CN115079511A - 标记图形、光罩、光罩检测方法及介质 - Google Patents
标记图形、光罩、光罩检测方法及介质 Download PDFInfo
- Publication number
- CN115079511A CN115079511A CN202210860511.5A CN202210860511A CN115079511A CN 115079511 A CN115079511 A CN 115079511A CN 202210860511 A CN202210860511 A CN 202210860511A CN 115079511 A CN115079511 A CN 115079511A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mark pattern
- photomask
- pattern
- mark
- along
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/42—Alignment or registration features, e.g. alignment marks on the mask substrates
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/44—Testing or measuring features, e.g. grid patterns, focus monitors, sawtooth scales or notched scales
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Abstract
本公开涉及一种标记图形,用于设置在光罩的切割道内,包括沿第一方向依次排布的第一标记图形、第二标记图形及第三标记图形;所述第一标记图形、所述第二标记图形位于所述光罩的边缘处裸片区沿所述第一方向的相对两侧,用于限定所述裸片区沿所述第一方向的长度,且所述第一标记图形位于所述光罩的外围区内;所述第三标记图形与所述第二标记图形位于沿所述第一方向相邻裸片区之间,且用于限定沿所述第一方向相邻裸片区之间的间距。采用本公开提供的光罩,可以提高光罩裸片区划分的精确度及效率,使机台顺利进行缺陷检测,避免光罩上存在缺陷漏检的情况,节省企业的经济成本、时间成本以及人力成本。
Description
技术领域
本公开涉及半导体技术领域,特别是涉及一种标记图形、光罩、光罩检测方法及介质。
背景技术
光罩是一种图像传输的载体,将设计好的电路图形通过电子激光设备曝光在感光胶上,被曝光的区域会被显影出来,形成电路图形,成为类似曝光后底片的掩模版,然后应用于对集成电路进行投影定位,通过集成电路光刻机对所投影的电路进行光蚀刻。然而,光罩在制作过程不可避免的会形成各种缺陷,需要检测机台对光罩进行检测。
在对光罩进行检测时需要建立光罩设计版图以将光罩拆分为若干个裸片,对每个裸片再进行缺陷检测,传统技术中对裸片拆分时定义裸片边缘位置的过程为人工手动操作,这会导致存在边缘定义不准确的情况,难以将光罩完整的分成预设大小与预设数量,从而导致机台测试出现异常,无法准确检测出光罩上的缺陷,造成企业的经济损失;另外,对于不同的光罩,裸片边缘位置的定义各不相同,且裸片边缘位置本就较难区分,最终会造成企业的时间损失以及浪费企业的人力资源。因此,亟须提供一种效率更高的裸片拆分方法,提高光罩检测时裸片边缘位置定义的精确度,并避免企业出现经济损失、时间损失以及人力资源的浪费。
发明内容
基于此,有必要针对传统技术中裸片边缘位置定义不准确且效率过低的情况,提供一种标记图形、光罩、光罩检测方法及介质,以提高光罩检测时裸片边缘位置定义的精确度,使机台准确检测出光罩上的缺陷,并避免企业的经济损失、时间损失以及人力资源浪费的情况发生。
为了实现上述目的及其他目的,本公开实施例的第一方面提供了一种标记图形,用于设置在光罩的切割道内,标记图形包括沿第一方向依次排布的第一标记图形、第二标记图形及第三标记图形;第一标记图形、第二标记图形位于光罩的边缘处裸片区沿第一方向的相对两侧,用于限定裸片区沿第一方向的长度,且第一标记图形位于光罩的外围区内;第三标记图形与第二标记图形位于沿第一方向相邻裸片区之间,且用于限定沿第一方向相邻裸片区之间的间距。
在上述实施例中,由于在光罩的切割道内设置了标记图形,标记图形包括沿第一方向依次排布的第一标记图形、第二标记图形及第三标记图形,第一标记图形与第二标记图形的距离确定了光罩中的裸片区沿第一方向的长度,第三标记图形与第二标记图形的距离确定了光罩中沿第一方向相邻裸片区之间的间距,且由于在设置标记图形前已知了光罩中沿第一方向裸片区的个数,则在设置第一标记图形、第二标记图形及第三标记图形后,光罩中裸片区沿第一方向的长度、沿第一方向相邻裸片区之间的间距以及沿第一方向裸片区的个数均确定,进而光罩沿第一方向的长度也已确定,则光罩中裸片区拆分的第一方向特征均可全部确定。在对光罩进行缺陷检测时,机台可根据设置的标记图形自动对光罩进行划分以得到边缘位置均确定的裸片区,对比于传统技术中每一个光罩都需要人工手动定义裸片区边缘位置的操作,本公开的技术方案不仅能够做到对光罩进行精确的划分以得到裸片区,使机台顺利进行缺陷检测,避免光罩上存在有缺陷漏检的情况,减少企业的经济损失;还可以提前设置好对应光罩的对应标记图形,以节省传统技术中由于不同光罩对于裸片区的边缘位置定义不同而造成的人力资源与时间资源的浪费;另外,由于部分光罩的裸片区边缘位置较难确定,采用本公开提供的标记图形以获取裸片区的技术,可以更准确且更快地对光罩的裸片区进行划分,提高光罩检测工艺的效率。
