CN100437361C - 一种紫外固化纳米压印模版的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明属于微电子学与纳米电子学中的微纳加工领域，特别涉及一种紫外固化纳米压印模版的制备。其工艺步骤如下：1.在透光基片上淀积一层易于刻蚀的薄膜；2.旋涂抗蚀剂；3.淀积一层导电薄膜；4.光刻、显影得到模版图形；5.以抗蚀剂做掩蔽刻蚀第一层薄膜材料，将模版图形转移到薄膜上；6.去除残余抗蚀剂，完成紫外固化纳米压印模版。

Description

一种紫外固化纳米压印模版的制备方法
技术领域
本发明属于微电子学与纳米电子学中的微纳加工领域，特别涉及一种紫外固化纳米压印模版的制备。
背景技术
纳米压印是一种今年来兴起的纳米加工技术，与传统的光学光刻相比，具有分辨率极高等特点，而与电子束光刻等高分辨率技术相比，则具有效率高、成本低，适合于批量生产等优点。模版制备是纳米压印技术中非常重要的一个环节，因为压印的分辨率首先取决于模版的分辨率。由于纳米压印主要分为两种，热压印和紫外固化压印。热压印技术在使用过程中要求高温高压，所以模版制作的重点要求是其机械强度，而紫外固化一般则需要模版能够较好地透过紫外光。通常，如果采用电子束曝光技术直接在透光衬底上直接制作紫外固化纳米压印模版，需要克服两个难题，一是熔石英或玻璃之类的透明衬底难以刻蚀，导致抗蚀剂图形难以转移到衬底上，二是由于熔石英和玻璃是绝缘的，在电子束光刻过程中产生的电荷积累效应，会导致曝光图形畸变。为了解决这两个难题，本发明利用淀积易刻蚀薄膜，将图形转移到这层薄膜上，避免刻蚀熔石英；利用淀积导电薄膜来改善不导电衬底的电荷积累效应。目前，尚无有关专利所述的纳米压印模版制作方法与本发明类似。例如，申请号为03122450.4的专利利用氧化多晶硅压缩特征尺寸并用选择刻蚀来得到亚光刻的线条间隔；申请号为03148751.3和的03133077.0专利技术主要是提高纳米压印模版的硬度，侧重于热压印技术，因为紫外固化压印技术无需高压，对模版的硬度和强度要求较低。
发明内容
本发明的目的是提供一种紫外固化纳米压印模版的制备方法，适合用于紫外固化纳米压印技术。
一种紫外固化纳米压印模版的制备方法，是由两次淀积、一次光刻和一次刻蚀，获得紫外固化纳米压印模版；本发明的步骤如下：1、在透光基片上淀积一层易于刻蚀的薄膜；2、旋涂抗蚀剂；3、淀积一层导电薄膜；4、光刻、显影得到模版图形；5、以抗蚀剂做掩蔽刻蚀第一层薄膜材料，将模版图形转移到薄膜上；6、去除残余抗蚀剂，完成紫外固化纳米压印模版。
所述的紫外固化纳米压印模版的制备方法，采用透光的基片。
所述的紫外固化纳米压印模版的制备方法，其中所述易于刻蚀的薄膜采用化学气相淀积得到，目的是避免刻蚀难刻蚀的透光基片，使用熔石英、玻璃等。
所述的紫外固化纳米压印模版的制备方法，其中所述导电薄膜采用蒸发、溅射等方法得到，目的是避免光刻过程中的静电积累效应。
所述的紫外固化纳米压印模版的制备方法，其中所述抗蚀剂一般采用电子束抗蚀剂，也可采用普通的光学抗蚀剂。
所述的紫外固化纳米压印模版的制备方法，其中所述光刻一般采用电子束光刻，也可采用普通的光学光刻或X射线光刻。
所述的紫外固化纳米压印模版的制备方法，其中所述刻蚀第一层薄膜采用干法刻蚀技术。
其中所述纳米压印模版的制备方法是由两次淀积、一次光刻和一次刻蚀，获得紫外固化纳米压印模版。
附图说明
为了更进一步说明本发明的内容，以下结合附图及实施例子，对本发明做详细描述，其中：
图1-1至图1-6是本发明的流程图；
图2-1至图2-6是本发明实施例子的流程图。
具体实施方式
1、如图1-1所示，在透明基片101上淀积易刻蚀薄膜102，薄膜102是采用化学气相淀积等方法获得。
2、如图1-2所示，在薄膜102上旋涂抗蚀剂103。
3、如图1-3所示，在抗蚀剂103上淀积导电薄膜104；
4、如图1-4所示，光刻显影得到抗蚀剂的模版图形105。
5、如图1-5所示，以抗蚀剂为掩蔽刻蚀薄膜102，得到薄膜的模版图形106。
6、如图1-6所示，去除残余抗蚀剂，完成紫外固化纳米压印模版制作。
实施例子流程。
1、如图1-1所示，在熔石英基片101上淀积氮化硅薄膜102，薄膜102是采用化学气相淀积等方法获得。
2、如图1-2所示，在氮化硅薄膜102上旋涂抗蚀剂103(SAL601)，并前烘。
3、如图1-3所示，在抗蚀剂103上淀积10纳米厚的金膜104；
4、如图1-4所示，电子束光刻，后烘，显影得到抗蚀剂的模版图形105。
5、如图1-5所示，以抗蚀剂为掩蔽刻蚀氮化硅薄膜102，得到氮化硅的模版图形106。
6、如图1-6所示，去除残余抗蚀剂，完成紫外固化纳米压印模版制作。

Claims (6)

1、一种紫外固化纳米压印模版的制备方法，是由两次淀积、一次光刻和一次刻蚀，获得紫外固化纳米压印模版；其特征在于，其步骤如下：
步骤1、在透光基片上淀积一层易于刻蚀的薄膜；
步骤2、旋涂抗蚀剂；
步骤3、淀积一层导电薄膜；
步骤4、光刻、显影得到模版图形；
步骤5、以抗蚀剂做掩蔽刻蚀第一层薄膜材料，将模版图形转移到薄膜上；
步骤6、去除残余抗蚀剂，完成紫外固化纳米压印模版。
2、根据权利要求1所述的紫外固化纳米压印模版的制备方法，其特征在于，其中所述易于刻蚀的薄膜采用化学气相淀积得到，目的是避免刻蚀难刻蚀的透光基片，所述透光基片使用熔石英或玻璃。
3、根据权利要求1所述的紫外固化纳米压印模版的制备方法，其特征在于，其中所述导电薄膜采用蒸发或溅射方法得到。
4、根据权利要求1所述的紫外固化纳米压印模版的制备方法，其特征在于，其中所述抗蚀剂采用电子束抗蚀剂或采用普通的光学抗蚀剂。
5、根据权利要求1所述的紫外固化纳米压印模版的制备方法，其特征在于，其中所述光刻采用电子束光刻或采用普通的光学光刻或X射线光刻。
6、根据权利要求1所述的紫外固化纳米压印模版的制备方法，其特征在于，其中所述刻蚀第一层薄膜采用干法刻蚀技术。
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