CN116125743A - 光掩膜版及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
一种光掩膜版及其制作方法，所述光掩膜版，包括：透明基板，所述透明基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；位于所述透明基板的第一表面上的若干分立的遮蔽图形；当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距存在异常时，在间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面还具有线性菲涅尔透镜结构，所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后汇聚或发散成正常尺寸。本申请能将两遮蔽图形之间偏大的间距或偏小的间距得以修复。
Description
技术领域
本申请涉及光掩膜版领域，尤其涉及一种能修复异常尺寸或异常间距的光掩膜版及其制作方法。
背景技术
光刻工艺是集成电路制造工艺中不可或缺的重要技术。光刻工艺通常包括步骤：先在晶圆表面涂布光刻胶等感光材料，在光刻胶材料干燥后，通过曝光机将光掩模版上的掩模图形以特定光源曝在所述的光刻胶感光材料上，随后，再以显影剂将光刻胶感光材料显影，在晶圆表面形成光刻胶图形，所述光刻胶图形在后续进行离子注入工艺或刻蚀工艺时作为掩膜图形。
现有的光掩膜版一般包括：透明基板；位于所述透明基板的表面上形成若干分立的遮蔽图形(或掩膜图形)；位于所述透明基板表面上的环形框架，所述环形框架包围所述遮蔽图形；位于所述环形框架顶部表面的保护膜，所述保护膜和环形框架用于密封所述光掩膜版。
然而，光掩膜版制作过程中很容易在形成的光掩模版中引入缺陷，这些缺陷导致光掩膜版中图形存在误差，例如错误尺寸缺陷(miss sizedefect)，具体为两相邻的遮蔽图形之间的间距偏大或偏小，因此需要对光罩上的缺陷进行修复，以减少光掩膜版中的图形误差，并获得合乎设计要求的光掩膜版。
发明内容
本申请一些实施例提供了一种光掩膜版的制作方法，包括：
提供透明基板，所述透明基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
在所述透明基板的第一表面上形成若干分立的遮蔽图形；
当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距存在异常时，在间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面形成线性菲涅尔透镜结构，所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后汇聚或发散成正常尺寸。
在一些实施例中，所述异常包括相邻的两所述遮蔽图形之间的间距大于标准值，或者相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值。
在一些实施例中，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距大于标准值时，所述形成的线性菲涅尔透镜结构的表面为呈中心轴对称的多个凸透镜结构，且所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后汇聚成正常尺寸。
在一些实施例中，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距大于标准值，且所述间距沿着两所述遮蔽图形逐渐缩小或增大时，所述线性菲涅尔透镜结构也沿着两所述遮蔽图形相应的逐渐缩小或增大。
在一些实施例中，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值时，所述形成的线性菲涅尔透镜结构的表面为呈中心轴对称的多个凹透镜结构，且所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后发散成正常尺寸。
在一些实施例中，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值时，且所述间距沿着两所述遮蔽图形逐渐缩小或增大时，所述线性菲涅尔透镜结构也沿着两所述遮蔽图形相应的逐渐缩小或增大。
在一些实施例中，所述线性菲涅尔透镜结构为直接对间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面进行处理后形成。
在一些实施例中，通过飞秒激光刻蚀工艺或者电子束刻蚀工艺对所述透明基板的第一表面进行处理后形成所述线性菲涅尔透镜结构。
本申请一些实施例还提供了一种光掩膜版，包括：
透明基板，所述透明基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
位于所述透明基板的第一表面上的若干分立的遮蔽图形；
当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距存在异常时，在间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面还具有线性菲涅尔透镜结构，所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后汇聚或发散成正常尺寸。
在一些实施例中，所述异常包括相邻的两所述遮蔽图形之间的间距大于标准值，或者相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值。
在一些实施例中，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距大于标准值时，所述线性菲涅尔透镜结构的表面为呈中心轴对称的多个凸透镜结构，且所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后汇聚成正常尺寸。
在一些实施例中，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距大于标准值，且所述间距沿着两所述遮蔽图形逐渐缩小或增大时，所述线性菲涅尔透镜结构也沿着两所述遮蔽图形相应的逐渐缩小或增大。
在一些实施例中，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值时，所述线性菲涅尔透镜结构的表面为呈中心轴对称的多个凹透镜结构，且所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后发散成正常尺寸。
在一些实施例中，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值时，且所述间距沿着两所述遮蔽图形逐渐缩小或增大时，所述线性菲涅尔透镜结构也沿着两所述遮蔽图形相应的逐渐缩小或增大。
在一些实施例中，还包括：位于所述透明基板的第一表面的边缘区域上的环绕所述遮蔽图形的环形框架；位于所述环形框架的顶部表面封闭所述环形框架内空间的保护膜。
本申请前述一些实施例中的光掩膜版，包括：透明基板，所述透明基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；位于所述透明基板的第一表面上的若干分立的遮蔽图形；当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距存在异常时，在间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面还具有线性菲涅尔透镜结构，所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后汇聚或发散成正常尺寸。当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距存在异常时，由于在间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面具有线性菲涅尔透镜结构，通过所述线性菲涅尔透镜结构将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后汇聚或发散成正常尺寸，从而使得所述两遮蔽图形之间偏大的间距或偏小的间距得以修复。
附图说明
图1-图15为本申请一些实施例中光掩膜版制作过程的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在详述本申请实施例时，为便于说明，示意图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本申请的保护范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。
本申请一些实施例首先提供了一种光掩膜版的制作方法，下面结合附图对光掩膜版制作过程进行详细的描述。
参考图1，提供透明基板201，所述透明基板201包括第一表面11和与所述第一表面11相对的第二表面12。
所述透明基板201作为光掩模版的载体，所述透明基板201的材质为透光的材质，所述透明基板201的透光率大于90％。在一些实施例中所述透明基板201的材料可以为石英玻璃或苏打玻璃。在其他一些实施例中，所述透明基板201的材料还可以为熔融硅石(fusedsilica)、氟化钙、氮化硅、氧化钛合金、蓝宝石。
在一些实施例中，所述透明基板201可以包括中间区域和环绕所述中间区域的边缘区域，所述中间区域可以呈方形或圆形或其他合适的形状，所述边缘区域呈环形，环绕所述中间区域。所述中间区域上后续用于形成遮蔽图形(或掩膜图形)，所述中间区域上后续还可以用于形成相移层，所述边缘区域上后续用于形成环形框架。
参考图2，在所述透明基板201的第一表面21上形成遮蔽图形材料层207所述遮蔽图形材料层207后续用于形成遮蔽图形。
所述遮蔽图形材料层207的材料为不透光材料，所述遮蔽图形材料层207可以为单层或多层堆叠结构(比如两层或两层以上的堆叠结构)，后续形成的遮蔽图形也为单层或多层堆叠结构(比如两层或两层以上的堆叠结构)。在一些实施例中，所述遮蔽图形材料层207的材料可以为铬、镍、铝、钌、钼、钛或钽中的一种或几种。在其他一些实施例中，所述遮蔽图形材料层207的材料还可以为铬、镍、铝、钌、钼、钛、钽、氧化铬、氧化铁、氧化铌、氮化铬、三氧化钼、氮化钼、氧化铬、氮化钛、氮化锆、氧化钛、氮化钽、氧化钽、二氧化硅、氮化铌、氮化硅、中性氧化铝、氧化铝中的一种或几种。
在一些实施例中，通过溅射工艺、电镀工艺或蒸镀工艺形成所述遮蔽图形材料层207。
在一些实施例中，在形成遮蔽图形材料层207之前，在所述透明基板201的中间区域21表面上还可以形成相移层(图中未示出)，所述相移层用于改变入射至基板内的曝光光线的相位，以提高曝光时的分辨率。所述相移层的材料为MoSi或MoSiON。
参考图3，刻蚀所述遮蔽图形材料层207(参考图2)，在所述透明基板201的第一表面11上形成若干分立的遮蔽图形202。
刻蚀所述遮蔽图形材料层207可以采用各项异性的干法刻蚀工艺或其他合适的刻蚀工艺。
所述形成的若干遮蔽图形202是相互分立的，所述遮蔽图形202可以为矩形、正方形、多个矩形组成的复合图形、多个正方形组成的复合图形、或者多个矩形和正方形组成的复合图形。
在光掩膜板的制作过程中，制作工艺大部分时候是正常的，但是有时也会存在异常情况，因而需要对光掩模版的制作工艺进行监控，测量两个相邻的遮蔽图形202之间的间距为其中一种比较有效的监测方式。相邻的遮蔽图形之间的间距一般为相邻的两个遮蔽图形202相对的两个侧边之间的直线距离，比如图3中相邻的遮蔽图形202a和遮蔽图形202b之间的间距用D1表示。
由于制作工艺存在正常和异常两种情况，因而形成的相邻遮蔽图形之间的间距可能正常也可能异常，相邻遮蔽图形之间的间距正常是指相邻遮蔽图形之间的间距等于标准值，相邻遮蔽图形之间的间距异常是指相邻遮蔽图形之间的间距大于或小于标准值，所述标准值为一个具体的数值A，比如数值A为100nm，所述标准值也可以为一个范围值A±B％，比如范围值A±B％为100nm±10％。
当相邻遮蔽图形202之间的间距存在异常时，将这样存在异常的光掩模版用于半导体芯片的制作时，在晶圆上形成的光刻图形之间的间距也会存在异常，容易引起晶圆的报废。因而，当相邻遮蔽图形202之间的间距存在异常时，需要对光掩模版进行返工或修复处理，修复处理由于其成本较低且对光掩模版损伤小得到了广泛的运用。具体的，本实施例中，参考图4，相邻的遮蔽图形202a和遮蔽图形202b之间的间距D1偏大(间距D1大于标准值)，当曝光光线21从透明基板201的第二表面12入射，部分曝光光线穿过透明基板201后被遮蔽图形阻挡，另一部分曝光光线22穿过透明基板201后从遮蔽图形202之间的透明基板201的第一表面11射出，到达目标位置23(目标位置23为光掩膜板下方的特定位置或者为曝光设备的光学系统的入射端，从遮蔽图形202之间透过的曝光光线22需要经过光学系统的传输才能到达晶圆表面的光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光)，由于相邻的遮蔽图形202a和遮蔽图形202b之间的间距D1偏大，因而透过相邻的遮蔽图形202a和遮蔽图形202b之间的透明基板201的第一表面11的曝光光线22在目标位置23处的尺寸D2也会偏大。
在其他实施例中，参考图9和图10，相邻的遮蔽图形202a和遮蔽图形202b之间的间距D1也可能偏小(间距D1小于标准值)，因而透过相邻的遮蔽图形202a和遮蔽图形202b之间的透明基板201的第一表面11的曝光光线22在目标位置23处的尺寸D2也会偏小。
参考图5和图6或者参考图11和图12，图6为图5中部分结构的俯视结构示意图，图12为图11中的线性菲涅尔透镜结构的放大结构示意图，当相邻的两所述遮蔽图形(202a，202b)之间的间距D1存在异常时，在间距D1存在异常的两相邻的所述遮蔽图形(202a，202b)之间的透明基板201的第一表面11形成线性菲涅尔透镜结构205，所述线性菲涅尔透镜结构205用于将通过所述透明基板201的第二表面12入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形(202a，202b)之间的透明基板201的第一表面11后汇聚或发散成正常尺寸。
采用本申请的光掩模版进行曝光工艺或光刻工艺时，曝光光线从透明基板201的第二表面12入射，从相邻的遮蔽图形202之间的透明基板201的第一表面11射出。
所述异常包括相邻的两所述遮蔽图形之间(202a，202b)的间距D1大于标准值，或者相邻的两所述遮蔽图形(202a，202b)之间的间距D1小于标准值。在一实施例中，参考图5、图6和图8，当相邻的两所述遮蔽图形(202a，202b)之间的间距D1大于标准值(间距D1偏大)时，所述形成的线性菲涅尔透镜结构205的表面为呈中心轴对称的多个凸透镜结构，且所述线性菲涅尔透镜结构205用于将通过所述透明基板201的第二表面12入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形(202a，202b)之间的透明基板201的第一表面11后汇聚成正常尺寸D2，从而使得所述两所述遮蔽图形(202a，202b)之间偏大的间距D1得以修复。
在一具体的实施例中，参考图6，所述线性菲涅尔透镜结构205表面具有一系列锯齿型凹槽21，相邻凹槽21之间的表面是向上凸出的，构成多个凸透镜结构22，多个凸透镜结构22呈中心轴24对称。在一些实施例中，所述线性菲涅尔透镜结构205中的中间的一个凸透镜结构22的宽度大于两侧的凸透镜结构22的宽度，从所述中心轴24往两侧的方向上，多个所述凹槽21的角度可以不同。
在一些实施例中，参考图7，当相邻的两所述遮蔽图形(202a，202b)之间的间距D1大于标准值，且所述间距D1沿着两所述遮蔽图形(202a，202b)逐渐缩小或增大时，所述线性菲涅尔透镜结构205也沿着两所述遮蔽图形(202a，202b)相应的逐渐缩小或增大，以使得所述两所述遮蔽图形(202a，202b)之间间距的修复更加精确。具体的，图7中，两所述遮蔽图形(202a，202b)之间的间距D1沿着两所述遮蔽图形(202a，202b)的延伸方向Y逐渐增大，所述线性菲涅尔透镜结构205也沿着两所述遮蔽图形(202a，202b)的延伸方向Y逐渐增大。
在一些实施例中，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值时，且所述间距沿着两所述遮蔽图形逐渐缩小或增大时，所述线性菲涅尔透镜结构也沿着两所述遮蔽图形相应的逐渐缩小或增大。
在一实施例中，参考图11、图12和图13，当相邻的两所述遮蔽图形(202a，202b)之间的间距D1小于标准值(间距D1偏小)时，所述形成的线性菲涅尔透镜结构205的表面为呈中心轴对称的多个凹透镜结构，且所述线性菲涅尔透镜结构205用于将通过所述透明基板201的第二表面12入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形(202a，202b)之间的透明基板201的第一表面11后发散成正常尺寸D2，从而使得所述两所述遮蔽图形(202a，202b)之间偏小的间距D1得以修复。
在一具体的实施例中，参考图12，所述线性菲涅尔透镜结构205表面具有一系列锯齿型凹槽25，相邻凹槽25之间的表面是向下凹陷的，构成多个凹透镜结构26，多个凹透镜结构26呈中心轴24对称。在一些实施例中，所述线性菲涅尔透镜结构205中的中间的一个多个凹透镜结构26的宽度大于两侧的多个凹透镜结构26的宽度，从所述中心轴24往两侧的方向上，多个所述凹槽25的角度可以不同。
在一些实施例中，参考图5或图11，所述线性菲涅尔透镜结构205为直接对间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形(202a，202b)之间的透明基板201的第一表面11进行处理后形成，使得形成工艺简单方便，并且形成的所述线性菲涅尔透镜结构205将通过所述透明基板201的第二表面12入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形(202a，202b)之间的透明基板201的第一表面11后汇聚或发散成正常尺寸的效果较好。
在一具体的实施例中，通过飞秒激光刻蚀工艺或者电子束刻蚀工艺对所述透明基板201的第一表面11进行处理后形成所述线性菲涅尔透镜结构205，形成的线性菲涅尔透镜结构205具有良好的结构，不会影响曝光光线的透过率或者影响较小。
在一些实施例中，参考图14或图15，在一些实施例中，参考图4，还包括：在所述透明基板201的第一表面11的边缘区域表面上形成环绕所述遮蔽图形202的环形框架204；在所述环形框架204的顶部表面形成封闭所述环形框架204内空间的保护膜206。
所述环形框架204用于支撑后续形成的保护膜，通过所述环形框架204与和后续形成的保护膜可以将光掩膜版201上的遮蔽图形202和光掩膜版201的中间区域表面与外部环境隔离，防止外部环境的污染。
所述环形框架204呈中空的环形，所述环形框架204的材料为具有一定机械强度的材料。在一些实施例中，所述环形框架204的材料为铝。在其他一些实施例中，所述环形框架204的材料可以为铝合金、陶瓷、碳钢或其他合适的金属材料或非金属材料。
在一些实施例中，所述环形框架204通过粘附层203粘附在所述透明基板的边缘区域。
所述粘附层203的材料为有机粘合剂，在一些实施例中，所述有机粘合剂为橡胶粘合剂、聚氨酯粘合剂、丙烯酸粘合剂、SEBS(苯乙烯乙烯丁烯苯乙烯)粘合剂、SEPS(苯乙烯乙烯丙烯苯乙烯)粘合剂或硅氧烷粘合剂。
所述保护膜206的材料为透光材料。
本申请一些实施例还提供了一种光掩膜版，参考图5和图6或者参考图11和图12，包括：
透明基板201，所述透明基板201包括第一表面11和与所述第一表面11相对的第二表面12；
位于所述透明基板201的第一表面11上的若干分立的遮蔽图形202；
当相邻的两所述遮蔽图形(202a，202b)之间的间距D1存在异常时，在间距D1存在异常的两相邻的所述遮蔽图形(202a，202b)之间的透明基板201的第一表面11还具有线性菲涅尔透镜结构205，所述线性菲涅尔透镜结构205用于将通过所述透明基板201的第二表面12入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形(202a，202b)之间的透明基板201的第一表面11后汇聚或发散成正常尺寸。
在一些实施例中，所述异常包括相邻的两所述遮蔽图形之间的间距大于标准值，或者相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值。
在一些实施例中，参考图5、图6和图8，当相邻的两所述遮蔽图形(202a，202b)之间的间距D1大于标准值时，所述线性菲涅尔透镜结构205的表面为呈中心轴对称的多个凸透镜结构，且所述线性菲涅尔透镜结构205用于将通过所述透明基板201的第二表面12入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形(202a，202b)之间的透明基板201的第一表面11后汇聚成正常尺寸D2(参考图8)。
在一些实施例中，参考图7，当相邻的两所述遮蔽图形(202a，202b)之间的间距大于标准值，且所述间距D1沿着两所述遮蔽图形(202a，202b)逐渐缩小或增大时，所述线性菲涅尔透镜结构205也沿着两所述遮蔽图形(202a，202b)相应的逐渐缩小或增大。
在一些实施例中，参考图11-图13，当相邻的两所述遮蔽图形(202a，202b)之间的间距D1小于标准值时，所述线性菲涅尔透镜结构205的表面为呈中心轴对称的多个凹透镜结构，且所述线性菲涅尔透镜结构205用于将通过所述透明基板201的第二表面12入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形(202a，202b)之间的透明基板201的第一表面11后发散成正常尺寸D2(参考图13)。
在一些实施例中，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值时，且所述间距沿着两所述遮蔽图形逐渐缩小或增大时，所述线性菲涅尔透镜结构也沿着两所述遮蔽图形相应的逐渐缩小或增大。
在一些实施例中，参考图14或图15，还包括：位于所述透明基板201的第一表面11的边缘区域上的环绕所述遮蔽图形202的环形框架204；位于所述环形框架204的顶部表面封闭所述环形框架内空间的保护膜206。
需要说明的是，本申请光掩膜版的一些实施例中与前述光掩膜版形成方法的一些实施例中相同或相似部分的限定或描述在此不再赘述，具体请参考前述光掩膜版形成方法的一些实施例中相应部分的限定或描述。
本申请虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本申请，任何本领域技术人员在不脱离本申请的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本申请技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本申请技术方案的内容，依据本申请的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本申请技术方案的保护范围。
Claims (15)
1.一种光掩膜版的制作方法，其特征在于，包括：
提供透明基板，所述透明基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
在所述透明基板的第一表面上形成若干分立的遮蔽图形；
当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距存在异常时，在间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面形成线性菲涅尔透镜结构，所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后汇聚或发散成正常尺寸。
2.如权利要求1所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述异常包括相邻的两所述遮蔽图形之间的间距大于标准值，或者相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值。
3.如权利要求2所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距大于标准值时，所述形成的线性菲涅尔透镜结构的表面为呈中心轴对称的多个凸透镜结构，且所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后汇聚成正常尺寸。
4.如权利要求3所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距大于标准值，且所述间距沿着两所述遮蔽图形逐渐缩小或增大时，所述线性菲涅尔透镜结构也沿着两所述遮蔽图形相应的逐渐缩小或增大。
5.如权利要求2所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值时，所述形成的线性菲涅尔透镜结构的表面为呈中心轴对称的多个凹透镜结构，且所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后发散成正常尺寸。
6.如权利要求5所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值时，且所述间距沿着两所述遮蔽图形逐渐缩小或增大时，所述线性菲涅尔透镜结构也沿着两所述遮蔽图形相应的逐渐缩小或增大。
7.如权利要求1所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，所述线性菲涅尔透镜结构为直接对间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面进行处理后形成。
8.如权利要求7所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，通过飞秒激光刻蚀工艺或者电子束刻蚀工艺对所述透明基板的第一表面进行处理后形成所述线性菲涅尔透镜结构。
9.一种光掩膜版，其特征在于，包括：
透明基板，所述透明基板包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；
位于所述透明基板的第一表面上的若干分立的遮蔽图形；
当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距存在异常时，在间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面还具有线性菲涅尔透镜结构，所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后汇聚或发散成正常尺寸。
10.如权利要求9所述的光掩膜版，其特征在于，所述异常包括相邻的两所述遮蔽图形之间的间距大于标准值，或者相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值。
11.如权利要求10所述的光掩膜版，其特征在于，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距大于标准值时，所述线性菲涅尔透镜结构的表面为呈中心轴对称的多个凸透镜结构，且所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后汇聚成正常尺寸。
12.如权利要求11所述的光掩膜版的制作方法，其特征在于，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距大于标准值，且所述间距沿着两所述遮蔽图形逐渐缩小或增大时，所述线性菲涅尔透镜结构也沿着两所述遮蔽图形相应的逐渐缩小或增大。
13.如权利要求10所述的光掩膜版，其特征在于，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值时，所述线性菲涅尔透镜结构的表面为呈中心轴对称的多个凹透镜结构，且所述线性菲涅尔透镜结构用于将通过所述透明基板的第二表面入射的曝光光线经过间距存在异常的两相邻的所述遮蔽图形之间的透明基板的第一表面后发散成正常尺寸。
14.如权利要求13所述的光掩膜版，其特征在于，当相邻的两所述遮蔽图形之间的间距小于标准值时，且所述间距沿着两所述遮蔽图形逐渐缩小或增大时，所述线性菲涅尔透镜结构也沿着两所述遮蔽图形相应的逐渐缩小或增大。
15.如权利要求9所述的光掩膜版，其特征在于，还包括：位于所述透明基板的第一表面的边缘区域上的环绕所述遮蔽图形的环形框架；位于所述环形框架的顶部表面封闭所述环形框架内空间的保护膜。
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