根据本公开一些实施例,标记图形还包括沿第二方向依次排布的第四标记图形、第五标记图形及第六标记图形;其中,第四标记图形、第五标记图形位于光罩沿第二方向的相对两侧,且第四标记图形位于光罩的外围区内;第六标记图形、第五标记图形位于沿第二方向相邻裸片区之间,且用于限定沿第二方向相邻裸片区之间的间距,第一方向与第二方向垂直。
根据本公开一些实施例,标记图形还包括第七标记图形及/或第八标记图形,第七标记图形位于光罩的外围区内,且与第一标记图形位于光罩沿第一方向的相对两侧;第八标记图形位于外围区内,且与第四标记图形位于光罩沿第二方向的相对两侧。
根据本公开一些实施例,第一标记图形、第二标记图形及第三标记图形中任一个与其沿第一方向相邻的裸片区的最小间距大于第一预设标准距离。
根据本公开一些实施例,第四标记图形、第五标记图形及第六标记图形中任一个与其沿第二方向相邻的裸片区的最小间距大于第二预设标准距离。
根据本公开一些实施例,第一预设标准距离为0.45μm-0.55μm。
根据本公开一些实施例,第一标记图形、第二标记图形及第三标记图形中任一个的线条宽度最大值小于第一预设临界尺寸。
根据本公开一些实施例,第四标记图形、第五标记图形及第六标记图形中任一个的线条宽度最大值小于第二预设临界尺寸。
根据本公开一些实施例,第一预设临界尺寸为155nm-165nm。
根据本公开一些实施例,第一标记图形、第二标记图形及第三标记图形中任一个在光罩上表面的正投影的形状包括圆形、椭圆形、环形、及多边形中至少一种。
本公开实施例的第二方面提供了一种光罩,包括光罩本体以及任一本公开实施例中的标记图形,标记图形设置于光罩本体的切割道内,用于限定光罩本体上裸片区的边界,以对光罩进行精确的划分以得到裸片区,使机台顺利进行缺陷检测,避免光罩上存在有缺陷漏检的情况并节省人力资源与时间资源,提高光罩检测工艺的效率。
本公开实施例的第三方面提供了一种光罩检测方法,用于检测任一本公开实施例中的光罩是否存在缺陷;光罩检测方法包括:
获取光罩中裸片区的检测图像及对应的标准图像;
根据检测图像与对应的标准图像的比较结果,判断光罩是否存在缺陷。
上述实施例中的光罩检测方法中,由于采用了本公开任一实施例中提供的标记图形来定义光罩中裸片区的边缘位置,提高了光罩裸片区边缘位置定义的精确度,保证了裸片区中的检测图像与对应标准图像的对应位置能够精准比对,以准确检测出光罩中的缺陷。在传统的光罩检测方法中,不同的光罩需要人工手动定义不同的裸片区边缘位置以进行缺陷检测,由于部分光罩的裸片区边缘位置较难确定,容易出现裸片区边缘位置定义错误与定义速度慢等情况,误导检测机台对检测图像与标准图像的对应位置,导致检测机台在本没有缺陷的位置检测出大量缺陷及/或对真正的缺陷漏检,此时需重新定义裸片区边缘位置,再对重新划分的裸片区进行检测,此过程会造成大量的经济损失,并降低检测机台的检测效率。本公开提供的光罩检测方法提高了裸片区边缘位置定义的精确度与效率,改善了传统技术中由于裸片区边缘位置定义错误与定义速度慢的缺点,并节省了企业付出的经济、人力与时间成本。
根据本公开一些实施例,根据检测图像与对应的标准图像的比较结果,判断光罩是否存在缺陷,包括:
根据检测图像获取裸片区不同位置的检测灰度值;
根据标准图像获取裸片区不同位置的标准灰度值;
计算裸片区不同位置的检测灰度值与标准灰度值的差值,及根据差值与预设灰阶差异范围的比较结果判断光罩是否存在缺陷。
根据本公开一些实施例,根据差值与预设灰阶差异范围的比较结果判断光罩是否存在缺陷,包括:
若差值位于预设灰阶差异范围内,判定光罩不存在缺陷;
若差值大于或小于预设灰阶差异范围,判定光罩存在缺陷。
本公开实施例的第四方面提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时实现任一本公开实施例中光罩检测方法的步骤。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本公开一实施例中提供的光罩及其上标记图形的俯视图示意图;
图2a为本公开一实施例中提供的裸片区边缘位置定义错误的光罩缺陷检测结果示意图;
图2b为本公开一实施例中提供的裸片区边缘位置定义正确的光罩缺陷检测结果示意图;
图3为本公开一实施例中提供的一裸片区及与其相邻的标记图形的俯视图示意图;
图4为本公开一实施例中提供的一标记图形的俯视图示意图;
图5为本公开一实施例中提供的光罩检测方法的流程示意图;
图6为本公开另一实施例中提供的光罩检测方法的流程示意图;
图7为本公开又一实施例中提供的光罩检测方法的流程示意图。
附图标记说明:
1000、光罩;10、裸片区;20、标记图形;201、第一标记图形;202、第二标记图形;203、第三标记图形;204、第四标记图形;205、第五标记图形;206、第六标记图形;207、第七标记图形;208、第八标记图形。
具体实施方式
