KR20090074554A - 포토마스크의 결함 수정 방법 - Google Patents

포토마스크의 결함 수정 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20090074554A
KR20090074554A KR1020080000374A KR20080000374A KR20090074554A KR 20090074554 A KR20090074554 A KR 20090074554A KR 1020080000374 A KR1020080000374 A KR 1020080000374A KR 20080000374 A KR20080000374 A KR 20080000374A KR 20090074554 A KR20090074554 A KR 20090074554A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photomask
die
pattern
mask
defective
Prior art date
Application number
KR1020080000374A
Other languages
English (en)
Inventor
장동식
Original Assignee
주식회사 하이닉스반도체
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 하이닉스반도체 filed Critical 주식회사 하이닉스반도체
Priority to KR1020080000374A priority Critical patent/KR20090074554A/ko
Publication of KR20090074554A publication Critical patent/KR20090074554A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

본 발명의 포토마스크의 결함 수정 방법은, 마스크 패턴이 형성된 제1 포토마스크 및 제2 포토마스크를 제작하는 단계; 제1 및 제2 포토마스크를 검사하여 정상 다이(die) 및 불량 다이를 검출하는 단계; 불량 다이가 검출된 제2 포토마스크 상에 불량 다이를 선택적으로 노출시키는 제1 포토레지스트막 패턴을 형성하는 단계; 제1 포토레지스트막 패턴을 식각 마스크로 노출된 불량 다이의 마스크 패턴을 식각하여 제거하는 단계; 불량 다이의 노출된 기판 상에 패턴 대상막을 형성하는 단계; 패턴 대상막 위에 제2 포토레지스트막 패턴을 형성하는 단계; 제2 포토마스크의 패턴 대상막이 형성된 불량 다이 및 불량 다이와 대응되는 제1 포토마스크의 정상 다이를 제외한 나머지 영역에 선택적으로 광차단막을 형성하는 단계; 및 제1 포토마스크를 마스크로 노광 공정을 실시하여 제2 포토마스크의 불량 다이에 정상 다이를 전사하는 단계를 포함한다.
포토마스크, 불량 다이, 정상 다이

Description

포토마스크의 결함 수정 방법{Method for repairing defect in photomask}
본 발명은 포토마스크에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 포토마스크의 결함 수정 방법에 관한 것이다.
포토마스크(Photomask)는 투명한 재질의 기판에 형성된 마스크 패턴 상에 빛을 조사하여 선택적으로 투과된 빛이 웨이퍼로 전사되면서 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성하는 역할을 한다. 그런데 이러한 포토마스크를 제작하는데 있어서, 공정상 동일 다이(die), 즉, 반도체 칩 중에 불량으로 인해 발생된 마스크 상의 결함이 웨이퍼 상에 전사되어 웨이퍼 불량으로 작용할 수 있다. 이런 결함에 의한 불량을 방지하기 위해 현재 포토마스크 제작공정을 진행한 다음 리페어(repair) 공정, 세정 및 검사 공정을 진행하여 결함을 수정하고 있다. 그러나 이러한 리페어 공정 등을 진행하더라도 포토마스크 상에 형성된 결함의 일부만 수정이 가능하거나 또는 결함 수정이 불가능한 경우도 발생하고 있다. 이와 같이 포토마스크 제작시 결함이 발생되었을 때 보통 리페어 공정을 진행하고 있지만, 결함의 사이즈가 크거나 포토마스크 상에 발생된 결함의 수가 많을 경우, 리페어 공정이 불가능한 경우, 또는 패턴 불량이나 패턴의 선폭 균일도가 나쁠 경우에는 포토마스크를 반송(reject)하 고 재제작하고 있다.
포토마스크를 반송하고, 포토리소그래피 공정을 다시 반복하여 새로운 포토마스크를 제작하게 되면 상당한 시간을 소비하게 된다. 특히 결함이 자주 발생하거나 선폭 균일도의 제어가 어려운 소자 대상막(device layer)일 경우에는 여러 장의 포토마스크를 제작, 반송 및 재제작해야 함으로써 많은 시간과 비용을 소비하는 문제가 발생한다. 이에 따라 포토마스크가 반송되는 횟수를 줄이면서 결함을 수정할 수 있는 방법이 요구된다.
본 발명에 따른 포토마스크의 결함 수정 방법은, 마스크 패턴이 형성된 제1 포토마스크 및 제2 포토마스크를 제작하는 단계; 상기 제1 및 제2 포토마스크를 검사하여 정상 다이(die) 및 불량 다이를 검출하는 단계; 상기 불량 다이가 검출된 제2 포토마스크 상에 상기 불량 다이를 선택적으로 노출시키는 제1 포토레지스트막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제1 포토레지스트막 패턴을 식각 마스크로 상기 노출된 불량 다이의 마스크 패턴을 식각하여 제거하는 단계; 상기 불량 다이의 노출된 기판 상에 패턴 대상막을 형성하는 단계; 상기 패턴 대상막 위에 제2 포토레지스트막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제2 포토마스크의 패턴 대상막이 형성된 불량 다이 및 상기 불량 다이와 대응되는 제1 포토마스크의 정상 다이를 제외한 나머지 영역에 선택적으로 광차단막을 형성하는 단계; 및 상기 제1 포토마스크를 마스크로 노광 공정을 실시하여 상기 제2 포토마스크의 불량 다이에 정상 다이를 전사하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 있어서, 상기 마스크 패턴은 수% 투과율을 갖는 위상반전물질을 포함하는 위상반전막 패턴 또는 광차단물질을 포함하는 광차단막 패턴을 포함하여 형성할 수 있다.
상기 제1 포토마스크 및 제2 포토마스크에 형성된 마스크 패턴은 동일한 패턴으로 형성하며, 상기 제1 포토마스크 및 제2 포토마스크에 배치된 각 다이의 모서리에는 정확한 위치 정렬을 위한 얼라인 키를 배치한다.
상기 불량 다이를 검출하는 단계는 다이와 다이를 비교 분석하는 다이 투 다 이(die to die) 방식을 이용하는 것이 바람직하다.
상기 패턴 대상막은 수% 투과율을 갖는 위상반전물질을 포함하는 위상반전막 또는 광차단물질을 포함하는 광차단막을 포함하여 형성하는 것이 바람직하다.
상기 제2 포토레지스트막 패턴은 웨이퍼 노광시 사용하는 감광성 물질로 형성하는 것이 바람직하다.
상기 광차단막은, 상기 제1 포토마스크 및 제2 포토마스크에 배치된 다이에만 형성하면서, 상기 다이를 둘러싸는 외곽 영역은 노출시키는 것이 바람직하다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명하고자 한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도 1 내지 도 11은 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크의 결함 수정 방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.
도 1을 참조하면, 웨이퍼로 전사할 마스크 패턴이 형성된 제1 포토마스크(100) 및 제2 포토마스크(115)를 제작한다. 메모리용 포토마스크의 경우 포토마스크의 칩(또는 다이)은 대부분 동일한 패턴으로 구성되어 있다. 이에 따라 제1 포토마스크(100) 및 제2 포토마스크(115) 상에 형성된 마스크 패턴은 동일한 패턴으로 구성된다. 이러한 두 장의 포토마스크를 제작하는 과정에서, 도 2의 (a)를 참조하면 제1 포토마스크(100)에서는 정상적인 마스크 패턴(205)이 형성되는 반면, 도 2의 (b)를 참조하면, 제2 포토마스크(115)에서는 제1 포토마스크(100)의 다이와 대응되는 다이에 패턴이 연결되는 브릿지성 결함이 발생하거나 패턴 상에 결함(215)이 발생하는 불량 마스크 패턴(210)이 형성될 수 있다.
구체적으로, 투명 기판(200) 위에 마스크 대상막을 형성하고, 이 마스크 대상막 위에 패턴 형성영역을 정의하는 포토레지스트막 패턴(미도시함)을 형성한다. 다음에 포토레지스트막 패턴을 식각 마스크로 마스크 대상막을 식각하여 마스크 패턴(205, 210)을 형성한다. 여기서 마스크 대상막은 수 % 투과율을 갖는 위상반전물질을 포함하는 위상반전막, 예를 들어, 몰리브덴(Mo)계 화합물을 포함하여 형성할 수 있다. 이때, 마스크 대상막은 광원을 차단하는 물질, 예를 들어 크롬(Cr)을 포함하는 광차단막을 포함할 수도 있다. 그런데 식각 마스크인 포토레지스트막 패턴을 형성하는 과정에서 제대로 형성되지 않아 도 2의 (b)에 도시한 바와 같이, 원하는 마스크 패턴이 형성되지 않거나(210), 마스크 패턴 상에 결함(215)이 발생하는 경우가 있다. 이러한 결함이 존재하는 제2 포토마스크(115)를 이용하여 웨이퍼 상에 노광 공정을 진행하게 되면 웨이퍼 불량의 원인으로 작용할 수 있다.
이에 따라 제1 포토마스크(100) 및 제2 포토마스크(115)를 제작한 다음 포토마스크의 결함 여부를 검출하는 마스크 검사 공정을 진행한다. 다시 도 1을 참조하면, 제1 및 제2 포토마스크(100, 115)에는 다수의 필드가 형성되어 있으며, 하나의 필드에는 다수의 다이(die)를 포함하여 이루어진다. 그리고 필드 상에 배치되어 있는 다이는 각각의 다이를 비교 검토하는 다이 투 다이(die to die) 방법을 통해 결함이 존재하는 불량 다이를 검출할 수 있다. 그러면 도 1의 (a)에 나타내보인 제1 포토마스크(100)에서는 정상 다이(105)가 도 1의 (b)에 나타내보인 제2 포토마스크(115)의 동일한 위치에서 불량 다이(125)로 검출된다. 한편, 제1 및 제2 포토마스크(100, 115)에 배치된 각 다이의 네 모서리에는 정확한 위치 정렬을 위한 얼라인 키(align key, 110, 130)가 형성되어 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 불량 다이(125)가 검출된 제2 포토마스크(115) 상에 1차 포토레지스트막을 형성 및 패터닝하여 불량 다이(125)를 선택적으로 노출시키는 1차 포토레지스트막 패턴(225)을 형성한다. 구체적으로, 제2 포토마스크(115) 상에 포토레지스트막을 형성한다. 다음에 포토레지스트막 상에 노광 및 현상 공정을 포함하는 포토리소그래피 공정을 진행하여 불량 다이(125)를 선택적으로 노출시키는 개구부를 갖는 1차 포토레지스트막 패턴(225)을 형성한다.
그러면 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이, 정상 다이(120)는 1차 포토레지스트막 패턴(225)에 의해 마스크 패턴(225)이 차단되어 있고, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 불량 다이(125)의 불량 패턴(210) 및 결함(215)은 노출된다. 여기서 도 4의 (a)는 정상 다이의 일부 영역을 확대하여 나타내보인 도면이고, 도 4의 (b)는 불량 다이의 일부 영역을 확대하여 나타내보인 도면이다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 불량 다이(125)의 불량 패턴(210) 및 결함(215)을 제거하고, 패턴 대상막(245)을 증착한다. 그리고 패턴 대상막(245) 위에 2차 포토레지스트막 패턴(230)을 형성한다. 구체적으로, 도 6을 참조하면, 1차 포토레지스트막 패턴(225)을 식각 마스크로 노출된 불량 다이(125)의 불량 패턴(210), 예를 들어 위상반전막 패턴 또는 광차단막 패턴을 식각하여 제거한다. 그러면 불량 다 이(125)에는 투명 기판(200)이 노출된다.
다음에 도 7에 도시한 바와 같이, 패턴 대상막(245)을 형성한다. 여기서 패턴 대상막(245)은 위상반전막(235) 및 광차단막(240)을 포함하여 형성할 수 있다. 이때, 위상반전막(235)은 수 %의 투과율을 갖는 위상반전물질, 예를 들어 몰리브덴(Mo)계 화합물을 포함하며, 광차단막(240)은 광원을 차단하는 물질, 예를 들어 크롬(Cr)막으로 형성할 수 있다. 여기서 도면에서 미설명된 부분은 메인 패턴과 주변 패턴의 경계를 분리하는 보조 패턴(220)이다. 계속해서 패턴 대상막(245) 위에 2차 포토레지스트막(230)을 형성한다. 여기서 2차 포토레지스트막(230)은 전자빔(E-beam)용이 아닌 웨이퍼에서 노광 시에 사용되는 감광성 포토레지스트막으로 형성하는 것이 바람직하다. 그러면 도 5에 도시한 바와 같이, 정상 다이(120)가 배치된 부분은 1차 포토레지스트막(225)에 의해 덮여 있고, 불량 다이(125)는 2차 포토레지스트막(230)으로 덮인다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 제1 포토마스크(100) 및 제2 포토마스크(115) 상에 광차단막(250)을 선택적으로 형성한다. 여기서 광차단막(250)은 이후 제1 포토마스크(100) 및 제2 포토마스크(115)를 이용하여 노광 공정이 진행될 다이(105, 230)를 제외한 나머지 영역을 덮도록 형성한다. 이때, 제1 포토마스크(100) 및 제2 포토마스크(115)의 메인 영역에 배치된 다이의 외곽 영역, 즉, 주변 패턴 영역에는 제1 포토마스크(100) 및 제2 포토마스크(115)의 위치 정렬을 위해 광차단막(250)을 형성하지 않는다. 그리고 제1 포토마스크(100) 및 제2 포토마스크(115)의 위치를 표시하는 각 다이의 모서리에 형성된 얼라인 키(110, 130)를 노출시킨다.
도 10을 참조하면, 제1 포토마스크(100) 및 제2 포토마스크(115)를 노광 장치 상에 배치하면서, 제1 포토마스크(100)의 정상 다이(105)가 제2 포토마스크(115)의 불량 다이와 대응하도록 배치한다. 다음에 노광 장치에 배치된 제1 포토마스크(100) 및 제2 포토마스크(115)에 광원을 조사하여 제1 포토마스크(100)의 정상 다이(105)를 제2 포토마스크(115)의 불량 다이에 전사시킨다. 이에 따라 제1 포토마스크(100)의 정상적인 마스크 패턴이 제2 포토마스크(115)에 전사됨으로써 제2 포토마스크(115)의 불량을 수정할 수 있다.
도 11을 참조하면, 제1 포토마스크(100) 및 제2 포토마스크(115) 상에 증착된 광차단막(250)을 제거한다. 그러면 제2 포토마스크(115)의 불량 다이가 있는 부분에 제1 포토마스크(100)의 정상 다이를 마스크 대 마스크 1:1로 짧은 시간에 노광함으로써 정상 다이로 형성할 수 있다.
본 발명에 따른 포토마스크의 결함 수정 방법은 두 장의 포토마스크에서 정상 다이가 형성된 하나의 포토마스크를 불량 다이가 배치된 다른 포토마스크의 마스크로 이용함으로써 불량 다이를 정상 다이로 변환시킬 수 있다. 한편, 본 발명의 실시예에서는 포토마스크의 결함을 수정하는 방법에 대하여 설명하였으나, 마스크 패턴의 선폭 균일도를 제어하는 경우에도 적용할 수 있다.
도 1a 내지 도 11은 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크의 결함 수정 방법을 설명하기 위해 나타내보인 도면들이다.

Claims (8)

  1. 마스크 패턴이 형성된 제1 포토마스크 및 제2 포토마스크를 제작하는 단계;
    상기 제1 및 제2 포토마스크를 검사하여 정상 다이(die) 및 불량 다이를 검출하는 단계;
    상기 불량 다이가 검출된 제2 포토마스크 상에 상기 불량 다이를 선택적으로 노출시키는 제1 포토레지스트막 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제1 포토레지스트막 패턴을 식각 마스크로 상기 노출된 불량 다이의 마스크 패턴을 식각하여 제거하는 단계;
    상기 불량 다이의 노출된 기판 상에 패턴 대상막을 형성하는 단계;
    상기 패턴 대상막 위에 제2 포토레지스트막 패턴을 형성하는 단계;
    상기 제2 포토마스크의 패턴 대상막이 형성된 불량 다이 및 상기 불량 다이와 대응되는 제1 포토마스크의 정상 다이를 제외한 나머지 영역에 선택적으로 광차단막을 형성하는 단계; 및
    상기 제1 포토마스크를 마스크로 노광 공정을 실시하여 상기 제2 포토마스크의 불량 다이에 정상 다이를 전사하는 단계를 포함하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 마스크 패턴은 수% 투과율을 갖는 위상반전물질을 포함하는 위상반전막 패턴 또는 광차단물질을 포함하는 광차단막 패턴을 포함하여 형성하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 포토마스크 및 제2 포토마스크에 형성된 마스크 패턴은 동일한 패턴으로 형성하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 포토마스크 및 제2 포토마스크에 배치된 각 다이의 모서리에는 정확한 위치 정렬을 위한 얼라인 키를 배치하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 불량 다이를 검출하는 단계는 다이와 다이를 비교 분석하는 다이 투 다이(die to die) 방식을 이용하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 패턴 대상막은 수% 투과율을 갖는 위상반전물질을 포함하는 위상반전막 또는 광차단물질을 포함하는 광차단막을 포함하여 형성하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 제2 포토레지스트막 패턴은 웨이퍼 노광시 사용하는 감광성 물질로 형성하는 포토마스크의 결함 수정 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 광차단막은, 상기 제1 포토마스크 및 제2 포토마스크에 배치된 다이에만 형성하면서, 상기 다이를 둘러싸는 외곽 영역은 노출시키는 포토마스크의 결함 수정 방법.
KR1020080000374A 2008-01-02 2008-01-02 포토마스크의 결함 수정 방법 KR20090074554A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080000374A KR20090074554A (ko) 2008-01-02 2008-01-02 포토마스크의 결함 수정 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080000374A KR20090074554A (ko) 2008-01-02 2008-01-02 포토마스크의 결함 수정 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20090074554A true KR20090074554A (ko) 2009-07-07

Family

ID=41331824

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080000374A KR20090074554A (ko) 2008-01-02 2008-01-02 포토마스크의 결함 수정 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20090074554A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103048815A (zh) * 2013-01-15 2013-04-17 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板修复装置及方法
KR20190112177A (ko) * 2017-02-21 2019-10-02 케이엘에이 코포레이션 두 개의 포토마스크의 비교에 의한 포토마스크의 검사

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103048815A (zh) * 2013-01-15 2013-04-17 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板修复装置及方法
WO2014110854A1 (zh) * 2013-01-15 2014-07-24 深圳市华星光电技术有限公司 阵列基板修复装置及方法
KR20190112177A (ko) * 2017-02-21 2019-10-02 케이엘에이 코포레이션 두 개의 포토마스크의 비교에 의한 포토마스크의 검사

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9005882B2 (en) Reticle defect correction by second exposure
JP2002122980A (ja) 半導体集積回路装置の製造方法およびフォトマスクの製造方法
US20020076654A1 (en) Fabrication method of semiconductor integrated circuit device
KR100762245B1 (ko) 포토마스크의 패턴 결함 수정 방법
US20080044742A1 (en) Method of correcting critical dimension in photomask and photomask having corrected critical dimension using the method
US7838179B2 (en) Method for fabricating photo mask
KR20090074554A (ko) 포토마스크의 결함 수정 방법
TWI715971B (zh) 光罩及其形成方法
JP6813777B2 (ja) フォトマスク及び電子装置の製造方法
US20070160915A1 (en) Phase shifting mask having a calibration feature and method therefor
KR100924334B1 (ko) 얼라인 및 라이트 캘리브레이션을 위한 보정 패턴
KR100854459B1 (ko) 포토마스크의 결함 수정방법
KR20100010696A (ko) 포토마스크 검사용 정렬 패턴을 구비하는 포토마스크 및 그제조방법
JP2009244488A (ja) フォトマスクの欠陥修正方法及びフォトマスクとその製造方法、並びにパターン転写方法
KR20010028305A (ko) 위치정합 보정 방법
CN117806116A (zh) 一种光罩及光罩的检测方法
CN116125743A (zh) 光掩膜版及其制作方法
JP2011257614A (ja) フォトマスク、フォトマスクの再加工方法、及びレジストパターンの形成方法
CN115079511A (zh) 标记图形、光罩、光罩检测方法及介质
KR20080001463A (ko) 포토 마스크 수정 방법
KR20100076680A (ko) 위상반전마스크의 제조 방법
KR20080114422A (ko) 포토마스크의 홀패턴 결함 검사 방법
KR20080089757A (ko) 포토마스크의 핀홀 제거방법
JP2004077800A (ja) 位相シフトレチクルの製造方法
KR20080089758A (ko) 결함 조기 검사 패턴을 포함하는 포토마스크 및 제조 방법,결함 검사 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination