JP2008091685A - 素子基板およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明にかかる素子基板の製造方法は、第1の支持基板上に剥離層を形成する工程と、剥離層上に所定のパターンの金属層33を形成する工程と、金属層を挟むようにして、第1の支持基板10の上方に第2の支持基板110を配置する工程と、第1の支持基板と第2の支持基板の間に流動状態の樹脂材料114aを流し込む工程と、樹脂材料を硬化して樹脂基板114を形成する工程と、剥離層を分解することにより、金属層を第1の支持基板から剥離させて、前記樹脂基板に転写する工程と、を含む。
【選択図】図15
Description
上面に孔部を有する樹脂基板と、
前記孔部の内部に形成された金属層と、
を含み、
前記孔部の幅は、40nm〜1μmであり、深さは、20nm〜120nmである。
前記金属層の上面には、凹部が形成されていることができる。
前記金属層は、前記孔部の外側にも形成されており、
前記孔部の内部に形成された金属層の膜厚は、前記孔部の外側に形成された金属層の膜厚より大きい部分を有することができる。
前記金属層は、複数の孔部の内部にのみ形成されていることができる。
(a)第1の支持基板上に剥離層を形成する工程と、
(b)前記剥離層上に所定のパターンの金属層を形成する工程と、
(c)前記金属層を挟むようにして、前記第1の支持基板の上方に第2の支持基板を配置する工程と、
(d)前記第1の支持基板と前記第2の支持基板の間に流動状態の樹脂材料を流し込む工程と、
(e)前記樹脂材料を硬化して樹脂基板を形成する工程と、
(f)前記剥離層を分解することにより、前記金属層を前記第1の支持基板から剥離させて、前記樹脂基板に転写する工程と、
を含む。
前記工程(f)の後に、
前記樹脂基板の前記金属層が転写された面を研磨する工程をさらに含むことができる。
前記工程(b)では、
無電解めっき法を用いて前記金属層を形成することができる。
前記工程(a)では、
界面活性剤溶液に前記第1の支持基板を浸漬することによって、前記剥離層として界面活性剤層を形成し、
前記工程(b)は、
触媒溶液に前記第1の支持基板を浸漬することによって、前記剥離層上に触媒層を形成する工程と、
無電解めっき液に第1の支持基板を浸漬することによって、前記触媒層上に金属層を析出させる工程と、
を有することができる。
前記工程(a)の前に、
(g)前記所定パターンの樹脂成形体を前記第1の支持基板上に形成する工程をさらに含み、
前記工程(a)では、
前記樹脂成形体の上に前記剥離層を形成することができる。
前記工程(g)は、
第1の支持基板に流動状態の樹脂材料を塗布する工程と、
所定パターンの凹パターンを有するナノスタンパを前記基板上に押し付けて、前記樹脂材料に前記所定パターンを転写する工程と、
前記樹脂材料を硬化させる工程と、
を含むことができる。
前記工程(g)と(a)との間に、
アッシングによって、硬化させた樹脂材料の上部および前記所定パターン以外の領域の樹脂材料を除去することができる。
前記樹脂成形体は、フォトレジストからなり、
前記工程(g)では、干渉露光法を用いて前記樹脂成形体を形成することができる。
前記工程(g)と(a)との間に、
前記第1の基板をアルカリ溶液に浸漬することによって、前記樹脂成形体の一部を除去する工程をさらに含むことができる。
図1〜図15は、第2の素子基板300(図17参照)の製造方法を示す図である。本実施の形態では、無電解めっきを適用して素子基板を製造する。
(4a)純度99.99%のパラジウムペレットを塩酸と過酸化水素水と水との混合溶液に溶解させ、パラジウム濃度が0.1〜0.5g/lの塩化パラジウム溶液とする。
(4b)上述した塩化パラジウム溶液をさらに水と過酸化水素水で希釈することによりパラジウム濃度を0.01〜0.05g/lとする。
(4c)水酸化ナトリウム水溶液等を用いて、塩化パラジウム溶液のpHを4.5〜6.8に調整する。
図18は、本実施の形態にかかる素子基板の製造方法によって製造される第2の素子基板300を適用した電子デバイスの一例を示す。第1の支持基板10が絶縁基板である場合には、第2の素子基板300は、配線基板として機能することができる。電子デバイス1000は、配線基板としての第2の素子基板300と、集積回路チップ90と、他の基板92とを含む。
Claims (11)
- 上面に孔部を有する樹脂基板と、
前記孔部の内部に形成された金属層と、
を含み、
前記孔部の幅は、40nm〜1μmであり、深さは、20nm〜120nmである、素子基板。 - 請求項1において、
前記金属層の上面には、凹部が形成されている、素子基板。 - (a)第1の支持基板上に剥離層を形成する工程と、
(b)前記剥離層上に所定のパターンの金属層を形成する工程と、
(c)前記金属層を挟むようにして、前記第1の支持基板の上方に第2の支持基板を配置する工程と、
(d)前記第1の支持基板と前記第2の支持基板の間に流動状態の樹脂材料を流し込む工程と、
(e)前記樹脂材料を硬化して樹脂基板を形成する工程と、
(f)前記剥離層を分解することにより、前記金属層を前記第1の支持基板から剥離させて、前記樹脂基板に転写する工程と、
を含む、素子基板の製造方法。 - 請求項3において、
前記工程(f)の後に、
前記樹脂基板の前記金属層が転写された面を研磨する工程をさらに含む、素子基板の製造方法。 - 請求項3または4において、
前記工程(b)では、
無電解めっき法を用いて前記金属層を形成する、素子基板の製造方法。 - 請求項5において、
前記工程(a)では、
界面活性剤溶液に前記第1の支持基板を浸漬することによって、前記剥離層として界面活性剤層を形成し、
前記工程(b)は、
触媒溶液に前記第1の支持基板を浸漬することによって、前記剥離層上に触媒層を形成する工程と、
無電解めっき液に第1の支持基板を浸漬することによって、前記触媒層上に金属層を析出させる工程と、
を有する、素子基板の製造方法。 - 請求項6において、
前記工程(a)の前に、
(g)前記所定パターンの樹脂成形体を前記第1の支持基板上に形成する工程をさらに含み、
前記工程(a)では、
前記樹脂成形体の上に前記剥離層を形成する、素子基板の製造方法。 - 請求項7において、
前記工程(g)は、
第1の支持基板に流動状態の樹脂材料を塗布する工程と、
所定パターンの凹パターンを有するナノスタンパを前記基板上に押し付けて、前記樹脂材料に前記所定パターンを転写する工程と、
前記樹脂材料を硬化させる工程と、
を含む、素子基板の製造方法。 - 請求項8において、
前記工程(g)と(a)との間に、
アッシングによって、硬化させた樹脂材料の上部および前記所定パターン以外の領域の樹脂材料を除去する、素子基板の製造方法。 - 請求項7において、
前記樹脂成形体は、フォトレジストからなり、
前記工程(g)では、干渉露光法を用いて前記樹脂成形体を形成する、素子基板の製造方法。 - 請求項7ないし10のいずれかにおいて、
前記工程(g)と(a)との間に、
前記第1の基板をアルカリ溶液に浸漬することによって、前記樹脂成形体の一部を除去する工程をさらに含む、素子基板の製造方法。
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