JP2996127B2 - パターン形成方法 - Google Patents
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- photosensitive resin
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70325—Resolution enhancement techniques not otherwise provided for, e.g. darkfield imaging, interfering beams, spatial frequency multiplication, nearfield lenses or solid immersion lenses
- G03F7/70333—Focus drilling, i.e. increase in depth of focus for exposure by modulating focus during exposure [FLEX]
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- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
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- G—PHYSICS
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパターン形成方法に関
し、特に半導体製造工程で微細パターン作成のために用
いられるパターン形成方法に関する。
し、特に半導体製造工程で微細パターン作成のために用
いられるパターン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体素子の製造工程に於いて
は、半導体基盤上にパターンを形成するために、光リソ
グラフィ技術を用いている。光リソグラフィでは、縮小
投影露光装置によりフォトマスク（透明領域と不透明領
域からなるパターンが形成された透明基板であり、縮小
率が１：１でない場合には特にレチクルとも呼ばれるが
ここではいずれもフォトマスクと呼ぶ）のパターンを感
光性樹脂の塗布された半導体基板上に転写し、現像によ
り感光性樹脂の所定のパターンを得ることができる。
は、半導体基盤上にパターンを形成するために、光リソ
グラフィ技術を用いている。光リソグラフィでは、縮小
投影露光装置によりフォトマスク（透明領域と不透明領
域からなるパターンが形成された透明基板であり、縮小
率が１：１でない場合には特にレチクルとも呼ばれるが
ここではいずれもフォトマスクと呼ぶ）のパターンを感
光性樹脂の塗布された半導体基板上に転写し、現像によ
り感光性樹脂の所定のパターンを得ることができる。
【０００３】従来の光リソグラフィ技術においては、露
光装置の開発、とりわけ投影レンズ系の高ＮＡ化により
半導体素子パターンの微細化へ対応してきた。ここでＮ
Ａ（開口数）とはレンズがどれだけ広がった光を集めら
れるかに対応し、この値が大きいほどより広がった光を
集められ（解像でき）、レンズの性能は良いことにな
る。また、一般にレーリ（Ｒａｙｌｅｉｇｈ）の式とし
てよく知られているように、限界解像度Ｒ（解像できる
限界の微細パターンの寸法）とＮＡには、Ｒ＝Ｋ１×λ
／ＮＡ（ここで、Ｋ１は感光性樹脂の性能等のプロセス
に依存する定数）の関係があり、ＮＡを大きくするほど
限界解像度はより微細になってきていた。
光装置の開発、とりわけ投影レンズ系の高ＮＡ化により
半導体素子パターンの微細化へ対応してきた。ここでＮ
Ａ（開口数）とはレンズがどれだけ広がった光を集めら
れるかに対応し、この値が大きいほどより広がった光を
集められ（解像でき）、レンズの性能は良いことにな
る。また、一般にレーリ（Ｒａｙｌｅｉｇｈ）の式とし
てよく知られているように、限界解像度Ｒ（解像できる
限界の微細パターンの寸法）とＮＡには、Ｒ＝Ｋ１×λ
／ＮＡ（ここで、Ｋ１は感光性樹脂の性能等のプロセス
に依存する定数）の関係があり、ＮＡを大きくするほど
限界解像度はより微細になってきていた。
【０００４】しかし、露光装置の高ＮＡ化により解像力
は向上するものの、逆に焦点深度（焦点位置のずれが許
容はできる範囲）は減少し、焦点深度の点で更なる微細
化が困難となってきた。ここでは実際の物理的意味の説
明は省くが、先と同様レーリの式として、焦点深度ＤＯ
ＦとＮＡには、ＤＯＦ＝Ｋ２×λ／ＮＡ（ここで、Ｋ２
はプロセスに依存する定数）の関係が成り立つことが知
られている。すなわち、ＮＡを大きくする程ＤＯＦは小
さくなり、わずかな焦点位置のずれも許容できなくな
る。
は向上するものの、逆に焦点深度（焦点位置のずれが許
容はできる範囲）は減少し、焦点深度の点で更なる微細
化が困難となってきた。ここでは実際の物理的意味の説
明は省くが、先と同様レーリの式として、焦点深度ＤＯ
ＦとＮＡには、ＤＯＦ＝Ｋ２×λ／ＮＡ（ここで、Ｋ２
はプロセスに依存する定数）の関係が成り立つことが知
られている。すなわち、ＮＡを大きくする程ＤＯＦは小
さくなり、わずかな焦点位置のずれも許容できなくな
る。
【０００５】そこで、位相シフトマスク技術による解像
度および焦点深度向上が検討されてきている。位相シフ
トマスクは一般に、マスクを透過する光の位相を制御
し、結像面での光強度分布を改善する技術である。
度および焦点深度向上が検討されてきている。位相シフ
トマスクは一般に、マスクを透過する光の位相を制御
し、結像面での光強度分布を改善する技術である。
【０００６】位相シフトマスクとしては、渋谷−レベン
ソン（Ｌｅｖｅｎｓｏｎ）方式と呼ばれる、透明領域を
透過する光の位相を交互に１８０度変える周期パターン
に適した方式が初めに提案された。しかし、これは適用
できるパターンの制限が厳しかったため、その後、補助
パターン、リム等の他の方式が提案されてきた。また、
特にコンタクトホールパターンは従来から焦点深度が狭
いという問題があり、位相シフトマスクによる改善の要
求が強く、補助パターン方式、リム方式、およびハーフ
トーン方式（例えば特開平４−１３６８５４）等が検討
されてきた。なかでもハーフトーン方式の位相シフトマ
スクは、マスク作製が他の方式と比べて容易であるた
め、特に注目されている。
ソン（Ｌｅｖｅｎｓｏｎ）方式と呼ばれる、透明領域を
透過する光の位相を交互に１８０度変える周期パターン
に適した方式が初めに提案された。しかし、これは適用
できるパターンの制限が厳しかったため、その後、補助
パターン、リム等の他の方式が提案されてきた。また、
特にコンタクトホールパターンは従来から焦点深度が狭
いという問題があり、位相シフトマスクによる改善の要
求が強く、補助パターン方式、リム方式、およびハーフ
トーン方式（例えば特開平４−１３６８５４）等が検討
されてきた。なかでもハーフトーン方式の位相シフトマ
スクは、マスク作製が他の方式と比べて容易であるた
め、特に注目されている。
【０００７】次に、通常のフォトマスクと比較して、こ
れら位相シフトマスクを図面を用いて説明する。図１０
は従来の通常の一般的マスクを透過する光の説明図、図
１１は従来の補助パターン方式の位相シフトマスクを透
過する光の説明図、図１２は従来のリム方式の位相シフ
トマスクを透過する光の説明図、図１３は従来のハーフ
トーン方式の位相シフトマスクを透過する光の説明図で
ある。また、これらのマスタのパターンはいずれも１つ
のコンタクトホールパターンとした。
れら位相シフトマスクを図面を用いて説明する。図１０
は従来の通常の一般的マスクを透過する光の説明図、図
１１は従来の補助パターン方式の位相シフトマスクを透
過する光の説明図、図１２は従来のリム方式の位相シフ
トマスクを透過する光の説明図、図１３は従来のハーフ
トーン方式の位相シフトマスクを透過する光の説明図で
ある。また、これらのマスタのパターンはいずれも１つ
のコンタクトホールパターンとした。
【０００８】まず、図１０に示す従来の通常の一般的マ
スクから説明する。同図（ａ）は一般的マスクの平面
図、同図（ｂ）は同Ａ−Ａ断面図、同図（ｃ）はマスク
直後の透過光の振幅、同図（ｄ）は結像面での光強度分
布を示す。
スクから説明する。同図（ａ）は一般的マスクの平面
図、同図（ｂ）は同Ａ−Ａ断面図、同図（ｃ）はマスク
直後の透過光の振幅、同図（ｄ）は結像面での光強度分
布を示す。
【０００９】通常のマスクでは同図（ｂ）に示すよう
に、石英等の透明基板１１上に７０〜１００ｎｍ厚のク
ロム（Ｃｒ）および酸化クロム（ＣｒＯ）の遮光膜１３
が成膜され、選択的に遮光膜１３を除去することにより
透明領域１６と遮光領域１８からなるパターンが形成さ
れている。そして、マスクを透過する光の振幅は透明部
１６で一定値、遮光部１８で零となる。一般に、光学系
を通した結像はフーリエ変換で説明されるが、透過照明
により照明されフーリエ変換されたマスクパターンは、
投影レンズ系でフーリエ逆変換され結像面上に再び元の
マスクパターンが形成される。しかしこのとき、投影レ
ンズ系はローパスフィルターとして働くので、フーリエ
変換の高次の成分は無くなる。よって、マスク透過直後
は矩形性を有する光の振幅も、結像面ではその矩形性を
失い、振幅の２乗で与えられる光強度の分布も同図
（ｄ）に示すようになだらかな分布となる。
に、石英等の透明基板１１上に７０〜１００ｎｍ厚のク
ロム（Ｃｒ）および酸化クロム（ＣｒＯ）の遮光膜１３
が成膜され、選択的に遮光膜１３を除去することにより
透明領域１６と遮光領域１８からなるパターンが形成さ
れている。そして、マスクを透過する光の振幅は透明部
１６で一定値、遮光部１８で零となる。一般に、光学系
を通した結像はフーリエ変換で説明されるが、透過照明
により照明されフーリエ変換されたマスクパターンは、
投影レンズ系でフーリエ逆変換され結像面上に再び元の
マスクパターンが形成される。しかしこのとき、投影レ
ンズ系はローパスフィルターとして働くので、フーリエ
変換の高次の成分は無くなる。よって、マスク透過直後
は矩形性を有する光の振幅も、結像面ではその矩形性を
失い、振幅の２乗で与えられる光強度の分布も同図
（ｄ）に示すようになだらかな分布となる。
【００１０】次に、図１１に示す従来の補助パターン方
式の位相シフトマスクについて説明する。同図（ａ）は
補助パターン方式の位相シフトマスクの平面図、同図
（ｂ）は同Ａ−Ａ断面図、同図（ｃ）はマスク直後の透
過光の振幅、同図（ｄ）は結像面での光強度分布を示
す。
式の位相シフトマスクについて説明する。同図（ａ）は
補助パターン方式の位相シフトマスクの平面図、同図
（ｂ）は同Ａ−Ａ断面図、同図（ｃ）はマスク直後の透
過光の振幅、同図（ｄ）は結像面での光強度分布を示
す。
【００１１】補助パターン方式の位相シフトマスクにお
いては、同図（ａ），（ｂ）に示すように半導体素子上
に転写されるべき第１の透明領域１６ａ（コンタクトホ
ールパターン）の周辺に、露光装置の限界解像度以下の
第２の透明領域１６ｂ（補助パターン）が形成され、か
つ透明膜１４を用いて第１の透明領域１６ａを透過する
光と第２の透明領域１６ｂを透過する光にお互いに１８
０度の位相差を与えている。なお、この位相差を与える
透明膜１４は位相シフターあるいは単にシフターと呼ば
れることもある。光は伝達する物質中では波長が１／ｎ
（ｎはその物質の屈折率）となるので、空気と透明膜中
の光路長の違いにより透明膜１４を透過する光と透過し
ない光に位相差を生じさせることができる。透明膜１４
により生じる位相差θはθ＝３６０×ｔ×（ｎ−１）／
λ、ここでλは露光光の波長、ｎは透明膜材料の屈折
率、ｔは透明膜の膜厚であたえられる。よって、１８０
度の位相差とするため透明膜膜厚ｔはｔ＝λ／２（ｎ−
１）と設定される。この補助パターン方式位相シフトマ
スクを透過する光の振幅分布は第１の透明領域１６ａと
第２の透明領域１６ｂで正負反転した分布となる。そし
て、結像面上での光強度分布は、パターンの境界部にお
いて位相が反転した光同士の打ち消し合い、より急峻に
なる。しかし、同図（ｄ）に示すようにメインパターン
周辺にはサブピークが生じる。このメインパターンし周
辺に生じるサブピークは一般にサイドローブ（ｓｉｄｅ
−ｒｏｂｅ）と呼ばれ、各種位相シフトマスクで問題と
なる現象である。すなわち、位相シフト法の効果を上
げ、焦点深度をより拡大するためには、この第２の透明
領域１６ｂの寸法をより大きくする必要があるが、この
とき第２の透明領域１６ｂにより生じるサイドローブも
大きくなり転写されるようになってしまう。よって、あ
る程度焦点深度が確保でき、かつサイドローブの転写も
許容できるように第２の透明領域１６ｂの寸法を選ぶ必
要があった。（なお、メインパターンと第２の透明領域
１６ｂの間隔も適当に選ぶ必要があるが、これは最適値
が容易に求められるのでパラメータとしては第２の透明
領域１６ｂの寸法のみを検討することになる。）
いては、同図（ａ），（ｂ）に示すように半導体素子上
に転写されるべき第１の透明領域１６ａ（コンタクトホ
ールパターン）の周辺に、露光装置の限界解像度以下の
第２の透明領域１６ｂ（補助パターン）が形成され、か
つ透明膜１４を用いて第１の透明領域１６ａを透過する
光と第２の透明領域１６ｂを透過する光にお互いに１８
０度の位相差を与えている。なお、この位相差を与える
透明膜１４は位相シフターあるいは単にシフターと呼ば
れることもある。光は伝達する物質中では波長が１／ｎ
（ｎはその物質の屈折率）となるので、空気と透明膜中
の光路長の違いにより透明膜１４を透過する光と透過し
ない光に位相差を生じさせることができる。透明膜１４
により生じる位相差θはθ＝３６０×ｔ×（ｎ−１）／
λ、ここでλは露光光の波長、ｎは透明膜材料の屈折
率、ｔは透明膜の膜厚であたえられる。よって、１８０
度の位相差とするため透明膜膜厚ｔはｔ＝λ／２（ｎ−
１）と設定される。この補助パターン方式位相シフトマ
スクを透過する光の振幅分布は第１の透明領域１６ａと
第２の透明領域１６ｂで正負反転した分布となる。そし
て、結像面上での光強度分布は、パターンの境界部にお
いて位相が反転した光同士の打ち消し合い、より急峻に
なる。しかし、同図（ｄ）に示すようにメインパターン
周辺にはサブピークが生じる。このメインパターンし周
辺に生じるサブピークは一般にサイドローブ（ｓｉｄｅ
−ｒｏｂｅ）と呼ばれ、各種位相シフトマスクで問題と
なる現象である。すなわち、位相シフト法の効果を上
げ、焦点深度をより拡大するためには、この第２の透明
領域１６ｂの寸法をより大きくする必要があるが、この
とき第２の透明領域１６ｂにより生じるサイドローブも
大きくなり転写されるようになってしまう。よって、あ
る程度焦点深度が確保でき、かつサイドローブの転写も
許容できるように第２の透明領域１６ｂの寸法を選ぶ必
要があった。（なお、メインパターンと第２の透明領域
１６ｂの間隔も適当に選ぶ必要があるが、これは最適値
が容易に求められるのでパラメータとしては第２の透明
領域１６ｂの寸法のみを検討することになる。）
【００１２】次に、図１２に示す従来のリム方式の位相
シフトマスクについて説明する。同図（ａ）はリム方式
の位相シフトマスクの平面図、同図（ｂ）は同Ａ−Ａ断
面図、同図（ｃ）はマスク直後の透過光の振幅、同図
（ｄ）は結像面での光強度分布を示す。
シフトマスクについて説明する。同図（ａ）はリム方式
の位相シフトマスクの平面図、同図（ｂ）は同Ａ−Ａ断
面図、同図（ｃ）はマスク直後の透過光の振幅、同図
（ｄ）は結像面での光強度分布を示す。
【００１３】この方式の位相シフトマスクは、先に示し
た補助パターン方式の第１の透明領域１６ａと第２の透
明領域１６ｂが接した方式と見ることもできる。同図
（ｄ）に示すようにこのリム方式位相シフトマスクを透
過する光の振幅分布も同様に透明膜１４により第１の透
明領域１６ａと第２の透明領域１６ｂで正負反転した分
布となる。そして、同図（ｄ）に示すように、透明膜の
エッジ付近で位相の異なった光同士の打ち消し合いによ
り暗部を形成し、メインパターンに光り強度分布をより
急峻にすることができる。なお、このように透明膜１４
のエッジ部の光強度はかなり低下するため、マスク設計
においてはマスクバイアスを付加し、目的の寸法より第
１の透明領域１６ａの寸法を大きくする必要がある。ま
た、このリム方式においても、先の補助パターン方式位
相シフトマスクと同様、サイドローブが生じる。焦点深
度をより拡大するためにはマスクバイアスを小く、かつ
第２の透明領域１６ｂの寸法を大きくすることになる
が、このときには先の補助パターン方式と同様、サイド
ローブが転写されるようになる。よって、このリム方式
位相シフトマスクのデータ設計においても、焦点深度が
より広くとれ、かつサイドローブの転写が許容できると
いう２つの条件でマスクパターンの最適化が行われてい
た。
た補助パターン方式の第１の透明領域１６ａと第２の透
明領域１６ｂが接した方式と見ることもできる。同図
（ｄ）に示すようにこのリム方式位相シフトマスクを透
過する光の振幅分布も同様に透明膜１４により第１の透
明領域１６ａと第２の透明領域１６ｂで正負反転した分
布となる。そして、同図（ｄ）に示すように、透明膜の
エッジ付近で位相の異なった光同士の打ち消し合いによ
り暗部を形成し、メインパターンに光り強度分布をより
急峻にすることができる。なお、このように透明膜１４
のエッジ部の光強度はかなり低下するため、マスク設計
においてはマスクバイアスを付加し、目的の寸法より第
１の透明領域１６ａの寸法を大きくする必要がある。ま
た、このリム方式においても、先の補助パターン方式位
相シフトマスクと同様、サイドローブが生じる。焦点深
度をより拡大するためにはマスクバイアスを小く、かつ
第２の透明領域１６ｂの寸法を大きくすることになる
が、このときには先の補助パターン方式と同様、サイド
ローブが転写されるようになる。よって、このリム方式
位相シフトマスクのデータ設計においても、焦点深度が
より広くとれ、かつサイドローブの転写が許容できると
いう２つの条件でマスクパターンの最適化が行われてい
た。
【００１４】最後に、図１３に示す従来のハーフトーン
方式の位相シフトマスクについて説明する。同図（ａ）
はハーフトーン方式の位相シフトマスクの平面図、同図
（ｂ）は同Ａ−Ａ断面図、同図（ｃ）はマスク直後の透
過光の振幅、同図（ｄ）は結像面での光強度分布を示
す。
方式の位相シフトマスクについて説明する。同図（ａ）
はハーフトーン方式の位相シフトマスクの平面図、同図
（ｂ）は同Ａ−Ａ断面図、同図（ｃ）はマスク直後の透
過光の振幅、同図（ｄ）は結像面での光強度分布を示
す。
【００１５】この方式のマスクは、透明基板１１上に酸
化クロム等の所定の膜厚の半透明膜１２により、透明領
域１６と半透明領域１７からなるパターンを有してい
る。そして、透明領域１６と半透明領域１７を透過する
光の位相を１８０度反転するようにしている。本方式に
おいても、半透明膜１２のエッジ部で位相の異なった光
同士の打ち消し合いにより、メインパターンの光強度分
布を改善することができる。ただし、このように半透明
膜１２のエッジ部では光強度がかなり低下するので、マ
スク寸法どうりに感光性樹脂を開口することは難しく、
マスクパターンを目標寸法より大きくするようにマスク
バイアスを付加する必要がある。よって、この方式での
マスク設計におけるパラメータは、このマスクバイアス
と半透明膜１２の透過率となり、焦点深度がより広く得
られるという条件と、サイドローブが転写されないとい
う条件でマスク（透過率およびマスクバイアス）の最適
化が行われていた。
化クロム等の所定の膜厚の半透明膜１２により、透明領
域１６と半透明領域１７からなるパターンを有してい
る。そして、透明領域１６と半透明領域１７を透過する
光の位相を１８０度反転するようにしている。本方式に
おいても、半透明膜１２のエッジ部で位相の異なった光
同士の打ち消し合いにより、メインパターンの光強度分
布を改善することができる。ただし、このように半透明
膜１２のエッジ部では光強度がかなり低下するので、マ
スク寸法どうりに感光性樹脂を開口することは難しく、
マスクパターンを目標寸法より大きくするようにマスク
バイアスを付加する必要がある。よって、この方式での
マスク設計におけるパラメータは、このマスクバイアス
と半透明膜１２の透過率となり、焦点深度がより広く得
られるという条件と、サイドローブが転写されないとい
う条件でマスク（透過率およびマスクバイアス）の最適
化が行われていた。
【００１６】以上説明したように、これら各種の位相シ
フトマスクでは位相の反転した光をわずかにもらすこと
により、結像面上においてメインパターンの境界部分で
位相の反転した光同士の打ち消しあいにより暗部を形成
し、メインパターンの光強度分布を急峻にしている。よ
って、従来マスクよりも焦点深度および解像度を向上さ
せること可能となっている。そして、そのマスク設計に
おいては、焦点深度がより広く得られ、かつサイドロー
プの転写が許容できるという２つの条件で最適化が行わ
れていた。
フトマスクでは位相の反転した光をわずかにもらすこと
により、結像面上においてメインパターンの境界部分で
位相の反転した光同士の打ち消しあいにより暗部を形成
し、メインパターンの光強度分布を急峻にしている。よ
って、従来マスクよりも焦点深度および解像度を向上さ
せること可能となっている。そして、そのマスク設計に
おいては、焦点深度がより広く得られ、かつサイドロー
プの転写が許容できるという２つの条件で最適化が行わ
れていた。
【００１７】次に、ハーフトーン方式に関しては更に具
体的な例を示して説明する。図１４〜１６はハーフトー
ン方式の位相シフトマスクにマスクバイアスを付加した
ときの０．３５μｍ孤立コンタクトホールの光強度分布
特性図である。また、図１４はマスクバイアス＝０．０
μｍ、図１５はマスクバイアス＝０．０５μｍ、図１６
はマスクバイアス＝０．１μｍの場合を示し、各図にお
いて実線はＤｅｆ．（Ｄｅｆｏｃｕｓ）＝０．０μｍ、
破線（短）はＤｅｆ．＝０．５μｍ、破線（長）はＤｅ
ｆ．＝１．０μｍを示す。
体的な例を示して説明する。図１４〜１６はハーフトー
ン方式の位相シフトマスクにマスクバイアスを付加した
ときの０．３５μｍ孤立コンタクトホールの光強度分布
特性図である。また、図１４はマスクバイアス＝０．０
μｍ、図１５はマスクバイアス＝０．０５μｍ、図１６
はマスクバイアス＝０．１μｍの場合を示し、各図にお
いて実線はＤｅｆ．（Ｄｅｆｏｃｕｓ）＝０．０μｍ、
破線（短）はＤｅｆ．＝０．５μｍ、破線（長）はＤｅ
ｆ．＝１．０μｍを示す。
【００１８】シミュレーション条件は、ＮＡ＝０．６、
σ＝０．３、λ＝３６５ｎｍ（ｉ線）とした。これらの
図に示すようにマスクバイアスを付加するにしたがい、
メインパターン部の光強度は高くなる。そして、これら
の図中で一点鎖線で示した位置が目標寸法の０．３５μ
ｍであるが、マスクバイアスを付加するにしたがい、そ
のときの光強度（図中の矢印）は高くなり、これは相対
的に低露光量でパターンが形成できることを示してい
る。まず、焦点深度に関して考えると、焦点位置を変化
させてもパターン寸法に変化が生じないことが重要であ
り、これは図中の矢印の位置で光り強度分布が焦点位置
により変化しないことに対応している。よって、マスク
バイアスが０．０μｍのときには図中の矢印位置で光り
強度分布の変化はほとんどなく、広い焦点深度が得られ
ることを示している。そして、マスクバイアスを付加す
るにしたがい、図中の矢印位置での光り強度分布変化は
大きくなり、これは焦点位置が変化したときのパターン
寸法変化が大きいことに対応し、よって焦点深度が低下
することを示している。次に、サイドローブの転写性に
ついて検討する。通常、目標寸法とする光強度（図中の
矢印位置）とサイドローブの光強度が２倍以上差があれ
ば、サイドローブの転写を押さえてパターン形成ができ
るものと考えられる。よって、マスクバイアス０．０μ
ｍでは、目標寸法にパターンを開口したときにサイドロ
ーブまで解像し、実用には適さないことが分かる。よっ
て、マスクバイアスは０．０５μｍ以上必要である。こ
のように、焦点深度がよりより広く得られ、かつサイド
ローブの転写が許容できる条件とすると、マスクバイア
スの最適値は０．０５μｍとなる。ただし、これは、孤
立の０．３５μｍコンタクトホールでの結果であり、パ
ターンの配置および寸法で最適値は異なる（なお、当然
露光条件にも依存する）。
σ＝０．３、λ＝３６５ｎｍ（ｉ線）とした。これらの
図に示すようにマスクバイアスを付加するにしたがい、
メインパターン部の光強度は高くなる。そして、これら
の図中で一点鎖線で示した位置が目標寸法の０．３５μ
ｍであるが、マスクバイアスを付加するにしたがい、そ
のときの光強度（図中の矢印）は高くなり、これは相対
的に低露光量でパターンが形成できることを示してい
る。まず、焦点深度に関して考えると、焦点位置を変化
させてもパターン寸法に変化が生じないことが重要であ
り、これは図中の矢印の位置で光り強度分布が焦点位置
により変化しないことに対応している。よって、マスク
バイアスが０．０μｍのときには図中の矢印位置で光り
強度分布の変化はほとんどなく、広い焦点深度が得られ
ることを示している。そして、マスクバイアスを付加す
るにしたがい、図中の矢印位置での光り強度分布変化は
大きくなり、これは焦点位置が変化したときのパターン
寸法変化が大きいことに対応し、よって焦点深度が低下
することを示している。次に、サイドローブの転写性に
ついて検討する。通常、目標寸法とする光強度（図中の
矢印位置）とサイドローブの光強度が２倍以上差があれ
ば、サイドローブの転写を押さえてパターン形成ができ
るものと考えられる。よって、マスクバイアス０．０μ
ｍでは、目標寸法にパターンを開口したときにサイドロ
ーブまで解像し、実用には適さないことが分かる。よっ
て、マスクバイアスは０．０５μｍ以上必要である。こ
のように、焦点深度がよりより広く得られ、かつサイド
ローブの転写が許容できる条件とすると、マスクバイア
スの最適値は０．０５μｍとなる。ただし、これは、孤
立の０．３５μｍコンタクトホールでの結果であり、パ
ターンの配置および寸法で最適値は異なる（なお、当然
露光条件にも依存する）。
【００１９】また、位相シフトとは別に、光リソグラフ
ィの限界を伸ばす手法として、変形照明法もある。ここ
で変形照明とはフォトマスクを照明する有効光源の形状
を変形させるという意味であり、有効光源の形状を変
え、フォトマスクを照明する光の角度を制御することに
より解像特性を向上させる手法である（フォトマスクに
対して、光を斜めから入射させるという意味で入射照明
とも呼ばれる）。この変形照明法は、一般には周期パタ
ーンに効果がある手法であるが、先に示したコンタクト
ホールの様な孤立パターンに対しては図１７の補助パタ
ーン付きフォトマスクの平面図および断面図に示すよう
にメインパターン６ａの周辺に露光装置の限界解像以下
の寸法の補助パターン６ｂを形成し、周期パターンに近
づけたフォトマスクが用いられていた。また、このよう
な、変形照明法と補助パターンマスクの組合せにおいて
も、補助パターン転写の問題は生じ、位相シフトマスク
同様、焦点深度がより広く得られ、かつ補助パターンの
転写が許容できるという条件で補助パターンの最適化が
行われていた。
ィの限界を伸ばす手法として、変形照明法もある。ここ
で変形照明とはフォトマスクを照明する有効光源の形状
を変形させるという意味であり、有効光源の形状を変
え、フォトマスクを照明する光の角度を制御することに
より解像特性を向上させる手法である（フォトマスクに
対して、光を斜めから入射させるという意味で入射照明
とも呼ばれる）。この変形照明法は、一般には周期パタ
ーンに効果がある手法であるが、先に示したコンタクト
ホールの様な孤立パターンに対しては図１７の補助パタ
ーン付きフォトマスクの平面図および断面図に示すよう
にメインパターン６ａの周辺に露光装置の限界解像以下
の寸法の補助パターン６ｂを形成し、周期パターンに近
づけたフォトマスクが用いられていた。また、このよう
な、変形照明法と補助パターンマスクの組合せにおいて
も、補助パターン転写の問題は生じ、位相シフトマスク
同様、焦点深度がより広く得られ、かつ補助パターンの
転写が許容できるという条件で補助パターンの最適化が
行われていた。
【００２０】ここで、最も実用性のあるハーフトーンマ
スクについて具体的な例を示して説明する。以下ここで
は、露光装置は縮小率１／５、ＮＡ＝０．６、σ＝０．
３のｉ線ステッパーを用い、シリコン基板上の１．０μ
ｍ膜厚のポジ型ノボラック系感光性樹脂にパターン形成
を行っている。
スクについて具体的な例を示して説明する。以下ここで
は、露光装置は縮小率１／５、ＮＡ＝０．６、σ＝０．
３のｉ線ステッパーを用い、シリコン基板上の１．０μ
ｍ膜厚のポジ型ノボラック系感光性樹脂にパターン形成
を行っている。
【００２１】また、この実験に用いたハーフトーン方式
位相シフトマスクの透過率は８％とし、またマスクパタ
ーンは一般的な半導体素子のパターンに近いものを選
び、コンタクトホールとそのピッチの比を１：３とし
た。図１８は、通常マスクおよびハーフトーン方式位相
シフトマスクによる、０．３５μｍコンタクトホールパ
ターンのフォーカス特性（焦点位置とパターン寸法の関
係）である。ここで、ハーフトーン方式位相シフトマス
クにおいては、３種類のマスクバイアス（０．０μｍ、
０．５μｍ及び０．１０μｍ）の結果を示す。
位相シフトマスクの透過率は８％とし、またマスクパタ
ーンは一般的な半導体素子のパターンに近いものを選
び、コンタクトホールとそのピッチの比を１：３とし
た。図１８は、通常マスクおよびハーフトーン方式位相
シフトマスクによる、０．３５μｍコンタクトホールパ
ターンのフォーカス特性（焦点位置とパターン寸法の関
係）である。ここで、ハーフトーン方式位相シフトマス
クにおいては、３種類のマスクバイアス（０．０μｍ、
０．５μｍ及び０．１０μｍ）の結果を示す。
【００２２】これらの実験結果は先のシミュレーション
結果とよく一致している。まず、通常マスクの結果と比
較すると、同条件で通常マスクの開口範囲が１．０μｍ
であるのに対し、位相シフトマスクではいずれのマスク
バイアスでも開口範囲が拡大している。しかし、位相シ
フトマスクにおいて。マスクバイアスによる差をみる
と、マスクバイアスを用いない場合の開口範囲が２．４
μｍであるのに対し、０．０５μｍのマスクバイアスで
は開口範囲２．０μｍ、０．１０μｍのマスクバイアス
は開口範囲１．４μｍとマスクバイアスを付加するほど
開口範囲は狭まっている。
結果とよく一致している。まず、通常マスクの結果と比
較すると、同条件で通常マスクの開口範囲が１．０μｍ
であるのに対し、位相シフトマスクではいずれのマスク
バイアスでも開口範囲が拡大している。しかし、位相シ
フトマスクにおいて。マスクバイアスによる差をみる
と、マスクバイアスを用いない場合の開口範囲が２．４
μｍであるのに対し、０．０５μｍのマスクバイアスで
は開口範囲２．０μｍ、０．１０μｍのマスクバイアス
は開口範囲１．４μｍとマスクバイアスを付加するほど
開口範囲は狭まっている。
【００２３】図１９はハーフトーン方式位相シフトマス
クを用いた場合の感光性樹脂のパターン断面形状説明図
（ＳＥＭ写真）である。
クを用いた場合の感光性樹脂のパターン断面形状説明図
（ＳＥＭ写真）である。
【００２４】マスクバイアスを０．１０μｍ付加した場
合にはサイドローブの転写は見られない。しかし、マス
クバイアスが０．０μｍ及び０．０５μｍの場合には、
隣接したコンタクトホール間で感光性樹脂の膜べりが生
じている。これはコンタクトホールパターンの周辺にリ
ング状に生じるサイドローブが隣接したパターン間で重
なり、その強度を高めた位置で感光性樹脂が露光された
ものである。また、特に焦点位置が０．８μｍ以上では
この膜べり量は感光性樹脂の膜厚の１／２近くになり、
これではエッチングのマスクとして不適切である。この
サイドローブが生じる位置が変化するのは、サイドロー
ブのできる位置（メインパターンからの距離）が焦点位
置に依存し、焦点位置がずれる程その間隔は広がるため
である。そのため、焦点位置によりサイドローブの重な
り方も異なり、感光性樹脂の膜べり方も異なっている。
このように、サイドローブの転写はパターンのレイアウ
トだけではなく、焦点位置にも依存し、特定の焦点位置
でより強調されて転写されることもある。
合にはサイドローブの転写は見られない。しかし、マス
クバイアスが０．０μｍ及び０．０５μｍの場合には、
隣接したコンタクトホール間で感光性樹脂の膜べりが生
じている。これはコンタクトホールパターンの周辺にリ
ング状に生じるサイドローブが隣接したパターン間で重
なり、その強度を高めた位置で感光性樹脂が露光された
ものである。また、特に焦点位置が０．８μｍ以上では
この膜べり量は感光性樹脂の膜厚の１／２近くになり、
これではエッチングのマスクとして不適切である。この
サイドローブが生じる位置が変化するのは、サイドロー
ブのできる位置（メインパターンからの距離）が焦点位
置に依存し、焦点位置がずれる程その間隔は広がるため
である。そのため、焦点位置によりサイドローブの重な
り方も異なり、感光性樹脂の膜べり方も異なっている。
このように、サイドローブの転写はパターンのレイアウ
トだけではなく、焦点位置にも依存し、特定の焦点位置
でより強調されて転写されることもある。
【００２５】一般に、半導体素子のパターンではコンタ
クトホールが孤立パターンとなることは少なく、密集し
て開口されることが多い。また、コンタクトホールを開
口する工程では、被加工膜は厚い酸化シリコン等の絶縁
膜であるので、そのエッチングは感光性樹脂との選択比
はあまり大きくはない。そのため、このうよに感光性樹
脂の膜べりが生じると被加工膜にまで不要にエッチング
される可能性がある。また、現像後の検査工程において
も、自動パターン検査装置を用いると、このようにマス
クデータ以外のパターンが発生するとそれらすべては欠
陥として判断されてしまう。そして、その数があまりに
も多いため、実際には自動検査装置での検査は不可能と
なっていた。
クトホールが孤立パターンとなることは少なく、密集し
て開口されることが多い。また、コンタクトホールを開
口する工程では、被加工膜は厚い酸化シリコン等の絶縁
膜であるので、そのエッチングは感光性樹脂との選択比
はあまり大きくはない。そのため、このうよに感光性樹
脂の膜べりが生じると被加工膜にまで不要にエッチング
される可能性がある。また、現像後の検査工程において
も、自動パターン検査装置を用いると、このようにマス
クデータ以外のパターンが発生するとそれらすべては欠
陥として判断されてしまう。そして、その数があまりに
も多いため、実際には自動検査装置での検査は不可能と
なっていた。
【００２６】このように、ハーフトーン位相シフトマス
クにおいては、開口範囲のみを考えればマスクバイアス
を付加しない方が良好な結果が得られるものの、実際に
は、サイドローブによる不要な感光性樹脂の膜べりを防
止するため、ある程度大きなマスクバイアスを付加して
使用されていた。
クにおいては、開口範囲のみを考えればマスクバイアス
を付加しない方が良好な結果が得られるものの、実際に
は、サイドローブによる不要な感光性樹脂の膜べりを防
止するため、ある程度大きなマスクバイアスを付加して
使用されていた。
【００２７】
【発明が解決しようとする課題】このように従来の位相
シフトマスクでは、焦点深度をより広くし、かつサイド
ローブの転写を少なくするという２つの相反する条件の
もとで最適化されていたため、焦点深度のみからみた場
合は必ずしも最適とはいえず、このため位相シフト方式
本来の効果を得ることができなかった。
シフトマスクでは、焦点深度をより広くし、かつサイド
ローブの転写を少なくするという２つの相反する条件の
もとで最適化されていたため、焦点深度のみからみた場
合は必ずしも最適とはいえず、このため位相シフト方式
本来の効果を得ることができなかった。
【００２８】そこで本発明の目的は、サイドローブの転
写を防止し、かつ焦点深度をより広くすることが可能な
パターン形成方法を提供することにある。
写を防止し、かつ焦点深度をより広くすることが可能な
パターン形成方法を提供することにある。
【００２９】
【課題を解決するために手段】前記課題を解決するため
に本発明は、位相シフトマスクを介して感光性樹脂の塗
布された半導体基板上に露光を行い、現像処理により前
記半導体基板上に所定の感光性樹脂パターンを形成する
パターン形成方法であって、前記位相シフトマスクは、
透明基板上に半透明領域と透明領域からなるパターンを
有し、かつ前記半透明領域を透過する光と前記透明領域
を透過する光に互いに１８０度の位相差を生じさせる位
相シフトマスクであり、前記露光前に前記感光性樹脂の
表面に露光パターンの両側に延在するように難溶化層を
形成することを特徴とする。
に本発明は、位相シフトマスクを介して感光性樹脂の塗
布された半導体基板上に露光を行い、現像処理により前
記半導体基板上に所定の感光性樹脂パターンを形成する
パターン形成方法であって、前記位相シフトマスクは、
透明基板上に半透明領域と透明領域からなるパターンを
有し、かつ前記半透明領域を透過する光と前記透明領域
を透過する光に互いに１８０度の位相差を生じさせる位
相シフトマスクであり、前記露光前に前記感光性樹脂の
表面に露光パターンの両側に延在するように難溶化層を
形成することを特徴とする。
【００３０】
【作用】感光性樹脂の表面に難溶化処理を行うことによ
り、サイドローブが転写されにくくなる。
り、サイドローブが転写されにくくなる。
【００３１】
【実施例】以下、本発明の実施例について添付図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００３２】まず、第１実施例について説明する。なお
ここでも従来例と同じ露光装置（縮小率１／５、ＮＡ＝
０．６、σ＝０．３のｉ線ステッパー）を用いているも
のとする。図１は本発明のパターン形成方法の手順を示
すフローチャート、図２は難溶化処理を行った半導体基
板の縦断面図、図３は位相シフトマスクによる露光の説
明図である。
ここでも従来例と同じ露光装置（縮小率１／５、ＮＡ＝
０．６、σ＝０．３のｉ線ステッパー）を用いているも
のとする。図１は本発明のパターン形成方法の手順を示
すフローチャート、図２は難溶化処理を行った半導体基
板の縦断面図、図３は位相シフトマスクによる露光の説
明図である。
【００３３】まず、（ａ）半導体基板３にＨＭＤＳ処理
（感光性樹脂１の密着性を高める処理）を行い、次に
（ｂ）ポジ型のノボラック系感光性樹脂をスピンコート
法により均一に塗布し（１μｍ膜厚）、次に（ｃ）熱処
理（プリ・ベーク）で感光性樹脂１中の不要な溶媒を除
去する。以上は一般的な塗布工程である。
（感光性樹脂１の密着性を高める処理）を行い、次に
（ｂ）ポジ型のノボラック系感光性樹脂をスピンコート
法により均一に塗布し（１μｍ膜厚）、次に（ｃ）熱処
理（プリ・ベーク）で感光性樹脂１中の不要な溶媒を除
去する。以上は一般的な塗布工程である。
【００３４】次に、この露光前の感光性樹脂１に表面難
溶化処理を行う。まず、（ｄ）この感光性樹脂１表面を
通常のアルカリ現像液（ＴＭＡＨ２．３８％）に一定時
間接触させ、次に（ｅ）純水でリンスを行う。この処理
で図２に示すように、感光性樹脂１表面の溶解性の高い
物質を除去し、表面に溶解速度の異常に遅い難溶化層２
を極薄く形成することができる。
溶化処理を行う。まず、（ｄ）この感光性樹脂１表面を
通常のアルカリ現像液（ＴＭＡＨ２．３８％）に一定時
間接触させ、次に（ｅ）純水でリンスを行う。この処理
で図２に示すように、感光性樹脂１表面の溶解性の高い
物質を除去し、表面に溶解速度の異常に遅い難溶化層２
を極薄く形成することができる。
【００３５】次に、（ｆ）透過率８％（実験では透過率
５％〜２０％の範囲において効果が発揮されることが確
認されている。）のハーフトーンマスク１１、１２を用
いて、図３に示すように露光を行う。ここで、コンタク
トホールパターン部の露光領域４ａでは光強度が高く、
表面難溶化層２も十分感光され溶解速度が上がる。しか
し、周辺のサイドローブでの光強度は比較的小さく、そ
の弱い露光領域４ｂでは表面難溶化層２の溶解速度は依
然低くなったままとなる。そして、次に（ｇ）ＰＥＢ
（ポスト・エクスポージャ・ベーク）と呼ばれる露光後
の熱処理を行い（主に感光性樹脂１内の定在波の影響を
除去する目的で行う）、次に（ｇ）現象を行う。この現
象も先と同様ＨＭＡＨ２．３８％のアルカリ水溶液に６
０秒接触させる工程である。図４は現像後の感光性樹脂
等の断面図である。メインパターンであるコンタクトホ
ール部分の表面に難溶化層２は瞬時に溶解し、従来と同
じく現像される。一方、サイドローブ部の表面難溶化層
２は溶解速度は遅く、通常の現像時間では完全に溶解せ
ずにそのまま残る。よって、コンタクトホールのパター
ン形状に影響を与えないように、ごく薄い表面難溶化層
２を形成することにより、サイドローブの転写のみを防
止することが可能となる。最後に（ｆ）純水でリンスを
行う。
５％〜２０％の範囲において効果が発揮されることが確
認されている。）のハーフトーンマスク１１、１２を用
いて、図３に示すように露光を行う。ここで、コンタク
トホールパターン部の露光領域４ａでは光強度が高く、
表面難溶化層２も十分感光され溶解速度が上がる。しか
し、周辺のサイドローブでの光強度は比較的小さく、そ
の弱い露光領域４ｂでは表面難溶化層２の溶解速度は依
然低くなったままとなる。そして、次に（ｇ）ＰＥＢ
（ポスト・エクスポージャ・ベーク）と呼ばれる露光後
の熱処理を行い（主に感光性樹脂１内の定在波の影響を
除去する目的で行う）、次に（ｇ）現象を行う。この現
象も先と同様ＨＭＡＨ２．３８％のアルカリ水溶液に６
０秒接触させる工程である。図４は現像後の感光性樹脂
等の断面図である。メインパターンであるコンタクトホ
ール部分の表面に難溶化層２は瞬時に溶解し、従来と同
じく現像される。一方、サイドローブ部の表面難溶化層
２は溶解速度は遅く、通常の現像時間では完全に溶解せ
ずにそのまま残る。よって、コンタクトホールのパター
ン形状に影響を与えないように、ごく薄い表面難溶化層
２を形成することにより、サイドローブの転写のみを防
止することが可能となる。最後に（ｆ）純水でリンスを
行う。
【００３６】次に、この表面難溶化処理によるサイドロ
ープの転写性抑制効果について示す。図５および図６は
感光性樹脂のパターン断面形状説明図（ＳＥＭ写真）で
ある。また図５はアルカリ水溶液の処理時間が１分、図
６はこの処理時間が５分の場合を示す。また、コンタク
トホールパターンは０．３５μｍ、マスクバイアスは
０．０５μｍである。これより、表面難溶化処理はサイ
ドローブの転写性の抑制効果があることが分かる。ま
た、わずかに時間依存性はあるものの１分以上の処理時
間でその効果は一定になっている。よって、このマスク
バイアス０．０５μｍのときのサイドローブの転写は本
発明により防止でき、このバイアス値が実際に使用可能
となる。さらに、この処理によるメインのコンタクトホ
ールパターンの形状変化は全く生じておらず、またパタ
ーン寸法にも変化は生じていない。
ープの転写性抑制効果について示す。図５および図６は
感光性樹脂のパターン断面形状説明図（ＳＥＭ写真）で
ある。また図５はアルカリ水溶液の処理時間が１分、図
６はこの処理時間が５分の場合を示す。また、コンタク
トホールパターンは０．３５μｍ、マスクバイアスは
０．０５μｍである。これより、表面難溶化処理はサイ
ドローブの転写性の抑制効果があることが分かる。ま
た、わずかに時間依存性はあるものの１分以上の処理時
間でその効果は一定になっている。よって、このマスク
バイアス０．０５μｍのときのサイドローブの転写は本
発明により防止でき、このバイアス値が実際に使用可能
となる。さらに、この処理によるメインのコンタクトホ
ールパターンの形状変化は全く生じておらず、またパタ
ーン寸法にも変化は生じていない。
【００３７】よって、この表面難溶化処理はメインパタ
ーンになんら影響を与えず、サイドローブの転写のみを
防止できる安定なプロセスであることが確認できた。
ーンになんら影響を与えず、サイドローブの転写のみを
防止できる安定なプロセスであることが確認できた。
【００３８】本条件では１分の表面難溶化処理を行うこ
とにより、０．３５μｍコンタクトホールに対するマス
クバイアスを従来の０．１０μｍから０．０５μｍに変
更することが可能となり、その結果得られる焦点深度を
従来の１．４μｍから２．０μｍへ拡大することができ
た。
とにより、０．３５μｍコンタクトホールに対するマス
クバイアスを従来の０．１０μｍから０．０５μｍに変
更することが可能となり、その結果得られる焦点深度を
従来の１．４μｍから２．０μｍへ拡大することができ
た。
【００３９】なお、以上はｉ線リソグラフィの例を示し
たが、露光光は特にｉ線に限定されることなく、ｇ線あ
るいはＸ線等他の波長でも同様に適用できる。
たが、露光光は特にｉ線に限定されることなく、ｇ線あ
るいはＸ線等他の波長でも同様に適用できる。
【００４０】次に、本発明のパターン形成方法の第２の
実施例について説明する。本実施例においても露光条件
は第１実施例と同じとする。図７は補助パターン付き位
相シフトフォトマスクの平面図および断面図である。同
図に示すように、感光性樹脂に転写される第１の透明領
域６ａの周辺に、露光装置の限界解像以下の寸法の第２
の透明領域６ｂが形成されている。ここで、半導体基板
３上に０．３５μｍのコンタクトホールパターンを形成
するために、第１の透明領域６ａの寸法Ｗ１は１．７５
μｍとなっており、また補助パターンである第２の透明
領域６ｂの寸法Ｗ２は１．０μｍとしている。なお、第
１の透明領域６ａと第２の透明領域６ｂの中心間距離Ｄ
はマスク上３．５μｍ程度としている。そして、第１実
施例と同様に、本位相シフトマスクを用いて露光を行う
前に、感光性樹脂１にアルカリ水溶液処理を行い、表面
難溶化層を形成しておく。
実施例について説明する。本実施例においても露光条件
は第１実施例と同じとする。図７は補助パターン付き位
相シフトフォトマスクの平面図および断面図である。同
図に示すように、感光性樹脂に転写される第１の透明領
域６ａの周辺に、露光装置の限界解像以下の寸法の第２
の透明領域６ｂが形成されている。ここで、半導体基板
３上に０．３５μｍのコンタクトホールパターンを形成
するために、第１の透明領域６ａの寸法Ｗ１は１．７５
μｍとなっており、また補助パターンである第２の透明
領域６ｂの寸法Ｗ２は１．０μｍとしている。なお、第
１の透明領域６ａと第２の透明領域６ｂの中心間距離Ｄ
はマスク上３．５μｍ程度としている。そして、第１実
施例と同様に、本位相シフトマスクを用いて露光を行う
前に、感光性樹脂１にアルカリ水溶液処理を行い、表面
難溶化層を形成しておく。
【００４１】マスク製造で用いられる電子線描画法で
は、チャージアップ及び発熱などの影響で微細なパター
ンを密集して描画するとパターンの寸法が変動すること
が知られている（近接効果）。そのため、この第２の透
明領域６ｂの寸法を制御することが難しい。しかし、本
実施例では表面難溶化処理を用いているので、第２の透
明領域６ｂの寸法が多少大きくなっても、感光性樹脂１
に不要な膜べりを生じることを防止できる。
は、チャージアップ及び発熱などの影響で微細なパター
ンを密集して描画するとパターンの寸法が変動すること
が知られている（近接効果）。そのため、この第２の透
明領域６ｂの寸法を制御することが難しい。しかし、本
実施例では表面難溶化処理を用いているので、第２の透
明領域６ｂの寸法が多少大きくなっても、感光性樹脂１
に不要な膜べりを生じることを防止できる。
【００４２】従来のパターン形成方法では、第２の透明
領域６ｂの寸法が１．０μｍであると、感光性樹脂１表
面に僅かにその形が転写し、さらに１．２５μｍ以上に
なると、感光性樹脂１の膜厚の１／２以上の大きな膜べ
りを生じてしまっていた。しかし、本発明においては、
第２の透明領域６ｂの寸法が１．２５μｍとなっても、
その転写は完全に防止できる。よって、マスクの寸法精
度の規格を緩和し、マスク製造を可能とすることができ
るという利点を有している。
領域６ｂの寸法が１．０μｍであると、感光性樹脂１表
面に僅かにその形が転写し、さらに１．２５μｍ以上に
なると、感光性樹脂１の膜厚の１／２以上の大きな膜べ
りを生じてしまっていた。しかし、本発明においては、
第２の透明領域６ｂの寸法が１．２５μｍとなっても、
その転写は完全に防止できる。よって、マスクの寸法精
度の規格を緩和し、マスク製造を可能とすることができ
るという利点を有している。
【００４３】なお、本実施例も、露光光は特にｉ線に限
定されることなく、ｇ線あるいはＸ線等他の波長でも同
様に適用できる。
定されることなく、ｇ線あるいはＸ線等他の波長でも同
様に適用できる。
【００４４】次に、本発明のもう一つ別のパターン形成
方法である第３実施例について説明する。本実施例にお
いても露光条件は第１および第２実施例と同じとする。
また、実施例１と同じく、透過率８％、マスクバイアス
０．０５μｍのハーフトーン方式位相シフトマスクとす
る。
方法である第３実施例について説明する。本実施例にお
いても露光条件は第１および第２実施例と同じとする。
また、実施例１と同じく、透過率８％、マスクバイアス
０．０５μｍのハーフトーン方式位相シフトマスクとす
る。
【００４５】図８は本発明のパターン形成方法における
露光方法の説明図である。まず、同図（ａ）に示すよう
に、感光性樹脂１の表面に焦点を合わせ、適正露光量の
１／２の露光を行う。続いて、同図（ｂ）に示すよう
に、感光性樹脂１と半導体基板３との界面に焦点を合わ
せ、残りの１／２の露光量で露光を行う。
露光方法の説明図である。まず、同図（ａ）に示すよう
に、感光性樹脂１の表面に焦点を合わせ、適正露光量の
１／２の露光を行う。続いて、同図（ｂ）に示すよう
に、感光性樹脂１と半導体基板３との界面に焦点を合わ
せ、残りの１／２の露光量で露光を行う。
【００４６】ここで、本実施例の効果について詳しく説
明する。一般的には図８に点線で示すように、感光性樹
脂１の膜厚の１／２の位置に焦点を合わせたときが焦点
位置Ｆ＝０μｍ（ベストフォーカス）となる。しかし、
サイドローブの転写を考えた場合、これは感光性樹脂１
表面の現象であるため、感光性樹脂１表面を基準に考え
る必要がある。
明する。一般的には図８に点線で示すように、感光性樹
脂１の膜厚の１／２の位置に焦点を合わせたときが焦点
位置Ｆ＝０μｍ（ベストフォーカス）となる。しかし、
サイドローブの転写を考えた場合、これは感光性樹脂１
表面の現象であるため、感光性樹脂１表面を基準に考え
る必要がある。
【００４７】図９は半導体基板上の位置対相対光強度特
性図である。感光性樹脂１の表面に焦点を合わせて露光
を行うと、サイドローブはコンタクトホールに最も近い
位置に形成される。そのときの光強度分布のシミュレー
ション結果を同図に実線で示す。次に、感光性樹脂１の
ボトムに焦点を合わせ露光を行う。このときの感光性樹
脂１表面の焦点ずれは、図８に示すように空気中から感
光性樹脂に光が入射する際に角度が変わるので感光性樹
脂１の膜厚１μｍがそのまま焦点ずれとならず、ほぼ
０．８μｍの焦点ずれになる。そして、このときの感光
性樹脂１表面での光強度分布を図９の点線に示す。この
ように、焦点位置を変えて露光を行うことにより、サイ
ドローブの位置をずらし、特定の部分の感光性樹脂し１
が不要に感光されるのを防止することが可能となる。
性図である。感光性樹脂１の表面に焦点を合わせて露光
を行うと、サイドローブはコンタクトホールに最も近い
位置に形成される。そのときの光強度分布のシミュレー
ション結果を同図に実線で示す。次に、感光性樹脂１の
ボトムに焦点を合わせ露光を行う。このときの感光性樹
脂１表面の焦点ずれは、図８に示すように空気中から感
光性樹脂に光が入射する際に角度が変わるので感光性樹
脂１の膜厚１μｍがそのまま焦点ずれとならず、ほぼ
０．８μｍの焦点ずれになる。そして、このときの感光
性樹脂１表面での光強度分布を図９の点線に示す。この
ように、焦点位置を変えて露光を行うことにより、サイ
ドローブの位置をずらし、特定の部分の感光性樹脂し１
が不要に感光されるのを防止することが可能となる。
【００４８】なお、コンタクトホールパターンに対し
て、このように複数焦点位置で露光を行う手法は、多重
焦点露光法あるいはＦＬＥＸ法として有名であるが、一
般の多重焦点露光法では開口範囲をより広くするように
複数の焦点位置が選択されている。しかし、焦点位置の
間隔をこれ以上大きくすると、コンタクトホールパター
ンから離れた位置にのみサイドローブが生じ、かえって
サイドメーブが転写されやすくなる。また、コンタクト
ホールパターンはラインアンドスペースパターンより光
強度分布が急峻ではないため、マスク寸法が変動すると
感光性樹脂１に転写されるパターン寸法が大きく異なる
という問題があるが、このように意識的に焦点位置をず
らして露光した場合、更に光強度分布はなまり、マスク
寸法の影響がより大きくなる。すなわち、マスク上のパ
ターン寸法が僅かに小さくなっていると、とたんにパタ
ーンが開口しないという問題が生じる。そこで、本実施
例ではサイドローブの転写を防止するのに必要最低限の
焦点位置の間隔を選択し、開口範囲を拡大する従来の多
重焦点露光法の効果は極力生じないようにしている。
て、このように複数焦点位置で露光を行う手法は、多重
焦点露光法あるいはＦＬＥＸ法として有名であるが、一
般の多重焦点露光法では開口範囲をより広くするように
複数の焦点位置が選択されている。しかし、焦点位置の
間隔をこれ以上大きくすると、コンタクトホールパター
ンから離れた位置にのみサイドローブが生じ、かえって
サイドメーブが転写されやすくなる。また、コンタクト
ホールパターンはラインアンドスペースパターンより光
強度分布が急峻ではないため、マスク寸法が変動すると
感光性樹脂１に転写されるパターン寸法が大きく異なる
という問題があるが、このように意識的に焦点位置をず
らして露光した場合、更に光強度分布はなまり、マスク
寸法の影響がより大きくなる。すなわち、マスク上のパ
ターン寸法が僅かに小さくなっていると、とたんにパタ
ーンが開口しないという問題が生じる。そこで、本実施
例ではサイドローブの転写を防止するのに必要最低限の
焦点位置の間隔を選択し、開口範囲を拡大する従来の多
重焦点露光法の効果は極力生じないようにしている。
【００４９】なお、本実施例は、特にハーフトーン方式
位相シフトマスクに関して説明したが、光強度分布にお
いてサブピークを生じるフォトマスクを用いる場合に同
様の効果が得られる。また、露光光は特にｉ線に限定さ
れることなく、ｇ線あるいはＸ線等他の波長でも同様に
適用できる。
位相シフトマスクに関して説明したが、光強度分布にお
いてサブピークを生じるフォトマスクを用いる場合に同
様の効果が得られる。また、露光光は特にｉ線に限定さ
れることなく、ｇ線あるいはＸ線等他の波長でも同様に
適用できる。
【００５０】なお、表面難溶化処理は、例えば特開平３
−１７０９３５等に示されているように、感光性樹脂の
断面形状を垂直にする手法として提案されたいたが、本
発明においては特に表面の極薄い領域のみに難溶化層を
形成することにより、メインのパターンの形状にはなん
ら影響を及ぼさないようにしているので安定したプロセ
スとなっているという利点を有している。もともと、ラ
イン系パターンに比べコンタクトホールパターンはプロ
セスマージンが狭く、僅かな要因（露光量、焦点位置お
よびマスク寸法）の変動でパターン寸法が大きく変化し
てしまう。そのため、なにか特殊なプロセスを追加する
場合、そのプロセスがパターンに影響を及ぼすと、更に
寸法ばらつきを引き起すことが懸念される。しかし、本
発明においては、このような問題は無く、安定したプロ
セスとなっている。
−１７０９３５等に示されているように、感光性樹脂の
断面形状を垂直にする手法として提案されたいたが、本
発明においては特に表面の極薄い領域のみに難溶化層を
形成することにより、メインのパターンの形状にはなん
ら影響を及ぼさないようにしているので安定したプロセ
スとなっているという利点を有している。もともと、ラ
イン系パターンに比べコンタクトホールパターンはプロ
セスマージンが狭く、僅かな要因（露光量、焦点位置お
よびマスク寸法）の変動でパターン寸法が大きく変化し
てしまう。そのため、なにか特殊なプロセスを追加する
場合、そのプロセスがパターンに影響を及ぼすと、更に
寸法ばらつきを引き起すことが懸念される。しかし、本
発明においては、このような問題は無く、安定したプロ
セスとなっている。
【００５１】また、本発明のもう一つ別のパターン形成
方法は、焦点位置によりサイドローブ形成位置が変化す
ることを用い、極力多重焦点露光法の影響がでない最小
範囲の複数焦点位置で露光を行うことによりサイドロー
ブが転写されるのを防止している。
方法は、焦点位置によりサイドローブ形成位置が変化す
ることを用い、極力多重焦点露光法の影響がでない最小
範囲の複数焦点位置で露光を行うことによりサイドロー
ブが転写されるのを防止している。
【００５２】
【発明の効果】本発明によれば、感光性樹脂の表面に難
溶化処理を行うことによりサイドロープが転写されるの
を防止することができる。したがって、焦点深度を広く
することが可能となり良好な形状のパターンを形成する
ことができる。
溶化処理を行うことによりサイドロープが転写されるの
を防止することができる。したがって、焦点深度を広く
することが可能となり良好な形状のパターンを形成する
ことができる。
【図１】本発明に係るパターン形成方法の手順を示すフ
ローチャートである。
ローチャートである。
【図２】難溶化処理を行った半導体基板の縦断面図であ
る。
る。
【図３】位相シフトマスクによる露光の説明図である。
【図４】現像後の感光性樹脂等の断面図である。
【図５】感光性樹脂のパターン断面形状説明図（ＳＥＭ
写真）である。
写真）である。
【図６】感光性樹脂のパターン断面形状説明図（ＳＥＭ
写真）である。
写真）である。
【図７】補助パターン付き位相シフトフォトマスクの平
面図および断面図である。
面図および断面図である。
【図８】露光方法の説明図である。
【図９】半導体基板上の位置対相対光強度特性図であ
る。
る。
【図１０】従来の通常の一般的マスクを透過する光の説
明図である。
明図である。
【図１１】従来の補助パターン方式の位相シフトマスク
を透過する光の説明図である。
を透過する光の説明図である。
【図１２】従来のリム方式の位相シフトマスクを透過す
る光の説明図である。
る光の説明図である。
【図１３】従来のハーフトーン方式の位相シフトマスク
を透過する光の説明図である。
を透過する光の説明図である。
【図１４】従来のハーフトーン方式の位相シフトマスク
にマスクバイアスを付加したときの０．３５μｍ孤立コ
ンタクトホールの光強度分布特性図である。
にマスクバイアスを付加したときの０．３５μｍ孤立コ
ンタクトホールの光強度分布特性図である。
【図１５】従来のハーフトーン方式の位相シフトマスク
にマスクバイアスを付加したときの０．３５μｍ孤立コ
ンタクトホールの光強度分布特性図である。
にマスクバイアスを付加したときの０．３５μｍ孤立コ
ンタクトホールの光強度分布特性図である。
【図１６】従来のハーフトーン方式の位相シフトマスク
にマスクバイアスを付加したときの０．３５μｍ孤立コ
ンタクトホールの光強度分布特性図である。
にマスクバイアスを付加したときの０．３５μｍ孤立コ
ンタクトホールの光強度分布特性図である。
【図１７】従来の補助パターン付きフォトマスクの平面
図および断面図である。
図および断面図である。
【図１８】従来の通常マスクおよびハーフトーン方式位
相シフトマスクによる０．３５μｍコンタクトホールパ
ターンのフォーカス特性である。
相シフトマスクによる０．３５μｍコンタクトホールパ
ターンのフォーカス特性である。
【図１９】従来のハーフトーン方式位相シフトマスクを
用いた場合の感光性樹脂のパターン断面形状説明図（Ｓ
ＥＭ写真）である。
用いた場合の感光性樹脂のパターン断面形状説明図（Ｓ
ＥＭ写真）である。
１ 感光性樹脂 ２ 難溶化層 ３ 半導体基板 ４ａ 露光領域 ４ｂ 弱い露光領域 １１ 透明基板 １２ 半透明膜 １３ 遮光膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岩渕 陽子 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−12912（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−260407（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−67149（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−235322（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−170935（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−181257（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−62827（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−261406（ＪＰ，Ａ) 1994年（平成６年）秋季 第55回応用 物理学会学術講演会予稿集第２分冊、第 534頁「20ｐ−ＺＰ−講演９」の欄 （1994年９月19日発行) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/027 G03F 1/08 G03F 7/38 501
Claims (7)
- 【請求項１】 位相シフトマスクを介して感光性樹脂の
塗布された半導体基板上に露光を行い、現像処理により
前記半導体基板上に所定の感光性樹脂パターンを形成す
るパターン形成方法であって、前記位相シフトマスクは、透明基板上に半透明領域と透
明領域からなるパターンを有し、かつ前記半透明領域を
透過する光と前記透明領域を透過する光に互いに１８０
度の位相差を生じさせる位相シフトマスクであり、 前記露光前に前記感光性樹脂の表面に露光パターンの両
側に延在するように難溶化層を形成することを特徴とす
るパターン形成方法。 - 【請求項２】 位相シフトマスクを介して感光性樹脂の
塗布された半導体基板上に露光を行い、現像処理により
前記半導体基板上に所定の感光性樹脂パターンを形成す
るパターン形成方法であって、 半導体基板に感光性樹脂を塗布する第１工程と、この第
１工程の次に前記感光性樹脂の表面に露光パターンの両
側に延在するように難溶化層を形成する第２工程と、こ
の第２工程の次に前記位相シフトマスクを用いて露光を
行う第３工程と、この第３工程の次に前記露光パターン
を現像する第４工程とを含むことを特徴とするパターン
形成方法。 - 【請求項３】 位相シフトマスクを介して感光性樹脂の
塗布された半導体基板上に露光を行い、現像処理により
前記半導体基板上に所定の感光性樹脂パターンを形成す
るパターン形成方法であって、 前記露光前に前記感光性樹脂の表面に露光パターンの両
側に延在するように難溶化層を形成する第１工程と、こ
の第１工程の次に少なくとも２つ以上の焦点位置で多重
露光することを特徴とするパターン形成方法。 - 【請求項４】 前記露光は前記感光性樹脂の表面および
この感光性樹脂と前記半導体基板との境界に合わせて露
光することを特徴とする請求項２又は３記載のパターン
形成方法。 - 【請求項５】 前記位相シフトマスクは、透明基板上に
半透明領域と透明領域からなるパターンを有し、かつ前
記半透明領域を透過する光と前記透明領域を透過する光
に互いに１８０度の位相差を生じさせる位相シフトマス
クであること を特徴とする請求項２〜４いずれかに記載
のパターン形成方法。 - 【請求項６】 前記感光性樹脂表面に難溶化層を形成す
る処理は、まず前記感光性樹脂をスピンコート法により
前記半導体基板上に塗布し、次に前記感光性樹脂を熱処
理し、次にアルカリ水溶液を前記感光性樹脂の表面に接
触させ、最後に純水にて前記感光性樹脂の表面をリンス
する処理であることを特徴とする請求項２〜５いずれか
に記載のパターン形成方法。 - 【請求項７】 前記位相シフトマスクは、透明基板上に
遮光領域と透明領域からなるパターンを有し、かつ前記
透明領域のパターンはその寸法がコンタクトホールパタ
ーンより径が大きい第１のパターンと、この第１のパタ
ーンの周辺部に設けられ、寸法が前記コンタクトホール
パターンより径が大きくかつ前記第１のパターンよりも
径が小さい第２のパターンとを少なくとも１つずつ有
し、さらに前記第１のパターンを透過する光と前記第２
のパターンを透過する光に互いに１８０度の位相差を生
じさせる位相シフトマスクであることを特徴とする請求
項２記載のパターン形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5329095A JP2996127B2 (ja) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | パターン形成方法 |
| US08/595,916 US5792596A (en) | 1995-02-17 | 1996-02-06 | Pattern forming method |
| KR1019960004107A KR100215354B1 (ko) | 1995-02-17 | 1996-02-15 | 패턴 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5329095A JP2996127B2 (ja) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08222513A JPH08222513A (ja) | 1996-08-30 |
| JP2996127B2 true JP2996127B2 (ja) | 1999-12-27 |
Family
ID=12938597
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5329095A Expired - Fee Related JP2996127B2 (ja) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | パターン形成方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5792596A (ja) |
| JP (1) | JP2996127B2 (ja) |
| KR (1) | KR100215354B1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| KR100489359B1 (ko) * | 1997-12-23 | 2005-09-06 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트의소비를감소시키기위한반도체장치제조방법 |
| JP2000267258A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Nec Corp | レチクル |
| IT1313154B1 (it) * | 1999-08-05 | 2002-06-17 | St Microelectronics Srl | Maschera litografica per dispositivi a semiconduttore con finestra discavo a sezione poligonale,in particolare avente una sezione di almeno |
| KR100419029B1 (ko) * | 1999-08-31 | 2004-02-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 알칼리 처리 과정을 포함하는 포토레지스트 패턴 형성방법 |
| EP1083463A3 (en) * | 1999-09-10 | 2003-11-19 | Lucent Technologies Inc. | Patterning method and semiconductor device |
| KR100400331B1 (ko) * | 1999-12-02 | 2003-10-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 포토레지스트 오버코팅용 조성물 및 이를 이용한포토레지스트 패턴 형성방법 |
| KR20010063611A (ko) * | 1999-12-23 | 2001-07-09 | 박종섭 | 레지스트 패턴 형성방법 |
| DE10017767A1 (de) | 2000-04-10 | 2001-10-18 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung von Masken für die Fertigung von Halbleiterstrukturen |
| JP2002112098A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-12 | Olympus Optical Co Ltd | 電子撮影装置 |
| US6749969B2 (en) | 2001-11-14 | 2004-06-15 | International Business Machines Corporation | Reverse tone process for masks |
| US6620564B2 (en) * | 2002-02-01 | 2003-09-16 | Macronix International Co., Ltd. | Method for patterning semiconductors through adjustment of image peak side lobes |
| JP3550394B2 (ja) * | 2002-07-16 | 2004-08-04 | 沖電気工業株式会社 | 焦点ずれ測定方法及び焦点位置合わせ方法 |
| JP2005353763A (ja) | 2004-06-09 | 2005-12-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 露光装置及びパターン形成方法 |
| US20060008178A1 (en) * | 2004-07-08 | 2006-01-12 | Seeger Adam A | Simulation of scanning beam images by combination of primitive features extracted from a surface model |
| JP2006049757A (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法 |
| JP5008280B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2012-08-22 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP4794232B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2011-10-19 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置 |
| JP5154007B2 (ja) * | 2004-12-06 | 2013-02-27 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置 |
| JP4926433B2 (ja) | 2004-12-06 | 2012-05-09 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP4761907B2 (ja) * | 2005-09-28 | 2011-08-31 | 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ | 基板処理装置 |
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| KR20140130918A (ko) * | 2013-05-02 | 2014-11-12 | 삼성전자주식회사 | 계단 구조를 형성하는 패터닝 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP3105234B2 (ja) * | 1990-09-28 | 2000-10-30 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
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| JP2852169B2 (ja) * | 1993-02-25 | 1999-01-27 | 日本電気株式会社 | 投影露光方法および装置 |
| KR970002427B1 (en) * | 1994-01-14 | 1997-03-05 | Lg Semicon Co Ltd | Fine patterning method of photoresist film |
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- 1995-02-17 JP JP5329095A patent/JP2996127B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-02-06 US US08/595,916 patent/US5792596A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-02-15 KR KR1019960004107A patent/KR100215354B1/ko not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| １９９４年（平成６年）秋季 第５５回応用物理学会学術講演会予稿集第２分冊、第５３４頁「２０ｐ−ＺＰ−講演９」の欄（１９９４年９月１９日発行） |
Also Published As
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| JPH08222513A (ja) | 1996-08-30 |
| US5792596A (en) | 1998-08-11 |
| KR960032090A (ko) | 1996-09-17 |
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