JP6813777B2 - フォトマスク及び電子装置の製造方法 - Google Patents
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Description
例えば、フォトマスクには、フォトレジストに転写するパターンを含む転写領域が設けられ、その外側に、露光装置の光源から照射される光を遮光することのできる遮光領域が設けられる。光源とフォトマスクとの間には、フォトマスクの転写領域外に照射される光を遮光するためのブラインドが設けられる。光源から照射されてブラインドを通過した光が、フォトマスクの転写領域に照射され、その転写領域のパターンが、フォトレジストに転写される。例えば電子装置の製造では、このような転写が、フォトレジスト上の位置を変え、繰り返し行われる。
半導体装置の製造では、例えば図1に示すように、基板上への絶縁膜や導体膜の成膜工程10a、若しくは基板内への不純物注入工程10b、又は基板に対するエッチング工程10cの後、フォト工程20が行われる。このフォト工程20の後、例えば図1に示すように、不純物注入工程30b、又はエッチング工程30cが行われる。尚、図1では図示を省略するが、半導体装置の製造プロセスにおける各工程後には適宜洗浄工程が行われ得る。
前処理21では、基板とフォトレジストとの密着性向上を目的とするヘキサメチルジシラザン(HMDS)を用いた疎水化表面処理(HMDS処理)、基板上の有機物の除去を目的とするベーク処理等が行われる。
まず、フォト工程20の露光処理23に用いられる露光装置について説明する。
図2は露光装置の説明図である。
光源41は、基板300上のフォトレジスト200が感光する波長の光を照射する。光源41には、高圧水銀ランプのi線(波長365nm)、フッ化クリプトン(KrF)エキシマレーザー(波長248nm)、フッ化アルゴン(ArF)エキシマレーザー(波長193nm)等が用いられる。
コンデンサレンズ43は、入射する光を平面波に変換して位相を合わせる。
ミラー45は、ブラインド44を通過した光を光路変換し、フォトマスク100に照射する。
ステージ47は、フォトレジスト200が設けられた基板300を保持し、保持した基板300を移動させて、フォトレジスト200に照射される光の位置(露光領域)を変化させる。
尚、露光装置40には、この図2に示したような光学素子に限らず、その他の各種光学素子が含まれ得る。
続いて、フォトマスク100について説明する。
図3(A)及び図3(B)に示すように、フォトマスク100には、デバイス領域110、スクライブ領域120、及び外側領域130(外観領域)が設けられる。
図4は露光装置のブラインドとフォトマスクとの位置関係の説明図である。図5及び図6は露光領域の説明図である。
露光装置40のブラインド44は、例えば、Xa方向に対向するプレート44a群と、Ya方向に対向するプレート44b群とを含む(図4には各1枚のプレート44a,44bを図示)。対向するプレート44a間及びプレート44b間の距離がそれぞれ設定されることで、ブラインド44の開口サイズが設定される。
フォトレジスト200上の各露光領域201に、フォトマスク100のデバイス領域110に対応するデバイス領域210、及びフォトマスク100のスクライブ領域120に対応するスクライブ領域220が転写される。
図7及び図8は検査パターンの説明図である。
図8(A)及び図8(B)は、位置ずれ検査マークの例である。半導体装置は回路パターンを積層して形成されるため、先に基板300上に形成されている親マーク123に対し、後にフォトレジスト200上に形成された子マーク124が位置ずれしていないかが検査される。図8(A)は、いわゆるバーインバー(Bar in Bar)型の位置ずれ検査マークであり、図8(B)は、いわゆるボックスインボックス(Box in Box)型の位置ずれ検査マークである。図8(A)及び図8(B)に示すような位置ずれ検査マークでは、親マーク123内に子マーク124が収まっているか、親マーク123内における子マーク124の位置が適正であるかが検査される。例えば、このような親マーク123を形成するためのパターンや、子マーク124のパターンが、フォトマスク100のスクライブ領域120に設けられる。
まず、ブラインド44が正常な開口サイズ(正常位置)よりも小さく設定された場合について、図9(A)〜図9(C)を参照して説明する。
図10には、フォトレジスト200上の、Xb方向に隣接する3つの露光領域201を模式的に図示している。
図11は露光装置の照明光学系フレアのフォトレジストへの影響の説明図である。図11(A)は照明光学系フレアの影響が比較的小さい場合の説明図、図11(B)は照明光学系フレアの影響が比較的大きい場合の説明図である。
図12は第1の実施の形態に係るフォトマスクの構成例を示す図である。図12には、フォトマスクの一例の平面模式図を示している。
フォトマスク100Aの作製においては、まず、形成する半導体装置の仕様等に基づいて作成された設計データが取得される。取得された設計データに基づき、デバイス領域110に形成される回路パターンに対し、線幅の均一性を向上するためのOPC(Optical Proximity Correction)処理や、露光領域内でのパターン占有率差を小さく抑えるためのダミーパターン発生処理等の加工が行われてもよい。取得された、又は取得され加工された設計データに対し、予め作成されたスクライブ領域120のデータ、及び外側領域130のデータが合成されることで、フォトマスク100Aの設計データが完成する。
フォトレジスト200上の露光領域が所定のサイズ、例えば最外周のスクライブ領域120の中心間距離D1が24000μmでD2が30000μmとなる半導体装置製造において、用いるフォトマスク100Aの各種値が設定される。
露光装置40のブラインド44の正常位置BL−X2(太実線で図示。右側プレートのエッジ位置に相当)に着目すると、例えば、その正常位置BL−X2の設定尤度Lが、±100μmに設定される。ブラインド44の他の正常位置BL−X1,BL−Y1,BL−Y2(太実線で図示。それぞれ左側プレート、上側プレート、下側プレートのエッジ位置に相当)についても同様に設定される。
例えばこのように設定された検査パターンc1,c2,c3,c4及び開口部d1,d2,d3,d4のデータを含むフォトマスク100Aの設計データが作成され、それに基づき、フォトマスク100Aが作製される。フォトマスク100Aは、例えば、透明ガラス基板上に、作成された設計データに基づき、クロムや酸化クロム等の金属膜で遮光部を設ける(それによって透光部を設ける)ことで、作製される。
その後、ベーク処理が所定の条件、例えば110℃、60秒の条件で行われ、露光後のフォトレジスト200がテトラメチルアンモニウムヒドロキド(TMAH)により現像される。
例えば図16(A)に示すように、ブラインド44の開口の4辺のうち、1辺が異常位置BL−X1bである場合、転写領域140がXc方向に並ぶような配置で転写された時、フォトレジスト200には一部の検査パターンc2が転写されない。この場合のフォトレジスト200上の露光領域201は、図16(B)に示すようになる。図16(B)には便宜上、フォトレジスト200に転写されない一部の検査パターンc2の箇所を点線で図示している。ブラインド44で開口部d2が遮光されないため、一部の検査パターンc2が転写されずに欠落する。従って、フォトレジスト200の検査が不能となることから、露光装置40においてブラインド44の設定位置が異常であることを監視することができる。
図19に示すフォトマスク100Bは、転写領域140の最外周よりも内側に位置するスクライブ領域120、即ち転写領域140内の隣接するデバイス領域110間に位置するスクライブ領域120に設けられた、光源で解像可能な検査パターンc1,c2,c3,c4を含む。フォトマスク100Bの遮光領域150には、これらの検査パターンc1,c2,c3,c4にそれぞれ対応する光源で解像可能な開口部d1,d2,d3,d4が設けられる。
図20は第2の実施の形態に係るフォトマスクの構成例を示す図である。図20には、フォトマスクの一例の平面模式図を示している。
フォトマスク100Cを用いたフォト工程20の一例と、その際の照明光学系フレアの監視について、以下に述べる。ここでは、ロジックLSI等の半導体装置の製造における、ArFエキシマレーザー(波長193nm)を光源41とする露光装置40を用いた、トランジスタゲート形成用のフォトレジストパターンの形成工程を例にする。
その後、ベーク処理が所定の条件、例えば120℃、90秒の条件で行われ、露光後のフォトレジスト200がTMAHにより現像される。
図21は第2の実施の形態に係るフォトマスクを用いた露光の説明図である。
図21に示すようなフォトマスク100Cが用いられ、例えばブラインド44の開口の4辺がいずれも正常位置BL−X1,BL−X2,BL−Y1,BL−Y2に設定された露光装置40により、フォトレジスト200がステップアンドリピートで露光される。
例えば検査パターンc1は、それに対応して開口部d1が設けられているため、転写領域140がYc方向に並ぶような配置で転写された時、開口部d1を通過する照明光学系フレアの影響を大きく受ける。一方、検査パターンe1は、それに対応する部位が遮光部f1になっているため、転写領域140がYc方向に並ぶような配置で転写された時、検査パターンc1に比べて照明光学系フレアの影響が小さくなる。
10b,30b 不純物注入工程
10c,30c エッチング工程
20 フォト工程
21 前処理
22 フォトレジスト塗布処理
23 露光処理
24 現像処理
40 露光装置
41 光源
42 フライアイレンズ
43 コンデンサレンズ
44 ブラインド
44a,44b プレート
45 ミラー
46 縮小投影レンズ
47 ステージ
100,100A,100B,100C フォトマスク
110,210 デバイス領域
120,220 スクライブ領域
121a,121b,121c,127,c1,c2,c3,c4,e1,e2,e3,e4 検査パターン
122a,122b,122c,f1,f2,f3,f4 遮光部
123 親マーク
124 子マーク
125 ラインパターン
126 測長ラインパターン
130 外側領域
140 転写領域
150,160b 遮光領域
160a 透光領域
170 マーク
200 フォトレジスト
201 露光領域
201a コーナー部
211 回路パターン
300 基板
D1,D2 距離
d1,d2,d3,d4 開口部
BL−X1,BL−X2,BL−Y1,BL−Y2 正常位置
BL−X1b,BL−X2b,BL−Y1b,BL−Y2b 異常位置
Claims (8)
- 光源で解像可能な回路パターンが設けられた複数のデバイス領域と、
前記複数のデバイス領域の各々を囲み、前記光源で解像可能な第1検査パターンが設けられたスクライブ領域と
を有する転写領域と、
前記転写領域を囲み、前記転写領域がフォトレジスト上の第1方向の隣接位置に転写された時に前記第1検査パターンと重複する前記光源で解像可能な第1開口部を有する遮光領域と
を含むことを特徴とするフォトマスク。 - 前記第1開口部は、前記光源から前記転写領域の周囲に照射される光を遮光する遮光部材が正常位置にある時には前記遮光部材で遮光されることを特徴とする請求項1に記載のフォトマスク。
- 前記第1検査パターンは、前記転写領域の最外周に位置する前記スクライブ領域に設けられることを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトマスク。
- 前記第1検査パターンは、前記転写領域の最外周よりも内側に位置する前記スクライブ領域に設けられることを特徴とする請求項1又は2に記載のフォトマスク。
- 前記転写領域は、前記スクライブ領域に設けられ、前記光源で解像可能な第2検査パターンを有し、
前記遮光領域は、前記転写領域が前記フォトレジスト上の前記第1方向と異なる第2方向の隣接位置に転写された時に前記第2検査パターンと重複する前記光源で解像可能な第2開口部を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のフォトマスク。 - 前記転写領域は、前記スクライブ領域に設けられ、前記第1検査パターンに並設され、前記光源で解像可能な第3検査パターンを有し、
前記遮光領域は、前記転写領域が前記フォトレジスト上の前記第1方向の隣接位置に転写された時に前記第3検査パターンと重複する遮光部を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載のフォトマスク。 - 基板上に形成され、フォトマスクを用いて異なる位置を露光され現像されたフォトレジストを検査する工程を含み、
前記フォトマスクは、
光源で解像可能な回路パターンが設けられた複数のデバイス領域と、
前記複数のデバイス領域の各々を囲み、前記光源で解像可能な第1検査パターンが設けられたスクライブ領域と
を有する転写領域と、
前記転写領域を囲み、前記転写領域が前記フォトレジスト上の第1方向の隣接位置に転写された時に前記第1検査パターンと重複する前記光源で解像可能な第1開口部であって、前記光源から前記転写領域の周囲に照射される光を遮光する遮光部材が正常位置にある時には前記遮光部材で遮光される前記第1開口部を有する遮光領域と
を含み、
前記フォトレジストに転写される前記第1検査パターンを用いて前記フォトレジストを検査することを特徴とする電子装置の製造方法。 - 前記遮光部材が異常位置にある時には、前記第1開口部を通る光により、前記フォトレジストに転写される一部の前記第1検査パターンが欠落することを特徴とする請求項7に記載の電子装置の製造方法。
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