CN109402559A - 掩膜版及其制造方法、蒸镀装置、显示装置 - Google Patents

掩膜版及其制造方法、蒸镀装置、显示装置 Download PDF

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Abstract

本申请公开一种掩膜版及其制造方法、蒸镀装置、显示装置，属于蒸镀技术领域。该方法包括：在衬底基板上形成第一光刻胶图形，第一光刻胶图形由多个光刻胶结构构成，光刻胶结构的轮廓呈喇叭形，具有远离衬底基板的第一表面和靠近衬底基板的第二表面，第一表面的尺寸小于第二表面的尺寸；在形成第一光刻胶图形的衬底基板上形成金属层，金属层具有凹陷区域和多个凸起区域，凹陷区域为金属层上除凸起区域之外的区域；在凹陷区域中形成第二光刻胶图形，第二光刻胶图形在金属层上的正投影与凹陷区域重合；去除金属层未被第二光刻胶图形覆盖的区域、第二光刻胶图形、衬底基板和第一光刻胶图形得到掩膜版。本申请提高了掩膜版的精度。

Description

掩膜版及其制造方法、蒸镀装置、显示装置
技术领域
本申请涉及蒸镀技术领域，特别涉及一种掩膜版及其制造方法、蒸镀装置、显示装置。
背景技术
有机发光二极管(英文：Organic Light-Emitting Diode；简称：OLED)显示装置具有多个OLED单元，每个OLED单元包括有机发光层和位于有机发光层两侧的电极等结构，OLED显示装置依靠电极驱动有机发光层发光实现图像显示。在制造OLED显示装置的过程中，可以采用蒸镀装置制作电极和有机发光层等结构。
蒸镀装置包括蒸镀光罩以及设置在蒸镀光罩内的蒸镀源和精细金属掩膜板(英文：Fine Metal Mask；简称：FMM)，FMM具有沿FMM的厚度贯通的多个蒸镀孔，每个蒸镀孔由两个子蒸镀孔构成，每个子蒸镀孔的形状为喇叭形，每个子蒸镀孔具有第一开口和第二开口，第一开口的尺寸小于第二开口的尺寸，两个子蒸镀孔的第一开口重合，第二开口位于FMM的不同版面上。该FMM在制造时，通过两次构图工艺从金属母版的两个版面对金属母版进行处理，以在金属母版上形成两个子蒸镀孔层，每个子蒸镀孔层包括多个子蒸镀孔，两个子蒸镀孔层的子蒸镀孔一一对应连通形成多个蒸镀孔，从而得到FMM。其中，一次构图工艺包括光刻胶涂覆、曝光、显影、刻蚀和光刻胶剥离。
但是，通过两次构图工艺从金属母版的两个版面对金属母版进行处理的过程中，金属母版的两个版面的曝光位置难以精确对位，导致构成蒸镀孔的两个子蒸镀孔的第一开口无法重合，FMM的精度较低。
发明内容
本申请提供一种掩膜版及其制造方法、蒸镀装置、显示装置，可以解决FMM的精度较低的问题。本申请的技术方案如下：
第一方面，提供一种掩膜版的制造方法，所述方法包括：
在衬底基板上形成第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形由阵列排布的多个光刻胶结构构成，每个光刻胶结构的外部轮廓呈喇叭形，每个光刻胶结构具有远离所述衬底基板的第一表面和靠近所述衬底基板的第二表面，所述第一表面的尺寸小于所述第二表面的尺寸；
在形成有所述第一光刻胶图形的衬底基板上形成覆盖所述第一光刻胶图形的金属层，所述金属层具有凹陷区域和多个凸起区域，所述多个凸起区域与所述多个光刻胶结构一一对应，所述凹陷区域为所述金属层上除所述凸起区域之外的区域；
在所述金属层的凹陷区域中形成第二光刻胶图形，所述第二光刻胶图形在所述金属层上的正投影与所述凹陷区域重合；
去除所述金属层上未被所述第二光刻胶图形覆盖的区域、所述第二光刻胶图形、所述衬底基板和所述第一光刻胶图形，得到掩膜版，所述掩膜版具有多个蒸镀孔，每个蒸镀孔由形状为喇叭形的两个子蒸镀孔构成，每个子蒸镀孔具有第一开口和第二开口，所述第一开口的尺寸小于所述第二开口的尺寸，每个蒸镀孔的两个子蒸镀孔的第一开口重合，第二开口位于所述掩膜版的不同版面上。