为了便于理解本公开,下面将参照相关附图对本公开进行更全面的描述。附图中给出了本公开的首选实施例。但是,本公开可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本公开的公开内容更加透彻全面。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本公开的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本公开的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本公开。
应当明白,当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时,其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层,或者可以存在居间的元件或层。相反,当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时,则不存在居间的元件或层。应当明白,尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分,这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分与另一个元件、部件、区、层、掺杂类型或部分。因此,在不脱离本发明教导之下,下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等,在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白,除了图中所示的取向以外,空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如,如果附图中的器件翻转,描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此,示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外,器件也可以包括另外地取向(譬如,旋转90度或其它取向),并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用时,单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式,除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白,当术语“组成”和/或“包括”在该说明书中使用时,可以确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在,但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。同时,在此使用时,术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
光罩又称掩膜版,是在制作半导体芯片的过程中,利用光蚀刻技术,在半导体上形成图形;为将图形转移到晶圆上,必须通过光罩作用原理,即类似于冲洗照片时利用底片将影像复制至相片上的原理。光罩一般由石英玻璃作为基底,在其上面镀上一层金属铬和感光胶,再把已设计好的电路图形通过电子激光设备曝光在感光胶上,被曝光的区域会被显影出来,在金属铬上形成电路图形,成为类似曝光后底片的光掩模版,然后应用于对集成电路进行投影定位,通过集成电路光刻机对所投影的电路进行光蚀刻,其生产工序一般包括:曝光,显影,去感光胶,光蚀刻。
在信息时代,对器件的微型化、轻量化、集成化的迫切需求极大地推动了微细加工技术的发展,光刻技术是当前半导体元器件加工业应用最为广泛的一项技术。随着大规模集成电路和微结构光子学元器件的迅速发展,对光刻技术的精度和分辨率要求越来越高,但是由于光学衍射极限的存在,传统光刻技术的分辨率存在无法突破的极限。而光罩是光刻技术中的一个重要环节,光罩必须制造得非常完美,所有硅片上的电路元件都来自于版图,因此光罩的质量在亚微米光刻获得高质量图形中扮演着关键角色。如果光罩缺陷没有被发现,它们就会被复制到硅片表面的光刻胶上,因此,光罩在制造完毕后就要进行大量的自动测试来检查缺陷和颗粒。光刻技术是半导体制造业的核心技术,而光罩又是光刻技术的模具,所以光罩的缺陷检测在半导体工艺中是很重要的步骤。然而,传统的光罩检测方法在对光罩进行检测时定义裸片边缘位置的过程为人工手动操作,这会导致存在边缘定义不准确的情况,难以将光罩完整的分成预设大小与预设数量,从而导致机台测试出现异常,无法准确检测出光罩上的缺陷,造成企业的经济损失;另外,对于不同的光罩,裸片边缘位置的定义各不相同,且裸片边缘位置本就较难区分,最终会造成企业的时间损失以及浪费企业的人力资源。因此,本公开针对传统技术中裸片边缘位置定义不准确且效率过低的情况,提供了一种标记图形、光罩、光罩检测方法及介质,能够提高光罩检测时裸片边缘位置定义的精确度,并避免企业出现经济损失、时间损失以及人力资源的浪费。
请参阅图1,本公开实施例提供了一种标记图形20,用于设置在光罩1000的切割道内,标记图形20设置在光罩1000的切割道内,标记图形20包括沿第一方向(例如ox方向)依次排布的第一标记图形201、第二标记图形202及第三标记图形203;第一标记图形201、第二标记图形202位于光罩1000的边缘处裸片区10沿第一方向(例如ox方向)的相对两侧,用于限定裸片区10沿第一方向(例如ox方向)的长度,且第一标记图形201位于光罩1000的外围区内;第三标记图形203与第二标记图形202位于沿第一方向(例如ox方向)相邻裸片区10之间,且用于限定沿第一方向相邻裸片区10之间的间距。
在上述实施例中,由于在光罩1000的切割道内设置了标记图形20,标记图形20包括沿第一方向依次排布的第一标记图形201、第二标记图形202及第三标记图形203,第一标记图形201与第二标记图形202的距离确定了光罩1000中的裸片区10沿第一方向的长度,第三标记图形203与第二标记图形202的距离确定了光罩1000中沿第一方向相邻裸片区10之间的间距,且由于在设置标记图形20前已知了光罩1000中沿第一方向裸片区10的个数,则在设置第一标记图形201、第二标记图形202及第三标记图形203后,光罩1000中裸片区10沿第一方向的长度、沿第一方向相邻裸片区10之间的间距以及沿第一方向裸片区10的个数均确定,进而光罩1000沿第一方向的长度也已确定,则光罩1000中裸片区10拆分的第一方向特征均可全部确定。在对光罩1000进行缺陷检测时,机台可根据设置的标记图形20自动对光罩1000进行划分以得到边缘位置均确定的裸片区10,对比于传统技术中每一个光罩1000都需要人工手动定义裸片区10边缘位置的操作,本公开的技术方案不仅能够做到对光罩1000进行精确的划分以得到裸片区10,使机台顺利进行缺陷检测,避免光罩1000上存在有缺陷漏检的情况,减少企业的经济损失;还可以提前设置好对应光罩1000的对应标记图形20,以节省传统技术中由于不同光罩1000对于裸片区10的边缘位置定义不同而造成的人力资源与时间资源的浪费;另外,由于部分光罩1000的裸片区10边缘位置较难确定,采用本公开提供的标记图形20以获取裸片区10的技术,可以更准确且更快地对光罩1000的裸片区10进行划分,提高光罩1000检测工艺的效率。
请参阅图2a及图2b,在传统技术中,光罩缺陷检测过程中把光罩拆分为若干个裸片时,定义裸片边缘位置的过程为人工手动操作,操作人员在每一个光罩上手动设置标记以确定光罩中裸片沿各方向的边缘位置以及长度,然而,人眼能分辨的尺寸不够微小,且人工操作难免会出现失误,这种方法容易导致裸片边缘定义不准确的情况,难以将光罩完整的分成预设大小与预设数量,从而导致机台测试出现异常,无法准确检测出光罩上的缺陷;另外,对于不同的光罩需求不同,裸片边缘位置的定义需求也各不相同,且部分光罩中裸片的边缘位置本就较难区分,更加增大了操作人员设置标记的难度,操作的时间及准确度均受到了影响,图2a显示为一光罩的裸片边缘位置定义错误而产生的光罩缺陷分布图,在实际工艺操作过程中,一光罩的裸片边缘位置定义错误,从而导致光罩缺陷检测机台检测到大量实际不存在的集中缺陷;此时必须重新定义裸片边缘位置,图2b显示为重新修正裸片边缘位置后缺陷检测机台检测到的光罩缺陷分布图,这时裸片的边缘位置被修正,错误检测出的大量缺陷消失,只显示出光罩的实际缺陷,参照此缺陷分布图,可以对光罩进一步进行缺陷修复。在裸片边缘位置定义错误后重新修正标记再对光罩进行缺陷检测的整个过程中,极大地浪费机台产能,同时影响了机台的检测效率,长此以往,会造成企业的经济损失、时间损失以及企业人力资源的浪费。对比于上述传统技术中光罩缺陷检测技术的缺陷,本公开提供的标记图形精准地定位了光罩中裸片区的边缘位置,并针对部分光罩的裸片区边缘位置较难确定的问题,更准确地对光罩的裸片区进行划分,使机台顺利进行缺陷检测,避免光罩上存在有缺陷漏检的情况,且能够提前设置好对应光罩的对应标记图形,节省了对每个光罩手动设置标记的时间,提高了光罩检测工艺的效率。
作为示例,请继续参阅图1,标记图形20还包括沿第二方向(例如oy方向)依次排布的第四标记图形204、第五标记图形205及第六标记图形206;其中,第四标记图形204、第五标记图形205位于光罩1000沿第二方向(例如oy方向)的相对两侧,且第四标记图形204位于光罩1000的外围区内;第六标记图形206、第五标记图形205位于沿第二方向(例如oy方向)相邻裸片区10之间,且用于限定沿第二方向(例如oy方向)相邻裸片区10之间的间距。其中,第一方向与第二方向垂直。
作为示例,请继续参阅图1,标记图形20还包括第七标记图形207及/或第八标记图形208,第七标记图形207位于光罩1000的外围区内,且与第一标记图形201位于光罩1000沿第一方向(例如ox方向)的相对两侧;第八标记图形208位于外围区内,且与第四标记图形204位于光罩1000沿第二方向(例如oy方向)的相对两侧。
作为示例,请参阅图1及图3,标记图形20与裸片区10之间的间距为d,第一标记图形201、第二标记图形202及第三标记图形203中任一个与其沿第一方向(例如ox方向)相邻的裸片区10的最小间距d大于第一预设标准距离。其中,第一预设标准距离为0.45μm-0.55μm,具体地,第一预设标准距离可以为0.45μm、0.48μm、0.50μm或0.55μm等等。
