JP2014172316A - テンプレートの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明に係るナノインプリント用のテンプレートの製造方法は、テンプレートとなる第1の凹凸パターンが形成された第1の基体を準備する工程と、原子層堆積法(により前記第1の基体を覆うように導電層を形成する工程とを含み、さらにこのように製造されたテンプレートを第1のテンプレートとし、前記第1のテンプレートを用いてナノインプリント用のテンプレートを製造する方法であって、テンプレート形成用基材を準備する工程と、前記テンプレート形成用基材を覆うように第1の導電層を形成する工程と、前記第1のテンプレートを用いて前記テンプレート形成用基材にインプリントすることにより、第2の凹凸パターンが形成された第2の基体を作製する工程とを含む。
【選択図】 図1
Description
本発明の一実施形態に係るテンプレートの製造方法について、図2及び図3を参照して説明する。図2は、本発明の一実施形態に係るテンプレートの製造方法を説明する工程断面図である。
第1の凹凸パターン11が形成された第1の基体10を準備する。第1の基体10は、典型的には電子線リソグラフィにより第1の凹凸パターン11が形成されることにより構成される。第1の凹凸パターン11の形成は、電子線リソグラフィに限らず、EUV露光や液浸露光等のフォトリソグラフィや、インプリントリソグラフィにより行ってもよい。また、各種リソグラフィ技術と、側壁法や自己組織化法等を併用することもできる。
原子層堆積(Atomic Layer Deposition;ALD)法により、第1の基体10を覆うように導電層15を形成する。原子層堆積法は、2種類以上の反応物の前駆体ガスを交互に成膜対象の露出した表面に作用させ、原子レベルで反応物の堆積を行う方法であり、溝などの凹凸構造に対する被覆性に優れる。
本発明の一実施形態に係るテンプレートを用いたインプリント方法について、図3を参照して説明する。図3は、本発明の一実施形態に係るテンプレートを用いたインプリント方法を説明する工程断面図である。なお、以下では光インプリント法について説明するが、これに限らず熱インプリント法などにも適用可能である。
パターン形成用基材40aを準備する。パターン形成用基材の材料は、テンプレート100に用いることができる材料と略同様のものを用いることができる。パターン形成用基材40には予め構造体が形成されていてもよい。パターン形成用基材40aの厚みは、特に制限はなく、凹凸構造の形状、材料強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、100μm〜10mmの範囲で適宜選択することができる。また、パターン形成用基材40aの外形はテンプレート100と同じであってもよいし、異なっていてもよい。光インプリント法では、テンプレート100、パターン形成用基材40aの少なくとも一方が光透過性を有する。なお、必要に応じて、パターン形成用基材40aに1層以上のハードマスクが形成されていてもよい。
パターン形成用基材40aにインプリント材料Rを供給する。インプリント材料Rは、光硬化性樹脂である。インプリント材料の供給方法は、例えば、スピンコート法、インクジェット法などを用いることができる。図のようにインクジェット法によりインプリント材料Rを供給する場合には、パターン形成用基材40aにインプリント材料Rの1以上の液滴を形成する。
テンプレート100とパターン形成用基材40aを対向させ、テンプレート100とパターン形成用基材40aの間隔を小さくし、テンプレート100とインプリント材料Rとを接触させる。パターンの寸法やインプリント材料の特性にもよるが、毛管現象を利用してテンプレートの凹凸構造内にインプリント材料を充填してもよいし、テンプレート及びパターン形成用基材の少なくとも一方を他方に押圧してテンプレートの凹凸構造内にインプリント材料を充填してもよい。
パターン形成用基材40aとテンプレート100との間にインプリント材料Rを介在させた状態で、インプリント材料Rに紫外線を照射してインプリント材料Rに硬化させる。これによりインプリント材料Rを成形する。紫外線照射は、テンプレート100側及びパターン形成用基材40a側の少なくとも一方から行うとよい。
インプリント材料Rを硬化させた後、テンプレート100をインプリント材料Rから引離す離型を行う。これにより、パターン形成用基材40aに転写層50を形成することができる。上記のインプリントをステップアンドリピート方式でパターン形成用基材の複数の領域に対して実行し、多面付けされた転写層50を作製してもよい。形成された転写層50をもとに新たなレプリカテンプレート、半導体装置、磁気記録媒体などを製造することができる。
本発明の一実施形態に係るテンプレートの製造方法について、図4を参照して説明する。テンプレートの製造後に一定の時間が経過したり、また、製造後に実使用したりすると、テンプレートには異物が付着することがある。本発明の一実施形態に係るテンプレートの製造方法は、導電層を除去する工程と、導電層を除去した後、原子層堆積法により第1の基体を覆うように導電層を再形成する工程とを含む。図4は、本発明の一実施形態に係るテンプレートの製造方法を説明する工程断面図である。
本発明の一実施形態に係るテンプレートの製造方法は、上記実施形態に加えて、テンプレート100を第1のテンプレートとし、テンプレート形成用基材を準備する工程と、テンプレート形成用基材を覆うように第1の導電層を形成する工程と、第1のテンプレートを用いてテンプレート形成用基材にインプリントすることにより、第2の凹凸パターンが形成された第2の基体を作製する工程とを含む。このような態様について、図5〜図9を参照して説明する。
第2の基体となるテンプレート形成用基材40bを準備する。テンプレート形成用基材の材料は、テンプレート100に用いることができる材料と略同様であってもよい。テンプレート形成用基材40bは予め構造体が形成されていてもよい。テンプレート形成用基材40bの厚みは特に制限はなく、凹凸構造の形状、材料強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、100μm〜10mmの範囲で適宜選択することができる。また、テンプレート形成用基材40bの外形はテンプレート100と同じであってもよいし、異なっていてもよい。図では、テンプレート形成用基材40bは、メサ構造とザグリ構造の両方の構造を備えるものである。なお、メサ構造はエッチング等により形成でき、ザグリ構造は研磨等により形成することができる。光インプリント法では、テンプレート100、テンプレート形成用基材40の少なくとも一方が光透過性を有する。
テンプレート形成用基材40bにインプリント材料Rを供給する。インプリント材料Rは、光硬化性樹脂である。インプリント材料の供給方法は、例えば、スピンコート法、インクジェット法などを用いることができる。図のようにインクジェット法によりインプリント材料Rを供給する場合には、テンプレート形成用基材40bにインプリント材料Rの1以上の液滴を形成する。
テンプレート100とテンプレート形成用基材40bを対向させ、テンプレート100とテンプレート形成用基材40bの間隔を小さくし、テンプレート100とインプリント材料Rとを接触させる。パターンの寸法やインプリント材料の特性にもよるが、毛管現象を利用してテンプレートの凹凸構造内にインプリント材料を充填してもよいし、テンプレート及びテンプレート形成用基材の少なくとも一方を他方に押圧してテンプレートの凹凸構造内にインプリント材料を充填してもよい。
テンプレート形成用基材40bとテンプレート100との間にインプリント材料Rを介在させた状態で、紫外線を照射してインプリント材料Rに硬化させる。これによりインプリント材料Rを成形する。
インプリント材料Rを硬化させた後、テンプレート100をインプリント材料Rから引離す離型を行う。これにより、テンプレート形成用基材40bに転写層50を形成することができる。テンプレート100には導電層が形成されているので、離型によるテンプレートの帯電が防止される。また、テンプレート形成用基材40b側に第1の導電層25が形成されているので、離型による基材の帯電を防止できる。これによりテンプレート100及びテンプレート形成用基材40bに異物が付着することを防止することができる。
転写層50の全面にエッチングを行って転写層50の残膜部分を除去することにより、マスク51を作製する。これにより、転写層50の下の第1の導電層25の一部を露出させる。
マスク51をエッチングマスクとして第1の導電層25をエッチングしてパターニングする。これにより、第1の導電層25の下のテンプレート形成用基材40bのパターン形成面1aの一部を露出させる。
パターニングされた第1の導電層25をマスクとして、テンプレート形成用基材40bをエッチングして第2の凹凸パターン21を形成することより、第2の凹凸パターンが形成された第2の基体20が形成される。第2の凹凸パターン21は、通常、テンプレート100が持つ転写すべきパターンを反転した形状の凹凸構造となる。以上のようにして、第2の基体20の複数の外面に第1の導電層25が形成されたテンプレート200a(第2のテンプレート)を作製することができる。上記の転写に関する工程をステップアンドリピート方式でテンプレート形成用基材の複数の領域に対して実行し、パターンが多面付けされたテンプレート200aを作製してもよい。
パターニングされた第1の導電層25を、テンプレート形成用基材40bをエッチングするためのマスクとして利用するため、第2の凹凸パターン21の凹部内には第1の導電層25は存在していない。異物の種類や大きさ等にもよるが、第2の凹凸パターン21の凹部内には第1の導電層25が存在しないものであっても所期の効果を奏するが、より効果的に第2の基体20の帯電を抑制するには、第2の凹凸パターン21の凹部内にも導電材料を配置することが好ましい場合がある。そこで、第2の基体20を覆うように第2の導電層26を形成する。
S3=S2−2d3=(L0+2d1)―2d3 ・・・(式2)
したがって、導電層15の厚さd1と第2の導電層26の厚さd3とが略等しい場合には、S3=L0かつL3=S0となる。テンプレート200bにより転写できるパターンは、テンプレート100の第1の凹凸パターンと同等となり、導電材料を堆積することによるパターンの寸法変動は無視できることになる。なお、導電層15の厚さd1と第2の導電層26の厚さd3とが略等しいとは、厚さの差が2nm以下であることをいう。
Claims (9)
- ナノインプリント用のテンプレートの製造方法であって、
第1の凹凸パターンが形成された第1の基体を準備する工程と、
原子層堆積法により前記第1の基体を覆うように導電層を形成する工程とを含むテンプレートの製造方法。 - 請求項1に記載の方法により製造されたテンプレートを第1のテンプレートとし、前記第1のテンプレートを用いてナノインプリント用のテンプレートを製造する方法であって、
テンプレート形成用基材を準備する工程と、
前記テンプレート形成用基材を覆うように第1の導電層を形成する工程と、
前記第1のテンプレートを用いて前記テンプレート形成用基材にインプリントすることにより、第2の凹凸パターンが形成された第2の基体を作製する工程とを含むテンプレートの製造方法。 - 前記テンプレート形成用基材は、本体部と前記本体部から突出する凸構造部とを有し、
前記第2の凹凸パターンは、前記凸構造部に形成され、
前記第1の導電層は、前記本体部の表面と前記凸構造部の側面に形成されている、請求項2記載のテンプレートの製造方法。 - 前記テンプレート形成用基材は、前記第2の凹凸パターンが形成される側とは反対側に窪み部を有し、
前記第1の導電層は、前記窪み部の内壁に形成されている、請求項2又は3記載のテンプレートの製造方法。 - 原子層堆積法により前記第2の基体を覆うように第2の導電層を形成する工程を含む、請求項2乃至4のいずれか1項記載のテンプレートの製造方法。
- 前記第1のテンプレートを用いて複数の前記テンプレート形成用基材にインプリントすることにより、前記第2の基体を複数準備し、
複数の前記第2の基体を一括処理して複数の前記第2の基体の各々に前記第2の導電層を形成する、請求項5記載のテンプレートの製造方法。 - 前記第1の基体に形成される前記導電層の膜厚と前記第2の導電層の膜厚とは略同じ厚さである、請求項5又は6記載のテンプレートの製造方法。
- 前記導電層を除去する工程と、
前記導電層を除去した後、原子層堆積法により前記第1の基体を覆うように導電層を再形成する工程とを含む請求項1乃至7のいずれか1項記載のテンプレートの製造方法。 - 請求項1乃至8のいずれか1項の方法により製造されたテンプレートによりインプリントを行う、インプリント方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017085034A (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-18 | 大日本印刷株式会社 | インプリント用のモールド、モールド製造用の基板およびインプリント方法 |
WO2017204260A1 (ja) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 大日本印刷株式会社 | テンプレート及びテンプレートブランクス、並びにインプリント用テンプレート基板の製造方法、インプリント用テンプレートの製造方法、及び、テンプレート |
US10569450B2 (en) | 2016-02-29 | 2020-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus, mold, imprint method, and method of manufacturing article |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009241372A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 微細構造転写装置 |
JP2010225260A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-10-07 | Fujifilm Corp | モールドおよびその製造方法 |
JP2011065113A (ja) * | 2009-09-21 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | 位相シフトマスク、その製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2011108920A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Toshiba Corp | テンプレート、テンプレートの製造方法及びパターン形成方法 |
JP2012009776A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Hoya Corp | 基板作製方法 |
-
2013
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009241372A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Hitachi High-Technologies Corp | 微細構造転写装置 |
JP2010225260A (ja) * | 2009-02-24 | 2010-10-07 | Fujifilm Corp | モールドおよびその製造方法 |
JP2011065113A (ja) * | 2009-09-21 | 2011-03-31 | Toshiba Corp | 位相シフトマスク、その製造方法及び半導体装置の製造方法 |
JP2011108920A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-02 | Toshiba Corp | テンプレート、テンプレートの製造方法及びパターン形成方法 |
JP2012009776A (ja) * | 2010-06-28 | 2012-01-12 | Hoya Corp | 基板作製方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017085034A (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-18 | 大日本印刷株式会社 | インプリント用のモールド、モールド製造用の基板およびインプリント方法 |
US10569450B2 (en) | 2016-02-29 | 2020-02-25 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus, mold, imprint method, and method of manufacturing article |
WO2017204260A1 (ja) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | 大日本印刷株式会社 | テンプレート及びテンプレートブランクス、並びにインプリント用テンプレート基板の製造方法、インプリント用テンプレートの製造方法、及び、テンプレート |
JP2018056545A (ja) * | 2016-05-25 | 2018-04-05 | 大日本印刷株式会社 | テンプレート及びテンプレートブランクス、並びにインプリント用テンプレート基板の製造方法、インプリント用テンプレートの製造方法、及び、テンプレート |
JP7056013B2 (ja) | 2016-05-25 | 2022-04-19 | 大日本印刷株式会社 | テンプレート及びテンプレートブランクス、並びにインプリント用テンプレート基板の製造方法、インプリント用テンプレートの製造方法、及び、テンプレート |
US11340526B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-05-24 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Production method of template, template blank, and template substrate for imprinting, production method of template for imprinting, and template |
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