在晶片上检测到的缺陷的定位(position)的系统。所述系统包含检验子系统，所述检验子系统包含至少能量源及检测器。所述能量源经配置以产生引导到晶片的能量。所述检测器经配置以检测来自所述晶片的能量且响应于所述经检测能量而产生输出。所述输出包含所述晶片上的多个裸片中的每一者的输出的帧的多个扫描带，且印刷于所述晶片上的光罩的多个例子中的每一者包含所述多个裸片的至少两个例子。
所述系统还包含一或多个计算机子系统，其经配置以通过将缺陷检测方法应用于由所述检测器产生的所述输出而检测所述晶片上的缺陷。对于单裸片光罩，无法通过运用裸片对裸片比较的任何方法来检测重复缺陷，这是因为重复缺陷信号由此类比较抵消。不同方法可用于单裸片光罩的缺陷检测。此并非本文中描述的实施例的目标。对于多裸片光罩，重复缺陷未出现在紧邻裸片中，因此可使用裸片对裸片比较。通过所述缺陷检测方法以扫描带坐标报告所述缺陷的定位。
所述一或多个计算机子系统还经配置以对准印刷于所述晶片上的所述光罩的所述多个例子中的第一者中的所述多个裸片中的第一者中的所述多个扫描带中的第一者中的所述帧中的第一者的输出与印刷于所述晶片上的所述光罩的所述多个例子中的其它者中的所述多个裸片中的对应其它者中的所述多个扫描带中的对应其它者中的所述帧中的对应其它者的输出。另外，所述一或多个计算机子系统经配置以基于所述帧的所述输出的扫描带坐标与在对准步骤中与其对准的所述帧中的所述第一者的所述输出的扫描带坐标之间的差异分别确定所述光罩的所述多个例子中的所述其它者中的所述帧中的每一者的不同扫描带坐标偏移。所述一或多个计算机子系统进一步经配置以将所述不同扫描带坐标偏移中的一者应用于针对在所述晶片上检测到的所述缺陷报告的所述扫描带坐标，其中基于其中检测到所述缺陷的所述光罩的所述多个例子中的所述其它者确定将所述不同扫描带坐标偏移中的哪一者应用于针对所述缺陷报告的所述扫描带坐标，借此将针对所述缺陷报告的所述扫描带坐标从所述光罩的所述多个例子中的所述其它者中的扫描带坐标变换为所述光罩的所述多个例子中的所述第一者中的扫描带坐标。所述系统可如本文中描述那样进一步配置。
另一实施例涉及一种用于变换在晶片上检测到的缺陷的定位的计算机实施方法。所述方法包含用于上文描述的一或多个计算机子系统的功能中的每一者的步骤。通过耦合到如上文描述那样配置的检验子系统的一或多个计算机子系统来执行所述方法的所述步骤。所述方法可如本文中进一步描述那样执行。另外，所述方法可包含本文中描述的任何其它方法的任何其它步骤。此外，可通过本文中描述的所述系统中的任一者执行所述方法。
额外实施例涉及一种非暂时性计算机可读媒体，其存储可在计算机系统上执行以执行用于变换在晶片上检测到的缺陷的定位的计算机实施方法的程序指令。所述计算机实施方法包含上文描述的所述方法的所述步骤。所述计算机可读媒体可如本文中描述那样进一步配置。所述计算机实施方法的所述步骤可如本文中进一步描述那样执行。另外，所述计算机实施方法(可针对其执行所述程序指令)可包含本文中描述的任何其它方法的任何其它步骤。
附图说明
在阅读以下详细描述且参考所附图式之后将明白本发明的其它目的及优点，其中：
图1及2是说明如本文中描述那样配置的系统的实施例的侧视图的示意图；
图3是说明针对缺陷产生的不同重复缺陷检测结果的实例的光罩堆叠图的示意图，以不同缺陷位置精准度确定所述缺陷的缺陷定位；
图4是说明印刷于晶片上的光罩的例子的一个实例及印刷于晶片上的光罩的个别例子到印刷于晶片上的光罩的第一例子的缺陷坐标平移的一个实施例的平面图的示意图；
图5及7是说明印刷于晶片上的光罩的例子的一个实例及选择光罩的例子中的一者的多个扫描带中的对准目标以用于本文中描述的实施例的实施例的平面图的示意图；
图6及8是说明印刷于晶片上的光罩的例子的一个实例及将针对在晶片上检测到的缺陷报告的扫描带坐标从其中检测到所述缺陷的光罩的例子中的扫描带坐标变换为印刷于晶片上的光罩的例子中的第一者的扫描带坐标的实施例的平面图的示意图；及
图9是说明存储可在计算机系统上执行以执行本文中描述的计算机实施方法中的一或多者的程序指令的非暂时性计算机可读媒体的一个实施例的框图。
虽然本发明易于以各种修改及替代形式呈现，但在图式中以实例方式展示且将在本文中详细描述本发明的特定实施例。然而，应了解，图式及其详细描述并不希望将本发明限制于所揭示的特定形式，但是相反，其希望涵盖落在如由所附权利要求书定义的本发明的精神及范围内的全部修改、等效物及替代方案。
具体实施方式
现参考图式，应注意，图未按比例绘制。特定来说，大幅放大图的一些元件的比例以强调元件的特性。还应注意，图未按相同比例绘制。已使用相同参考数字指示在一个以上图中展示的可类似配置的元件。除非本文中另有说明，否则所描述且展示的任何元件可包含任何合适市售元件。
一个实施例涉及一种经配置以变换在晶片上检测到的缺陷的定位的系统。本文中描述的实施例尤其适于检测晶片上由印刷于所述晶片上的多裸片光罩引起的重复缺陷。对于多裸片光罩，裸片及光罩坐标变换对于全部裸片行是已知的且固定的。如果确定缺陷裸片位置，那么可计算其光罩位置。一般来说，本文中描述的实施例经配置以确定用于重复缺陷分析的精准(或大体上精准)相对缺陷位置。更特定来说，本文中描述的实施例通常将在检验期间将来自印刷于晶片上的全部光罩例子的缺陷位置变换为共同坐标且显著增大相对缺陷位置精准度。本文中描述的实施例可有助于减少重复缺陷分析的错误重复缺陷计数。多裸片光罩可为所属领域中已知的任何多裸片光罩。晶片可包含所属领域中已知的任何晶片。
在图1中展示此系统的一个实施例。系统包含检验子系统，所述检验子系统包含至少能量源及检测器。能量源经配置以产生引导到晶片的能量。检测器经配置以检测来自晶片的能量且响应于经检测能量而产生输出。
在一个实施例中，引导到晶片的能量包含光，且从晶片检测的能量包含光。举例来说，在图1中展示的系统的实施例中，检验子系统10包含经配置以将光引导到晶片14的照明子系统。照明子系统包含至少一个光源。举例来说，如图1中展示，照明子系统包含光源16。在一个实施例中，照明子系统经配置以按一或多个入射角(其可包含一或多个倾斜角及/或一或多个法线角)将光引导到晶片。举例来说，如图1中展示，来自光源16的光经引导穿过光学元件18及接着透镜20而到光束分离器21，光束分离器21将光以法线入射角引导到晶片14。入射角可包含任何合适入射角，其可取决于例如晶片及待在晶片上检测的缺陷的特性而变化。
照明子系统可经配置以在不同时间以不同入射角将光引导到晶片。举例来说，检验子系统可经配置以更改照明子系统的一或多个元件的一或多个特性，使得光可以不同于图1中展示的入射角的入射角引导到晶片。在一个此实例中，检验子系统可经配置以使光源16、光学元件18及透镜20移动，使得光以不同入射角引导到晶片。
在一些例子中，检验子系统可经配置以同时以一个以上入射角将光引导到晶片。举例来说，照明子系统可包含一个以上照明通道，所述照明通道中的一者可包含如图1中展示的光源16、光学元件18及透镜20，且所述照明通道的另一者(未展示)可包含可不同或相同配置的类似元件，或可包含至少光源及可能一或多个其它组件(例如本文中进一步描述的组件)。如果此光与另一光同时引导到晶片，那么以不同入射角引导到晶片的光的一或多个特性(例如，波长、偏光等)可不同，使得由以不同入射角照明晶片产生的光可在检测器处彼此区别。
在另一例子中，照明子系统可包含仅一个光源(例如，图1中展示的源16)，且来自所述光源的光可由照明子系统的一或多个光学元件(未展示)分离成不同光学路径(例如，基于波长、偏光等)。接着，不同光学路径中的每一者中的光可引导到晶片。多个照明通道可经配置以同时或在不同时间将光引导到晶片(例如，当使用不同照明通道来循序照明晶片时)。在另一例子中，相同照明通道可经配置以在不同时间运用不同特性将光引导到晶片。举例来说，在一些例子中，光学元件18可配置为光谱滤光片，且所述光谱滤光片的性质可以多种不同方式(例如，通过置换出光谱滤光片)改变使得不同波长的光可在不同时间引导到晶片。照明子系统可具有所属领域中已知的用于将具有不同或相同特性的光按不同或相同入射角循序或同时引导到晶片的任何其它合适配置。
在一个实施例中，光源16可包含宽带等离子体(BBP)光源。以此方式，由光源产生且引导到晶片的光可包含宽带光。然而，光源可包含任何其它合适光源，例如激光。激光可包含所属领域中已知的任何合适激光，且可经配置以产生所属领域中已知的在任何一或多个合适波长下的光。另外，激光可经配置以产生单色或近单色的光。以此方式，激光可为窄带激光。光源还可包含产生在多个离散波长或波带下的光的多色光源。
来自光学元件18的光可由透镜20聚焦到光束分离器21。尽管透镜20在图1中展示为单个折射光学元件，但应了解，实际上，透镜20可包含组合地将来自光学元件的光聚焦到晶片的若干折射及/或反射光学元件。在图1中展示且在本文中描述的照明子系统可包含任何其它合适光学元件(未展示)。此类光学元件的实例包含但不限于偏光组件、光谱滤光片、空间滤波器、反射光学元件、变迹器、光束分离器、孔隙及类似者，其可包含所属领域中已知的任何此类合适光学元件。另外，系统可经配置以基于待用于检验的照明类型更改照明子系统的元件中的一或多者。
检验子系统还可包含经配置以引起光在晶片上方扫描的扫描子系统。举例来说，检验子系统可包含晶片14在检验期间安置于其上的载物台22。扫描子系统可包含可经配置以使晶片移动使得光可在晶片上方扫描的任何合适机械及/或机器人组合件(其包含载物台22)。另外或替代地，检验子系统可经配置使得检验子系统的一或多个光学元件执行光在晶片上方的某一扫描。光可以任何合适方式在晶片上方扫描。
检验子系统进一步包含一或多个检测通道。一或多个检测通道中的至少一者包含检测器，所述检测器经配置以检测归因于通过检验子系统照明晶片而来自晶片的光且响应于经检测光而产生输出。举例来说，图1中展示的检验子系统包含两个检测通道，一个检测通道由集光器24、元件26及检测器28形成，且另一检测通道由集光器30、元件32及检测器34形成。如图1中展示，两个检测通道经配置以按不同收集角收集且检测光。在一些例子中，一个检测通道经配置以检测镜面反射光，且另一检测通道经配置以检测并非从晶片镜面反射(例如，散射、衍射等)的光。然而，检测通道中的两者或更多者可经配置以检测来自晶片的相同类型的光(例如，镜面反射光)。尽管图1展示包含两个检测通道的检验子系统的实施例，但检验子系统可包含不同数目个检测通道(例如，仅一个检测通道或两个或更多个检测通道)。尽管在图1中将集光器中的每一者展示为单折射光学元件，但应了解，集光器中的每一者可包含一或多个折射光学元件及/或一或多个反射光学元件。
一或多个检测通道可包含所属领域中已知的任何合适检测器。举例来说，检测器可包含光电倍增管(PMT)、电荷耦合装置(CCD)及延时积分(TDI)相机。检测器还可包含所属领域中已知的任何其它合适检测器。检测器还可包含非成像检测器或成像检测器。以此方式，如果检测器是非成像检测器，那么检测器中的每一者可经配置以检测散射光的某些特性(例如强度)，但可未经配置以检测依据成像平面内的定位而变化的此类特性。因而，由包含于检验子系统的检测通道中的每一者中的检测器中的每一者产生的输出可为信号或数据而非图像信号或图像数据。在此类例子中，计算机子系统(例如系统的计算机子系统36)可经配置以从检测器的非成像输出产生晶片的图像。然而，在其它例子中，检测器可配置为经配置以产生成像信号或图像数据的成像检测器。因此，系统可经配置以按数种方式产生本文中描述的输出。
应注意，本文中提供图1以大体上说明可包含于本文中描述的系统实施例中的检验子系统的配置。显然，可更改本文中描述的检验子系统布置以如在设计商用检验系统时所通常执行那样优化系统的性能。另外，可使用例如商业上可购从科磊公司(KLA-Tencor)的29xx/39xx及Puma 9xxx系列工具的现有检验系统(例如，通过将本文中描述的功能性添加到现有检验系统)来实施本文中描述的系统。对于一些此类系统，本文中描述的方法可提供为系统的任选功能性(例如，除系统的其它功能性之外)。或者，可“从头开始”设计本文中描述的系统以提供全新系统。
系统的计算机子系统36可以任何合适方式(例如，经由一或多个传输媒体，其可包含“有线”及/或“无线”传输媒体)耦合到检验子系统的检测器，使得计算机子系统可接收在扫描晶片期间由检测器产生的输出。计算机子系统36可经配置以如本文描述那样使用检测器的输出执行若干功能及本文中进一步描述的任何其它功能。此计算机子系统可如本文中描述那样进一步配置。
此计算机子系统(以及本文中描述的其它计算机子系统)在本文中还可称为计算机系统。本文中描述的计算机子系统或系统中的每一者可采取各种形式，包含一个人计算机系统、图像计算机、嵌入式系统、主计算机系统、工作站、网络设备、因特网设备或其它装置。一般来说，术语“计算机系统”可广义地定义为涵盖具有执行来自存储媒体的指令的一或多个处理器的任何装置。计算机子系统或系统还可包含所属领域中已知的任何合适处理器，例如CPU及GPU。另外，计算机子系统或系统可包含具有高速处理及软件的计算机平台，其作为独立工具或网络工具。
如果系统包含一个以上计算机子系统，那么不同计算机子系统可彼此耦合使得可如本文中进一步描述那样在所述计算机子系统之间发送图像、数据、信息、指令等。举例来说，计算机子系统36可由任何合适传输媒体(其可包含所属领域中已知的任何合适有线及/或无线传输媒体)耦合到计算机子系统102(如由图1中的虚线展示)。此类计算机子系统中的两者或更多者还可由共享计算机可读存储媒体(未展示)有效地耦合。
尽管上文将检验子系统描述为光学或基于光的检验子系统，但检验子系统可为基于电子束的检验子系统。举例来说，在一个实施例中，引导到晶片的能量包含电子，且从晶片检测的能量包含电子。以此方式，能量源可为电子束源。在图2中展示的一个此实施例中，检验子系统包含耦合到计算机子系统124的电子柱122。
也如图2中展示，电子柱包含经配置以产生由一或多个元件130聚焦到晶片128的电子的电子束源126。电子束源可包含例如阴极源或射极尖端，且一或多个元件130可包含例如枪透镜、阳极、射束限制孔隙、闸阀、射束电流选择孔隙、物镜及扫描子系统，全部其可包含所属领域中已知的任何此类合适元件。
从晶片返回的电子(例如，二次电子)可由一或多个元件132聚焦到检测器134。一或多个元件132可包含例如扫描子系统，其可为包含于元件130中的相同扫描子系统。
电子柱可包含所属领域中已知的任何其它合适元件。另外，电子柱可如以下各者中描述那样进一步配置：2014年4月4日颁予蒋(Jiang)等人的第8,664,594号美国专利、2014年4月8日颁予小岛(Kojima)等人的第8,692,204号美国专利、2014年4月15日颁予顾本思(Gubbens)等人的第8,698,093号美国专利，及2014年5月6日颁予麦克唐纳(MacDonald)等人的第8,716,662号美国专利，所述案宛如全文阐述那样以引用的方式并入本文中。
尽管图2中将电子柱展示为经配置使得电子以倾斜入射角引导到晶片且按另一倾斜角从晶片散射，但应了解，电子束可以任何合适角度引导到晶片且从晶片散射。另外，基于电子束的子系统可经配置以使用多种模式产生晶片的图像(例如，运用不同照明角、收集角等)。基于电子束的子系统的多种模式可在子系统的任何图像产生参数方面不同。
计算机子系统124可如上文描述那样耦合到检测器134。检测器可检测从晶片的表面返回的电子，借此形成晶片的电子束图像。电子束图像可包含任何合适电子束图像。计算机子系统124可经配置以使用检测器的输出及/或电子束图像来执行本文中描述的功能中的任一者。计算机子系统124可经配置以执行本文中描述的任何额外步骤。包含图2中展示的检验子系统的系统可如本文中描述那样进一步配置。
应注意，本文中提供图2以大体上说明可包含于本文中描述的实施例中的基于电子束的检验子系统的配置。如同上文描述的光学检验子系统，可更改本文中描述的基于电子束的检验子系统布置以如在设计商用检验系统时所通常执行那样优化检验子系统的性能。另外，可使用例如商业上可购从科磊公司的eSxxx系列工具的现有检验系统(例如，通过将本文中描述的功能性添加到现有检验系统)来实施本文中描述的系统。对于一些此类系统，本文中描述的方法可提供为系统的任选功能性(例如，除系统的其它功能性之外)。或者，可“从头开始”设计本文中描述的系统以提供全新系统。
尽管上文将检验子系统描述为基于光或基于电子束的检验子系统，但检验子系统可为基于离子束的检验子系统。此检验子系统可如图2中展示那样配置，但是电子束源可由所属领域中已知的任何合适离子束源取代。另外，检验子系统可为任何其它合适基于离子束的子系统，例如包含于市售聚焦离子束(FIB)系统、氦离子显微镜(HIM)系统及二次离子质谱仪(SIMS)系统中的子系统。
如上文提及，光学及电子束检验子系统可经配置以将能量(例如，光、电子)引导到晶片的物理版本及/或用能量在晶片的物理版本上方扫描，借此针对晶片的物理版本产生实际(即，非模拟)输出及/或图像。以此方式，光学及电子束检验子系统可配置为“实际”工具而非“虚拟”工具。然而，图1中展示的计算机子系统102可包含经配置以使用针对晶片产生的至少些实际光学图像及/或实际电子束图像执行一或多个功能(其可包含本文中进一步描述的一或多个功能中的任一者)的一或多个“虚拟”系统(未展示)。
一或多个虚拟系统无法将晶片安置于其中。特定来说，虚拟系统并非光学检验子系统10或电子束检验子系统122的部分且不具有处置晶片的物理版本的任何能力。换句话说，在配置为虚拟系统的系统中，其一或多个“检测器”的输出可为先前由实际检验子系统的一或多个检测器产生且存储于虚拟系统中的输出，且在“成像及/或扫描”期间，虚拟系统可回放所存储输出就好像正成像及/或扫描晶片一样。以此方式，用虚拟系统成像及/或扫描晶片可看似好像正用实际系统成像及/或扫描物理晶片一样，而实际上，“成像及/或扫描”涉及简单地以与可成像及/或扫描晶片相同的方式回放晶片的输出。
在共同让与的以下专利中描述配置为“虚拟”检验系统的系统及方法：2012年2月28日颁予巴斯卡尔(Bhaskar)等人的第8,126,255号美国专利及2015年12月29日颁予达菲(Duffy)等人的第9,222,895号美国专利，所述案的两者宛如全文阐述那样以引用的方式并入本文中。本文中描述的实施例可如这些专利中描述那样进一步配置。举例来说，本文中描述的一或多个计算机子系统可如这些专利中描述那样进一步配置。
本文中描述的检验子系统可经配置以用多种模式或“不同模态”产生晶片的输出。一般来说，检验子系统的“模式”或“模态”(所述术语在本文中互换地使用)可由用于产生晶片的输出及/或图像的检验子系统的参数值定义。因此，不同的模式可在检验子系统的参数中的至少一者的值方面不同。以此方式，在一些实施例中，光学图像包含由光学检验子系统用光学检验子系统的参数的两个或更多个不同值产生的图像。举例来说，在光学检验子系统的一个实施例中，多种模式中的至少一者针对照明使用至少一个波长的光，其不同于用于多种模式的至少另一者的照明的至少一个波长的光。如本文中进一步描述(例如，通过使用不同光源、不同光谱滤光片等)，对于不同模式，模式可在照明波长方面不同。在另一实施例中，多种模式中的至少一者使用光学检验子系统的照明通道，其不同于用于多种模式中的至少另一者的光学检验子系统的照明通道。举例来说，如上文提及，光学检验子系统可包含一个以上照明通道。因而，不同照明通道可用于不同模式。
