KR100552559B1 - 레티클과, 반도체 노광장치 및 방법과, 반도체 디바이스제조방법 - Google Patents

Abstract

여기에 개시된 본 발명은, 투과형 레티클를 이용한 투영 노광 공정에서, 예를 들면, 이면 반사 등의 외란광의 악영향 없이 전체 노광영역에 걸쳐서 균일한 마무리 크기로 노광을 확보하는 기술에 관한 것이다. 구체적으로, 본 발명은, 레티클과, 반도체 노광장치 및 방법과, 반도체 디바이스 제조방법을 제공하고, 사용된 레티클은, 회로 패턴이 형성되는 패턴영역과, 상기 패턴 영역의 외주에 형성된 폭 d의 차광영역과, 상기 패턴 영역으로부터 멀리 떨어진 레티클의 표면 상에 형성된 반사 방지막을 포함하고, n1이 레티클의 광입사 측에서의 매질의 굴절률이고, n2가 레티클의 굴절률이고, t가 레티클의 두께이고, θ가 레티클 위의 광의 입사각이면, 차광막의 폭 d는,

의 관계를 만족시킨다.

Description

레티클과, 반도체 노광장치 및 방법과, 반도체 디바이스 제조방법{RETICLE, SEMICONDUCTOR EXPOSURE APPARATUS AND METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD}

도 1은 본 발명을 축소 투영노광 장치에 적용했을 경우의 개략도

도 2a 및 도 2b는 레티클 주변 위치의 반사광을 나타낸 도면

도 2a는 종래의 레티클을 도시하는 도면

도 2b는 본 실시예에 의한 반사 방지막을 가진 레티클을 도시하는 도면

도 3은 반사광에 의한 웨이퍼면 위의 광강도 분포의 변화를 설명한 그래프

도 4는 단층 반사 방지막의 반사율 특성을 설명한 그래프

도 5는 반사광에 의해 디바이스 영역외부를 조사할 가능성을 설명한 개략도

도 6은 종래의 노광 장치의 개략도

도 7은 디바이스의 제조처리의 흐름도

도 8은 도 7의 웨이퍼 프로세스의 상세를 설명하는 흐름도

<도면부호의 간단한 설명>

1: 조명 광학계 2: 투영 광학계

3: 웨이퍼 11: 레티클

12: 회로패턴 12a: 광투과부

12b: 차광부 13: 반사 방지막

21, 21a, 21b, 21c, 21d: 조명 광속

본 발명은, 반도체 디바이스 또는 액정 디바이스의 제조시에 행해지는 리도그래픽 공정에 사용하는 노광장치에 관한 것이며, 예를 들면, 또는 이러한 공정에 사용되고 또한 회로패턴 등의 패턴이 형성되는 레티클 또는 포토마스크에 관한 것이다. 다른 측면에서는, 본 발명은 이러한 레티클을 이용한 반도체 디바이스 또는 액정 디바이스의 제조방법 또는 노광방법에 관한 것이다. 또, 본 발명은 특히 회로패턴 등의 패턴이 형성된 레티클 또는 포토마스크 등의 원판에 관한 것이다.

포트리도그래피 공정에 의한 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스의 제조에는, 레티클이나 포토마스크 등(이하, 양자모두 용어 "레티클" 을 사용함)에 형성된 회로패턴 등을 감광제가 도포된 반도체 웨이퍼 등의 기판에 전사하는 투영형 노광 장치를 이용하는 것이 포함된다. 최근에, 반도체 디바이스 또는 액정 디바이스의 한층 더 미세화 요구 때문에, 투영 광학계는 보다 높은 개구수(NA)를 가져야 한다.

투과형 레티클를 이용한 투영형 노광 장치에서는, 투영 광학계의 NA의 증대에 의해, 레티클에 입사하는 광의 각도의 증대를 일으켜서, 레티클로 부터의 광의 반사의 증대를 초래한다. 레티클 이면에서의 광의 반사는, 다른 부재로부터 미광 (迷光)을 일으킬 수도 있다. 또, 레티클 패턴면에 의해 반사된 광이 레티클 이면에 의해 다시 반사될 수 도 있고, 웨이퍼면에 도달하여 인접 영역의 선폭을 크게하는 원인이된다. 따라서, 레티클 이면 반사광의 영향을 무시할 수 없게 된다. 여기서, 용어 "레티클 이면" 이란, 회로 패턴이 형성되는 면으로부터 멀리 떨어진 레티클의 면을 말한다.

상기 현상을 도 6 및 도 2a와 관련하여 한 층더 상세하게 설명한다. 도 6은 종래의 투영형 노광장치의 개략도이다. 도 6에서, (1)은 노광 광원으로부터의 광을 레티클에 광을 투영하는 조명 광학계를 나타내고, (11)은 회로 패턴(12)이 형성된 레티클을 나타낸다. (2)는 회로 패턴 (12)을 웨이퍼(3)상에 축소투영 하는 투영광학계를 나타낸다. 도 2a는 도 6의 레티클(11) 주위 부분의 확대 단면도이다. 레티클(11)에 형성된 회로 패턴(12)은, 광투과부 (12a)와 차광부(12b)로 이루어진다. 조명 광학계(1)로부터 조명광(21a)은, 패턴면(12)에 형성된 광투과부(12a)를 투과 하여, 노광광(22)으로서 투영 광학계(2)를 개재하여 웨이퍼 면에 투영된다. 한편,마찬가지로 조명 광학계로부터 형성된 조명광(21b)은 상기 패턴면(12)에 형성된 차광부(12b)에 의해 차광된다. 여기서, 일부의 조명광(21b)은 차광부에 의해 반사되고, 레티클 이면(15)에 의해 다시 반사되어, 광투과부(12a)를 투과하고 투영 광학계(2)에 입사하는 광(23)을 생성한다. 그 경우에, 상기 광(23)은 상기 웨이퍼상의 패턴 전사 영역의 인접부에서 선폭을 불리하게 크게하거나 또는 화상성능이 열화되를 초래하는 미광이 된다.

일반적으로, 레티클은 회로패턴을 형성하는 영역의 외주에 형성된 약 1.5mm의 차광구역으로 형성된다. 조명광학계(1)에 의해 조명될 레티클 상의 조명영역이 상기 회로패턴을 형성한 영역으로부터 경미하게 편향되는 경우에도, 이 구역은 웨이퍼 상에 회로패턴 영역의 외주에 노광광의 침범을 방지하도록 형성된다. 그러나, 노광장치의 고 NA화에 의해, 회로패턴을 형성하는 상기 레티클의 영역으로부터 반사광이, 상기 레티클 이면의 반사 때문에 상기 레티클의 차광 구역을 넘어가서, 상기 회로패턴을 형성하는 영역의 외측에 반사광이 새어나온다. 이것은 이에 의해, 노광 영역으로 포함되지 않은 영역이 노광된다는 것을 의미한다. 따라서, 스텝-앤드-리피트 방식이나 스텝-앤드-스캔 방식 등의 노광 방법에서는, 패턴이 상이한 쇼트에 연속적으로 전사되어 인접 쇼트가 악영향을 받게 된다. 따라서, 상기 레티클 이면으로부터 반사광을 방지하는 것이 바람직하다.

일본국 특개평 08-123007호 공보 및 특개평 09-211842호 공보에는 레티클에 적용된 반사 방지막의 이용이 개시되어 있다.

일본국 특개평 08-123007호 공보에서는, 하프톤막를 가진 레티클에 대해서 얼라인먼트를 실시하고, 얼라인먼트 반사광의 강도가 작아지기 때문에 유리표면 반사에 의해 외란광을 억제할 수 있도록 얼라인먼트 마크상에 반사 방지 처리를 행한다.

일본국 특개평 09-211842호 공보에는, 마스크나, 노광 장치의 광학계의 표면위에 미세한 표면의 불규칙한 형상을 형성하기 때문에 노광광의 투과 효율을 향상시키는 것을 개시하고 있다.

본 발명의 목적은, 투과형 레티클을 이용한 투영 노광의 공정에서, 이면 반사 등의 외란광의 영향이 없이, 노광 영역 전역에 걸쳐서 균일한 마무리 치수로 노광을 확보하는 데 있다.

본 발명의 다른 목적은 노광될 선폭이 상이한 다른 공정에 사용될 노광조건에 따라서 마스크 또는 레티클을 이용한 최상의 노광을 달성할 수 있는 노광방법을 제공하는 데 있다.

본 발명의 일 측면에 따르면, 회로패턴이 형성되는 패턴영역과; 상기 패턴영역의 외주에 형성된 폭 d의 차광영역과; 상기 패턴 영역으로부터 멀리 떨어진 레티클의 표면 상에 형성된 반사 방지막을 포함하고, n1이 레티클의 광입사 측에서의 매질의 굴절률이고, n2가 레티클의 굴절률이고, t가 레티클의 두께이고, θ가 레티클 위의 광의 입사각이면, 차광막의 폭 d는,

의 관계를 만족시키는 레티클을 제공한다.

본 발명의 기타특징 및 이점은 첨부도면과 함께 주어진 본 발명의 바람직한 실시예의 이하 명세서를 고려하여 한층 더 자명해질 것이다.

<바람직한 실시예의 설명>

이하, 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 바람직한 실시예를 설명한다. 도면에 서, 대응하는 부재에는 동일한 참조 번호를 할당하고, 중복 설명은 생략한다.

<실시예>

본 발명의 실시예에 의한 투과형 레티클을, 도 1 내지 도 5를 참조하면서 설명한다. 도 1은 본 발명을 축소 투영노광장치에 적용한 실시예의 개략도이다. 도 2a 및 도 2b는 레티클 내부의 반사광을 나타낸다. 도 3은 반사광에 의한 웨이퍼면광강도 분포의 변화를 도시한다. 도 4는 단층 반사 방지막의 반사율 특성을 도시하고, 도 5는 반사광으로 디바이스 영역외를 조사하는 것을 설명한 개략도이다.

도 1에서, (1)은 광원으로부터 광을 레티클에 투영하는 조명 광학계를 나타내며, (11)은 회로패턴(12)이 형성된 레티클을 나타낸다. (2)는 회로패턴(12)을 웨이퍼(3)상에 축소투영 하는 투영광학계를 나타낸다. 본 실시예에서는, 조명계 (1)로부터 투영된 조명광(21)은 투과형 레티클(11)에 입사하므로, 상기 레티클의 패턴 영역에 형성된 패턴(12)은, 투영광학계(2)를 개재하여 노광광(22)에 의해 웨이퍼 (3)으로 전사된다(도 1 참조). 스텝-앤드-리피트 방식 또는 스텝-앤드-스캔 방식에 의해 연속적으로 전사한다.

본 실시예에 의하면, 상기 레티클 이면, 즉, 상기 회로패턴을 형성하는 레티클 표면으로부터 멀리 떨어진 표면에 반사 방지막(13)이 형성된다.(도 2b 참조). 상기 레티클에 입사한 조명광(21a)은, 레티클 패턴면(12)에 형성된 광투과부(12a)를 투과하고 노광광(22)으로서 상기 웨이퍼면에 투영된다. 한편, 상기 레티클에 입사 한 조명광(21b)은, 차광부(12b)에 의해 차광된다. 그 후 일부의 조명광(21b)은 반사되어, 상기 레티클 이면에 도달한다. 그러나, 상기 반사방지막(13)이 상기 레 티클 이면에 형성되기 때문에, 조명광(21b)의 광은 레티클 이면에 반사할 것이 거의 없다. 따라서 조명광(21b)이 투과부(12a)를 투과하고 투영 광학계(2)를 개재하여 웨이퍼(3)에 침범할 가능성은 실질적으로 없다. 즉, 미광의 발생을 막을 수가 있다.

이러한 반사 방지막(13)의 효과를 Gauss 강도 분포에 의해 설명한다(도 3). 도 3에서 나타낸 곡선(32)은 웨이퍼상에 미세선을 형성할 경우에, 웨이퍼(3)상에 형성되어야 할 노광광의 강도 분포이다. 이 경우에, 어느 일정한 슬라이스 레벨(노광량이나 레지스트 감도에 의해 결정됨)로 노광 및 현상 후의 마무리 선폭이 결정되고, 그 슬라이스 레벨을 피크 강도의 50%로 가정한 경우에, 약 140nm의 마무리 선폭을 얻을 수 있다.

한편, (33)으로 나타낸 곡선은 광(22)에 대해서 5%의 미광이 있는 경우의 강도 분포이다. 플레어가 작은 영역에 의해 결정되는 것으로서 슬라이스 레벨(노광량) 50%에서 곡선의 폭이 노광에 의해 패턴화될 영역인 경우에는, 곡선(32)과 비교하여 곡선(33)의 노광 선폭은 약 7.5%만큼 커진다. 즉, 미광이 작은 영역에 의거하여 노광량을 결정했을 경우와 비교하여, 미광이 있는 영역에서의 선폭은, 미광 1% 당 약 1.5%만큼 커진다는 것을 알 수 있다. 이것은 의도한 선폭으로부터 1.5%만큼 선폭이 굵어지는 것을 의미한다.

도 4에는 예를 들면, 레티클 이면에 단층형의 반사 방지막을 형성한 경우에 계산된 것으로서 반사율 특성을 나타낸다. 이 반사율 특성에 의하면, 예를 들면 파장이 248nm의 노광광을 이용했을 경우, 반사율은 0.5%이하로 억제하는 것이 가능하 다. 반사 방지막이 없이 유리면에 광이 수직 입사 했을 경우의 반사율이 약 4%인 것을 고려하면, 미광의 발생을 1/8이하로 억제할 수 있다. 따라서, 웨이퍼상에 이상적인 강도 분포(32)에 가까운 노광광의 분포를 형성할 수가 있고 노광에 의해 정확한 선폭을 형성할 수 있다.

반사 방지막은 단층막에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 다층막을 이용하여도 되고, 그 경우에 반사율이 한층 더 저하될 수 있다. 전술한 유리한 효과는 확장될 수 있다.

또, 노광 파장이 상술된 예제에서는 248nm이지만, 157nm 또는 134nm 등의 다른 파장을 이용하여도 된다.

또, 본 실시예는, 회로 패턴이 형성된 레티클의 디바이스 영역 외주에 형성된 차광부에서의 반사광이, 디바이스 영역외에 불리한 영향을 일으키는 경우에 대해서도 효과적이다. 이것을 도5와 함께 이하 설명한다.

통상적으로, 조명 영역의 차광성을 고려하면서, 레티클에 의해 레티클의 패턴영역 외주에 차광 구역(14)을 형성한다. 차광 폭은 예를 들면, 1.5mm이다. NA가 작은 경우(NA=sinθc), 조명광(21c)은 디바이스 영역(도면에 도시된 바와 같이 차광 구역(14)의 좌측에서의 레티클의 영역)으로부터 입사한다. 상기 차광 구역으로 반사되는 조명광(22c)은 레티클 이면에 의해 다시 반사하고, 상기 차광 구역에 의해 다시 차광된다. 따라서, 웨이퍼측에 미광으로서 사출되지 않는다.

상기 차광 구역(14)과 레티클 이면과의 사이에서 복수회 반사되므로 조명광은 웨이퍼측으로 진행할 수도 있다. 그러나, 이러한 경우에, 매우 강도가 낮아지고 노광에 영향을 주지않는 것을 용이하게 기대할 수 있다. 한편, NA가 크고(NA=sin θd), 디바이스 영역으로부터 입사한 조명광(21d)이 상기 차광 구역과 레티클 이면에 의해 2번 반사될 경우, 상기 차광 구역의 폭을 넘어가서 (22d)에 도시된 바와 같이, 디바이스 영역의 외측으로 광이 새어 나온다(22d). 즉, 이것은 그 때문에 노광영역에 포함되지 않은 영역이 노광된다는 것을 의미한다. 이에 의해 인접 쇼트 영역에 악영향을 가하므로, 상술한 바와 같이 상기 레티클 이면으로부터 반사광을 방지하여야 한다.

노광 NA가 커짐에 따라 차광 구역을 크게할 수도 있다. 그러나, 통상적으로, 디바이스 영역의 외측 즉 차광구역의 외측인 레티클상의 영역에, 얼라인먼트 작동을 위하여 형성된 마크가 있다. 차광 구역이 커지는 경우, 이들 얼러인먼트 마크 를 외측에 배치하여야 한다. 얼라인먼트 마크는 투영 광학계를 개재하여 웨이퍼 측에 투영하여야 하므로, 이에 의해 투영광학계의 유효 영역을 크게 할 필요가 있다. 그러나, 이것은 투영 광학계의 성능 보증 영역을 크게 할 필요가 있기 때문에, 한편으로는 제조 난이도를 올리고, 다른 한편으로는 크기를 대형화한다. 이것을 고려하여, 차광 영역은 가능한 한 작게 유지해야 한다.

여기서, NA의 증대에 의한 반사광의 영향 범위와 차광 구역의 폭 사이의 관계에 대해 생각한다. 레티클 위에 광의 입사전 매질의 굴절률을 n1, 레티클의 굴절률을 n2, 레티클의 두께를 t, 차광 구역의 폭을 d, 광의 입사각을 θ(NA가 낮은 경우 θc, NA가 높은 경우 θd)로 하면, 광이 차광 구역의 폭을 넘어가서 디바이스 영역 외부에 누출되는 조건은,

의 식으로 주어질 수 있다.

예를 들면, 일반적인 노광장치의 조건으로서 n1=1.5, n2=1.5, t=6.35mm 및 d=15mm인 조건을 적용시켰을 경우, NA(sinθ)는 레티클 상에서 약 0.175이상이어야 하며, 그렇치 않으면 설정될 수 없다. 따라서, NA가 0.175이상인 경우에 본 발명을 적용하는 것이 효과적이다.

상기 조건은 단순한 예이며, 이것에 한정되는 것은 아니다. 또, 상기 조건은 NA의 산출에만 사용하는 것이 아니라, 어떤 NA에 대해서 d 또는 t 등을 산출할 수도 있다.

레티클의 패턴을 웨이퍼 상에 전사하기 위한 투영배율(축소율)이 4배인 경우, 레티클상의 개구수 NA 0.175이상은 웨이퍼상 개구수가 0.7이상인 것을 의미한다. 물론, 투영 배율이 다른 경우, 웨이퍼상의 NA도 달라진다.

또, 본 실시예는, 레티클 패턴면으로부터 높은 반사율을 가질수록 큰 기술적 이점을 제공할 수 있다. 일반적으로, 3층 코팅된 레티클 보다 2층 코팅된 레티클의 반사율이 높다. 일례를 들면, 248nm의 노광 파장에 대해서, 3층 코팅된 레티클의 패턴면의 반사율은 약 5%로 될 수 있는 반면에, 2층 코팅된 레티클의 패턴면의 반사율은 약 35%로 될 수 있다. 반사율의 수치는 본 실시예로 한정되는 것은 아니지 만, 반사율에 큰 차이가 형성되는 것은 잘 알려져 있다. 따라서, 본 발명은, 2층 코팅된 레티클에 대해 보다 유리한 효과를 제공한다고 말할 수 있다.

반도체 노광 공정에는, 미세한 노광을 실시하는 공정으로부터, 비교적 거친 선폭의 노광을 하는 공정까지의 다양한 공정을 포함한다. 따라서, 레티클의 제조를 적절하게 선택적으로 실행할 수 있다. 즉, 상기 조건을 만족시켜야 하는 이러한 노광 공정에 사용될 레티클에 반사 방지처리를 실행할 수 있는 반면에, 비교적 거친 선폭의 공정, 즉 NA가 비교적 작은 공정에 사용될 레티클에 반사방지 처리를 생략하여도 된다. 이 방식으로, 생산 코스트를 최소화할 수 있고, 한편 균일하고 양호한 미세 노광작동이 확보된다.

<디바이스 제조 방법의 실시예>

다음에, 도 7 및 도 8을 참조하면서, 도 1에 도시된 바와 같은 투영노광장치를 이용한 디바이스의 제조 방법의 실시예를 설명한다.

도 7은 예를 들면, 반도체 칩(IC 또는 LSI), 액정 패널, CCD, 박막 헤드 또는 마이크로 머신 등의 각종 마이크로 디바이스의 제조의 수순을 설명하는 흐름도이다. 스텝 1은 반도체 디바이스의 회로를 설계하는 설계공정이다. 스텝 2는 상기 회로 패턴에 의거하여 마스크를 제작하는 공정이다. 스텝 3은 실리콘 등의 재료를 이용함으로써 웨이퍼를 제조하는 공정이다. 스텝 4는 전공정으로 부르며, 상기 준비한 마스크와 웨이퍼를 이용함으로써, 리도그래피에 따라서 웨이퍼상에 실제의 회로를 형성한다. 다음의 스텝 5는 후속 공정으로 부르고 스텝 4에서 처리된 웨이퍼를 반도체 칩으로 형성한다. 이 스텝은 조립(다이싱, 본딩)공정 및 페키징(칩 밀 봉)공정을 포함한다. 스텝 6은 스텝 5에 의해 제조된 반도체 디바이스의 동작 확인 테스트, 내구성 테스트 등을 행하는 검사공정이다. 이들 공정에 의해, 반도체 디바이스를 제조하고, 그것 들이 출하(스텝 7)된다.

도 8은 상기 웨이퍼 프로세스의 상세를 설명하는 흐름도이다. 스텝 11은 웨이퍼의 표면을 산화시키는 산화공정이다. 스텝 12는 웨이퍼의 표면에 절연막을 형성하는 CVD 공정이다. 스텝 13은 웨이퍼상에 전극을 증착에 의해 형성하는 전극형성 공정이다. 스텝 14는 웨이퍼에 이온을 주입하는 이온주입 공정이다. 스텝 15는 웨이퍼에 레지스트(감광재)를 도포하는 레지스트 처리공정이다. 스텝 16은 상기 노광장치를 개재하여 노광에 의해 마스크의 회로 패턴을 웨이퍼에 프린트하는 노광공정이다. 스텝 17은 상기 노광된 웨이퍼를 현상하는 현상공정이다. 스텝 18은 현상된 레지스트 이외의 부분을 제거하는 에칭공정이다. 스텝 19는 에칭처리된 후에 웨이퍼에 잔류하는 레지스트 재료를 분리하는 레지스트 박리공정이다. 이들 공정을 반복하여 행함으로써 웨이퍼상에 회로 패턴이 겹쳐져서 형성된다.

이들 구성에 의해, 고밀도의 마이크로 디바이스를 제조하는 것이 가능하게 된다.

본 발명에 의한 레티클의 이면에 반사 방지막을 형성하는 것에 의해, 반사광의 영향을 현저하게 저감 할 수가 있다. 이에 의해 다른 부재로부터의 미광을 일으키는 것을 방지할 수 있거나 또는 패턴면에 의해 반사된 광이 유리면에 의해 반사되는 것을 방지하고, 웨이퍼 면에 침범하여 인접 영역의 선폭의 불균일을 일으키는 것을 방지할 수가 있다. 또, 디바이스 영역으로부터 조명광의 레티클 내부에 바람직 하지 못한 반사 및 이러한 광에 의한 비노광 영역의 결과로서 생기는 조명도 효과적으로 방지할 수 있다.

특히, 패턴 영역의 외측에 차광 구역을 형성하고, 차광 구역의 외측에 얼라인먼트 마크를 배치해야 하는 경우에는, 본 발명의 배치는 장치 규모의 대형화나 비용 증가가 없이, 균일하고 미세한 노광을 효과적으로 확보한다.

본 발명은 명세서에 기재된 구성에 대해서 설명하였지만, 설명된 상세한 내용에 제한되는 것은 아니며, 본 출원은 개선의 목적 또는 다음의 클레임의 범주내에서 달성할 수 있는 수정 또는 변경을 포함하도록 의도된 것이다.

Claims (6)

1. 회로패턴이 형성되는 패턴영역을 가진 레티클로서,

   폭 d의 차광영역은 상기 패턴영역의 외주에 형성되고, 반사 방지막은 상기 패턴 영역으로부터 멀리 떨어진 레티클의 표면 상에 형성되고,

   n1이 레티클의 광입사 측에서의 매질의 굴절률이고, n2가 레티클의 굴절률이고, t가 레티클의 두께이고, θ가 레티클 위의 광의 입사각이면, 차광막의 폭 d는,

   

   의 관계를 만족시키는 것을 특징으로 하는 레티클.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 반사 방지막은 다층막으로 이루어진 것을 것을 특징으로 하는 레티클.
3. 제 1항에 있어서,

   레티클 위에 입사하는 광의 개구수는 0.175 이상인 것을 특징으로 하는 레티클.
4. 제 1항에 있어서,

   상기 회로패턴은 이중 층의 구조를 가진 것을 특징으로 하는 레티클.
5. 레티클의 패턴을 기판에 노광하는 노광방법으로서,

   상기 레티클을 노광장치에 적재하는 공정과;

   기판을 상기 노광장치에 적재하는 공정과;

   노광광을 이용하여 상기 기판 위에 상기 레티클의 패턴을 전사하는 공정

   을 포함하고,

   상기 레티클은, (i) 회로패턴이 형성되는 패턴영역과, (ii) 상기 패턴 영역의 외주에 형성된 폭 d의 차광영역과, (iii) 상기 패턴영역으로부터 멀리 떨어진 상기 레티클의 표면 위에 형성된 반사 방지막을 포함하고,

   n1이 레티클의 광입사 측에서의 매질의 굴절률이고, n2가 레티클의 굴절률이고, t가 레티클의 두께이고, θ가 레티클 위의 광의 입사각이면, 차광막의 폭 d는,

   

   의 관계를 만족시키는 것을 특징으로 하는 노광방법.
6. 레티클 위에 형성된 회로패턴을 기판에 노광하는 공정과;

   상기 노광된 기판을 현상하는 공정

   을 포함하는 디바이스 제조 방법으로서,

   상기 레티클은, (i) 회로패턴이 형성되는 패턴영역과, (ii) 상기 패턴 영역의 외주에 형성된 폭 d의 차광영역과, (iii) 상기 패턴영역으로부터 멀리 떨어진 상기 레티클의 표면상에 형성된 반사 방지막을 포함하고,

   n1이 레티클의 광입사 측에서의 매질의 굴절률이고, n2가 레티클의 굴절률이고, t가 레티클의 두께이고, θ가 레티클 위의 광의 입사각이면, 차광막의 폭 d는,

   

   의 관계를 만족시키는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.

Images