CN109509780B - 一种显示面板及其制备方法、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及显示技术领域，公开一种显示面板及其制备方法、显示装置。其中，显示面板的制备方法，包括以下步骤：在衬底上制备色阻层，所述色阻层包括膜层部和开口部；在所述色阻层上制备透明光刻胶层，所述透明光刻胶层包括与所述膜层部对应第一部和与所述开口部对应的第二部，所述第一部和所述第二部的表面不在同一平面内；对所述透明光刻胶层进行处理，使所述第一部和所述第二部的表面处于同一平面内，以使处理后的所述透明光刻胶层作为平坦层。上述显示面板的制备方法，可以提高显示面板的产品良率和显示效果，并且，显示面板制备过程比较简单。

Description

一种显示面板及其制备方法、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种显示面板及其制备方法、显示装置。
背景技术
常规采用COA工艺制备的OLED装置，主要包括以下步骤：在制作好TFT的钝化层的阵列基板上进行RGB彩膜的构图工艺，形成RGBW四个子像素；在此基础上涂覆一层有机绝缘膜作为平坦层，经一次构图工艺，在平坦层开孔露出钝化层；在开孔处的钝化层上进行一次刻蚀工艺，形成过孔(VIA)；后续工艺在此基础上继续制作像素电极。其间，所存在的问题是：由于受透过率损失的限制以及设备涂胶总量的限制，有机平坦层不能太厚，如此便会影响其平坦化能力，导致不设有滤光膜的子像素(如W子像素)处的平坦层凹陷，平坦层表面平坦度不一，影响产品良率及显示效果；尤其对于喷墨打印OLED而言，该问题带来的影响最严重，由于表面不平，打印的墨水容易跨越子像素间的间隔(Bank)，发生溢流，污染相邻子像素，造成显示串扰，严重影响显示效果。
发明内容
本发明公开了一种显示面板及其制备方法、显示装置，目的是提供一种简单的显示面板制备方法、以改善由于彩膜层的开口导致的产品不良。
为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：
一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：
在衬底上制备色阻层，所述色阻层包括膜层部和开口部；
在所述色阻层上制备透明光刻胶层，所述透明光刻胶层包括与所述膜层部对应第一部和与所述开口部对应的第二部，所述第一部和所述第二部的表面不在同一平面内；
对所述透明光刻胶层进行处理，使所述第一部和所述第二部的表面处于同一平面内，以使处理后的所述透明光刻胶层作为平坦层。
上述显示面板的制备方法，在色阻层上方形成了透明光刻胶层，通过处理使该透明光刻胶层表面平坦，并保留该透明光刻胶层作为平坦层，从而可以在色阻层上方形成平坦的表面，进而一方面可以提高出光均匀性，另一方面可以提高色阻层上方器件(如OLED器件)的制作良率，从而提高显示面板的产品良率和显示效果。并且，由于光刻胶层的处理方法简单，通过光刻工艺可以直接形成各种图形或表面，用于替代平坦层还能够减少涂覆和剥离的步骤，因此，该显示面板的制备过程比较简单。
可选的，在所述色阻层上制备透明光刻胶层，具体包括：采用负性光刻胶，在所述色阻层上制备透明光刻胶层；
对所述透明光刻胶层进行处理，具体包括：
采用第一掩膜板对所述透明光刻胶层进行曝光，所述第一掩膜板包括半曝光区域和全曝光区域，所述半曝光区域与所述第一部对应，所述全曝光区域与所述第二部对应；
对所述透明光刻胶层进行显影，去除部分所述第一部，以使剩余第一部的表面和所述第二部的表面处于同一平面内。
可选的，在所述色阻层上制备透明光刻胶层，具体包括：采用正性光刻胶，在所述色阻层上制备透明光刻胶层；
对所述透明光刻胶层进行处理，包括：
采用第二掩膜板对所述透明光刻胶层进行曝光，所述第二掩膜板包括半曝光区域和遮光区域，所述半曝光区域与所述第一部对应，所述遮光区域与所述第二部对应；
对所述透明光刻胶层进行显影，去除部分所述第一部，以使剩余第一部的表面和所述第二部的表面处于同一平面内。
可选的，在衬底上制备色阻层之前，还包括：在衬底上制备薄膜晶体管器件，所述薄膜晶体管器件包括漏极和位于所述漏极上的钝化层；
对所述透明光刻胶层进行曝光和显影的同时，还包括：
使所述透明光刻胶层形成与所述薄膜晶体管器件的漏极对应的第一过孔；
对所述透明光刻胶层进行曝光和显影之后，还包括：
透过所述第一过孔对所述薄膜晶体管器件的钝化层进行刻蚀，以露出所述薄膜晶体管器件的漏极；
在所述透明光刻胶层上制备像素电极，所述像素电极通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管器件的漏极连接。
可选的，对所述透明光刻胶层进行处理，包括：
在所述透明光刻胶层上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层被配置为在常温下的粘度小于4.0cP，以形成平坦的表面；
采用灰化工艺去除所述第一光刻胶层和所述透明光刻胶层的部分第一部，以使剩余第一部的表面与所述第二部的表面处于同一平面内。
可选的，在衬底上制备色阻层之前，还包括：在衬底上制备薄膜晶体管器件，所述薄膜晶体管器件包括漏极和位于所述漏极上的钝化层；
对所述透明光刻胶层进行处理之后，还包括：
在所述透明光刻胶层形成第二过孔，所述第二过孔与所述薄膜晶体管器件的漏极对应；
透过所述第二过孔对所述薄膜晶体管器件的钝化层进行刻蚀，以露出所述薄膜晶体管器件的漏极；
在所述透明光刻胶层上制备像素电极，所述像素电极通过所述第二过孔与所述薄膜晶体管器件的漏极连接。
可选的，在衬底上制备色阻层之前，还包括：在衬底上制备薄膜晶体管器件，所述薄膜晶体管器件包括漏极和位于所述漏极上的钝化层；
对所述透明光刻胶层进行处理，包括：
在所述透明光刻胶层形成第三过孔，所述第三过孔与所述薄膜晶体管器件的漏极对应；
对所述透明光刻胶层进行处理之后，还包括：
在所述透明光刻胶层上制备第二光刻胶层，并在所述第二光刻胶层中形成第四过孔，所述第四过孔与所述第三过孔为套孔；
透过所述第四过孔对所述薄膜晶体管器件的钝化层进行刻蚀，以露出所述薄膜晶体管器件的漏极；
采用灰化工艺去除所述第二光刻胶层；
在所述透明光刻胶层上制备像素电极，所述像素电极通过所述第三过孔与所述薄膜晶体管器件的漏极连接。
一种采用上述任一项方法制备的显示面板，包括：
衬底；
色阻层，位于所述衬底上，包括膜层部和开口部，所述膜层部包括滤光膜和遮光膜，所述开口部与至少一种子像素相对应；
透明光刻胶层，设置于所述色阻层背离所述衬底的一侧，包括与所述膜层部对应的第一部和与所述开口部对应的第二部，所述第一部和所述第二部的表面处于同一平面内，所述透明光刻胶层作为平坦层。
可选的，所述显示面板还包括：
薄膜晶体管器件，位于所述衬底和所述色阻层之间；
像素电极，位于所述透明光刻胶层背离所述色阻层的一侧；
所述透明光刻胶层具有过孔，所述薄膜晶体管器件的漏极和所述像素电极之间通过所述过孔连接。
一种显示装置，包括上述任一技术方案所述的显示面板。
附图说明
图1为本发明实施例提供的一种显示面板在衬底上形成色阻层后的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种显示面板在衬底上形成透明光刻胶层后的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的一种显示面板在衬底上形成第一光刻胶层后的结构示意图；
图4为本发明实施例提供的一种显示面板在经过处理后使透明光刻胶层的第一部和第二部表面处于同一平面后的部分结构示意图；
图5为本发明实施例提供的一种显示面板在透明光刻胶层上形成过孔的结构示意图；
图6为对图5所示的显示面板的对钝化层进行刻蚀后的结构示意图；
图7为在图6所示的显示面板的透明光刻胶层上形成像素电极后的结构示意图；
图8为在图5所示的显示面板的透明光刻胶层上形成第一光刻胶层或者第二光刻胶层后的结构示意图；
图9为对图8所示的显示面板的钝化层进行刻蚀后的结构示意图；
图10为通过灰化去除图9所示的显示面板中的第一光刻胶层或者第二光刻胶层后的结构示意图；
图11为在图10所示的显示面板的透明光刻胶层上形成像素电极后的结构示意图；
图12为本发明实施例提供的一种显示面板的部分结构示意图；
图13为本发明实施例提供的一种显示面板的制备方法流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图13所示，本发明实施例提供了一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：
步骤101，如图1所示，在衬底1上制备色阻层，色阻层包括膜层部21和开口部22；
步骤102，如图2所示，在色阻层上制备透明光刻胶层3，透明光刻胶层3包括与膜层部21对应第一部A和与开口部22对应的第二部B，第一部A和第二部B的表面不在同一平面内；
步骤103，如图4所示，对透明光刻胶层3进行处理，使第一部A和第二部B的表面处于同一平面内，以使处理后的透明光刻胶层3作为平坦层。
上述显示面板的制备方法，在色阻层上方形成了透明光刻胶层3，通过处理使该透明光刻胶层3表面平坦，并保留该透明光刻胶层3作为平坦层，从而可以在色阻层上方形成平坦的表面，进而一方面可以提高出光均匀性，另一方面可以提高色阻层上方器件(如OLED器件)的制作良率，从而提高显示面板的产品良率和显示效果。并且，由于光刻胶层的处理方法简单，通过光刻工艺可以直接形成各种图形或表面，用于替代平坦层还能够减少涂覆和剥离的步骤，因此，该显示面板的制备过程比较简单。
一种具体的实施例中，步骤101，具体可以包括：如图1所示，在衬底1上进行黑矩阵以及红、绿、蓝中至少一种子像素滤光膜的制作，以形成膜层部21，相应的，未制作滤光膜的子像素部分即为开口部22，膜层部21可通过光刻工艺制作，优选地，光阻胶为亚克力系光阻，曝光采用g和h线，剂量为20mJ/cm2～100mJ/cm2，显影液采用0.03％KOH水溶液，显影时间50s～150s；固化工艺采用230℃温度，最后形成的膜层部21厚度可以为2.0μm～3.0μm。
一种具体的实施例中，步骤103，对透明光刻胶层3进行处理，如图2和图4所示，具体可以为采用半色调掩膜板对透明光刻胶层3进行曝光和显影，以使透明光刻胶层3的第一部A和第二部B的表面处于同一平面内。
一种可选的实施例，步骤101，具体可以为：采用负性光刻胶，在色阻层上制备透明光刻胶层3；步骤103，对透明光刻胶层3进行处理，具体包括：
步骤201，采用第一掩膜板对透明光刻胶层3进行曝光，第一掩膜板包括半曝光区域和全曝光区域，半曝光区域与第一部A对应，全曝光区域与第二部B对应；
步骤202，对透明光刻胶层3进行显影，去除部分第一部A，以使剩余第一部A的表面和第二部B的表面处于同一平面内。
可选的，光刻胶选用亚克力负性胶，曝光采用g和h线，剂量为20mJ/cm2～100mJ/cm2，显影液采用2.38％TMAH水溶液，显影时间50s～150s；固化工艺采用230℃温度，最终形成的透明光刻胶层即平坦层的膜厚可以2μm～4μm。
另一种可选的实施例，步骤101，可以为：采用正性光刻胶，在色阻层上制备透明光刻胶层3；步骤103，对透明光刻胶层3进行处理，具体包括：
步骤301，采用第二掩膜板对透明光刻胶层3进行曝光，第二掩膜板包括半曝光区域和遮光区域，半曝光区域与第一部A对应，遮光区域与第二部B对应；
步骤302，对透明光刻胶层3进行显影，去除部分第一部A，以使剩余第一部A的表面和第二部B的表面处于同一平面内。
一种具体的实施例中，在步骤101之前，即在衬底1上制备色阻层之前，还可以包括：
在衬底1上制备薄膜晶体管(TFT)器件，薄膜晶体管器件包括漏极4和位于漏极4上的钝化层5；即色阻层是制作于阵列基板上的，该方法形成的显示面板为COA工艺制程的OLED面板。
此时，在上述实施例的基础上，进一步的，步骤103中，对透明光刻胶层3进行曝光和显影的同时，还可以包括：
如图5所示，使透明光刻胶层3形成与薄膜晶体管器件的漏极4对应的第一过孔31；具体的，第一掩膜板包括遮光区域，采用第一掩膜板进行曝光和显影后，透明光刻胶层3与遮光区域对应的位置即可以形成第一过孔31，或者，第二掩膜板包括全曝光区域，采用第二掩膜板进行曝光和显影后，透明光刻胶层3与全曝光区域对应的位置即可以形成第一过孔31。
进一步的，步骤103之后，还包括：
如图6所示，透过第一过孔31对薄膜晶体管器件的钝化层5进行刻蚀，以露出薄膜晶体管器件的漏极4；可选的，可在CF4氛围下对钝化层5进行干刻，以形成信号过孔51，从而暴露漏极4。
如图7所示，在透明光刻胶层3上制备像素电极6，像素电极6通过第一过孔31和信号过孔51与薄膜晶体管器件的漏极4连接。
另一种具体的实施例中，步骤103，对透明光刻胶层3进行处理，具体可以包括：
步骤401，如图3所示，在透明光刻胶层3上形成第一光刻胶层71，第一光刻胶层71被配置为在常温下的粘度小于4.0cP，即流动性较好，进而第一光刻胶层71可以形成平坦的表面；
步骤402，采用灰化工艺去除第一光刻胶层71和透明光刻胶层3的部分第一部A，以使剩余第一部A的表面与第二部B的表面处于同一平面内，如图4所示。可选的，具体可采用氧气气氛等离子体轰击的灰化工艺，使去除的光刻胶厚度相同，进而，剩余的透明光刻胶层3的表面即处于同一平面内。
进一步的，步骤103之后，即，使透明光刻胶层3的表面平坦之后，还可以包括以下步骤：
如图5所示，在透明光刻胶层3上形成第二过孔31，第二过孔31与薄膜晶体管器件的漏极4对应；
如图6所示，透过第二过孔31对薄膜晶体管器件的钝化层5进行刻蚀，以形成信号过孔51，并露出薄膜晶体管器件的漏极4；
如图7所示，在透明光刻胶层3上制备像素电极6，像素电极6通过第二过孔31和信号过孔51与薄膜晶体管器件的漏极4连接。
或者，也可以是在步骤401之前，通过曝光和显影在透明光刻胶层3上形成第三过孔31，如图5所示；然后在步骤401之后，如图8所示，通过曝光和显影在第一光刻胶层71上形成第四过孔70，第三过孔31和第四过孔70为套孔；然后，如图9所示，对钝化层5进行刻蚀以露出薄膜晶体管器件的漏极4；最后采用灰化工艺去除第一光刻胶层71，如图10所示。通过此方法所形成的信号过孔51，其半径比透明光刻胶层3上第三过孔31的半径小，进而，像素电极6与漏极4之间的连接部61可以在透明光刻胶层3和钝化层5上形成阶梯式沉积，如图11所示，进而不易发生断裂，良率较高。
另一种具体的实施例中，步骤103，即对透明光刻胶层3进行处理的步骤可以包括：
如图5所示，在透明光刻胶层3上形成第三过孔31，第三过孔31与薄膜晶体管器件的漏极4对应；具体的，可以在采用半色调掩膜板对透明光刻胶层3进行曝光显影的过程中，同时形成第三过孔31；或者，可以是直接采用正常掩膜板对透明光刻胶层3进行曝光显影、以形成第三过孔31。
进一步的，步骤103之后，即，使透明光刻胶层3的表面平坦之后，还包括以下步骤：
如图8所示，在透明光刻胶层3上制备第二光刻胶层72，并在第二光刻胶层72中形成第四过孔70，第四过孔70与第三过孔31为套孔；例如，可以在采用半色调掩膜板对透明光刻胶层3进行曝光显影以形成平坦表面之后，在透明光刻胶层3上制备第二光刻胶层72，然后制备第四过孔70；或者，在灰化去掉第一光刻胶层71以形成平坦表面之后，在透明光刻胶层3上形成第二光刻胶层72并制备第四过孔70；
如图9所示，透过第四过孔70对薄膜晶体管器件的钝化层5进行刻蚀，以形成信号过孔51、并露出薄膜晶体管器件的漏极4；
如图10所示，通过灰化工艺去除第二光刻胶层72；
如图11所示，在透明光刻胶层3上制备像素电极6，像素电极6通过第三过孔31和信号过孔51与薄膜晶体管器件的漏极4连接。
通过此方法所形成的信号过孔51，其半径比透明光刻胶层3上的第三过孔31小，进而，像素电极6与漏极4之间的连接部61可以在透明光刻胶层3和钝化层5上形成阶梯式沉积，如图11所示，不易发生断裂，良率较高。
本发明实施例还提供一种显示面板，该显示面板采用上述任一实施例中的方法制备，如图4所示，该显示面板包括：
衬底1；
色阻层，位于衬底1上，包括膜层部21和开口部22，膜层部21包括滤光膜211和遮光膜212，开口部22与至少一种子像素相对应；
透明光刻胶层3，设置于色阻层背离衬底1的一侧，包括与膜层部21对应的第一部A和与开口部22对应的第二部B，第一部A和第二部B的表面处于同一平面内，该透明光刻胶层3作为平坦层。
进一步的，如图7和图11所示，该显示面板还可以包括：
薄膜晶体管器件，位于衬底1和色阻层之间，该‘之间’是指薄膜晶体管器件是在衬底1和色阻层之间制作形成的，实际上，薄膜晶体管器件所在位置的下方并没有色阻结构；
像素电极6，位于透明光刻胶层3背离色阻层的一侧；
透明光刻胶层3具有过孔31，薄膜晶体管器件的漏极4和像素电极6之间通过孔31连接。
进一步的，如图12所示，该显示面板还包括：
像素界定结构8，位于像素电极6背离透明光刻胶层3的一侧；
OLED发光器件9，位于像素界定结构8限定的像素区域内。
具体的，OLED发光器件9可以采用蒸镀技术和喷墨打印技术制备。
如图4所示，蒸镀工艺制备的显示面板一般采用WOLED(白光OLED)+RGB滤光膜211的方式，形成RGBW四个子像素；此时，膜层部21包括RGB三色滤光膜211和遮光膜212，开口部22为与白色子像素对应的部分。
如图12所示，对于喷墨打印OLED而言，理论上不需采用WOLED(白光OLED)+RGB滤光膜211的方式，可以通过直接打印发出红、绿、蓝色光的OLED材料以实现彩色化，但是由于受喷墨打印发光材料开发的限制，目前的发光材料还需搭配一层彩膜层，方可实现高色域显示，尤其是蓝光发光材料，考虑其寿命及色纯，还必须搭配一层蓝色滤光膜211，而绿色发光材料发展较为成熟，目前不需要搭配绿色滤光膜也可实现高色域显示，考虑生产成本，在制备彩膜层时，一般不设置绿色滤光膜211；此时，膜层部21包括RB滤光膜211和遮光膜212，开口部22包括与白色子像素和绿色子像素分别对应的部分。
另外，本发明实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括上述任一实施例中的显示面板。
显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
在衬底上制备色阻层，所述色阻层包括膜层部和开口部；
在所述色阻层上制备透明光刻胶层，所述透明光刻胶层包括与所述膜层部对应第一部和与所述开口部对应的第二部，所述第一部和所述第二部的表面不在同一平面内；
对所述透明光刻胶层进行处理，使所述第一部和所述第二部的表面处于同一平面内，以使处理后的所述透明光刻胶层作为平坦层；
在衬底上制备色阻层之前，还包括：在衬底上制备薄膜晶体管器件，所述薄膜晶体管器件包括漏极和位于所述漏极上的钝化层；
对所述透明光刻胶层进行处理，包括：
在所述透明光刻胶层形成第三过孔，所述第三过孔与所述薄膜晶体管器件的漏极对应；
对所述透明光刻胶层进行处理之后，还包括：
在所述透明光刻胶层上制备第二光刻胶层，并在所述第二光刻胶层中形成第四过孔，所述第四过孔与所述第三过孔为套孔；
透过所述第四过孔对所述薄膜晶体管器件的钝化层进行刻蚀，以露出所述薄膜晶体管器件的漏极；
采用灰化工艺去除所述第二光刻胶层；
在所述透明光刻胶层上制备像素电极，所述像素电极通过所述第三过孔与所述薄膜晶体管器件的漏极连接。
2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述色阻层上制备透明光刻胶层，具体包括：采用负性光刻胶，在所述色阻层上制备透明光刻胶层；
对所述透明光刻胶层进行处理，具体包括：
采用第一掩膜板对所述透明光刻胶层进行曝光，所述第一掩膜板包括半曝光区域和全曝光区域，所述半曝光区域与所述第一部对应，所述全曝光区域与所述第二部对应；
对所述透明光刻胶层进行显影，去除部分所述第一部，以使剩余第一部的表面和所述第二部的表面处于同一平面内。
3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述色阻层上制备透明光刻胶层，具体包括：采用正性光刻胶，在所述色阻层上制备透明光刻胶层；
对所述透明光刻胶层进行处理，包括：
采用第二掩膜板对所述透明光刻胶层进行曝光，所述第二掩膜板包括半曝光区域和遮光区域，所述半曝光区域与所述第一部对应，所述遮光区域与所述第二部对应；
对所述透明光刻胶层进行显影，去除部分所述第一部，以使剩余第一部的表面和所述第二部的表面处于同一平面内。
4.如权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，在衬底上制备色阻层之前，还包括：在衬底上制备薄膜晶体管器件，所述薄膜晶体管器件包括漏极和位于所述漏极上的钝化层；
对所述透明光刻胶层进行曝光和显影的同时，还包括：
使所述透明光刻胶层形成与所述薄膜晶体管器件的漏极对应的第一过孔；
对所述透明光刻胶层进行曝光和显影之后，还包括：
透过所述第一过孔对所述薄膜晶体管器件的钝化层进行刻蚀，以露出所述薄膜晶体管器件的漏极；
在所述透明光刻胶层上制备像素电极，所述像素电极通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管器件的漏极连接。
5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，对所述透明光刻胶层进行处理，包括：
在所述透明光刻胶层上形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层被配置为在常温下的粘度小于4.0cP，以形成平坦的表面；
采用灰化工艺去除所述第一光刻胶层和所述透明光刻胶层的部分第一部，以使剩余第一部的表面与所述第二部的表面处于同一平面内。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在衬底上制备色阻层之前，还包括：在衬底上制备薄膜晶体管器件，所述薄膜晶体管器件包括漏极和位于所述漏极上的钝化层；
对所述透明光刻胶层进行处理之后，还包括：
在所述透明光刻胶层形成第二过孔，所述第二过孔与所述薄膜晶体管器件的漏极对应；
透过所述第二过孔对所述薄膜晶体管器件的钝化层进行刻蚀，以露出所述薄膜晶体管器件的漏极；
在所述透明光刻胶层上制备像素电极，所述像素电极通过所述第二过孔与所述薄膜晶体管器件的漏极连接。
7.一种采用如权利要求1-6任一项所述方法制备的显示面板，其特征在于，包括：
衬底；
色阻层，位于所述衬底上，包括膜层部和开口部，所述膜层部包括滤光膜和遮光膜，所述开口部与至少一种子像素相对应；
透明光刻胶层，设置于所述色阻层背离所述衬底的一侧，包括与所述膜层部对应的第一部和与所述开口部对应的第二部，所述第一部和所述第二部的表面处于同一平面内，所述透明光刻胶层作为平坦层。
8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，还包括：
薄膜晶体管器件，位于所述衬底和所述色阻层之间；
像素电极，位于所述透明光刻胶层背离所述色阻层的一侧；
所述透明光刻胶层具有过孔，所述薄膜晶体管器件的漏极和所述像素电极之间通过所述过孔连接。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求7或8所述的显示面板。
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CN103456740B (zh) * 2013-08-22 2016-02-24 京东方科技集团股份有限公司 像素单元及其制造方法、阵列基板和显示装置
CN104678639A (zh) * 2014-12-30 2015-06-03 深圳市华星光电技术有限公司 一种彩色滤光片基板的制作方法
CN105742238A (zh) * 2016-03-02 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 孔结构和阵列基板及其制作方法、探测装置和显示装置
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