JPH10333318A - 位相シフトフォトマスク及びその製造方法 - Google Patents
位相シフトフォトマスク及びその製造方法Info
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- JPH10333318A JPH10333318A JP14496497A JP14496497A JPH10333318A JP H10333318 A JPH10333318 A JP H10333318A JP 14496497 A JP14496497 A JP 14496497A JP 14496497 A JP14496497 A JP 14496497A JP H10333318 A JPH10333318 A JP H10333318A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ハーフトーン位相シフトフォトマスクの透明
部の表面荒れをなくし、半透明部と透明部とを通過する
光の位相差に影響する問題や透明部の透過率に対する影
響等をなくす。 【解決手段】 半透明領域を構成する半透明膜２を、ド
ライエッチング等により形成した透明基板１の位相シフ
トパターンの底面６上に形成する。このようなハーフト
ーン位相シフトフォトマスクは、エッチングガス５によ
りレジストパターン３から露出した透明基板１を所定の
深さだけドライエッチング除去して位相シフトパターン
を形成し、レジストパターン３をそのままにして、全面
に半透明膜２をスパッタ蒸着等により成膜し、レジスト
層３をリフトオフにより除去することにより作製され
る。
部の表面荒れをなくし、半透明部と透明部とを通過する
光の位相差に影響する問題や透明部の透過率に対する影
響等をなくす。 【解決手段】 半透明領域を構成する半透明膜２を、ド
ライエッチング等により形成した透明基板１の位相シフ
トパターンの底面６上に形成する。このようなハーフト
ーン位相シフトフォトマスクは、エッチングガス５によ
りレジストパターン３から露出した透明基板１を所定の
深さだけドライエッチング除去して位相シフトパターン
を形成し、レジストパターン３をそのままにして、全面
に半透明膜２をスパッタ蒸着等により成膜し、レジスト
層３をリフトオフにより除去することにより作製され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、位相シフトフォト
マスク及びその製造方法に関し、特に、ＬＳＩ、超ＬＳ
Ｉ等の高密度集積回路等の製造に用いられる位相シフト
フォトマスク及びその製造方法に関する。
マスク及びその製造方法に関し、特に、ＬＳＩ、超ＬＳ
Ｉ等の高密度集積回路等の製造に用いられる位相シフト
フォトマスク及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣ、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の半導体集積
回路は、酸化、ＣＶＤ、スパッタリング等の薄膜形成工
程と、シリコンウェーハ等の非加工基板上にフォトレジ
ストを塗布し、フォトマスクを用いた縮小投影ステッパ
等により所望のパターンを露光した後、現像、エッチン
グを行ういわゆるフォトリソグラフィ工程やイオン注入
等の拡散工程等を繰り返すことにより製造されている。
回路は、酸化、ＣＶＤ、スパッタリング等の薄膜形成工
程と、シリコンウェーハ等の非加工基板上にフォトレジ
ストを塗布し、フォトマスクを用いた縮小投影ステッパ
等により所望のパターンを露光した後、現像、エッチン
グを行ういわゆるフォトリソグラフィ工程やイオン注入
等の拡散工程等を繰り返すことにより製造されている。
【０００３】このようなフォトリソグラフィ工程により
形成されるフォトレジストパターンの最小図形サイズ
は、半導体集積回路の高速化、高集積化に伴って益々微
細化が要求されてきており、通常のフォトマスクを用い
た縮小投影ステッパ露光方法では解像限界となり、この
限界を克服する技術として、例えば、特開昭５８−１７
３７４４号、特開平４−１３６８５４号公報に示されて
いるような新しい構造を有する位相シフトフォトマスク
及びこの位相シフトフォトマスクを用いた位相シフト露
光法が提案されている。
形成されるフォトレジストパターンの最小図形サイズ
は、半導体集積回路の高速化、高集積化に伴って益々微
細化が要求されてきており、通常のフォトマスクを用い
た縮小投影ステッパ露光方法では解像限界となり、この
限界を克服する技術として、例えば、特開昭５８−１７
３７４４号、特開平４−１３６８５４号公報に示されて
いるような新しい構造を有する位相シフトフォトマスク
及びこの位相シフトフォトマスクを用いた位相シフト露
光法が提案されている。
【０００４】この位相シフト露光法は、フォトマスク上
に形成した位相シフトパターンを通過する露光光の位相
を操作することにより、解像力及び焦点深度を向上させ
る技術である。
に形成した位相シフトパターンを通過する露光光の位相
を操作することにより、解像力及び焦点深度を向上させ
る技術である。
【０００５】このような位相シフトフォトマスク中の一
つとして、特に特開平４−１３６８５４号にハーフトー
ン位相シフトフォトマスクが提案されている。このハー
フトーン位相シフトフォトマスク（以下、ハーフトーン
位相シフトマスクと呼ぶ。）は、透明基板上に露光光に
対して半透明な領域と透明な領域とを少なくとも有し、
この半透明な領域と透明な領域とを通過する光の位相差
が実質的に１８０°になる構成のものであり、半導体素
子のホール、ドット、スペース、ライン等において解像
力が上がり、焦点深度が広がることが示されている。こ
のとき、半透明膜の膜厚をｄとし、露光波長をλ、その
露光波長での半透明膜の屈折率をｎとすると、 ｄ＝λ／〔２（ｎ−１）〕 の関係を満たすとき、最も効果がある。
つとして、特に特開平４−１３６８５４号にハーフトー
ン位相シフトフォトマスクが提案されている。このハー
フトーン位相シフトフォトマスク（以下、ハーフトーン
位相シフトマスクと呼ぶ。）は、透明基板上に露光光に
対して半透明な領域と透明な領域とを少なくとも有し、
この半透明な領域と透明な領域とを通過する光の位相差
が実質的に１８０°になる構成のものであり、半導体素
子のホール、ドット、スペース、ライン等において解像
力が上がり、焦点深度が広がることが示されている。こ
のとき、半透明膜の膜厚をｄとし、露光波長をλ、その
露光波長での半透明膜の屈折率をｎとすると、 ｄ＝λ／〔２（ｎ−１）〕 の関係を満たすとき、最も効果がある。
【０００６】このようなハーフトーン位相シフトマスク
の構造として、従来、図３のような断面のものが提案さ
れている。図中、１は透明基板、２は単層又は多層のク
ロム等金属薄膜や金属化合物等の薄膜等からなる半透明
膜を示し、半透明膜２の設けられた領域が半透明な領域
を形成し、半透明膜２がない領域が透明な領域を形成し
ている。
の構造として、従来、図３のような断面のものが提案さ
れている。図中、１は透明基板、２は単層又は多層のク
ロム等金属薄膜や金属化合物等の薄膜等からなる半透明
膜を示し、半透明膜２の設けられた領域が半透明な領域
を形成し、半透明膜２がない領域が透明な領域を形成し
ている。
【０００７】図３のようなハーフトーン位相シフトマス
クは、例えば図４の工程に従って製造される。すなわ
ち、図４（ａ）に示すように、高純度石英等からなる透
明基板１上にＣｒ等からなる半透明膜２を成膜し、さら
にその上にレジスト層３を形成する。次いで、図４
（ｂ）に示すように、レジスト層３上に紫外線４等によ
り所望のパターンを描画し、その後、パターン露光され
たレジスト層３を現像して所望のレジストパターンを形
成し、次に、図４（ｃ）に示すように、エッチングガス
又はウエットエッチング液７によりレジストパターンか
ら露出した半透明膜２をエッチング除去し、図４（ｄ）
のような半透明膜２のパターンを形成する。次いで、図
４（ｅ）に示すように、エッチングガス５により半透明
膜２のパターンが形成されていない部分の透明基板１を
ドライエッチングし、次いで、残ったレジストパターン
を除去することにより、図４（ｆ）のようなハーフトー
ン位相シフトマスクが形成される。図４（ｆ）の断面は
図３と同じである。
クは、例えば図４の工程に従って製造される。すなわ
ち、図４（ａ）に示すように、高純度石英等からなる透
明基板１上にＣｒ等からなる半透明膜２を成膜し、さら
にその上にレジスト層３を形成する。次いで、図４
（ｂ）に示すように、レジスト層３上に紫外線４等によ
り所望のパターンを描画し、その後、パターン露光され
たレジスト層３を現像して所望のレジストパターンを形
成し、次に、図４（ｃ）に示すように、エッチングガス
又はウエットエッチング液７によりレジストパターンか
ら露出した半透明膜２をエッチング除去し、図４（ｄ）
のような半透明膜２のパターンを形成する。次いで、図
４（ｅ）に示すように、エッチングガス５により半透明
膜２のパターンが形成されていない部分の透明基板１を
ドライエッチングし、次いで、残ったレジストパターン
を除去することにより、図４（ｆ）のようなハーフトー
ン位相シフトマスクが形成される。図４（ｆ）の断面は
図３と同じである。
【０００８】このような図３の構造のハーフトーン位相
シフトマスクにおいては、通常の製造工程と同様な、加
工、検査、洗浄は可能であるが、透明基板１を彫って透
明部を加工する際のドライエッチング等によって表面荒
れしていることがあるため、透明部を通過する光が散乱
等を起こし、半透明部と透明部とを通過する光の位相差
が目標値よりずれたり、透明部の透過率が低下するとい
う問題が生じる。
シフトマスクにおいては、通常の製造工程と同様な、加
工、検査、洗浄は可能であるが、透明基板１を彫って透
明部を加工する際のドライエッチング等によって表面荒
れしていることがあるため、透明部を通過する光が散乱
等を起こし、半透明部と透明部とを通過する光の位相差
が目標値よりずれたり、透明部の透過率が低下するとい
う問題が生じる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明は従来技術のこ
のような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的
は、ハーフトーン位相シフトフォトマスクの透明部の表
面荒れをなくし、半透明部と透明部とを通過する光の位
相差に影響する問題や透明部の透過率に対する影響等を
なくすことである。
のような問題点に鑑みてなされたものであり、その目的
は、ハーフトーン位相シフトフォトマスクの透明部の表
面荒れをなくし、半透明部と透明部とを通過する光の位
相差に影響する問題や透明部の透過率に対する影響等を
なくすことである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題等
に鑑みて実用的でかつ精度の高いハーフトーン位相シフ
トフォトマスクを開発すべく研究した結果、ドライエッ
チング等による表面荒れが透明部を通過する光に影響を
与えない構造としては、透明基板上にフォトレジストパ
ターンを形成してドライエッチング等で加工する際、加
工を受けない部分を透明部とし、加工される部分に半透
明膜等を形成して半透明部とすることが有効であると考
え、ハーフトーン位相シフトフォトマスクの半透明膜
を、ドライエッチング等により形成した透明基板による
位相シフトパターンの底面上に形成した構造にすること
により、表面荒れによる透明部を通過する光への影響を
なくすことができることを見出して、本発明を完成した
ものである。
に鑑みて実用的でかつ精度の高いハーフトーン位相シフ
トフォトマスクを開発すべく研究した結果、ドライエッ
チング等による表面荒れが透明部を通過する光に影響を
与えない構造としては、透明基板上にフォトレジストパ
ターンを形成してドライエッチング等で加工する際、加
工を受けない部分を透明部とし、加工される部分に半透
明膜等を形成して半透明部とすることが有効であると考
え、ハーフトーン位相シフトフォトマスクの半透明膜
を、ドライエッチング等により形成した透明基板による
位相シフトパターンの底面上に形成した構造にすること
により、表面荒れによる透明部を通過する光への影響を
なくすことができることを見出して、本発明を完成した
ものである。
【００１１】すなわち、本発明は、透明基板上に露光光
に対して半透明な領域と透明な領域とを有し、半透明領
域と透明領域との位相差が実質的に１８０度になるよう
な構成の位相シフトフォトマスクにおいて、図１に断面
を示すように、半透明領域を構成する半透明膜２をドラ
イエッチング等により形成した透明基板１の位相シフト
パターンの底面６上に形成されていることを特徴とする
ものである。
に対して半透明な領域と透明な領域とを有し、半透明領
域と透明領域との位相差が実質的に１８０度になるよう
な構成の位相シフトフォトマスクにおいて、図１に断面
を示すように、半透明領域を構成する半透明膜２をドラ
イエッチング等により形成した透明基板１の位相シフト
パターンの底面６上に形成されていることを特徴とする
ものである。
【００１２】このような本発明のハーフトーン位相シフ
トマスクの製造は、例えば図２に示した方法によって行
う。すなわち、図２（ａ）に示すように、高純度石英等
からなる透明基板１上にまずレジスト層３を形成する。
次いで、図２（ｂ）に示すように、レジスト層３上に紫
外線４等により所望のパターンを描画し、その後、パタ
ーン露光されたレジスト層３を現像して、図２（ｃ）に
示すような所望のレジストパターンを形成する。次に、
図２（ｄ）に示すように、エッチングガス５によりレジ
ストパターンから露出した透明基板１を所定の深さ（１
８０度の位相差を与える深さ）だけドライエッチング除
去して位相シフトパターンを形成する。その後、図２
（ｅ）に示すように、レジストパターンをそのままにし
て、全面に半透明膜２をスパッタ蒸着等により成膜し、
レジスト層３をリフトオフ等することにより除去して、
図２（ｆ）のようなハーフトーン位相シフトマスクが形
成される。図２（ｆ）の断面は図１と同じである。
トマスクの製造は、例えば図２に示した方法によって行
う。すなわち、図２（ａ）に示すように、高純度石英等
からなる透明基板１上にまずレジスト層３を形成する。
次いで、図２（ｂ）に示すように、レジスト層３上に紫
外線４等により所望のパターンを描画し、その後、パタ
ーン露光されたレジスト層３を現像して、図２（ｃ）に
示すような所望のレジストパターンを形成する。次に、
図２（ｄ）に示すように、エッチングガス５によりレジ
ストパターンから露出した透明基板１を所定の深さ（１
８０度の位相差を与える深さ）だけドライエッチング除
去して位相シフトパターンを形成する。その後、図２
（ｅ）に示すように、レジストパターンをそのままにし
て、全面に半透明膜２をスパッタ蒸着等により成膜し、
レジスト層３をリフトオフ等することにより除去して、
図２（ｆ）のようなハーフトーン位相シフトマスクが形
成される。図２（ｆ）の断面は図１と同じである。
【００１３】また、本発明のこのような半透明膜成膜方
法によれば、位相シフターパターンの側面に半透明膜を
残すこともできるため、位相シフトパターン側面から入
射する露光光を軽減することも可能であり、より正確な
マスクパターン露光が可能になる。
法によれば、位相シフターパターンの側面に半透明膜を
残すこともできるため、位相シフトパターン側面から入
射する露光光を軽減することも可能であり、より正確な
マスクパターン露光が可能になる。
【００１４】すなわち、本発明の位相シフトフォトマス
クは、透明基板上に露光光に対して半透明な領域と透明
な領域とを少なくとも有し、この半透明な領域と透明な
領域とを通過する光の位相差が実質的に１８０度になる
構成の位相シフトフォトマスクにおいて、半透明領域を
構成する半透明膜が、前記の透明基板をエッチングする
ことにより形成された位相シフトパターンの底面に形成
されていることを特徴とするものである。
クは、透明基板上に露光光に対して半透明な領域と透明
な領域とを少なくとも有し、この半透明な領域と透明な
領域とを通過する光の位相差が実質的に１８０度になる
構成の位相シフトフォトマスクにおいて、半透明領域を
構成する半透明膜が、前記の透明基板をエッチングする
ことにより形成された位相シフトパターンの底面に形成
されていることを特徴とするものである。
【００１５】この場合、半透明膜は単層又は多層のクロ
ム等の金属薄膜あるいは金属化合物膜から形成すること
が望ましい。
ム等の金属薄膜あるいは金属化合物膜から形成すること
が望ましい。
【００１６】また、透明領域は半透明膜を設けてない領
域で形成されていることが望ましい。
域で形成されていることが望ましい。
【００１７】さらに、これらにおいて、透明領域に対す
る半透明領域の露光波長における透過率が１〜３０％の
範囲にあることが望ましい。
る半透明領域の露光波長における透過率が１〜３０％の
範囲にあることが望ましい。
【００１８】また、エッチングされた透明基板の深さｄ
が、透明基板の露光波長λにおける屈折率をｎとする
と、 〔λ／２（ｎ−１）〕／２≦ｄ≦３〔λ／２（ｎ１）〕
／２ の範囲にあることが望ましい。
が、透明基板の露光波長λにおける屈折率をｎとする
と、 〔λ／２（ｎ−１）〕／２≦ｄ≦３〔λ／２（ｎ１）〕
／２ の範囲にあることが望ましい。
【００１９】また、本発明は、透明基板上にレジストパ
ターンを形成し、そのパターンから露出した透明基板を
所定の深さだけエッチング除去し、次いで、レジストパ
ターンを除去せずにその上に半透明膜を成膜し、次に、
レジストパターンをリフトオフ等により除去して、上記
の何れかの位相シフトフォトマスクを製造する位相シフ
トフォトマスクの製造方法も含む。
ターンを形成し、そのパターンから露出した透明基板を
所定の深さだけエッチング除去し、次いで、レジストパ
ターンを除去せずにその上に半透明膜を成膜し、次に、
レジストパターンをリフトオフ等により除去して、上記
の何れかの位相シフトフォトマスクを製造する位相シフ
トフォトマスクの製造方法も含む。
【００２０】本発明の位相シフトフォトマスクにおいて
は、ドライエッチング等により形成した透明基板による
位相シフトパターンのエッチング底面上に半透明膜を形
成した構造になっているため、透過部にはドライエッチ
ングによる表面荒れがなく、透過部の透過率への影響
や、半透明部と透明部とを通過する光の位相差への影響
等をなくすことができる。
は、ドライエッチング等により形成した透明基板による
位相シフトパターンのエッチング底面上に半透明膜を形
成した構造になっているため、透過部にはドライエッチ
ングによる表面荒れがなく、透過部の透過率への影響
や、半透明部と透明部とを通過する光の位相差への影響
等をなくすことができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の位相シフトフォト
マスクの実施例について説明する。まず、光学研磨され
た基板上にｉ線レジストＮＰＲ−８９５ｉ（長瀬産業
（株）製）をスピンコーティングし、プリベイク処理を
することにより、厚さ０．１μｍ〜２．０μｍのレジス
ト層を形成する。基板としては、石英、高純度石英が望
ましいが、低膨張ガラス、ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 等を使用
することもできる。レジスト層の加熱処理は、レジスト
の種類にもよるが、通常８０℃〜１５０℃で５〜６０分
間行う。
マスクの実施例について説明する。まず、光学研磨され
た基板上にｉ線レジストＮＰＲ−８９５ｉ（長瀬産業
（株）製）をスピンコーティングし、プリベイク処理を
することにより、厚さ０．１μｍ〜２．０μｍのレジス
ト層を形成する。基板としては、石英、高純度石英が望
ましいが、低膨張ガラス、ＭｇＦ2 、ＣａＦ2 等を使用
することもできる。レジスト層の加熱処理は、レジスト
の種類にもよるが、通常８０℃〜１５０℃で５〜６０分
間行う。
【００２２】次に、ＣＯＲＥ−２５６４等のレーザ露光
装置を用いて所定のパターンを上記レジスト層に露光
し、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライ
ド）を主成分とする現像液でレジスト層を現像後、水で
リンスする。
装置を用いて所定のパターンを上記レジスト層に露光
し、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドライ
ド）を主成分とする現像液でレジスト層を現像後、水で
リンスする。
【００２３】次に、必要に応じて加熱処理及びディスカ
ム処理してレジストパターンのレジストスカム等を除去
した後に、レジストパターンの開口部より露出する被加
工部の透明基板をＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスを用いたエッチング
プラズマによりドライエッチングし、位相シフトパター
ンを形成する。このときに、エッチングガスとしてＣＦ
4 、ＣＨＦ3 、ＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 、ＣＦ4 ＋Ｏ2 、ＣＨ
Ｆ3 ＋Ｏ2 等を用いても問題ない。なお、この位相シフ
トパターンは、ドライエッチングに代えて、フッ酸等の
ウエットエッチングによっても形成可能である。
ム処理してレジストパターンのレジストスカム等を除去
した後に、レジストパターンの開口部より露出する被加
工部の透明基板をＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスを用いたエッチング
プラズマによりドライエッチングし、位相シフトパター
ンを形成する。このときに、エッチングガスとしてＣＦ
4 、ＣＨＦ3 、ＣＦ4 ＋ＣＨＦ3 、ＣＦ4 ＋Ｏ2 、ＣＨ
Ｆ3 ＋Ｏ2 等を用いても問題ない。なお、この位相シフ
トパターンは、ドライエッチングに代えて、フッ酸等の
ウエットエッチングによっても形成可能である。
【００２４】このようにして、透明基板をエッチングし
た後に、レジストパターンをそのままにして、Ｃｒを膜
厚約２０ｎｍになるように成膜する。この膜のｉ線（波
長３６５ｎｍ）の透過率は約１０％である。通常、この
膜の成膜にはスパッタリングが用いられる。
た後に、レジストパターンをそのままにして、Ｃｒを膜
厚約２０ｎｍになるように成膜する。この膜のｉ線（波
長３６５ｎｍ）の透過率は約１０％である。通常、この
膜の成膜にはスパッタリングが用いられる。
【００２５】次に、位相シフトパターン上に残存したレ
ジストをリフトオフすることにより不必要のＣｒを除去
する。リフトオフ方法は、レジストの良溶媒中に基板を
浸漬することでレジストを溶解し、不必要のＣｒを除去
する。このとき、溶媒によっては、加熱、超音波処理を
行っても問題ない。
ジストをリフトオフすることにより不必要のＣｒを除去
する。リフトオフ方法は、レジストの良溶媒中に基板を
浸漬することでレジストを溶解し、不必要のＣｒを除去
する。このとき、溶媒によっては、加熱、超音波処理を
行っても問題ない。
【００２６】このような方法で本発明のハーフトーン位
相シフトマスクが完成する。上記実施例は、本発明のハ
ーフトーン位相シフトマスクの１作製例であり、レジス
ト、プロセス条件及び透過率等を特に限定するものでは
ない。
相シフトマスクが完成する。上記実施例は、本発明のハ
ーフトーン位相シフトマスクの１作製例であり、レジス
ト、プロセス条件及び透過率等を特に限定するものでは
ない。
【００２７】なお、本発明において、位相シフトパター
ンを形成するときに透明基板表面からエッチング除去す
る厚さを正確に制御できるようにするために、透明基板
中に表面に平行にエッチングストッパー層を設けるよう
にしてもよい。
ンを形成するときに透明基板表面からエッチング除去す
る厚さを正確に制御できるようにするために、透明基板
中に表面に平行にエッチングストッパー層を設けるよう
にしてもよい。
【００２８】
【発明の効果】本発明の位相シフトフォトマスクは、上
記したように、通常のフォトマスクと同じ材料で作成手
順を変えるだけで、格別な工程を増やすことなしに、透
過部の表面荒れを防ぐことができるので、位相差等の保
証が可能となり、製造コストを低く抑えることができ
る。
記したように、通常のフォトマスクと同じ材料で作成手
順を変えるだけで、格別な工程を増やすことなしに、透
過部の表面荒れを防ぐことができるので、位相差等の保
証が可能となり、製造コストを低く抑えることができ
る。
【図１】本発明による位相シフトフォトマスクの構成を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図２】本発明の位相シフトフォトマスクの製造工程を
示す図である。
示す図である。
【図３】従来のハーフトーン位相シフトフォトマスクの
構成を示す断面図である。
構成を示す断面図である。
【図４】従来のハーフトーン位相シフトフォトマスクの
製造工程を示す図である。
製造工程を示す図である。
１…透明基板 ２…半透明膜 ３…レジスト層 ４…パターン露光光 ５…エッチングガス ６…位相シフトパターンの底面
Claims (6)
- 【請求項１】 透明基板上に露光光に対して半透明な領
域と透明な領域とを少なくとも有し、この半透明な領域
と透明な領域とを通過する光の位相差が実質的に１８０
度になる構成の位相シフトフォトマスクにおいて、半透
明領域を構成する半透明膜が、前記の透明基板をエッチ
ングすることにより形成された位相シフトパターンの底
面に形成されていることを特徴とする位相シフトフォト
マスク。 - 【請求項２】 請求項１において、前記半透明膜が単層
又は多層のクロム等の金属薄膜あるいは金属化合物膜か
らなることを特徴とする位相シフトフォトマスク。 - 【請求項３】 請求項１において、前記透明領域が前記
半透明膜を設けてない領域で形成されていることを特徴
とする位相シフトフォトマスク。 - 【請求項４】 請求項１から３の何れか１項において、
前記透明領域に対する前記半透明領域の露光波長におけ
る透過率が１〜３０％の範囲にあることを特徴とする位
相シフトフォトマスク。 - 【請求項５】 請求項１から４の何れか１項において、
エッチングされた前記透明基板の深さｄが、前記透明基
板の露光波長λにおける屈折率をｎとすると、 〔λ／２（ｎ−１）〕／２≦ｄ≦３〔λ／２（ｎ１）〕
／２ の範囲にあることを特徴とする位相シフトフォトマス
ク。 - 【請求項６】 透明基板上にレジストパターンを形成
し、そのパターンから露出した透明基板を所定の深さだ
けエッチング除去し、次いで、レジストパターンを除去
せずにその上に半透明膜を成膜し、次に、レジストパタ
ーンをリフトオフ等により除去して、請求項１から５の
何れか１項に記載の位相シフトフォトマスクを製造する
ことを特徴とする位相シフトフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14496497A JPH10333318A (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 位相シフトフォトマスク及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14496497A JPH10333318A (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 位相シフトフォトマスク及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10333318A true JPH10333318A (ja) | 1998-12-18 |
Family
ID=15374295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14496497A Pending JPH10333318A (ja) | 1997-06-03 | 1997-06-03 | 位相シフトフォトマスク及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10333318A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006078953A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Ulvac Seimaku Kk | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造法 |
| KR100770489B1 (ko) | 2000-12-30 | 2007-10-25 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 평판 디스플레이 패널용 마스크 제작방법 |
| JP2013167907A (ja) * | 2004-11-08 | 2013-08-29 | Lg Micron Ltd | ハーフトーンマスク及びその製造方法 |
| CN103676467A (zh) * | 2012-09-20 | 2014-03-26 | 李永春 | 金属嵌入光罩及其制造方法 |
-
1997
- 1997-06-03 JP JP14496497A patent/JPH10333318A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100770489B1 (ko) | 2000-12-30 | 2007-10-25 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 평판 디스플레이 패널용 마스크 제작방법 |
| JP2006078953A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Ulvac Seimaku Kk | ハーフトーン型位相シフトマスク及びその製造法 |
| JP2013167907A (ja) * | 2004-11-08 | 2013-08-29 | Lg Micron Ltd | ハーフトーンマスク及びその製造方法 |
| CN103676467A (zh) * | 2012-09-20 | 2014-03-26 | 李永春 | 金属嵌入光罩及其制造方法 |
| KR101505317B1 (ko) * | 2012-09-20 | 2015-03-23 | 내셔널 청쿵 유니버시티 | 금속-임베디드 포토마스크 및 그 제조 방법 |
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