可选地，所述在形成有所述金属层的衬底基板上形成第二光刻胶图形，包括：通过喷墨打印工艺或涂覆工艺在形成有所述金属层的衬底基板上形成第二光刻胶图形。
可选地，在形成有所述第一光刻胶图形的衬底基板上形成覆盖所述第一光刻胶图形的金属层之前，所述方法还包括：在形成有所述第一光刻胶图形的衬底基板上形成覆盖所述第一光刻胶图形的导电粘附层；
所述在形成有所述第一光刻胶图形的衬底基板上形成覆盖所述第一光刻胶图形的金属层，包括：通过电铸工艺在形成有所述导电粘附层的衬底基板形成覆盖所述导电粘附层的金属层；
在所述金属层的凹陷区域中形成第二光刻胶图形之后，所述方法还包括：去除所述导电粘附层。
可选地，构成每个蒸镀孔的两个子蒸镀孔为第一子蒸镀孔和第二子蒸镀孔，所述去除所述金属层上未被所述第二光刻胶图形覆盖的区域、所述第二光刻胶图形、所述衬底基板和所述第一光刻胶图形，包括：
通过湿法刻蚀工艺去除所述金属层上未被所述第二光刻胶图形覆盖的区域，以在所述金属层上形成第一子蒸镀孔层，所述第一子蒸镀孔层包括与所述多个光刻胶结构一一对应的多个第一子蒸镀孔；
通过光刻胶剥离工艺去除所述第二光刻胶图形；
剥离所述衬底基板；
通过光刻胶剥离工艺去除所述第一光刻胶图形，以在所述金属层上形成第二子蒸镀孔层，所述第二子蒸镀孔层包括与所述多个光刻胶结构一一对应的多个第二子蒸镀孔。
可选地，所述去除所述导电粘附层，包括：
在去除所述金属层上未被所述第二光刻胶图形覆盖的区域之后，且去除所述第二光刻胶图形之前，通过湿法刻蚀工艺去除所述导电粘附层上未被所述金属层覆盖的区域；
在去除所述第一光刻胶图形之后，通过湿法刻蚀工艺去除剩余的导电粘附层。
可选地，所述导电粘附层的形成材料为金属银和金属钼中的至少一种。
可选地，所述金属层的厚度的取值范围为5微米～50微米，所述第一光刻胶图形的厚度与所述金属层的厚度的比值的取值范围为1/3～2/3。
可选地，所述第一光刻胶图形的形成材料为SU8光刻胶。
第二方面，提供一种采用第一方面或第一方面的任一可选方式提供的方法制造的掩膜版，所述掩膜版具有多个蒸镀孔，每个蒸镀孔由形状为喇叭形的两个子蒸镀孔构成，每个子蒸镀孔具有第一开口和第二开口，所述第一开口的尺寸小于所述第二开口的尺寸，每个蒸镀孔的两个子蒸镀孔的第一开口重合，第二开口位于所述掩膜版的不同版面上。
第三方面，提供一种蒸镀装置，所述蒸镀装置包括蒸镀光罩、蒸镀源和第二方面所述的掩膜版，所述蒸镀源和所述掩膜版分别设置在所述蒸镀光罩内。
第四方面，提供一种显示装置，所述显示装置包括采用第二方面所述的掩膜版形成的图形。
本申请提供的技术方案带来的有益效果是：
本申请实施例提供的掩膜版及其制造方法、蒸镀装置、显示装置，由于在制造掩膜版的过程中，第二光刻胶图形是利用金属层上的凹陷区域形成的，第二光刻胶图形与第一光刻胶图形具有自对位效果，从而基于第一光刻胶图形形成的子蒸镀孔与基于第二光刻胶图形形成的子蒸镀孔可以精确对位，构成蒸镀孔的两个子蒸镀孔的对位精度较高，因此可以解决由于对位精度较低导致的掩膜版的精度较低的问题，提高掩膜版的精度。
应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性的，并不能限制本申请。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的一种掩膜版的制造方法的方法流程图；
图2是本申请实施例提供的另一种掩膜版的制造方法的方法流程图；
图3是本申请实施例提供的在衬底基板上形成第一光刻胶图形后的示意图；
图4是本申请实施例提供的在形成有第一光刻胶图形的衬底基板上形成导电粘附层后的示意图；
图5是本申请实施例提供的在形成有导电粘附层的衬底基板上形成金属层后的示意图；
图6是本申请实施例提供的在凹陷区域中形成第二光刻胶图形后的示意图；
图7是本申请实施例提供的去除金属层上未被第二光刻胶图形覆盖的区域、第二光刻胶图形、衬底基板、第一光刻胶图形和导电粘附层的方法流程图；
图8是本申请实施例提供的去除金属层上未被第二光刻胶图形覆盖的区域后的示意图；
图9是本申请实施例提供的去除导电粘附层上未被金属层覆盖的区域后的示意图；
图10是本申请实施例提供的去除第二光刻胶图形后的示意图；
图11是本申请实施例提供的剥离衬底基板后的示意图；
图12是本申请实施例提供的去除第一光刻胶图形后的示意图；
图13是本申请实施例提供的去除剩余的导电粘附层后的示意图。
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本申请的实施例，并与说明书一起用于解释本申请的原理。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
FMM是制造OLED显示基板的过程中使用到的掩膜版，FMM上单位英寸内所包含的蒸镀孔的数量可以认为是FMM的分辨率，FMM的分辨率直接影响OLED显示基板的分辨率。目前的FMM制造技术很难实现FMM的高分辨率，受制造工艺、蒸镀孔的尺寸以及蒸镀孔的形貌的限制，目前FMM的最高分辨率为500ppi(中文：每英寸所拥有的像素数量；英文：Pixels PerInch)。目前，制造FMM的方法包括刻蚀法、电铸法和激光打孔法，刻蚀法和电铸法为两种主流方法。
采用刻蚀法制造FMM的过程包括：首先提供一应力较低的金属母版，接着在该金属母版的两个版面上分别涂覆一层光刻胶(英文：Photo Resist；简称：PR)，然后采用双面曝光机对两层光刻胶进行曝光，使两层光刻胶均形成完全曝光区和非曝光区，两层光刻胶的完全曝光区对准，且两层光刻胶的非曝光区对准，之后对曝光后的两层光刻胶均进行显影，以去除完全曝光区的光刻胶，接着通过刻蚀工艺从金属母版的两个版面所在侧分别对该金属母版上未被光刻胶遮挡的区域进行刻蚀，以在该金属母版上形成蒸镀孔，最后剥离金属母版上的光刻胶即可得到FMM。
采用电铸法制造FMM的过程包括：首先提供一衬底基板，接着在该衬底基板的一面喷涂导电液以形成导电层，然后在导电层上涂覆一层光刻胶，之后对光刻胶依次进行曝光和显影得到光刻胶图形，光刻胶图形包括光刻胶保留区和光刻胶完全去除区，接着通过电铸工艺在光刻胶图形上形成电铸图形，最后去除衬底基板、导电层和光刻胶图形，保留的电铸图形即为FMM。
但是，在采用刻蚀法制造FMM的过程中，在进行双面曝光时，两层光刻胶的曝光位置容易发生相对偏移，导致两层光刻胶的曝光位置难以精确对位，进而导致最终制成的FMM的精度较低，此外，金属母版的价格昂贵，导致FMM的制造成本较高。采用电铸法制造FMM的蒸镀孔的形状通常为柱状，而FMM要求的蒸镀孔的形状通常为喇叭形，因此采用电铸法制造的FMM难以满足FMM的蒸镀要求。
本申请实施例提供的掩膜版及其制造方法、蒸镀装置、显示装置，在制造掩膜版的过程中，利用金属层上的凹陷区域形成第二光刻胶图形，第二光刻胶图形与位于金属层下方的第一光刻胶图形具有自对位效果，制成的掩膜版的精度较高，并且无需使用金属母版，该掩膜版的制造成本较低；此外可以形成喇叭形的子蒸镀孔，该掩膜版能够满足蒸镀要求。本申请的详细方案请参考下述各个实施例的描述。
请参考图1，其示出了本申请实施例提供的一种掩膜版的制造方法的方法流程图，参见图1，该方法可以包括如下步骤：
步骤101、在衬底基板上形成第一光刻胶图形，第一光刻胶图形由阵列排布的多个光刻胶结构构成，每个光刻胶结构的外部轮廓呈喇叭形，每个光刻胶结构具有远离衬底基板的第一表面和靠近衬底基板的第二表面，第一表面的尺寸小于第二表面的尺寸。
步骤102、在形成有第一光刻胶图形的衬底基板上形成覆盖第一光刻胶图形的金属层，金属层具有凹陷区域和多个凸起区域，多个凸起区域与多个光刻胶结构一一对应，凹陷区域为金属层上除凸起区域之外的区域。
步骤103、在金属层的凹陷区域中形成第二光刻胶图形，第二光刻胶图形在金属层上的正投影与金属层的凹陷区域重合。
步骤104、去除金属层上未被第二光刻胶图形覆盖的区域、第二光刻胶图形、衬底基板和第一光刻胶图形，得到掩膜版，掩膜版具有多个蒸镀孔，每个蒸镀孔由形状为喇叭形的两个子蒸镀孔构成，每个子蒸镀孔具有第一开口和第二开口，第一开口的尺寸小于第二开口的尺寸，每个蒸镀孔的两个子蒸镀孔的第一开口重合，第二开口位于掩膜版的不同版面上。
综上所述，本申请实施例提供的掩膜版的制造方法，由于在制造掩膜版的过程中，第二光刻胶图形是利用金属层上的凹陷区域形成的，第二光刻胶图形与第一光刻胶图形具有自对位效果，从而基于第一光刻胶图形形成的子蒸镀孔与基于第二光刻胶图形形成的子蒸镀孔可以精确对位，构成蒸镀孔的两个子蒸镀孔的对位精度较高，因此可以解决由于对位精度较低导致的掩膜版的精度较低的问题，提高掩膜版的精度。
可选地，步骤103包括：通过喷墨打印工艺或涂覆工艺在金属层的凹陷区域中形成第二光刻胶图形。
可选地，在步骤102之前，该方法还包括：在形成有第一光刻胶图形的衬底基板上形成覆盖第一光刻胶图形的导电粘附层；
相应的，步骤102包括：通过电铸工艺在形成有导电粘附层的衬底基板形成覆盖导电粘附层的金属层。
在步骤103之后，该方法还包括：去除导电粘附层。
可选地，构成每个蒸镀孔的两个子蒸镀孔为第一子蒸镀孔和第二子蒸镀孔，步骤104包括：
通过湿法刻蚀工艺去除金属层上未被第二光刻胶图形覆盖的区域，以在金属层上形成第一子蒸镀孔层，第一子蒸镀孔层包括与多个光刻胶结构一一对应的多个第一子蒸镀孔；
通过光刻胶剥离工艺去除第二光刻胶图形；
剥离衬底基板；
通过光刻胶剥离工艺去除第一光刻胶图形，以在金属层上形成第二子蒸镀孔层，第二子蒸镀孔层包括与多个光刻胶结构一一对应的多个第二子蒸镀孔。
可选地，去除导电粘附层，包括：
在去除金属层上未被第二光刻胶图形覆盖的区域之后，且去除第二光刻胶图形之前，通过湿法刻蚀工艺去除导电粘附层上未被金属层覆盖的区域；
在去除第一光刻胶图形之后，通过湿法刻蚀工艺去除剩余的导电粘附层。
可选地，导电粘附层的形成材料为金属银和金属钼中的至少一种。
可选地，金属层的厚度的取值范围为5微米～50微米，第一光刻胶图形的厚度与金属层的厚度的比值的取值范围为1/3～2/3。
可选地，第一光刻胶图形的形成材料为SU8光刻胶。
上述所有可选技术方案，可以采用任意结合形成本申请的可选实施例，在此不再一一赘述。
请参考图2，其示出了本申请实施例提供的另一种掩膜版的制造方法的方法流程图，参见图2，该方法可以包括如下步骤：
步骤201、在衬底基板上形成第一光刻胶图形，第一光刻胶图形由阵列排布的多个光刻胶结构构成，每个光刻胶结构的外部轮廓呈喇叭形，每个光刻胶结构具有远离衬底基板的第一表面和靠近衬底基板的第二表面，第一表面的尺寸小于第二表面的尺寸。
请参考图3，其示出了本申请实施例提供的一种在衬底基板01上形成第一光刻胶图形02后的示意图，该光刻胶图形02由阵列排布的多个光刻胶结构021(图3中仅示出4个)构成，每个光刻胶结构021的外部轮廓呈喇叭形，每个光刻胶结构021具有远离衬底基板01的第一表面(图3中未标出)和靠近衬底基板01的第二表面(图3中未标出)，第一表面的尺寸小于第二表面的尺寸。在本申请实施例中，每个光刻胶结构021的第二表面也即是该光刻胶结构021上与衬底基板01接触的表面，光刻胶结构021可以为棱台或圆台，根据光刻胶结构021的不同，第一表面和第二表面中的每个表面的尺寸可以是该表面的边长、周长或面积等，本申请实施例对此不做限定。
其中，衬底基板01可以是采用玻璃、石英或透明树脂等具有一定坚固性的材料制成的基板，例如衬底基板01为玻璃基板。第一光刻胶图形02的形成材料可以为正性光刻胶或负性光刻胶，例如，第一光刻胶图形02的形成材料为SU8光刻胶。第一光刻胶图形02的厚度可以根据需要制成的掩膜版的厚度确定，例如，第一光刻胶图形02的厚度可以是需要制成的掩膜版的厚度的1/3～2/3，其中，第一光刻胶图形02的厚度也可以认为是光刻胶结构021的高度。
可选地，可以通过涂覆工艺在衬底基板01上涂覆一层SU8光刻胶得到光刻胶层，然后对光刻胶层依次进行曝光和显影，得到如图3所示的光刻胶图形02。
步骤202、在形成有第一光刻胶图形的衬底基板上形成覆盖第一光刻胶图形的导电粘附层。
请参考图4，其示出了本申请实施例提供的一种在形成有第一光刻胶图形02的衬底基板01上形成导电粘附层03后的示意图，导电粘附层03具有凹陷区域(图4中未标出)和多个凸起区域(图4中未标出)，换句话来讲，导电粘附层03为岛状结构，多个凸起区域(图4中未标出)与多个光刻胶结构021一一对应，该凹陷区域为导电粘附层03上除凸起区域之外的区域。导电粘附层03的形成材料为金属银(Ag)和金属钼(Mo)中的至少一种，导电粘附层03的厚度可以为几十到几百纳米。
可选地，可以通过喷涂工艺在形成有第一光刻胶图形02的衬底基板01上喷涂一层金属Ag溶液并进行干燥处理得到导电粘附层03；或者，通过磁控溅射、热蒸发、等离子体增强化学气相沉积法(英文：Plasma Enhanced ChemicalVapor Deposition；简称：PECVD)等工艺在形成有第一光刻胶图形02的衬底基板01上沉积一层金属Mo作为导电粘附层03。当然，还可以通过其他工艺形成导电粘附层03，本申请实施例对此不做限定。
步骤203、通过电铸工艺在形成有导电粘附层的衬底基板形成覆盖导电粘附层的金属层，金属层具有凹陷区域和多个凸起区域，多个凸起区域与多个光刻胶结构一一对应，凹陷区域为金属层上除凸起区域之外的区域。
请参考图5，其示出了本申请实施例提供的一种在形成有导电粘附层03的衬底基板01上形成金属层04后的示意图，金属层04具有凹陷区域(图5中未标出)和多个凸起区域(图5中未标出)，换句话来讲，金属层04为岛状结构，多个凸起区域与多个光刻胶结构021一一对应，该凹陷区域为金属层04上除凸起区域之外的区域，凸起区域与凹陷区域的高度差可以为金属层04厚度的1/3～2/3，凸起区域与凹陷区域的高度差可以是凸起区域的上表面与凹陷区域的上表面之间的距离，凸起区域的上表面为凸起区域远离衬底基板01的表面，凹陷区域的上表面为凹陷区域远离衬底基板01的表面。其中，金属层04的形成材料为热膨胀系数非常小的金属，例如可以是因瓦合金(一种镍铁合金)、金属镍等。金属层04的厚度的取值范围可以为5微米～50微米，第一光刻胶图形02的厚度与金属层04的厚度的比值的取值范围为1/3～2/3。
可选地，可以将图4所示的基板放置在盛放有金属电铸液的电铸槽中，并向金属电铸液通电，在电流的作用下，金属电铸液中的金属离子向导电粘附层03移动，并在导电粘附层03的作用下还原成金属沉积在导电粘附层03上，当导电粘附层03上沉积的金属到达一定的厚度时，停止向金属电铸液通电，得到如图5所示的基板，其中，导电粘附层03上沉积的金属即为金属层04。
步骤204、在金属层的凹陷区域中形成第二光刻胶图形，第二光刻胶图形在金属层上的正投影与金属层的凹陷区域重合。
请参考图6，其示出了本申请实施例提供的一种在金属层04的凹陷区域中形成第二光刻胶图形05后的示意图，第二光刻胶图形05在金属层04上的正投影与金属层04的凹陷区域重合，也即是，第二光刻胶图形05与金属层04的凹陷区域完全重合。第二光刻胶图形05的形成材料可以为正性光刻胶或负性光刻胶。
可选地，可以通过喷墨打印(英文：Ink print)工艺或涂覆工艺在金属层04的凹陷区域中形成第二光刻胶图形05。例如，通过喷墨打印工艺在金属层04的凹陷区域中打印光刻胶得到第二光刻胶图形05，或者，通过涂覆工艺在金属层04的凹陷区域中涂覆光刻胶得到第二光刻胶图形05。
步骤205、去除金属层上未被第二光刻胶图形覆盖的区域、第二光刻胶图形、衬底基板、第一光刻胶图形和导电粘附层，得到掩膜版，掩膜版具有多个蒸镀孔，每个蒸镀孔由形状为喇叭形的两个子蒸镀孔构成，每个子蒸镀孔具有第一开口和第二开口，第一开口的尺寸小于第二开口的尺寸，每个蒸镀孔的两个子蒸镀孔的第一开口重合，第二开口位于掩膜版的不同版面上。
其中，构成每个蒸镀孔的两个子蒸镀孔为第一子蒸镀孔和第二子蒸镀孔，请参考图7，其示出了本申请实施例提供的一种去除金属层上未被第二光刻胶图形覆盖的区域、第二光刻胶图形、衬底基板、第一光刻胶图形和导电粘附层的方法流程图，参见图7，该方法包括：
子步骤2051、通过湿法刻蚀工艺去除金属层上未被第二光刻胶图形覆盖的区域，以在金属层上形成第一子蒸镀孔层，第一子蒸镀孔层包括与多个光刻胶结构一一对应的多个第一子蒸镀孔。
请参考图8，其示出了本申请实施例提供的一种通过湿法刻蚀工艺去除金属层04上未被第二光刻胶图形05覆盖的区域后的示意图，去除金属层04上未被第二光刻胶图形05覆盖的区域之后，金属层04上形成第一子蒸镀孔层(图8中未标出)，第一子蒸镀孔层包括与多个光刻胶结构021一一对应的多个第一子蒸镀孔K1，每个第一子蒸镀孔K1的形状为喇叭形，每个第一子蒸镀孔K1具有第一开口(图8中未标出)和第二开口(图8中未标出)，第一开口的尺寸小于第二开口的尺寸，第一开口位于金属层04内，第二开口位于金属层04的表面上。其中，每个第一子蒸镀孔K1在衬底基板01上的正投影可以与相应的光刻胶结构021在衬底基板01上的正投影重合。需要说明的是，在刻蚀的过程中，先接触到刻蚀介质(例如刻蚀液)的部位先被刻蚀，因此通过湿法刻蚀工艺去除金属层04上未被第二光刻胶图形05覆盖的区域之后，形成的第一子蒸镀孔K1的形状为喇叭形。
步骤2052、通过湿法刻蚀工艺去除导电粘附层上未被所述金属层覆盖的区域。
请参考图9，其示出了本申请实施例提供的一种通过湿法刻蚀工艺去除导电粘附层03上未被金属层04覆盖的区域后的示意图，导电粘附层03上未被金属层04覆盖的区域也可以认为是光刻胶结构021在导电粘附层03上的对应区域。
步骤2053、通过光刻胶剥离工艺去除第二光刻胶图形。
请参考图10，其示出了本申请实施例提供的一种通过光刻胶剥离工艺去除第二光刻胶图形05后的示意图，光刻胶剥离工艺可以为灰化工艺、显影工艺、干法刻蚀工艺等任何能够去除光刻胶的工艺。
子步骤2054、剥离衬底基板。剥离衬底基板01后的示意图可以参考图11。
子步骤2055、通过光刻胶剥离工艺去除第一光刻胶图形，以在金属层上形成第二子蒸镀孔层，第二子蒸镀孔层包括与多个光刻胶结构一一对应的多个第二子蒸镀孔。
请参考图12，其示出了本申请实施例提供的一种通过光刻胶剥离工艺去除第一光刻胶图形02后的示意图，去除第一光刻胶图形02之后，金属层04上形成第二子蒸镀孔层(图12中未标出)，第二子蒸镀孔层包括与多个光刻胶结构021一一对应的多个第二子蒸镀孔K2。其中，光刻胶剥离工艺可以为灰化工艺、显影工艺、干法刻蚀工艺等任何能够去除光刻胶的工艺。
子步骤2056、通过湿法刻蚀工艺去除剩余的导电粘附层。
请参考图13，其示出了本申请实施例提供的一种通过湿法刻蚀工艺去除剩余的导电粘附层03后的示意图。需要说明的是，子步骤2055中形成的第二子蒸镀孔K2可以为初始子蒸镀孔，在去除剩余的导电粘附层03后，初始子蒸镀孔扩大得到最终的第二子蒸镀孔K2，从而得到图13所示的掩膜版。
参见图13，每个第二子蒸镀孔K2的形状为喇叭形，每个第二子蒸镀孔K2具有第一开口(图13中未标出)和第二开口(图13中未标出)，第一开口的尺寸小于第二开口的尺寸，第一开口位于金属层04内，第二开口位于金属层04的表面上。多个第一子蒸镀孔K1与多个第二子蒸镀孔K2一一对应连通构成多个蒸镀孔(图13中未标出)，构成每个蒸镀孔的第一子蒸镀孔K1的第一开口与构成该蒸镀孔的第二子蒸镀孔K2的第一开口重合。在本申请实施例中，每个蒸镀孔的横截面的形状可以为圆形或多边形，每个蒸镀孔的横截面与该蒸镀孔的轴线垂直，或者，每个蒸镀孔的横截面与掩膜版的版面平行。
需要说明的是，在本文中，膜层的厚度指的是该膜层在垂直于衬底基板的板面的方向上的尺寸，例如，第一光刻胶图形02的厚度为第一光刻胶图形02在垂直于衬底基板01的板面的方向上的尺寸，导电粘附层03的厚度为导电粘附层03在垂直于衬底基板01的板面的方向上的尺寸，其他膜层的厚度与此同理，本申请实施例在此不再赘述。
还需要说明的是，本申请实施例提供的掩膜版的制造方法步骤的先后顺序可以进行适当调整，步骤也可以根据情况进行相应增减，例如，上述子步骤2051和子步骤2052可以单独执行，也可以实施成为一个步骤，上述子步骤2053和子步骤2054的顺序可以调换，上述子步骤2053和子步骤2055可以按照任意的先后顺序执行或者同时执行，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化的方法，都应涵盖在本申请的保护范围之内，因此不再赘述。
综上所述，本申请实施例提供的掩膜版的制造方法，由于在制造掩膜版的过程中，第二光刻胶图形是利用金属层上的凹陷区域形成的，第二光刻胶图形与第一光刻胶图形具有自对位效果，从而基于第一光刻胶图形形成的子蒸镀孔与基于第二光刻胶图形形成的子蒸镀孔可以精确对位，构成蒸镀孔的两个子蒸镀孔的对位精度较高，因此可以解决由于对位精度较低导致的掩膜版的精度较低的问题，提高掩膜版的精度。本申请实施例提供的掩膜版的制造方法依靠金属层制成掩膜版，无需使用金属母版，可以降低掩膜版的制造成本。此外，掩膜版的主体(也即是用于形成掩膜版的金属层)是通过电铸工艺形成的，这使得最终形成的掩膜版的表面粗糙度低、应力小且硬度比金属母版增加30％，使用寿命较长。
本申请实施例还提供了一种采用图1或图2所示实施例提供的方法制造的掩膜版，该掩膜版可以为FMM，其结构可以如图13所示，参见图13，该掩膜版具有多个蒸镀孔，每个蒸镀孔由形状为喇叭形的两个子蒸镀孔构成，每个子蒸镀孔具有第一开口和第二开口，第一开口的尺寸小于第二开口的尺寸，每个蒸镀孔的两个子蒸镀孔的第一开口重合，第二开口位于所述掩膜版的不同版面上。其中，构成每个蒸镀孔的两个子蒸镀孔可以为图13中的第一子蒸镀孔K1和第二子蒸镀孔K2。
本申请实施例还提供了一种蒸镀装置，该蒸镀装置包括蒸镀光罩、蒸镀源和图13所示的掩膜版，蒸镀源和掩膜版分别设置在蒸镀光罩内。当然，蒸镀装置还可以包括其他结构，本申请实施例在此不再赘述。
本申请实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括采用图13所示的掩膜版形成的图形，该图形可以为电极图形或发光层图形等，本申请实施例对此不做限定。可选地，该显示装置可以为液晶面板、OLED面板、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述仅为本申请的可选实施例，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种掩膜版的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底基板上形成第一光刻胶图形，所述第一光刻胶图形由阵列排布的多个光刻胶结构构成，每个光刻胶结构的外部轮廓呈喇叭形，每个光刻胶结构具有远离所述衬底基板的第一表面和靠近所述衬底基板的第二表面，所述第一表面的尺寸小于所述第二表面的尺寸；
在形成有所述第一光刻胶图形的衬底基板上形成覆盖所述第一光刻胶图形的金属层，所述金属层具有凹陷区域和多个凸起区域，所述多个凸起区域与所述多个光刻胶结构一一对应，所述凹陷区域为所述金属层上除所述凸起区域之外的区域；
在所述金属层的凹陷区域中形成第二光刻胶图形，所述第二光刻胶图形在所述金属层上的正投影与所述凹陷区域重合；
去除所述金属层上未被所述第二光刻胶图形覆盖的区域、所述第二光刻胶图形、所述衬底基板和所述第一光刻胶图形，得到掩膜版，所述掩膜版具有多个蒸镀孔，每个蒸镀孔由形状为喇叭形的两个子蒸镀孔构成，每个子蒸镀孔具有第一开口和第二开口，所述第一开口的尺寸小于所述第二开口的尺寸，每个蒸镀孔的两个子蒸镀孔的第一开口重合，第二开口位于所述掩膜版的不同版面上。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述金属层的凹陷区域中形成第二光刻胶图形，包括：通过喷墨打印工艺或涂覆工艺在所述金属层的凹陷区域中形成第二光刻胶图形。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，
在形成有所述第一光刻胶图形的衬底基板上形成覆盖所述第一光刻胶图形的金属层之前，所述方法还包括：在形成有所述第一光刻胶图形的衬底基板上形成覆盖所述第一光刻胶图形的导电粘附层；
所述在形成有所述第一光刻胶图形的衬底基板上形成覆盖所述第一光刻胶图形的金属层，包括：通过电铸工艺在形成有所述导电粘附层的衬底基板形成覆盖所述导电粘附层的金属层；
在所述金属层的凹陷区域中形成第二光刻胶图形之后，所述方法还包括：去除所述导电粘附层。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，构成每个蒸镀孔的两个子蒸镀孔为第一子蒸镀孔和第二子蒸镀孔，
所述去除所述金属层上未被所述第二光刻胶图形覆盖的区域、所述第二光刻胶图形、所述衬底基板和所述第一光刻胶图形，包括：
通过湿法刻蚀工艺去除所述金属层上未被所述第二光刻胶图形覆盖的区域，以在所述金属层上形成第一子蒸镀孔层，所述第一子蒸镀孔层包括与所述多个光刻胶结构一一对应的多个第一子蒸镀孔；
通过光刻胶剥离工艺去除所述第二光刻胶图形；
剥离所述衬底基板；
通过光刻胶剥离工艺去除所述第一光刻胶图形，以在所述金属层上形成第二子蒸镀孔层，所述第二子蒸镀孔层包括与所述多个光刻胶结构一一对应的多个第二子蒸镀孔。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述去除所述导电粘附层，包括：
在去除所述金属层上未被所述第二光刻胶图形覆盖的区域之后，且去除所述第二光刻胶图形之前，通过湿法刻蚀工艺去除所述导电粘附层上未被所述金属层覆盖的区域；
在去除所述第一光刻胶图形之后，通过湿法刻蚀工艺去除剩余的导电粘附层。
6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述导电粘附层的形成材料为金属银和金属钼中的至少一种。
7.根据权利要求1至6任一项所述的方法，其特征在于，所述金属层的厚度的取值范围为5微米～50微米，所述第一光刻胶图形的厚度与所述金属层的厚度的比值的取值范围为1/3～2/3。
8.一种采用权利要求1至7任一项所述的方法制造的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版具有多个蒸镀孔，每个蒸镀孔由形状为喇叭形的两个子蒸镀孔构成，每个子蒸镀孔具有第一开口和第二开口，所述第一开口的尺寸小于所述第二开口的尺寸，每个蒸镀孔的两个子蒸镀孔的第一开口重合，第二开口位于所述掩膜版的不同版面上。
9.一种蒸镀装置，其特征在于，所述蒸镀装置包括蒸镀光罩、蒸镀源和权利要求8所述的掩膜版，所述蒸镀源和所述掩膜版分别设置在所述蒸镀光罩内。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括采用权利要求8所述的掩膜版形成的图形。
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