以类似方式，电子束图像可包含由电子束检验子系统用电子束检验子系统的参数的两个或更多个不同值产生的图像。举例来说，电子束检验子系统可经配置以用多种模式或“不同模态”产生晶片的输出。电子束检验子系统的多种模式或不同模态可由用于产生晶片的输出及/或图像的电子束检验子系统的参数值定义。因此，不同的模式可在检验子系统的电子束参数中的至少一者的值方面不同。举例来说，在电子束检验子系统的一个实施例中，多种模式中的至少一者针对照明使用至少一个入射角，其不同于用于多种模式的至少另一者的照明的至少一个入射角。
检测器针对晶片产生的输出包含晶片上的多个裸片中的每一者的输出的帧的多个扫描带，且印刷于晶片上的光罩的多个例子中的每一者包含多个裸片的至少两个例子。举例来说，不管检验子系统的检测器是否产生信号及/或图像，“帧”都可大体上定义为由检验子系统产生的输出(例如，信号或图像部分(例如，像素))的相对较小部分(其可作为整体由系统共同处理)。因此，输出的“帧”可取决于检验子系统布置以及包含于用于处置及/或处理由检验子系统产生的输出的系统中的任何组件的配置而变化。针对晶片产生的输出的扫描带或子扫描带可划分成多个帧，使得与同时处理输出的整个扫描带或子扫描带相比，可远更容易地执行帧的数据处置及处理。另外，检验通常将印刷于晶片上的裸片或光罩例子垂直地划分成多个扫描带，如在本文中进一步描述的图中展示。
一或多个计算机子系统经配置以通过将缺陷检测方法应用于由检测器产生的输出而检测晶片上的缺陷。缺陷检测方法可以任何合适方式应用于输出，且缺陷检测方法可包含所属领域中已知的任何合适缺陷检测方法。缺陷检测方法可包含例如比较输出与阈值(缺陷检测阈值)，且将具有高于阈值的一或多个值的输出确定为对应于缺陷，而未将不具有高于阈值的一或多个值的输出确定为对应于缺陷。将缺陷检测方法应用于输出还可包含将任何另一缺陷检测方法及/或算法应用于输出。
通过缺陷检测方法以扫描带坐标报告缺陷的定位。举例来说，缺陷检测方法可产生将缺陷检测方法应用于输出的结果。结果可包含每一缺陷的至少定位及任何其它合适信息，例如由缺陷检测方法确定的缺陷ID、缺陷信息(例如，大小)及类似者。缺陷检测方法可经配置使得以扫描带坐标报告缺陷定位。换句话说，针对缺陷报告的缺陷定位可为扫描带内定位或扫描带相对定位。在一个此实例中，可相对于其中检测到缺陷的扫描带的原点(或其它参考点)确定缺陷的扫描带坐标。在特定实例中，每一扫描带图像可被视为正常图像。在一个此实例中，正常图像的左上角可用作扫描带的原点。接着，可相对于扫描带的左上角确定缺陷的扫描带坐标。以此方式，相对于其中检测到缺陷的扫描带而非相对于正检验的晶片确定缺陷的扫描带坐标。重复缺陷的缺陷位置可在不同扫描带中不同，这是因为晶片的扫描带偏移归因于载物台不确定性而不同。本文中描述的实施例可有效地消除如本文中进一步描述的所述差异。
一或多个计算机子系统经配置以对准印刷于晶片上的光罩的多个例子中的第一者中的多个裸片中的第一者中的多个扫描带中的第一者中的帧中的第一者的输出与印刷于晶片上的光罩的多个例子中的其它者中的多个裸片中的对应其它者中的多个扫描带中的对应其它者中的帧中的对应其它者的输出。以此方式，可将印刷于晶片上的不同光罩例子中的对应裸片中的对应扫描带的对应帧的输出彼此对准。换句话说，可将印刷于晶片上的光罩的多个例子中的第一者中的多个裸片中的第一者的第一扫描带的第一帧的输出与印刷于晶片上的其它光罩例子中的对应裸片的对应扫描带的对应帧的输出对准。
如上文描述那样将一个帧中的输出与另一帧中的其对应输出对准可以任何合适方式执行。举例来说，在一个实施例中，对准包含帧中的第一者的输出与帧中的对应其它者的输出的基于目标的对准。在一个此实例中，对准可使用第一帧中的对准目标(其可如本文中进一步描述那样加以选择)及对应帧中的对应对准位点来执行，且对准所述对准位点的输出与针对对准目标产生的输出可包含图案匹配、匹配不同输出的一或多个特性(例如，形心、图案边缘等)等。换句话说，本文中描述的实施例不限于可针对对准位点及目标执行的对准。
在另一实施例中，对准包含帧中的第一者的输出与帧中的对应其它者的输出的基于特征的对准。用于此对准的特征可包含晶片的设计中的图案化特征、通过检验子系统针对晶片产生的图像中的图案化特征(其可对应于或可不对应于晶片上的特征)、晶片上的图案的特征(例如图案的边缘、形心、隅角、结构等)及类似者。此对准可以任何合适方式执行。举例来说，此对准可包含特征匹配(例如，边缘匹配)，其可以所属领域中已知的任何合适方式执行。
在额外实施例中，对准包含帧中的第一者的输出与帧中的对应其它者的输出的基于正规化交叉相关(NCC)的对准。对准可使用所属领域中已知的任何合适NCC方法及/或算法执行。在又一实施例中，对准包含帧中的第一者的输出与帧中的对应其它者的输出的基于快速傅立叶(Fourier)变换(FFT)的对准。对准可使用所属领域中已知的任何合适FFT方法及/或算法执行。在一些实施例中，对准包含帧中的第一者的输出与帧中的对应其它者的输出的基于方差和(SSD)的对准。对准可使用所属领域中已知的任何合适SSD方法及/或算法执行。
一或多个计算机子系统进一步经配置以基于帧的输出的扫描带坐标与在对准步骤中与其对准的帧中的第一者的输出的扫描带坐标之间的差异分别确定光罩的多个例子中的其它者中的帧中的每一者的不同扫描带坐标偏移。以此方式，可针对印刷于晶片上的光罩的例子中的每一者中的裸片中的每一者中的每一帧及每一扫描带单独地且独立地确定相对于其对应帧的扫描带坐标偏移。可分别基于与第一帧的输出对准的帧中的输出及其对应扫描带坐标以任何合适方式确定扫描带坐标偏移。扫描带坐标偏移可具有任何合适格式(例如，函数或公式)。另外，扫描带坐标偏移的信息可存储于本文中描述的任何合适存储媒体中。此外，可在仅一个方向(例如，x方向或y方向)上或在两个方向(例如，x方向及y方向)上确定扫描带坐标偏移。此外，可使用具有任何合适格式(例如，极坐标及笛卡尔(Cartesian)坐标)的扫描带坐标来确定扫描带坐标偏移。
一或多个计算机子系统还经配置以将不同扫描带坐标偏移中的一者应用于针对在晶片上检测到的缺陷报告的扫描带坐标，其中基于其中检测到缺陷的光罩的多个例子中的其它者确定将不同扫描带坐标偏移中的哪一者应用于针对缺陷报告的扫描带坐标，借此将针对缺陷报告的扫描带坐标从光罩的多个例子中的其它者中的扫描带坐标变换为光罩的多个例子中的第一者中的扫描带坐标。可基于由缺陷检测方法针对缺陷确定的扫描带坐标确定其中检测到缺陷的帧、扫描带、裸片及光罩例子。基于其中检测到缺陷的帧、扫描带、裸片及所印刷光罩例子，可确定对应扫描带坐标偏移(这是因为已知针对哪帧、扫描带、裸片及光罩例子确定哪扫描带坐标偏移，且已知在哪光罩例子中检测到每一缺陷，所述知识可用于基于缺陷的扫描带坐标确定适当扫描带坐标偏移)。接着，可将所述经识别扫描带坐标偏移应用于针对缺陷确定的扫描带坐标，借此将缺陷的扫描带坐标从其中检测到所述缺陷的光罩例子中的扫描带坐标变换为第一光罩例子中的扫描带坐标。此扫描带坐标变换过程可针对在晶片上检测到的每一缺陷(或尽可能多的经检测缺陷)单独地且独立地执行。可以任何合适方式将扫描带坐标偏移应用于针对缺陷报告的扫描带坐标。
图4说明上文描述的变换步骤的一般概念。特定来说，图4展示个别光罩例子到第一受检验光罩例子的缺陷扫描带坐标平移。在此例子中，晶片400包含形成于其上且包含光罩例子402及404的若干光罩例子。在图4中展示的实例中，光罩例子404可用作第一受检验光罩例子，且可将在光罩例子402上检测到的缺陷的位置变换为光罩例子404的扫描带坐标。特定来说，如上文描述，应用步骤通过在晶片上的第一光罩例子与其它光罩例子之间应用扫描带坐标变换而将缺陷位置映射为第一光罩例子的扫描带坐标。如本文中描述那样变换成第一光罩例子/扫描带坐标的全部缺陷位置是大体上精准的。因而，每一重复缺陷的缺陷远比在不具有此特征的情况下执行的当前使用的检验更紧密。特定来说，在当前使用的检验中，由于扫描带彼此未配准或对准，一个重复缺陷的缺陷在光罩堆叠上可能彼此相对远离。相反地，在本文中描述的实施例中，将全部其它光罩例子配准到第一光罩例子且接着将来自其它光罩例子的缺陷位置精准地映射到第一光罩例子。由于映射是大体上精准的，所以一个重复缺陷的缺陷被映射到第一光罩例子且大体上彼此靠近。
尽管一个特定光罩例子(光罩例子404)在图4(及本文中描述的其它图)中展示为用作多个光罩例子中的第一者，但用作多个光罩例子中的第一者的光罩例子可不同于本文中展示的光罩例子。一般来说，由检验子系统扫描(借此产生光罩例子的输出)的晶片上的任何光罩例子可用作多个光罩例子中的第一者。在一些例子中，使用所扫描的第一光罩例子作为多个光罩例子中的第一者可为实际的。然而，任何适当光罩例子可用作用于本文中描述的实施例的第一光罩例子。
以此方式，本文中描述的实施例以大体上高精准度确定相对缺陷定位(或相对缺陷位置)。如本文中进一步描述，将缺陷定位从一个光罩例子的扫描带坐标变换为另一光罩例子的扫描带坐标。因此，本文中相对于一个光罩例子中的不同扫描带确定相对缺陷定位。因而，如本文中描述那样确定的相对缺陷定位不同于绝对缺陷定位，相对缺陷定位大体上定义为相对于晶片坐标的缺陷定位。以此方式，本文中描述的实施例的相对缺陷位置精准度是关于扫描带坐标的精准度。
在一个实施例中，一或多个计算机子系统经配置以在不具有形成于晶片上的装置的设计信息的情况下执行上文描述的对准、确定及应用步骤。举例来说，本文中描述的实施例在不具有任何多裸片光罩检验的设计信息的情况下改进关于特定光罩例子(第一光罩例子)及扫描带的缺陷位置精准度。关于多裸片光罩，光罩是掩模。裸片是芯片。如果掩模包含一个芯片，那么其是单裸片光罩。如果掩模包含多个芯片(例如，3个芯片)，那么其是多裸片光罩。
在另一实施例中，一或多个计算机子系统未经配置以使用形成于晶片上的装置的设计信息执行任何步骤。举例来说，如上文描述，在一个实施例中，在不具有设计信息的情况下执行对准、确定及应用步骤。另外，可未使用设计信息执行本文中描述的其它步骤。因此，可执行本文中描述的实施例而不管设计信息在本文中描述的系统及方法中是否可用。
在一个实施例中，在检测之前用多裸片光罩印刷晶片。举例来说，本文中描述的实施例可用于通过检测印刷有多裸片光罩的晶片上的缺陷且接着确定在晶片上检测到的哪些缺陷是归因于多裸片光罩而检测多裸片光罩上的缺陷。可通过识别晶片上的重复的缺陷或“重复缺陷”而执行确定在晶片上检测到的哪些缺陷是归因于多裸片光罩。以此方式，可通过重复缺陷分析而识别在晶片上检测到的归因于用于印刷晶片的多裸片光罩的缺陷，此可如本文中进一步描述那样执行。
在一些实施例中，一或多个计算机子系统经配置以基于缺陷的经变换扫描带坐标确定缺陷是否为重复缺陷。以此方式，本文中描述的实施例可经配置以执行重复缺陷分析而确定哪些缺陷是重复缺陷。重复缺陷大体上定义为出现在“相同”光罩例子坐标处的一组(例如，两个或更多个)缺陷(其中如果光罩例子坐标完全相同或在某预定可允许容限内相同，那么其可被视为“相同”)。另外，在固定扫描带扫描时，重复缺陷的缺陷定位于相同对应扫描带(多个光罩例子中的相同扫描带)上。(在固定扫描带扫描时，通过扫描多个子裸片图像或扫描带图像而获取光罩例子图像。在晶片上，存在许多裸片行。对于每一裸片行，对应扫描带图像的位置相同。换句话说，用相同扫描带布局扫描每一裸片行。)执行重复缺陷分析以找到来自全部所检测事件的重复缺陷。
如本文中进一步描述，通过将缺陷位置从其中检测到缺陷的光罩例子中的扫描带坐标变换为晶片上的光罩例子中的仅一者的扫描带坐标，可以大体上高精准度确定相对于特定光罩例子及扫描带的缺陷位置。如果相对于缺陷定位于其中的扫描带的缺陷位置更精准，那么重复缺陷分析可使用更小重复缺陷容限且借此可产生更少错误重复缺陷且减少重复缺陷检测时间。因而，本文中描述的实施例允许重复缺陷分析中的重复缺陷搜索面积减小100倍到10,000倍(或重复缺陷容限减小10倍、100倍面积缩减的10个像素对1个像素、10,000倍面积缩减的10个像素对0.1个像素)。如本文中使用的所述术语“重复缺陷容限”定义为以缺陷位置为中心的半径。重复缺陷搜索范围将近似为[-半径，+半径]。搜索面积是半径的平方乘以π。像素中的最小搜索范围是从[-0.1,0.1]到[-1,1]，此取决于可识别的对准目标的数目(或在对准步骤中执行的对准的精准度)。最小搜索面积是从0.0314像素平方到3.14像素平方(相较于314像素平方)。以此方式减小重复缺陷搜索面积将潜在地显著减少错误重复缺陷。
图3说明减小重复缺陷搜索面积将如何减少错误重复缺陷检测。一般来说，如关于此图描述，缺陷位置精准度、重复缺陷容限及错误重复缺陷检测之间存在关系，且相对缺陷位置精准度对重复缺陷检测具有影响。重复缺陷容限是确定重复缺陷搜索面积的用户定义的参数。光罩堆叠是叠加在一起的数个对准光罩例子上的缺陷的视图。在光罩堆叠上的重复缺陷搜索面积内的全部缺陷被视为属于独特重复缺陷的重复缺陷。独特重复缺陷由其光罩坐标区别。在一个此实例中，重复缺陷检测算法可确定如果至少三个光罩例子中在重复缺陷搜索面积内检测到缺陷，那么可将所述三个缺陷识别为重复缺陷。
在图3中展示的光罩堆叠图300中，展示缺陷304及306。缺陷304是扰乱点缺陷的多个例子，且缺陷306是所关注缺陷(DOI)的多个例子。特定来说，由图3中的较淡阴影展示的缺陷304被认为是非重复缺陷，且由图3中的较深阴影展示的缺陷306被认为是重复缺陷。图3中展示的缺陷并不意在展示在任何实际晶片上检测到的任何实际缺陷。代替性地，这些缺陷仅在图3中展示以促进理解本文中描述的实施例。
光罩堆叠图300可以任何合适方式产生，举例来说，通过覆盖在印刷于晶片上的多个光罩例子中检测到的缺陷的信息。所覆盖的信息可包含缺陷所定位的位置，且缺陷可在其在光罩堆叠图中的位置处由某一符号(例如图3中展示的阴影圆圈)指示。以此方式，可在光罩堆叠图中识别在多个光罩例子中彼此具有空间一致性的缺陷。换句话说，可在光罩堆叠图中识别在多个光罩例子中的相同或大体上相同位置处检测到的缺陷。
可基于针对重复缺陷分析的缺陷的相对缺陷位置精准度设置重复缺陷搜索面积。特定来说，可在相对缺陷位置精准度较低时使用较大重复缺陷搜索面积，且可在相对缺陷位置精准度较高时使用较小重复缺陷搜索面积。以此方式，重复缺陷搜索面积可基于相对缺陷位置精准度而不同，使得可识别重复缺陷而无与确定位置的精准度无关。如图3中展示，如果重复缺陷搜索面积308设置为足够大使得其将缺陷306正确地识别为重复缺陷，那么相同重复缺陷搜索面积还会将一些缺陷304不正确地识别为重复缺陷。以此方式，归因于在光罩堆叠图300中检测到的缺陷的相对较差相对缺陷位置精准度，使用较大重复缺陷容限且检测到错误重复缺陷。
然而，如果缺陷相对位置精准度较高，那么重复缺陷在空间上更紧密且非重复缺陷仍随机分布。可减小重复缺陷搜索面积而仍同样地正确识别重复缺陷，接着可减少不正确地识别为重复缺陷的非重复缺陷的数目。举例来说，如可如上文描述那样产生的光罩堆叠图302中展示，展示缺陷304及306。如同光罩堆叠图300，在光罩堆叠图302中，缺陷304被认为是非重复缺陷，且缺陷306被认为是重复缺陷。当缺陷位置精准度较高时，那么较小重复缺陷搜索面积可用于光罩堆叠图的重复缺陷分析。如果具有小于重复缺陷搜索面积308的面积的重复缺陷搜索面积310因以如本文中描述的较大精准度确定相对缺陷位置而能够于光罩堆叠图302中使用，那么可将缺陷306正确地识别为重复缺陷而未将缺陷304中的任一者不正确地识别为重复缺陷。举例来说，如图3中展示，甚至三个最紧密间隔的缺陷304都仍未在重复缺陷搜索面积310内且因此将不被识别为重复缺陷。以此方式，通过减小重复缺陷搜索面积，可减少不正确地确定为重复缺陷的缺陷的数目。
与本文中描述的实施例相反，用于检验印刷有多裸片光罩的晶片的当前使用的方法及系统是逐扫描带检测缺陷且报告相对于晶片的缺陷位置。此方法产生每一扫描带上的良好缺陷位置，这是因为预映射及运行时间对准(RTA)对准相同扫描带或光罩行中的光罩例子。然而，不存在对准跨光罩行的扫描带之间的光罩例子的任何机制。不同光罩例子上的扫描带之间的重复缺陷位置可为扫描带位置精准度的2倍大，例如约300nm或约10个像素。理想地，在此类情形中，应将重复缺陷容限设置为等于或大于300nm以找到全部重复缺陷例子。然而，此大的重复缺陷容限引起将更多随机缺陷检测为重复缺陷。
如本文中进一步描述，本文中描述的实施例以大体上高精准度确定相对缺陷定位或位置。相比之下，如所属领域中常用的所述术语绝对缺陷位置精准度或缺陷位置精准度(DLA)是相对于晶片坐标的精准度。然而，绝对DLA是非必要的，且相对于共同光罩-扫描带坐标的缺陷位置精准度足以用于重复缺陷分析。如果缺陷位置在其中不考虑相对于晶片的光罩位置的光罩堆叠中更精准，那么可移除更多随机事件(即，作为非重复缺陷而被排除)。如果相对于其光罩例子坐标的缺陷位置更精准，那么重复缺陷分析可使用更小重复缺陷容限且产生更少错误重复缺陷。
还应注意，本文中描述的实施例集中于以大体上高相对位置精准度检测缺陷的方法及系统。重复缺陷分析可由或可不由本文中描述的实施例执行。举例来说，由本文中描述的实施例确定的缺陷位置的大体上高相对位置精准度为重复缺陷检测提供优点而与其如何执行无关。换句话说，本文中描述的实施例提供接着可用于任何重复缺陷检测过程的大体上精准缺陷相对定位。以此方式，本文中描述的实施例可与任何重复缺陷分析方法或系统一起使用，这是因为可将由本文中描述的实施例产生的经变换相对缺陷定位的结果输入到任何重复缺陷分析方法或系统。另外，由本文中描述的实施例产生的大体上高精准度相对缺陷定位为重复缺陷分析提供优点而与如何执行重复缺陷分析无关。
在另一实施例中，一或多个计算机子系统经配置以基于缺陷的经变换扫描带坐标确定晶片上的缺陷是否由用于将图案化特征印刷于晶片上的光罩引起。在一个此实施例中，光罩是极紫外线(EUV)光罩。举例来说，本文中描述的实施例可用于EUV掩模监测的印刷检查，执行印刷检查以在晶片生产期间周期性地检测重复缺陷。换句话说，确定晶片上的缺陷是否由光罩引起可包含执行如上文描述的重复缺陷分析且接着可检查经检测重复缺陷以确定其是否对应于光罩上的某一特征或缺陷。如本文中进一步描述，实施例尤其适于检测印刷有多裸片光罩的晶片上的重复缺陷。另外，本文中描述的实施例尤其适于检测晶片上由EUV光罩(即，经设计用于运用EUV光执行的EUV光刻的光罩)引起的重复缺陷。因为此类光罩不包含保护薄膜，所以其更易受光刻工艺期间发生的污染的影响。因而，这些光罩倾向于需要按规则间隔进行检查以确定其是否仍适用于光刻工艺。本文中描述的实施例提供尤其适于此光罩检查的方法及系统。
在额外实施例中，在对准步骤中使用的帧中的第一者的输出是帧中的第一者中的对准目标的输出，在对准步骤中使用的帧中的对应其它者的输出是帧中的对应其它者中的对准位点的输出，计算机子系统经配置以选择光罩的多个例子中的第一者中的多个扫描带中的第一者中的帧中的对准目标，且选择对准目标包含：选择光罩的多个例子中的第一者中的多个扫描带中的第一者中的帧中的每一者中的对准目标中的至少一者。换句话说，可在将用作第一光罩例子的光罩例子中的扫描带中的帧中的每一者中选择至少一个对准目标。可针对晶片上将扫描的每一扫描带执行此对准目标选择。以此方式，可在将用作第一光罩例子的光罩例子中的扫描带中的每一者中的帧中的每一者中选择至少一个对准目标。
在图5中展示一个此实施例。在此实施例中，晶片500包含形成于其上的若干光罩例子，包含光罩例子502，其可用作本文中描述的实施例中的多个光罩例子中的第一者。在此实施例中，计算机子系统(图5中未展示)可执行选择对准目标步骤504，其中从第一光罩例子中的每一扫描带选择对准目标。特定来说，如图5中展示，如本文中描述那样配置的检验子系统可扫描若干扫描带506(包含扫描带1到扫描带N)中的第一光罩例子。(尽管光罩例子在图5中展示为以垂直划分光罩例子的4个扫描带扫描，但本文中描述的晶片上的光罩例子可以任何合适数目个扫描带扫描，这例如取决于光罩及裸片配置以及检验子系统布置。)以此方式，检验子系统可产生晶片的若干扫描带的检验数据或输出。在步骤504中选择对准目标可包含：取决于将针对重复缺陷检查扫描带的哪一或多者而选择扫描带中的至少一者(例如，一个扫描带、一些(并非全部)扫描带或全部扫描带)中的对准目标。特定来说，可针对将针对其执行重复缺陷分析的扫描带中的每一者选择对准目标。另外，可针对扫描带中的每一者独立地选择对准目标。举例来说，扫描带中的一者中的对准目标可独立于扫描带的另一者(或全部其它者)中的对准目标而选择。
在每一扫描带中选择的对准目标的数目可取决于扫描带中的帧的数目而变化。举例来说，可在其中选择对准目标的任一扫描带中的帧中的每一者中选择一个对准目标。然而，还可在每一帧中选择一个以上目标。一般来说，经识别且经选择用于本文中描述的实施例的对准目标越多，那么可用于重复缺陷分析的搜索范围越小。另外，无法保证可在每一帧中找到合适对准目标。如果针对特定帧无法找到对准目标，那么可使用对整个帧的正规化交叉相关(或本文中描述的另一对准方法)来对准光罩例子，或可使用相邻帧的信息来对准光罩例子。
对准目标可包含任何合适对准目标及图案化特征。合适对准目标可为满足特定准则的图像图案。举例来说，对准目标可经选择以包含在帧的某一区域内在一或多个特性(例如，形状、大小、定向、灰阶改变等)方面独特的图案化特征，使得其可用于以相对较高可信度进行对准。对准目标优选还可包含使其适于在两个维度(x及y)上对准的特征。一般来说，存在用以在检验输出的帧内选择合适对准目标的许多方式，且可如本文中描述那样以所述方式中的任一者选择对准目标。然而，应注意，本文中描述的实施例优选在不使用晶片的设计信息(例如，设计数据)的情况下执行，这是因为设计信息可能并非始终可用(例如，因知识产权原因)。以此方式，本文中描述的对准目标选择可使用由检验子系统针对第一光罩例子产生的输出(例如，图像)来执行(与使用设计信息来选择对准目标相反)。因此，本文中描述的实施例提供在不具有设计数据的情况下实现用于重复缺陷分析的大体上高相对缺陷位置精准度的能力。
如图5中展示，计算机子系统可经配置以执行保存对准目标步骤508。所选择的对准目标可以若干不同方式保存(或存储于本文中描述的计算机可读存储媒体中的一或多者中)。除非本文中另有提及，否则已选择的对准目标的信息可包含对准目标的任何可用信息，但最可能将至少包含对准目标的扫描带坐标、对准目标定位于其中的帧及对准目标定位于其中的扫描带。以此方式，所保存的对准目标的数据可看似：目标(ID)＝(对准目标扫描带坐标,帧ID,扫描带ID,…)。因而，计算机子系统可产生经存储目标信息510。接着，可如本文中进一步描述那样使用经存储目标信息。
在另一实施例中，在对准步骤中使用的帧中的第一者的输出是帧中的第一者中的对准目标的输出，在对准步骤中使用的帧中的对应其它者的输出是帧中的对应其它者中的对准位点的输出，且计算机子系统经配置以：选择多个光罩例子中的第一者中的多个扫描带中的帧中的对准目标；基于对准目标定位于其中的多个扫描带将选定对准目标分离成群组，使得群组中的每一者对应于少于全部多个扫描带；及基于一或多个计算机子系统的不同部分的哪些部分分别针对群组中的不同者执行检测、对准、确定及应用而将群组中的选定对准目标的信息存储到一或多个计算机子系统的不同部分中。举例来说，计算机子系统可如本文中进一步描述那样选择对准目标，且计算机子系统可将目标保存到包含于计算机子系统中的不同图像计算机(IMC)节点(未展示)中且将目标按扫描带分组。特定来说，可将目标存储于将处理目标定位于其中的扫描带的检验输出的IMC节点中。以此方式，IMC节点可仅存储本文中描述的其它步骤将需要的对准目标。此分组及存储还不限于仅IMC节点，而是可用于本文中描述的任何其它存储媒体。
以此方式，如图5中展示，在一个实施例中，选自扫描带1的对准目标可存储为目标1，其可为对准目标的一个群组，且选自扫描带N的对准目标可存储为目标N，其可为对准目标的另一群组。可同样针对其中选择对准目标的任何其它扫描带存储对准目标信息。因而，可通过计算机子系统产生对准目标的不同群组，且不同群组中的每一者可对应于不同扫描带中的一者。接着，可将不同目标组中的每一者存储于将使用不同目标群组的不同IMC节点中。举例来说，目标1的群组可存储于将处理扫描带1中的检验输出的第一IMC节点中，且目标N的群组可存储于将处理扫描带N中的检验输出的IMC节点N中。其它群组中的对准目标的信息可以类似方式存储于其它IMC节点中。
在一些实施例中，在对准步骤中使用的帧中的第一者的输出是帧中的第一者中的对准目标的输出，在对准步骤中使用的帧中的对应其它者的输出是帧中的对应其它者中的对准位点的输出，且一或多个计算机子系统经配置以在检验子系统将所产生能量引导到晶片且检测器检测来自晶片的能量以进行检验扫描时，从由检测器针对晶片产生的输出选择光罩的多个例子中的第一者中的多个扫描带中的帧中的对准目标。以此方式，可如本文中进一步描述那样执行的对准目标选择可在晶片检验的运行时间期间执行。因此，本文中描述的实施例提供在不具有设置扫描的情况下实现用于重复缺陷分析的大体上高相对缺陷位置精准度的能力(这是因为对准目标选择不需要设置扫描)。因而，如本文中描述那样执行的对准目标选择可为用于第一受检验光罩例子的相对对准的运行时间目标识别。换句话说，当检验第一光罩例子时，从第一光罩例子选择对准目标。每帧可选择至少一个目标。此对准目标选择可如本文中描述进一步执行。
图6展示在已如上文描述那样从第一光罩例子选择对准目标之后可针对任何其它受检验光罩例子执行的运行时间过程。在图6中，晶片600具有形成于其上的若干光罩例子，包含光罩例子602(其可用作如本文中描述的多个光罩例子中的第一者)及光罩例子608(其可为晶片上的另一受检验光罩例子)。如上文进一步描述，可扫描第一光罩例子602，借此如本文中描述那样产生从其选择目标606的若干扫描带604的输出。在此实施例中，目标可在检验过程的运行时间期间选择且可如本文中进一步描述那样存储于计算机子系统的对应IMC节点(未展示)上。举例来说，目标1可存储于IMC节点1上、…目标N可存储于IMC节点N上，以此类推。当接着扫描其它光罩例子608借此产生若干扫描带610时，可在对准步骤612中将对准目标606的输出与对应帧及对应扫描带610中的对准位点的输出对准。此对准步骤可如本文中进一步描述那样执行。
接着，可在变换坐标步骤614中使用对准步骤的结果，变换坐标步骤614可包含：基于对准位点的输出的扫描带坐标与在对准步骤中与其对准的对准目标的输出的扫描带坐标之间的差异分别确定其它光罩例子中的对准位点中的每一者的不同扫描带坐标偏移；及将不同扫描带坐标偏移中的一者应用于针对在晶片上检测到的缺陷报告的扫描带坐标，其中基于其中检测到缺陷的多个光罩例子中的其它者确定将不同扫描带坐标偏移中的哪一者应用于针对缺陷报告的扫描带坐标。以此方式，变换坐标步骤614可将针对缺陷报告的扫描带坐标从光罩例子608中的扫描带坐标变换为第一光罩例子602中的扫描带坐标。可针对在晶片上检验的全部光罩例子执行这些步骤。
以此方式，本文中描述的实施例可使用运行时间识别的目标执行光罩例子-扫描带坐标变换。如本文中进一步描述，当检验任何其它光罩例子时，可通过对准第一光罩例子的目标与受检验光罩例子而确定每一帧(及因此每一扫描带)的第一光罩例子及受检验光罩例子的扫描带坐标之间的偏移。在检测到任何缺陷之后，将其呈光罩例子-扫描带坐标的位置变换成第一光罩例子的光罩例子-扫描带坐标。以此方式，依据第一光罩例子的扫描带坐标表示全部光罩例子中的缺陷定位。
在又一实施例中，在对准步骤中使用的帧中的第一者的输出是帧中的第一者中的对准目标的输出，在对准步骤中使用的帧中的对应其它者的输出是帧中的对应其它者中的对准位点的输出，且计算机子系统经配置以：在于检验子系统的检测器产生用于检测晶片上的缺陷的输出之前执行的光罩的多个例子中的仅一者的设置扫描中，从由检测器针对晶片产生的输出选择光罩的多个例子中的一者中的多个扫描带中的帧中的对准目标；产生含有选定对准目标的信息的数据结构；及将数据结构存储于非暂时性计算机可读存储媒体中。用于设置的“一个光罩例子”或“设置光罩例子”可为晶片上的任何光罩例子。以此方式，可在晶片的设置扫描中选择且存储对准目标。举例来说，如果处理能力相对关键且检验(运行时间)期间的目标查找不被接受，那么可使用设置扫描来脱机选择目标。此对准目标选择可如图5中展示那样执行。然而，不同于上文描述那样在检验运行时间期间进行对准目标选择(其中可将选定对准目标的信息存储于计算机子系统的IMC节点上)，当在设置扫描期间选择对准目标时，可将对准目标的信息存储到脱机存储装置。脱机存储装置可为例如可由计算机子系统存取的存储媒体中的数据库或本文中描述的非暂时性计算机可读媒体中的一者。以此方式，本文中描述的实施例可包含各别的基于设置的对准目标识别及目标的脱机存储。在检验的设置阶段期间执行的对准目标选择可如本文中描述那样以其它方式执行。举例来说，在设置扫描中，可从一个光罩例子选择对准目标。每帧可选择至少一个目标。接着，将目标保存到适当存储媒体(例如脱机数据库)中。
在检验的设置阶段期间选择的对准目标可用于如本文中进一步描述的缺陷扫描带坐标变换。举例来说，可如图6中展示那样执行使用基于设置的目标的缺陷扫描带坐标变换。然而，不同于上文描述的运行时间对准目标选择，在此实施例中，目标606可存储于脱机存储装置中而非计算机子系统的IMC节点上。在检验期间，可通过对准设置光罩例子的目标与受检验光罩例子的图像而计算每一帧的设置光罩例子与受检验光罩例子的扫描带坐标之间的偏移，此可如本文中进一步描述那样执行。在检测到任何缺陷之后，可将其在其中检测到缺陷的光罩例子的光罩例子-扫描带坐标中的位置变换成设置光罩例子的光罩例子-扫描带坐标，如本文中进一步描述。以此方式，可依据设置光罩例子的扫描带坐标表示全部其它光罩例子中的缺陷。
在另一实施例中，在对准步骤中使用的帧中的第一者的输出是帧中的第一者中的对准目标的输出，在对准步骤中使用的帧中的对应其它者的输出是帧中的对应其它者中的对准位点的输出，且一或多个计算机子系统经配置以：在于检验子系统的检测器产生用于检测晶片上的缺陷的输出之前执行的光罩的多个例子中的仅一者的设置扫描中，从由检测器针对晶片产生的输出选择光罩的多个例子中的一者中的多个扫描带中的帧中的对准目标；产生仅含有选定对准目标的位置信息的数据结构；及将数据结构存储于非暂时性计算机可读存储媒体中。以此方式，可在晶片的设置扫描中选择对准目标且可存储其位置。在设置期间仅可保存目标位置以减小数据库(或其它数据结构)大小。因此，本文中描述的实施例可经配置用于各别的基于设置的对准目标识别及目标位置的脱机存储。在设置扫描中，从“一个光罩例子”或“设置光罩例子”选择对准目标。每帧可选择至少一个目标。接着，可将目标位置信息存储到脱机数据库或任何其它合适存储媒体中。
在图7中展示一个此实施例。任何光罩例子可选择为设置光罩例子。在图7中，将第一光罩例子选择为设置光罩例子。在此实施例中，晶片700可包含形成于其上的若干光罩例子，包含光罩例子702，其可用作本文中描述的实施例中的多个光罩例子中的一者。在此实施例中，计算机子系统(图7中未展示)可执行选择对准目标步骤704，其中从设置光罩例子中的每一扫描带选择对准目标。特定来说，如图7中展示，如本文中描述那样配置的检验子系统可以若干扫描带706(包含扫描带1到扫描带N)扫描设置光罩例子。以此方式，检验子系统可产生晶片的若干扫描带的检验数据或输出。在步骤704中选择对准目标可如本文中描述那样执行。对准目标可如本文中进一步描述那样配置。
如图7中展示，计算机子系统可经配置以执行保存对准目标位置步骤708。所选择的对准目标的位置可以若干不同方式保存(或存储于本文中描述的计算机可读存储媒体中的一或多者中)。除非本文中另有提及，否则已选择的对准目标的位置信息可包含对准目标的任何可用位置信息，但最可能将至少包含对准目标的扫描带坐标、对准目标定位于其中的帧及对准目标定位于其中的扫描带。以此方式，所保存的对准目标的数据可看似：目标(ID)＝(对准目标扫描带坐标,帧ID,扫描带ID,…)。因而，计算机子系统可产生经存储目标位置信息710，其在此情况中仅包含位置信息。特定来说，针对扫描带1中的对准目标存储的对准目标位置信息可包含位置1，…针对扫描带N中的对准目标存储的对准目标位置信息可包含位置N，等等。接着，可如本文中进一步描述那样使用经存储目标位置信息。
在一个此实施例中，一或多个计算机子系统经配置以获取由检测器在仅基于位置信息检验晶片期间针对光罩的多个例子中的选定对准目标产生的输出。以此方式，可在基于目标位置进行检验期间产生目标(例如，目标图像)。在图8中展示一个此实施例。在此图中，晶片800包含若干光罩例子，包含光罩例子802(其在此实施例中用作设置光罩例子)及光罩例子808(其在此实施例中是另一受检验光罩例子)。如本文中进一步描述，在设置扫描中，可扫描光罩例子802以借此产生光罩例子的若干扫描带804的输出。接着，可如本文中进一步描述那样使用所述输出来选择对准目标，可仅存储所述对准目标的位置信息作为经存储位置信息806。
在一些此类实施例中，一或多个计算机子系统经配置以：基于对准目标定位于其中的多个扫描带将选定对准目标分离成群组，使得群组中的每一者对应于少于全部多个扫描带；及基于一或多个计算机子系统的不同部分的哪些部分分别针对群组中的不同者执行检测、对准、确定及应用而将群组中的选定对准目标的所获取输出存储到一或多个计算机子系统的不同部分中。举例来说，可基于对准目标定位于其中的扫描带而将选定对准目标的位置信息存储于脱机存储装置中。以此方式，可将对准目标按扫描带分组且接着可将对准目标的不同群组的位置信息存储到计算机子系统的不同部分中(例如，基于计算机子系统的哪些部分将处理针对每一扫描带产生的输出)。位准目标的位置信息可如本文中进一步描述那样以其它方式存储。
在检验晶片期间，可基于经存储位置信息806扫描在光罩例子802中识别的对准目标位置，如成像目标位置步骤812中展示。以此方式，成像目标位置步骤812可包含抓取并存储多个受检验光罩例子的第一光罩例子上的目标图块(patch)。还可在检验晶片期间扫描光罩例子808以借此产生所述光罩例子的若干扫描带810。接着，可如本文中进一步描述那样使用在步骤812中抓取的经存储对准目标图块及针对对应帧及扫描带中的对应对准位点处的光罩例子808产生的输出来执行对准步骤814。接着，可使用对准步骤的结果进行可如本文中进一步描述那样执行的变换坐标步骤816，以借此将在光罩例子808中检测到的缺陷的扫描带坐标变换为光罩例子802中的扫描带坐标。
因此，本文中描述的实施例可配置为使用基于设置的目标位置进行光罩例子-扫描带坐标变换。在检验期间，可基于目标位置抓取目标图块(即，图块图像，其是在特定位置处产生的相对较小图像)且将其存储于图像计算机节点上。在目标图块抓取期间，可仅扫描对准目标的位置用于图像抓取。然而，在目标图块抓取期间，可扫描待检验的整个第一光罩例子以借此产生经存储对准目标位置以及将用于检测第一光罩例子中的缺陷的输出的两个图像。可通过对准所抓取图像的目标与受检验光罩例子的图像而确定每一帧的第一光罩例子及受检验光罩例子的扫描带坐标之间的偏移。在检测到任何缺陷之后，将其在其中检测到缺陷的光罩例子的光罩例子-扫描带坐标中的位置变换成第一光罩例子的光罩例子-扫描带坐标，如本文中进一步描述。以此方式，可依据第一光罩例子的扫描带坐标表示全部其它光罩例子中的缺陷。
在一些实施例中，一或多个计算机子系统未经配置以确定缺陷相对于晶片的位置。举例来说，本文中描述的实施例都不包含或不需要确定缺陷相对于晶片或其它晶片上的参考点的位置。代替性地，在本文中描述的实施例中(或由所述实施例)确定的仅有缺陷位置是由缺陷检测步骤报告的扫描带坐标及由应用步骤确定的经变换扫描带坐标。由于专门建立本文中描述的实施例以解决重复缺陷分析中由相对缺陷位置精准度(其由本文中描述的实施例通过将一个光罩例子中的缺陷的扫描带坐标变换为另一光罩例子中的扫描带坐标而得以改进)引起的问题，因此无需通过本文中描述的实施例确定其它(例如，晶片相对)缺陷定位。
在另一实施例中，一或多个计算机子系统经配置以针对光罩的多个例子中的第一者中的多个扫描带中的帧中的其它者重复对准、确定及应用步骤。举例来说，尽管本文中关于第一光罩例子中的第一帧及第一扫描带描述一些实施例，但所述实施例可针对第一光罩例子中的其它扫描带中的其它帧执行对准、确定及应用。换句话说，本文中描述的实施例可针对在晶片上检验的一个、一些(例如，两个或更多个)或全部帧执行对准、确定及应用步骤。另外，本文中描述的实施例可针对在晶片上检测到的一个、一些(例如，两个或更多个)或全部缺陷执行而与针对缺陷报告的定位无关。
本文中描述的实施例具有优于用于确定缺陷定位的其它方法及系统的若干优点。举例来说，本文中描述的实施例在检验期间将来自全部光罩例子的缺陷位置变换为共同坐标且显著增大相对缺陷位置精准度。在额外实例中，从缺陷位置移除扫描带对扫描带(光罩例子对光罩例子)偏移。特定来说，在测量或确定扫描带偏移之后，可将缺陷位置从一个光罩例子中的扫描带变换为第一光罩例子中的对应扫描带。因此，在变换之后，移除扫描带及光罩例子之间的偏移。以此方式，缺陷位置相对于一个光罩例子-扫描带的变动(约0.1个像素到约1个像素)远比缺陷位置跨多个扫描带的变动(约10个像素)更小。在另一实例中，对于重复缺陷分析，由本文中描述的实施例提供的搜索面积缩减可为100倍到10,000倍，且由本文中描述的实施例提供的搜索范围(重复缺陷容限)缩减是约10倍到约100倍。在额外实例中，本文中描述的实施例潜在地显著减少错误重复缺陷。换句话说，本文中描述的实施例可减少重复缺陷分析的错误重复缺陷计数。此外，不同于其它缺陷定位确定方法(如对准检验输出与设计数据及标准参考裸片(SRD)方法)，本文中描述的实施例对于非基于背景的检验(非CBI)及多裸片光罩使用案例尤其有利。此外，不同于先前使用的缺陷定位确定方法及系统，本文中描述的实施例不一定需要设置扫描且更易于使用。
更明确来说，关于先前使用的SRD方法，本文中描述的实施例及所述先前使用的方法可具有相同相对缺陷位置精准度。本文中描述的实施例及SRD方法还都可在运行时间期间对准目标与检验图像，且本文中描述的一些实施例及SRD方法都将目标位置保存到数据库中。然而，不同于SRD方法及系统，本文中描述的实施例并未脱机产生在检验期间使用的(整个裸片的)黄金参考图像。另外，不同于SRD方法及系统，本文中描述的一些实施例不一定需要设置扫描。因此，本文中描述的实施例在发展及易用性方面比SRD方法及系统更简单。此外，SRD方法及系统以及本文中描述的实施例适于不同使用案例。特定来说，SRD方法及系统适于单裸片光罩使用案例，而本文中描述的实施例尤其适于不具有设计信息的多裸片光罩。
关于先前使用的CBI方法，本文中描述的实施例及所述先前使用的方法都可在运行时间期间对准目标与检验图像。另外，如CBI方法，本文中描述的一些实施例可将目标保存到数据库中。然而，不同于先前使用的CBI方法及系统，本文中描述的实施例不需要设计信息且不需要设计数据对准的检验输出。另外，不同于CBI方法及系统，本文中描述的一些实施例不一定需要设置扫描。另外，不同于CBI方法及系统，本文中描述的一些实施例未保存对准目标输出(例如，图像)且代替性地仅保存对准目标位置信息。此外，本文中描述的实施例提供可能比先前使用的CBI方法及系统更好的相对缺陷位置精准度。此外，CBI方法及系统以及本文中描述的实施例适于不同使用案例。特定来说，CBI方法及系统适于具有设计信息使用案例的多裸片光罩，而本文中描述的实施例尤其适于不具有设计信息的多裸片光罩。
本文中描述的实施例还提供在不牺牲性能的情况下实现用于重复缺陷分析的大体上高缺陷位置精准度的更简单方式。与其它现有方法相比，所述实施方案更简单且用户使用起来更简单。重复缺陷分析对于降低EUV印刷检查使用案例的扰乱率是大体上重要的，其将极有可能在未来几年被先进半导体制造商采用。
本文中描述的实施例中的每一者可如本文中描述那样进一步配置。举例来说，本文中描述的实施例中的两者或更多者可组合成一个单实施例。
另一实施例涉及一种用于变换在晶片上检测到的缺陷的定位的计算机实施方法。所述方法包含通过将缺陷检测方法应用于由检验子系统的检测器针对晶片产生的输出而检测所述晶片上的缺陷，所述检验子系统如本文中进一步描述那样配置。通过缺陷检测方法以扫描带坐标报告缺陷的定位。由检验子系统的检测器产生的输出包含晶片上的多个裸片中的每一者的输出的帧的多个扫描带，且印刷于晶片上的光罩的多个例子中的每一者包含多个裸片的至少两个例子。
所述方法还包含对准印刷于晶片上的光罩的多个例子中的第一者中的多个裸片中的第一者中的多个扫描带中的第一者中的帧中的第一者的输出与印刷于晶片上的光罩的多个例子中的其它者中的多个裸片中的对应其它者中的多个扫描带中的对应其它者中的帧中的对应其它者的输出。另外，所述方法包含基于帧的输出的扫描带坐标与在对准步骤中与其对准的帧中的第一者的输出的扫描带坐标之间的差异分别确定光罩的多个例子中的其它者中的帧中的每一者的不同扫描带坐标偏移。
所述方法进一步包含将不同扫描带坐标偏移中的一者应用于针对在晶片上检测到的缺陷报告的扫描带坐标，其中基于其中检测到缺陷的光罩的多个例子中的其它者确定将不同扫描带坐标偏移中的哪一者应用于针对缺陷报告的扫描带坐标，借此将针对缺陷报告的扫描带坐标从光罩的多个例子中的其它者中的扫描带坐标变换为光罩的多个例子中的第一者中的扫描带坐标。通过耦合到检验子系统的一或多个计算机子系统执行检测、对准、确定及应用。
所述方法的步骤中的每一者可如本文中进一步描述那样执行。所述方法还可包含可由本文中描述的检验子系统及/或计算机子系统或系统执行的任何其它步骤。可通过可根据本文中描述的实施例中的任一者配置的一或多个计算机子系统来执行所述方法的步骤。另外，可通过本文中描述的系统实施例中的任一者执行上文描述的方法。
额外实施例涉及一种非暂时性计算机可读媒体，其存储可在计算机系统上执行以执行用于变换在晶片上检测到的缺陷的定位的计算机实施方法的程序指令。在图9中展示一个此实施例。特定来说，如图9中展示，非暂时性计算机可读媒体900包含可在计算机系统904上执行的程序指令902。计算机实施方法可包含本文中描述的任何方法的任何步骤。
实施方法(例如本文中描述的方法)的程序指令902可存储于计算机可读媒体900上。计算机可读媒体可为存储媒体，例如磁盘或光盘、磁带或所属领域中已知的任何其它合适非暂时性计算机可读媒体。
可以各种方式中的任一者实施程序指令，包含基于过程的技术、基于组件的技术及/或面向对象技术等。举例来说，如所需，可使用ActiveX控件、C++对象、JavaBeans、微软基础类(“MFC”)、SSE(流式SIMD扩展)或其它技术或方法来实施程序指令。
计算机系统904可根据本文中描述的实施例中的任一者配置。
本文中描述的全部方法可包含将方法实施例的一或多个步骤的结果存储于计算机可读存储媒体中。结果可包含本文中描述的结果中的任一者且可以所属领域中已知的任何方式存储。存储媒体可包含本文中描述的任何存储媒体或所属领域中已知的任何其它合适存储媒体。在已存储结果之后，结果可在存储媒体中存取且由本文中描述的方法或系统实施例中的任一者使用、经格式化以显示给用户、由另一软件模块、方法或系统使用，等等。举例来说，一或多个计算机子系统可将识别为重复缺陷的缺陷的信息输出到光罩修复系统，且光罩修复系统可使用识别为重复缺陷的缺陷的信息来对光罩执行修复过程以借此消除光罩上的缺陷。
鉴于此描述，所属领域的技术人员将明白本发明的各种方面的进一步修改及替代实施例。举例来说，本发明提供用于变换在晶片上检测到的缺陷的定位的方法及系统。因此，此描述仅应解释为阐释性的且用于教示所属领域的技术人员以实行本发明的一般方式的目的。应了解，本文中展示且描述的本发明的形式应视为目前优选实施例。全部如所属领域的技术人员在获益于本发明的此描述之后将明白，元件及材料可取代本文中说明且描述的元件及材料，部分及过程可颠倒，且可独立利用本发明的某些特征。在不脱离如所附权利要求书中描述的本发明的精神及范围的情况下，可对本文中描述的元件进行改变。

Claims (24)

1.一种经配置以变换在晶片上检测到的缺陷的定位的系统，其包括：
检验子系统，其包括至少能量源及检测器，其中所述能量源经配置以产生引导到晶片的能量，其中所述检测器经配置以检测来自所述晶片的能量且响应于所述经检测能量而产生输出，其中所述输出包括所述晶片上的多个裸片中的每一者的输出的帧的多个扫描带，且其中印刷于所述晶片上的光罩的多个例子中的每一者包括所述多个裸片的至少两个例子；及
一或多个计算机子系统，其经配置以：
通过将缺陷检测方法应用于由所述检测器产生的所述输出而检测所述晶片上的缺陷，其中通过所述缺陷检测方法以扫描带坐标报告所述缺陷的定位；
对准印刷于所述晶片上的所述光罩的所述多个例子中的第一者中的所述多个裸片中的第一者中的所述多个扫描带中的第一者中的所述帧中的第一者的所述输出与印刷于所述晶片上的所述光罩的所述多个例子中的其它者中的所述多个裸片中的对应其它者中的所述多个扫描带中的对应其它者中的所述帧中的对应其它者的所述输出；
基于所述帧的所述输出的扫描带坐标与在对准步骤中与其对准的所述帧中的所述第一者的所述输出的扫描带坐标之间的差异分别确定所述光罩的所述多个例子中的所述其它者中的所述帧中的每一者的不同扫描带坐标偏移；及
将所述不同扫描带坐标偏移中的一者应用于针对在所述晶片上检测到的所述缺陷报告的所述扫描带坐标，其中基于其中检测到所述缺陷的所述光罩的所述多个例子中的所述其它者确定将所述不同扫描带坐标偏移的哪一者应用于针对所述缺陷报告的所述扫描带坐标，借此将针对所述缺陷报告的所述扫描带坐标从所述光罩的所述多个例子中的所述其它者中的扫描带坐标变换为所述光罩的所述多个例子中的所述第一者中的扫描带坐标。
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以在不具有形成于所述晶片上的装置的设计信息的情况下执行所述对准、所述确定及所述应用。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述一或多个计算机子系统未经配置以使用形成于所述晶片上的装置的设计信息来执行任何步骤。
4.根据权利要求1所述的系统，其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以基于所述缺陷的所述经变换扫描带坐标确定所述缺陷是否为重复缺陷。
5.根据权利要求1所述的系统，其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以基于所述缺陷的所述经变换扫描带坐标确定所述晶片上的所述缺陷是否由用于将图案化特征印刷于所述晶片上的所述光罩引起。
6.根据权利要求1所述的系统，其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以基于所述缺陷的所述经变换扫描带坐标确定所述晶片上的所述缺陷是否由用于将图案化特征印刷于所述晶片上的所述光罩引起，且其中所述光罩是极紫外线光罩。
7.根据权利要求1所述的系统，其中在所述对准步骤中使用的所述帧中的所述第一者的所述输出是所述帧中的所述第一者中的对准目标的输出，其中在所述对准步骤中使用的所述帧中的所述对应其它者的所述输出是所述帧中的所述对应其它者中的对准位点的输出，其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以选择所述光罩的所述多个例子中的所述第一者中的所述多个扫描带中的所述第一者中的所述帧中的对准目标，且其中所述选择所述对准目标包括：选择所述光罩的所述多个例子中的所述第一者中的所述多个扫描带中的所述第一者中的所述帧中的每一者中的所述对准目标中的至少一者。
8.根据权利要求1所述的系统，其中在所述对准步骤中使用的所述帧中的所述第一者的所述输出是所述帧中的所述第一者中的对准目标的输出，其中在所述对准步骤中使用的所述帧中的所述对应其它者的所述输出是所述帧中的所述对应其它者中的对准位点的输出，且其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以：选择所述光罩的所述多个例子中的所述第一者中的所述多个扫描带中的所述帧中的对准目标；基于所述对准目标定位于其中的所述多个扫描带将所述选定对准目标分离成群组，使得所述群组中的每一者对应于少于全部所述多个扫描带；及基于所述一或多个计算机子系统的不同部分的哪些部分分别针对所述群组中的不同者执行所述检测、所述对准、所述确定及所述应用而将所述群组中的所述选定对准目标的信息存储到所述一或多个计算机子系统的所述不同部分中。
9.根据权利要求1所述的系统，其中在所述对准步骤中使用的所述帧中的所述第一者的所述输出是所述帧中的所述第一者中的对准目标的输出，其中在所述对准步骤中使用的所述帧中的所述对应其它者的所述输出是所述帧中的所述对应其它者中的对准位点的输出，且其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以在所述检验子系统将所述所产生能量引导到所述晶片且所述检测器检测来自所述晶片的所述能量以进行检验扫描时，从由所述检测器针对所述晶片产生的所述输出选择所述光罩的所述多个例子中的所述第一者中的所述多个扫描带中的所述帧中的对准目标。
10.根据权利要求1所述的系统，其中在所述对准步骤中使用的所述帧中的所述第一者的所述输出是所述帧中的所述第一者中的对准目标的输出，其中在所述对准步骤中使用的所述帧中的所述对应其它者的所述输出是所述帧中的所述对应其它者中的对准位点的输出，且其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以：在于所述检验子系统的所述检测器产生用于检测所述晶片上的所述缺陷的所述输出之前执行的所述光罩的所述多个例子中的一者的设置扫描中，从由所述检测器针对所述晶片产生的输出选择所述光罩的所述多个例子中的所述仅一者中的所述多个扫描带中的所述帧中的对准目标；产生含有所述选定对准目标的信息的数据结构；及将所述数据结构存储于非暂时性计算机可读存储媒体中。
11.根据权利要求1所述的系统，其中在所述对准步骤中使用的所述帧中的所述第一者的所述输出是所述帧中的所述第一者中的对准目标的输出，其中在所述对准步骤中使用的所述帧中的所述对应其它者的所述输出是所述帧中的所述对应其它者中的对准位点的输出，且其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以：在于所述检验子系统的所述检测器产生用于检测所述晶片上的所述缺陷的所述输出之前执行的所述光罩的所述多个例子中的一者的设置扫描中，从由所述检测器针对所述晶片产生的输出选择所述光罩的所述多个例子中的所述仅一者中的所述多个扫描带中的所述帧中的对准目标；产生仅含有所述选定对准目标的位置信息的数据结构；及
将所述数据结构存储于非暂时性计算机可读存储媒体中。
12.根据权利要求11所述的系统，其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以获取在仅基于所述位置信息检验所述晶片期间由所述检测器针对所述光罩的所述多个例子中的所述一者中的所述选定对准目标产生的所述输出。
13.根据权利要求12所述的系统，其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以：基于所述对准目标定位于其中的所述多个扫描带将所述选定对准目标分离成群组，使得所述群组中的每一者对应于少于全部所述多个扫描带；及基于所述一或多个计算机子系统的不同部分的哪些部分分别针对所述群组中的不同者执行所述检测、所述对准、所述确定及所述应用而将所述群组中的所述选定对准目标的所述所获取输出存储到所述一或多个计算机子系统的所述不同部分中。
14.根据权利要求1所述的系统，其中所述对准包括所述帧中的所述第一者的所述输出与所述帧中的所述对应其它者的所述输出的基于目标的对准。
15.根据权利要求1所述的系统，其中所述对准包括所述帧中的所述第一者的所述输出与所述帧中的所述对应其它者的所述输出的基于特征的对准。
16.根据权利要求1所述的系统，其中所述对准包括所述帧中的所述第一者的所述输出与所述帧中的所述对应其它者的所述输出的基于正规化交叉相关的对准。
17.根据权利要求1所述的系统，其中所述对准包括所述帧中的所述第一者的所述输出与所述帧中的所述对应其它者的所述输出的基于快速傅立叶变换的对准。
18.根据权利要求1所述的系统，其中所述对准包括所述帧中的所述第一者的所述输出与所述帧中的所述对应其它者的所述输出的基于方差和的对准。
19.根据权利要求1所述的系统，其中所述一或多个计算机子系统未经配置以确定所述缺陷相对于所述晶片的定位。
20.根据权利要求1所述的系统，其中所述一或多个计算机子系统进一步经配置以针对所述光罩的所述多个例子中的所述第一者中的所述多个扫描带中的所述帧中的其它者重复所述对准、所述确定及所述应用。
21.根据权利要求1所述的系统，其中引导到所述晶片的所述能量包括光，且其中从所述晶片检测的所述能量包括光。
22.根据权利要求1所述的系统，其中引导到所述晶片的所述能量包括电子，且其中从所述晶片检测的所述能量包括电子。
23.一种非暂时性计算机可读媒体，其存储可在计算机系统上执行以执行用于变换在晶片上检测到的缺陷的定位的计算机实施方法的程序指令，其中所述计算机实施方法包括：
通过将缺陷检测方法应用于由检验子系统的检测器针对晶片产生的输出而检测所述晶片上的缺陷，其中通过所述缺陷检测方法以扫描带坐标报告所述缺陷的定位，其中所述检验子系统包括至少能量源及所述检测器，其中所述能量源经配置以产生引导到所述晶片的能量，其中所述检测器经配置以检测来自所述晶片的能量且响应于所述经检测能量而产生所述输出，且其中所述输出包括所述晶片上的多个裸片中的每一者的输出的帧的多个扫描带，且其中印刷于所述晶片上的光罩的多个例子中的每一者包括所述多个裸片的至少两个例子；
对准印刷于所述晶片上的所述光罩的所述多个例子中的第一者中的所述多个裸片中的第一者中的所述多个扫描带中的第一者中的所述帧中的第一者的所述输出与印刷于所述晶片上的所述光罩的所述多个例子中的其它者中的所述多个裸片中的对应其它者中的所述多个扫描带中的对应其它者中的所述帧中的对应其它者的所述输出；
基于所述帧的所述输出的扫描带坐标与在所述对准步骤中与其对准的所述帧中的所述第一者的所述输出的扫描带坐标之间的差异分别确定所述光罩的所述多个例子中的所述其它者中的所述帧中的每一者的不同扫描带坐标偏移；及
将所述不同扫描带坐标偏移中的一者应用于针对在所述晶片上检测到的所述缺陷报告的所述扫描带坐标，其中基于其中检测到所述缺陷的所述光罩的所述多个例子中的所述其它者确定将所述不同扫描带坐标偏移的哪一者应用于针对所述缺陷报告的所述扫描带坐标，借此将针对所述缺陷报告的所述扫描带坐标从所述光罩的所述多个例子中的所述其它者中的扫描带坐标变换为所述光罩的所述多个例子中的所述第一者中的扫描带坐标。
24.一种用于变换在晶片上检测到的缺陷的定位的计算机实施方法，其包括：
通过将缺陷检测方法应用于由检验子系统的检测器针对晶片产生的输出而检测所述晶片上的缺陷，其中通过所述缺陷检测方法以扫描带坐标报告所述缺陷的位置，其中所述检验子系统包括至少能量源及所述检测器，其中所述能量源经配置以产生引导到所述晶片的能量，其中所述检测器经配置以检测来自所述晶片的能量且响应于所述经检测能量而产生所述输出，且其中所述输出包括所述晶片上的多个裸片中的每一者的输出的帧的多个扫描带，且其中印刷于所述晶片上的光罩的多个例子中的每一者包括所述多个裸片的至少两个例子；
对准印刷于所述晶片上的所述光罩的所述多个例子中的第一者中的所述多个裸片中的第一者中的所述多个扫描带中的第一者中的所述帧中的第一者的所述输出与印刷于所述晶片上的所述光罩的所述多个例子中的其它者中的所述多个裸片中的对应其它者中的所述多个扫描带中的对应其它者中的所述帧中的对应其它者的所述输出；
基于所述帧的所述输出的扫描带坐标与在所述对准步骤中与其对准的所述帧中的所述第一者的所述输出的扫描带坐标之间的差异分别确定所述光罩的所述多个例子中的所述其它者中的所述帧中的每一者的不同扫描带坐标偏移；及
将所述不同扫描带坐标偏移中的一者应用于针对在所述晶片上检测到的所述缺陷报告的所述扫描带坐标，其中基于其中检测到所述缺陷的所述光罩的所述多个例子中的所述其它者确定将所述不同扫描带坐标偏移的哪一者应用于针对所述缺陷报告的所述扫描带坐标，借此将针对所述缺陷报告的所述扫描带坐标从所述光罩的所述多个例子中的所述其它者中的扫描带坐标变换为所述光罩的所述多个例子中的所述第一者中的扫描带坐标，且其中通过耦合到所述检验子系统的一或多个计算机子系统执行所述检测、所述对准、所述确定及所述应用。
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