作为示例,第四标记图形204、第五标记图形205及第六标记图形206中任一个与其沿第二方向(例如oy方向)相邻的裸片区10的最小间距大于第二预设标准距离,第二预设标准距离可以与第一预设标准距离相等。其中,第二预设标准距离为0.45μm-0.55μm,具体地,第二预设标准距离可以为0.45μm、0.48μm、0.50μm或0.55μm等等。
作为示例,请参阅图1及图4,第一标记图形201、第二标记图形202及第三标记图形203中任一个的线条宽度最大值小于第一预设临界尺寸。在本公开实施例中,标记图形20为环形,则第一标记图形201、第二标记图形202及第三标记图形203中任一个的线条宽度w1、w2、w3及w4中的最大值小于第一预设临界尺寸。其中,第一预设临界尺寸为155nm-165nm,具体地,第一预设临界尺寸可以为155nm、158nm、160nm、165nm等等。
作为示例,第四标记图形204、第五标记图形205及第六标记图形206中任一个的线条宽度最大值小于第二预设临界尺寸,第二预设临界尺寸可以与第一预设临界尺寸相等,其中,第二预设临界尺寸为155nm-165nm,具体地,第二预设临界尺寸可以为155nm、158nm、160nm、165nm等等。
作为示例,在光罩缺陷检测过程中需设置第一标记图形201、第二标记图形202及第三标记图形203中任一个的线条宽度最大值小于第一预设临界尺寸;第四标记图形204、第五标记图形205及第六标记图形206中任一个的线条宽度最大值小于第二预设临界尺寸,这是由于当标记图形20的线条宽度在设定范围以下时,细小的标记图形会小于光刻机的分辨率,因而曝光时这些细小的标记图形对光线只起散射作用,而不会被转移到光刻胶上,这些细小的标记图形就是亚分辨率辅助图形,或者也可以称为散射条(Scattering Bar),在这时标记图形只起到对裸片区边缘位置定义的作用,而不会对光刻过程中图形转移的精确度产生影响。
作为示例,第一标记图形201、第二标记图形202及第三标记图形203中任一个在光罩1000上表面的正投影的形状包括圆形、椭圆形、环形、及多边形中至少一种。具体地,在本公开的实施例中,第一标记图形201、第二标记图形202及第三标记图形203的形状为环形。
作为示例,本公开实施例提供了一种光罩,包括光罩本体以及任一本公开实施例中的标记图形,标记图形设置于光罩本体的切割道内,用于限定光罩本体上裸片区的边界,以对光罩进行精确的划分以得到裸片区,使机台顺利进行缺陷检测,避免光罩上存在有缺陷漏检的情况并节省人力资源与时间资源,提高光罩检测工艺的效率。在检测出光罩中的缺陷后,技术人员可以进一步对缺陷进行修补操作,修补操作包括对丢失的细微铬膜进行激光化学气相沉积补正以及对多余的铬膜进行激光切除等等,在对光罩缺陷进行修补后需对掩膜版作再次检测工作,以确保掩膜版符合品质指标。由于在芯片制造过程中需要经过十几甚至几十次的光刻,每次光刻都需要一个光罩,每个光罩的质量都会影响光刻的质量,光刻过程中,通常通过一系列光学系统,将掩膜版上的图形按照预设的比例投影在晶圆上的光刻胶涂层上。由于在制作过程中存在一定的设备或工艺局限,光掩膜上的图形并不可能与设计图像完全一致,即在后续的硅片制造过程中,掩膜板上的制造缺陷和误差也会伴随着光刻工艺被引入到芯片制造中,因此,通过采用本公开提供的光罩进行图形转移,能够提高转移到晶圆上图案的精确度,从而提高芯片的良率和稳定性。
作为示例,请参阅图5,本公开实施例提供了一种光罩检测方法,用于检测任一本公开实施例中的光罩是否存在缺陷;光罩检测方法包括:
步骤S100:获取光罩中裸片区的检测图像及对应的标准图像;
步骤S200:根据检测图像与对应的标准图像的比较结果,判断光罩是否存在缺陷。
具体地,检测光罩是否存在需通过已划分的光罩裸片区与对应的标准图像进行对比,其中,标准图像包括光罩及光罩中已划分好的裸片区,裸片区的边缘位置与待检测的裸片区边缘位置相同,因此,通过光罩中裸片区的检测图像及对应的标准图像之间的对比,可以获取上述两者中图像的比较结果,通过判断比较结果从而检测出光罩是否存在缺陷,以此来对光罩进行下一步工艺操作。采用上述光罩检测方法,可以提高裸片边缘位置定义的精确度及效率,并避免企业出现经济损失、时间损失以及人力资源的浪费。
具体地,在上述实施例中的光罩检测方法中,由于采用了本公开任一实施例中提供的标记图形来定义光罩中裸片区的边缘位置,提高了光罩裸片区边缘位置定义的精确度,保证了裸片区中的检测图像与对应标准图像的对应位置能够精准比对,以准确检测出光罩中的缺陷。在传统的光罩检测方法中,不同的光罩需要人工手动定义不同的裸片区边缘位置以进行缺陷检测,由于部分光罩的裸片区边缘位置较难确定,容易出现裸片区边缘位置定义错误与定义速度慢等情况,误导检测机台对检测图像与标准图像的对应位置,导致检测机台在本没有缺陷的位置检测出大量缺陷及/或对真正的缺陷漏检,此时需重新定义裸片区边缘位置,再对重新划分的裸片区进行检测,此过程会造成大量的经济损失,并降低检测机台的检测效率。本公开提供的光罩检测方法提高了裸片区边缘位置定义的精确度与效率,改善了传统技术中由于裸片区边缘位置定义错误与定义速度慢的缺点,并节省了企业付出的经济、人力与时间成本。
作为示例,请参阅图6,步骤S200中根据检测图像与对应的标准图像的比较结果,判断光罩是否存在缺陷,包括:
步骤S210:根据检测图像获取裸片区不同位置的检测灰度值;
步骤S220:根据标准图像获取裸片区不同位置的标准灰度值;
步骤S230:计算裸片区不同位置的检测灰度值与标准灰度值的差值,及根据差值与预设灰阶差异范围的比较结果判断光罩是否存在缺陷。
具体地,在获取光罩中裸片区的检测图像及对应的标准图像后,获取检测图像中裸片区不同位置的检测灰度值,并获取标准图像中裸片区不同位置的标准灰度值,将上述两者进行对比,若两者之间存在差异,则计算出裸片区不同位置的检测灰度值与标准灰度值的差值,在获取差值后,根据差值与预设灰阶差异范围的比较结果能够判断当前光罩是否存在缺陷,若不存在缺陷,则对光罩进行下一步工艺操作,若光罩存在缺陷,则对光罩进行修补。采用上述光罩检测方法,可以提高裸片边缘位置定义的精确度及效率,并节省企业的经济成本、时间成本及人力成本。
作为示例,请参阅图7,步骤S230中根据差值与预设灰阶差异范围的比较结果判断光罩是否存在缺陷,包括:
步骤S231:若差值位于预设灰阶差异范围内,判定光罩不存在缺陷;若差值大于或小于预设灰阶差异范围,判定光罩存在缺陷。
具体地,在根据差值与预设灰阶差异范围的比较结果判断光罩是否存在缺陷时,若差值位于预设灰阶差异范围内,判定光罩不存在缺陷,则对光罩进行下一步工艺操作,若差值大于或小于预设灰阶差异范围,判定光罩存在缺陷,则对光罩进行修补操作,修补操作包括对丢失的细微铬膜进行激光化学气相沉积补正以及对多余的铬膜进行激光切除等等,在对光罩缺陷进行修补操作后需对掩膜版作再次检测工作,以确保掩膜版符合品质指标。
应该理解的是,虽然图5、图6及图7的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示,但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明,这些步骤的执行并没有严格的顺序限制,这些步骤可以以其它的顺序执行。而且,虽然图5、图6及图7中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段,这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成,而是可以在不同的时刻执行,这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行,而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
作为示例,本公开实施例还提供了一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,计算机程序被处理器执行时实现任一本公开实施例中光罩检测方法的步骤。
上述实施例中的标记图形、光罩、光罩检测方法及介质中,由于在光罩的切割道内设置了标记图形,且标记图形在光罩缺陷检测前已设置完成,在对光罩进行缺陷检测时,机台可根据设置的标记图形自动对光罩进行划分以得到边缘位置均确定的裸片区,对比于传统技术中每一个光罩都需要人工手动定义裸片区边缘位置的操作,本公开提供的方案不仅能够做到对光罩进行精确的划分以得到裸片区,还可以提前设置好对应光罩的对应标记图形,以节省传统技术中由于不同光罩对于裸片区的边缘位置定义不同而造成的企业人力资源与时间资源的浪费。另外,由于部分光罩的裸片区边缘位置较难确定,采用本公开提供的标记图形以获取裸片区的技术,可以更准确且更快地对光罩的裸片区进行划分,使机台顺利进行缺陷检测,避免光罩上存在有缺陷漏检的情况,提高光罩检测工艺的效率,减少企业的经济损失。
本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程,是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成,所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中,该计算机程序在执行时,可包括如上述各方法的实施例的流程。其中,本公开所提供的各实施例中所使用的对存储器、存储、数据库或其它介质的任何引用,均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器(Read-Only Memory,ROM)、磁带、软盘、闪存或光存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器(Random Access Memory,RAM)或外部高速缓冲存储器。作为说明而非局限,RAM可以是多种形式,比如静态随机存取存储器(Static Random Access Memory,SRAM)或动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)等。
上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合,为使描述简洁,未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述,然而,只要这些技术特征的组合不存在矛盾,都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本公开的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本公开构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本公开的保护范围。因此,本公开专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (15)
1.一种标记图形,其特征在于,用于设置在光罩的切割道内,包括沿第一方向依次排布的第一标记图形、第二标记图形及第三标记图形;
所述第一标记图形、所述第二标记图形位于所述光罩的边缘处裸片区沿所述第一方向的相对两侧,用于限定所述裸片区沿所述第一方向的长度,且所述第一标记图形位于所述光罩的外围区内;
所述第三标记图形与所述第二标记图形位于沿所述第一方向相邻裸片区之间,且用于限定沿所述第一方向相邻裸片区之间的间距。
2.根据权利要求1所述的标记图形,其特征在于,还包括沿第二方向依次排布的第四标记图形、第五标记图形及第六标记图形;
其中,所述第四标记图形、所述第五标记图形位于所述光罩沿所述第二方向的相对两侧,且所述第四标记图形位于所述光罩的外围区内;
所述第六标记图形、所述第五标记图形位于沿所述第二方向相邻裸片区之间,且用于限定沿所述第二方向相邻裸片区之间的间距,所述第一方向与所述第二方向垂直。
3.根据权利要求2所述的标记图形,其特征在于,还包括:
第七标记图形,位于所述光罩的外围区内,且与所述第一标记图形位于所述光罩沿所述第一方向的相对两侧;及/或
第八标记图形,位于所述外围区内,且与所述第四标记图形位于所述光罩沿所述第二方向的相对两侧。
4.根据权利要求1-3任一项所述的标记图形,其特征在于,所述第一标记图形、所述第二标记图形及所述第三标记图形中任一个与其沿所述第一方向相邻的裸片区的最小间距大于第一预设标准距离。
5.根据权利要求2或3所述的标记图形,其特征在于,所述第四标记图形、所述第五标记图形及所述第六标记图形中任一个与其沿所述第二方向相邻的裸片区的最小间距大于第二预设标准距离。
6.根据权利要求4所述的标记图形,其特征在于,所述第一预设标准距离为0.45μm-0.55μm。
7.根据权利要求4所述的标记图形,其特征在于,所述第一标记图形、所述第二标记图形及所述第三标记图形中任一个的线条宽度最大值小于第一预设临界尺寸。
8.根据权利要求5所述的标记图形,其特征在于,所述第四标记图形、所述第五标记图形及所述第六标记图形中任一个的线条宽度最大值小于第二预设临界尺寸。
9.根据权利要求7所述的标记图形,其特征在于,所述第一预设临界尺寸为155nm-165nm。
10.根据权利要求1-3任一项所述的标记图形,其特征在于,所述第一标记图形、所述第二标记图形及所述第三标记图形中任一个在所述光罩上表面的正投影的形状包括圆形、椭圆形、环形、及多边形中至少一种。
11.一种光罩,其特征在于,包括:
光罩本体;以及
权利要求1-10任一项所述的标记图形,设置于所述光罩本体的切割道内,用于限定所述光罩本体上裸片区的边界。
12.一种光罩检测方法,其特征在于,用于检测权利要求11所述的光罩是否存在缺陷;所述方法包括:
获取所述光罩中裸片区的检测图像及对应的标准图像;
根据所述检测图像与对应的标准图像的比较结果,判断所述光罩是否存在缺陷。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,所述根据所述检测图像与对应的标准图像的比较结果,判断所述光罩是否存在缺陷,包括:
根据所述检测图像获取所述裸片区不同位置的检测灰度值;
根据所述标准图像获取所述裸片区不同位置的标准灰度值;
计算所述裸片区不同位置的检测灰度值与标准灰度值的差值,及根据所述差值与预设灰阶差异范围的比较结果判断所述光罩是否存在缺陷。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,所述根据所述差值与预设灰阶差异范围的比较结果判断所述光罩是否存在缺陷,包括:
若所述差值位于所述预设灰阶差异范围内,判定所述光罩不存在缺陷;
若所述差值大于或小于所述预设灰阶差异范围,判定所述光罩存在缺陷。
15.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机程序,其特征在于,所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求12-14任一项所述的方法的步骤。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210860511.5A CN115079511A (zh) | 2022-07-21 | 2022-07-21 | 标记图形、光罩、光罩检测方法及介质 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210860511.5A CN115079511A (zh) | 2022-07-21 | 2022-07-21 | 标记图形、光罩、光罩检测方法及介质 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN115079511A true CN115079511A (zh) | 2022-09-20 |
Family
ID=83242648
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210860511.5A Pending CN115079511A (zh) | 2022-07-21 | 2022-07-21 | 标记图形、光罩、光罩检测方法及介质 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN115079511A (zh) |
-
2022
- 2022-07-21 CN CN202210860511.5A patent/CN115079511A/zh active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7449689B2 (en) | Dimension measuring SEM system, method of evaluating shape of circuit pattern and a system for carrying out the method | |
US7765515B2 (en) | Pattern match based optical proximity correction and verification of integrated circuit layout | |
US9005882B2 (en) | Reticle defect correction by second exposure | |
US20120244459A1 (en) | Method for evaluating overlay error and mask for the same | |
KR100674964B1 (ko) | 포토마스크 교정 방법 및 시스템 장치 | |
CN108873604B (zh) | 一种光刻工艺热点的检查方法 | |
US10061209B2 (en) | Method for verifying a pattern of features printed by a lithography process | |
US7745067B2 (en) | Method for performing place-and-route of contacts and vias in technologies with forbidden pitch requirements | |
US9874821B2 (en) | Method for hotspot detection and ranking of a lithographic mask | |
CN115079511A (zh) | 标记图形、光罩、光罩检测方法及介质 | |
US20060206853A1 (en) | Method of producing mask inspection data, method of manufacturing a photo mask and method of manufacturing a semiconductor device | |
CN112180690A (zh) | 提升器件关键尺寸面内均一性的方法 | |
US7422828B1 (en) | Mask CD measurement monitor outside of the pellicle area | |
Yang et al. | New OPC verification method using die-to-database inspection | |
CN114326336B (zh) | 一种大尺寸芯片曝光方法 | |
KR20090074554A (ko) | 포토마스크의 결함 수정 방법 | |
US11662660B2 (en) | Fabricating method of photomask, photomask structure thereof, and semiconductor manufacturing method using the same | |
CN116931389B (zh) | 线宽测量方法 | |
CN117111398B (zh) | 光罩制程偏差的监控方法及监控系统 | |
KR101204676B1 (ko) | 포토마스크의 모델 기반 검증 수행 방법 | |
US20220283496A1 (en) | Photomask and method for inspecting photomask | |
CN106154736B (zh) | 提升图案精密度的方法 | |
US20030211411A1 (en) | Method for monitoring focus in lithography | |
CN115169273A (zh) | 获取光罩版图测量点的方法及装置 | |
CN117631464A (zh) | 浸润式光刻机机台缺陷检测方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |