CN103676467A - 金属嵌入光罩及其制造方法 - Google Patents
金属嵌入光罩及其制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103676467A CN103676467A CN201310415053.5A CN201310415053A CN103676467A CN 103676467 A CN103676467 A CN 103676467A CN 201310415053 A CN201310415053 A CN 201310415053A CN 103676467 A CN103676467 A CN 103676467A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- metal
- substrate
- face
- light shield
- manufacture method
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 58
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims abstract description 36
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 claims description 8
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 claims description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 6
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 6
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 5
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 claims description 5
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 5
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 5
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 4
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 claims description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 claims description 4
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 claims description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 3
- 235000013870 dimethyl polysiloxane Nutrition 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N octamethyltrisiloxane Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)C CXQXSVUQTKDNFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004987 plasma desorption mass spectroscopy Methods 0.000 description 3
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
- G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/46—Antireflective coatings
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/62—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof
- G03F1/64—Pellicles, e.g. pellicle assemblies, e.g. having membrane on support frame; Preparation thereof characterised by the frames, e.g. structure or material, including bonding means therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
本发明的题目是一种金属嵌入光罩及其制造方法。金属嵌入光罩的制造方法包括:将至少一金属材料形成于基板上,基板具有多个凸部突出于基板的表面,各凸部具有多个侧面及顶面,侧面连接顶面与表面,金属材料形成于顶面及表面;贴附软性膜材于基板的顶面;以及使软性膜材从顶面脱离而将位于顶面的金属材料部分移除。本发明的金属嵌入光罩的制造方法制程简易且大幅降低成本,并且本发明的金属嵌入光罩的金属材料不会形成在凸部的顶面,因而避免金属材料所形成的金属层与另一基板摩擦,能延长光罩的使用寿命。
Description
技术领域
本发明关于一种光罩及其制造方法,特别关于一种金属嵌入光罩及其制造方法。
背景技术
传统的光学微影技术中,光罩对光阻层的紫外光(UV)曝光技术主要可以分为接触式光学微影技术以及倍缩微影技术两种。
接触式光学微影技术所使用的光罩,其表面特征图案尺寸与实际复制于基板上的图案为1:1的比例,以直接贴近于光阻层表面的方式进行曝光;而倍缩微影技术所使用的光罩,其表面特征图案尺寸则为实际复制于基板上图案的数倍,经由光学系统投射的方式对光阻进行曝光。
其中,在接触式光学微影技术中,光罩表面的金属图案会与基板上的光阻层接触摩擦,容易造成金属图案耗损使得光罩使用寿命缩短,并且当光罩沾上光阻层时,光罩就需要清洗,随着清洗的次数越多,光罩可使用的期限就越短。另外,当涂布有光阻层的基板表面不是非常平整时,光罩与光阻层会产生不确定的空隙与距离,而造成光线的散射与绕射,进而造成曝光的尺寸误差,并且造成光阻层浅层部分的侧向曝光范围扩大,因而无法制作出高深宽比的光阻结构。
发明内容
本发明的目的为提供一种金属嵌入光罩及其制造方法,能够以简单的制程制造出使用寿命长,并且能产生精准的光阻结构的光罩。
为达上述目的,依据本发明的一种金属嵌入光罩的制造方法包括:将至少一金属材料形成于基板上,基板具有多个凸部突出于基板的表面,各凸部具有多个侧面及顶面,侧面连接顶面与表面,金属材料形成于顶面及表面;贴附软性膜材于基板的顶面;以及使软性膜材从顶面脱离而将位于顶面的金属材料部分移除。
在一实施例中,金属材料的形成方式为涂布法(Coating)、印刷法(Printing)、物理沉积法(Physical Deposition)、化学沉积法(ChemicalDeposition)、离子布植法(Ion Implantation)、电浆化学沉积法(PlasmaChemical Deposition)、电子束蒸镀、热蒸镀、或溅镀等。
在一实施例中,基板的材质包括高分子有机硅化合物或是含二氧化硅的透光材料。
在一实施例中,基板的材质包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)、UV树脂、硅橡胶或聚氨酯树脂(PUA)。
在一实施例中,金属材料形成多个子层。
在一实施例中,金属材料包括金、铬或其组合。
在一实施例中,软性膜材的材质包括聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、硬式聚氯乙烯(Rigid PVC)、聚乙烯醇(PVA)、聚酰胺(PA)或聚乳酸(PLA)。
为达上述目的,依据本发明的一种金属嵌入光罩包括基板以及金属层。基板具有多个凸部突出于基板的表面,各凸部具有多个侧面及顶面,侧面连接顶面与表面。金属层设置于表面,且顶面不被金属层覆盖。
在一实施例中,金属层包括多个子层。且金属层的材质例如包括金、铬或其组合。
在一实施例中,金属层的厚度小于等于凸部的高度的一半,并大于等于凸部的高度的四分之一。
承上所述,本发明的金属嵌入光罩的制造方法的制程简易因而可大幅降低成本。并且本发明的金属嵌入光罩中,金属材料不会形成在凸部的顶面,因而避免金属材料的遮光层与另一基板的光阻层摩擦,而能延长光罩的使用寿命。此外,本发明的金属嵌入光罩的凸部顶面具有良好的贴附特性,可在大面积的微影制程中提供高平贴度,而让光罩与光阻层紧密贴合,有效减少光罩与光阻层的间隙,进而减少两者之间的光反射率并缩小光阻层的侧向曝光范围,而能制造出精准的光阻结构,进而提升制程良率。
附图说明
图1为本发明较佳实施例的一种金属嵌入光罩的制造方法的流程图;
图2A至图2C为本发明较佳实施例的金属嵌入光罩的制造方法的示意图;以及
图3为本发明较佳实施例的一种金属嵌入光罩的示意图。
具体实施方式
以下将参照相关附图,说明依本发明较佳实施例的一种金属嵌入光罩及其制造方法,其中相同的组件将以相同的参照符号加以说明。
图1为本发明较佳实施例的一种金属嵌入光罩的制造方法的流程图,图2A至图2C为本实施例的制造方法的示意图。请参照图1至图2C以说明本实施例的金属嵌入光罩的制造方法。
请参照图2A所示,步骤S01:将至少一金属材料101形成于基板201上,基板201具有多个凸部202突出于基板的表面203,各凸部202具有多个侧面204及顶面205,侧面204连接顶面205与表面203,金属材料101形成于顶面205及表面203。其中,金属材料101的形成方式例如为涂布法(Coating)、印刷法(Printing)、物理沉积法(Physical Deposition)、化学沉积法(Chemical Deposition)、离子布植法(Ion Implantation)、电浆化学沉积法(Plasma Chemical Deposition)、电子束蒸镀、热蒸镀、或溅镀等。在此以热蒸镀为例来使金属材料101形成于基板201的凸部202的顶面205与表面203。需注意的是,若是通过其它方法,则可能使得金属材料101也形成于凸部202的侧面204。
在本实施例中,基板201可为硬式基板或软性基板,基板201的材质例如包括含二氧化硅的透光材料,例如石英、玻璃等,或是包括高分子有机硅化合物,例如为聚二甲基硅氧烷(PDMS)。在此,基板201以PDMS基板为例,并可提供良好的平贴度。在其它实施例中,基板201的材质或可包括UV树脂、硅橡胶或聚氨酯树脂(PUA)或其它具透光性的软性高分子材料。
金属材料101形成于基板201上并作为遮光使用。在本实施例中不特别限制金属材料的类型,本实施例的金属材料以包括金、铬或其组合为例。并且金属材料101形成为多个子层102、103(在此以两个子层为例),其中子层102的材质为金,子层103的材质为铬。
请参照图2B所示,步骤S02:贴附软性膜材301于基板201的顶面205。软性膜材301的材质例如包括聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、硬式聚氯乙烯(Rigid PVC)、聚乙烯醇(PVA)、聚酰胺(PA)、或聚乳酸(PLA)或其它具有黏附特性的合适膜材;在此以聚对苯二甲酸乙二酯作为软性膜材301为例。
请参照图2C所示,步骤S03:使软性膜材301从顶面205脱离而将位于顶面205的金属材料部分移除。在本实施例中,软性膜材301与子层103接触,由于铬的黏附特性,使得软性膜材301可轻易将位于顶面205的金属材料的部分移除。此外,子层102贴附基板201的凸部202的顶面205,由于金的稳定特性可避免基板201的凸部顶面205的沾附特性遭到破坏。
请参照图3所示,其为本发明较佳实施例的一种金属嵌入光罩2的示意图。金属嵌入光罩2包括基板201以及金属层21。基板201具有多个凸部202突出于基板201的表面203,各凸部202具有多个侧面204及顶面205,侧面204连接顶面205与表面203。金属层21设置于表面203,且顶面205不被金属层21覆盖。
基板201的特征已在制造方法的实施例一并详述,故在此不再赘述。金属层21可包括单一层或多个子层,在此以两个子层102、103为例。在本实施例中,金属层21的厚度D小于等于凸部202的高度H的一半,并大于等于凸部的高度H的四分之一。若金属层21的厚度太大,则在制程中凸部顶面205的金属材料不易脱离;若金属层21的厚度太小,则会影响将来微影制程的遮光效果。因此,金属层21有一较佳范围,通过金属层21的厚度D小于等于凸部202的高度H的一半,使得凸部顶面205上的金属材料能通过软性膜材301脱离干净,避免软性膜材301将位于表面203的金属材料移除。另外,通过金属层21的厚度D大于等于凸部的高度H的四分之一,可提供足够的遮光效果,同时没有金属层的凸部202会形成一种导光柱的结构,使光线不至于从凸部202侧边穿透,而阻绝漏光现象。在本实施例中,金属嵌入光罩2可作为接触式光罩。
综上所述,本发明的金属嵌入光罩的制造方法的制程简易,因而可大幅降低成本。并且本发明的金属嵌入光罩的金属材料不会形成在凸部的顶面,因而避免金属材料所形成的金属层与另一基板的光阻层摩擦,而能延长光罩的使用寿命。此外,本发明的金属嵌入光罩的凸部顶面具有良好的贴附特性,可在大面积的微影制程中提供高平贴度,而让光罩与光阻层紧密贴合,有效减少光罩与光阻层的间隙,进而减少两者之间的光反射率并缩小光阻层的侧向曝光范围,而能制造出精准的光阻结构,进而提升制程良率。
以上所述仅为举例性,而不是限制性的。任何未脱离本发明的精神与范畴,而对其进行的等效修改或变更,均应包括于权利要求中。
【主要组件符号说明】
101:金属材料
102、103:子层
201:基板
202:凸部
203:表面
204:侧面
205:顶面
2:金属嵌入光罩
21:金属层
301:软性膜材
D:厚度
H:高度
S01~S03:制造方法步骤
Claims (13)
1.一种金属嵌入光罩的制造方法,包括:
将至少一金属材料形成于基板上,所述基板具有多个凸部突出于所述基板的表面,各所述凸部具有多个侧面及顶面,所述侧面连接所述顶面与所述表面,所述金属材料形成于所述顶面及所述表面;
贴附软性膜材于所述基板的所述顶面;以及
使所述软性膜材从所述顶面脱离而将位于所述顶面的金属材料部分移除。
2.如权利要求1所述的制造方法,其中所述金属材料的形成方式为涂布法、印刷法、物理沉积法、化学沉积法、离子布植法、电浆化学沉积法、电子束蒸镀、热蒸镀或溅镀。
3.如权利要求1所述的制造方法,其中所述基板的材质包括高分子有机硅化合物或是含二氧化硅的透光材料。
4.如权利要求1所述的制造方法,其中所述基板的材质包括聚二甲基硅氧烷、UV树脂、硅橡胶或聚氨酯树脂。
5.如权利要求1所述的制造方法,其中所述金属材料形成多个子层。
6.如权利要求1所述的制造方法,其中所述金属材料包括金、铬或其组合。
7.如权利要求1所述的制造方法,其中所述软性膜材的材质包括聚对苯二甲酸乙二酯、硬式聚氯乙烯、聚乙烯醇、聚酰胺或聚乳酸。
8.一种金属嵌入光罩,包括:
基板,具有多个凸部突出于所述基板的表面,各所述凸部具有多个侧面及顶面,所述侧面连接所述顶面与所述表面;以及
金属层,设置于所述表面,且所述顶面不被所述金属层覆盖。
9.如权利要求8所述的金属嵌入光罩,其中所述基板的材质包括高分子有机硅化合物、或是含二氧化硅的透光材料。
10.如权利要求8所述的金属嵌入光罩,其中所述基板的材质包括聚二甲基硅氧烷、UV树脂、硅橡胶或聚氨酯树脂。
11.如权利要求8所述的金属嵌入光罩,其中所述金属层包括多个子层。
12.如权利要求8所述的金属嵌入光罩,其中所述金属层的材质包括金、铬或其组合。
13.如权利要求8所述的金属嵌入光罩,其中所述金属层的厚度小于等于所述凸部的高度的一半,并大于等于所述凸部的所述高度的四分之一。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW101134458 | 2012-09-20 | ||
TW101134458A TWI450029B (zh) | 2012-09-20 | 2012-09-20 | 金屬嵌入光罩及其製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103676467A true CN103676467A (zh) | 2014-03-26 |
CN103676467B CN103676467B (zh) | 2019-05-21 |
Family
ID=50314470
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310415053.5A Active CN103676467B (zh) | 2012-09-20 | 2013-09-12 | 金属嵌入光罩及其制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101505317B1 (zh) |
CN (1) | CN103676467B (zh) |
TW (1) | TWI450029B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105742414A (zh) * | 2016-02-26 | 2016-07-06 | 海迪科(南通)光电科技有限公司 | 一种微纳pss制备用软膜及其制造方法 |
CN105576097A (zh) * | 2016-02-26 | 2016-05-11 | 海迪科(南通)光电科技有限公司 | 一种纳米软膜光刻制备微纳pss的方法 |
CN105609607A (zh) * | 2016-02-26 | 2016-05-25 | 海迪科(南通)光电科技有限公司 | 一种微纳pss制备用软膜结构 |
CN109445243A (zh) * | 2018-12-21 | 2019-03-08 | 苏州瑞而美光电科技有限公司 | 一种光刻掩膜版及其制备方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0674223A2 (en) * | 1994-02-14 | 1995-09-27 | International Business Machines Corporation | An attenuating phase-shift mask structure and fabrication method |
JPH10333318A (ja) * | 1997-06-03 | 1998-12-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相シフトフォトマスク及びその製造方法 |
CN1800973A (zh) * | 2005-01-04 | 2006-07-12 | 三星Sdi株式会社 | 用于光刻的柔性光掩模及其制造方法以及微构图方法 |
CN101382715A (zh) * | 2008-10-20 | 2009-03-11 | 友达光电股份有限公司 | 像素结构、显示面板、光电装置的制造方法 |
CN101598894A (zh) * | 2009-07-07 | 2009-12-09 | 友达光电股份有限公司 | 光掩膜、薄膜晶体管元件及制作薄膜晶体管元件的方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW201208974A (en) * | 2010-08-23 | 2012-03-01 | Univ Nat Cheng Kung | Manufacturing method of micro/nano-particle and micro/nano-particle unit |
US8293625B2 (en) * | 2011-01-19 | 2012-10-23 | International Business Machines Corporation | Structure and method for hard mask removal on an SOI substrate without using CMP process |
-
2012
- 2012-09-20 TW TW101134458A patent/TWI450029B/zh active
-
2013
- 2013-09-12 CN CN201310415053.5A patent/CN103676467B/zh active Active
- 2013-09-12 KR KR1020130109543A patent/KR101505317B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0674223A2 (en) * | 1994-02-14 | 1995-09-27 | International Business Machines Corporation | An attenuating phase-shift mask structure and fabrication method |
JPH10333318A (ja) * | 1997-06-03 | 1998-12-18 | Dainippon Printing Co Ltd | 位相シフトフォトマスク及びその製造方法 |
CN1800973A (zh) * | 2005-01-04 | 2006-07-12 | 三星Sdi株式会社 | 用于光刻的柔性光掩模及其制造方法以及微构图方法 |
CN101382715A (zh) * | 2008-10-20 | 2009-03-11 | 友达光电股份有限公司 | 像素结构、显示面板、光电装置的制造方法 |
CN101598894A (zh) * | 2009-07-07 | 2009-12-09 | 友达光电股份有限公司 | 光掩膜、薄膜晶体管元件及制作薄膜晶体管元件的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20140038309A (ko) | 2014-03-28 |
TW201413371A (zh) | 2014-04-01 |
KR101505317B1 (ko) | 2015-03-23 |
TWI450029B (zh) | 2014-08-21 |
CN103676467B (zh) | 2019-05-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI279830B (en) | Compliant template for UV imprinting | |
KR100663858B1 (ko) | 나노 스티커의 제조방법 | |
US20030205658A1 (en) | Methods of inspecting a lithography template | |
CN101520600B (zh) | 基于x射线曝光技术制作透光纳米压印模板的方法 | |
CN103676467A (zh) | 金属嵌入光罩及其制造方法 | |
JP5761320B2 (ja) | マイクロコンタクトプリンティング用スタンプの製造方法 | |
JP2006152396A (ja) | メタルマスク、電鋳用マスク原版及びマスター原版の製造方法 | |
KR101322133B1 (ko) | 임프린트 리소그래피용 스탬프 및 이를 이용한 임프린트리소그래피 방법 | |
KR20090003601A (ko) | 플렉시블 포토마스크 및 이의 제조방법 | |
Kim et al. | Contact Printing of multilayered thin films with shape memory polymers | |
TWI592741B (zh) | 光罩及光罩的製造方法 | |
CN100437361C (zh) | 一种紫外固化纳米压印模版的制备方法 | |
TW201913231A (zh) | 壓印模具以及壓印模具製造方法 | |
US20060110845A1 (en) | Method of manufacturing micro-structure element by utilizing molding glass | |
CN105378562B (zh) | 具有印模结构的印模及其制造装置和方法 | |
CN109402559A (zh) | 掩膜版及其制造方法、蒸镀装置、显示装置 | |
Erhardt et al. | Low-temperature fabrication of Si thin-film transistor microstructures by soft lithographic patterning on curved and planar substrates | |
JP5428449B2 (ja) | マイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版の製造方法、およびマイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版 | |
JP2013110330A (ja) | ナノインプリント用テンプレートの欠陥修正方法 | |
JP2014172316A (ja) | テンプレートの製造方法 | |
JP6015140B2 (ja) | ナノインプリントモールドおよびその製造方法 | |
CN108738236B (zh) | 一种cof单面柔性基板精细线路的制作方法及其产品 | |
KR101977122B1 (ko) | 나노몰드 및 그 제조방법 | |
KR20090006703A (ko) | 고종횡비 미세구조물 제조방법 | |
JP2015223770A (ja) | テンプレートの異物除去方法、テンプレートの製造方法、および異物除去用基板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |