CN101159179A - 元件基板及其制造方法 - Google Patents

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木村里至
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Abstract

本发明提供一种可形成精度良好的微细图形金属层的元件基板及其制造方法。本发明的元件基板的制造方法包括：在第一支持基板上形成剥离层的工序；在剥离层上形成一定图形的金属层(33)的工序；以夹着金属层的方式在第一支持基板(10)的上方配置第二支持基板(110)的工序；在第一支持基板与第二支持基板之间流入流动状态的树脂材料(114a)的工序；固化树脂材料而形成树脂基板(114)的工序；以及通过分解剥离层而将金属层从所述第一支持基板上剥离，使所述金属层从所述第一支持基板(10)上移动至所述树脂基板的工序。

Description

元件基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种元件基板(element substrate)及其制造方法。
背景技术
在基板上形成金属配线等时，例如，可通过减除法(subtractivemethod)来形成。在减除法中，在基板的整个面上形成金属层，在金属层上涂布光致抗蚀剂并形成图形，将该光致抗蚀剂作为掩模来蚀刻金属层。在这种方法中，在最后去除光致抗蚀剂的方面或去除金属层的一部分的方面上，存在有资源以及材料的消耗的问题。而且，难以形成精度良好的1μm以下的微细图案的金属层。
发明内容
本发明的目的在于提供一种形成有精度良好的微细图形金属层的元件基板及其制造方法。
本发明的元件基板包括：在上表面具有孔部的树脂基板、以及形成在所述孔部的内部的金属层；所述孔部的宽度为40nm到1μm，深度为20nm～120nm。
此外，本发明中，所谓“形成在A上的B”，包括以下两种情况，即：以与A接触的状态形成B的情况；以及由于在A与B之间夹有其它层而以不与A接触的状态形成B的情况。
本发明的元件基板中，可以在所述金属层的上表面形成有凹部。
如此，通过形成凹部而在刮擦(scratch)方面增强。与上表面平坦的情况相比，表面积变大，因此，可以提高放热效果。
本发明的元件基板中，所述金属层也形成在所述孔部的外侧，可以具有形成在所述孔部内部的金属层膜厚大于形成在所述孔部外侧的金属层膜厚的部分。
在本发明的元件基板中，所述金属层可以仅形成在多个孔部的内部。
本发明的元件基板的制造方法包括：(a)在第一支持基板上形成剥离层的工序；(b)在所述剥离层上形成一定图形的金属层的工序；(c)以夹着所述金属层的方式在所述第一支持基板的上方配置第二支持基板的工序；(d)在所述第一支持基板与所述第二支持基板之间流入流动状态的树脂材料的工序；(e)固化所述树脂材料从而形成树脂基板的工序；(f)通过分解所述剥离层而将所述金属层从所述第一支持基板上剥离，并使所述金属层从所述第一支持基板上移动至所述树脂基板的工序。
本发明的元件基板的制造方法中，在所述工序(f)之后，还包括对所述树脂基板的所述金属层移动后的面进行研磨的工序。
本发明的元件基板的制造方法中，在所述工序(b)中，使用化学镀法形成所述金属层。
本发明的元件基板的制造方法中，在所述工序(a)中，通过将所述第一支持基板浸渍在表面活性剂溶液中，形成表面活性剂层作为所述剥离层；在所述工序(b)中可以包括：通过将所述第一支持基板浸渍在催化剂溶液中而在所述剥离层上形成催化剂层的工序，以及通过将第一支持基板浸渍在化学镀液中而在所述催化剂层上析出金属层的工序。
本发明的元件基板的制造方法中，在所述工序(a)之前还包括工序(g)，即在所述第一支持基板上形成具有与所述金属层的一定图形相同的一定图形的树脂成形体；在所述工序(a)中，可以在所述树脂成形体上形成所述剥离层。
本发明的元件基板的制造方法中，所述工序(g)可以包括：在第一支持基板上涂布流动状态的树脂材料的工序；以及将具有一定图形的凹陷图形的纳米压模按压在所述第一支持基板上，将所述一定图形转印在所述树脂材料上的工序，以及固化所述树脂材料的工序。
本发明的元件基板的制造方法中，在所述工序(g)与(a)之间，可以通过灰化处理去除经过固化的树脂材料的上部以及所述一定图形以外的区域的树脂材料。
本发明的元件基板的制造方法中，所述树脂成形体包括光致抗蚀剂，在所述工序(g)中，可以使用干涉曝光法形成所述树脂成形体。
本发明的元件基板的制造方法中，在所述工序(g)与(a)之间，还可以包括通过将所述第一支持基板浸渍在碱性溶液中从而去除所述树脂成形体的一部分的工序。
附图说明
图1是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。
图2是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。
图3是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。
图4是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。
图5是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。
图6是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。
图7是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。
图8是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。
图9是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。
图10是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。
图11是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。
图12是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。
图13是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。
图14是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。
图15是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。
图16是示出本实施方式的元件基板的制造方法的图。
图17是示出本实施方式的元件基板的剖面图。
图18是示出应用本实施方式的元件基板的电子装置的一个实施例的图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的优选实施方式进行说明。
1.元件基板及其制造方法
图1～图15是示出第二元件基板300(参照图17)的制造方法的图。在本实施方式中，应用化学镀来制造元件基板。
(1)首先，准备第一支持基板10。第一支持基板10的表面上优选没有凹凸。例如，凹凸的高度优选小于10nm。
接着，在第一支持基板10上形成一定图形的树脂成形体22c。作为形成树脂成形体22c的方法，可使用众所周知的方法，例如，可利用干涉曝光法或者纳米压印技术，本实施方式中，对利用纳米压印技术来形成树脂成形体22c的情况加以说明。
首先，如图1所示，在第一支持基板10上涂布流动状态的树脂材料22a。作为树脂材料22a，可使用热固化性树脂、热塑性树脂、光固化性树脂等。作为涂布方法，可使用旋涂法等众所周知的方法。
然后，通过将纳米压模12沿第一支持基板10的方向(图2的箭头方向)按压，将一定图形转印在树脂材料上。在此，所谓一定图形，也可以是以一定间隔配置的多条线的周期性图形。在树脂材料22a为光固化性树脂时，纳米压模12也可以使用具有透光性的。
然后，固化树脂成形体22b，将纳米压模12从树脂成形体22b剥离(参照图3)。这样可形成具有一定图形的树脂成形体22b，如图4所示。
也可以使用树脂成形体22b进入到下述工序(2)，也可以如图5所示地通过回蚀(etch back)等去除一定图形间隙的树脂成形体22b的一部分。在树脂成形体22b包括光致抗蚀剂时，也可以通过灰化处理来去除一部分。此处，可以去除一定图形间隙的树脂成形体22b的一部分，并且也可以去除一定图形区域的树脂成形体22b的上部。通过进行该去除工序，可以形成树脂成形体22c。
使用纳米压印技术形成树脂成形体22c的方法如上所述，但是即使如上所述地使用干涉曝光法，也可以形成树脂成形体22c。在使用干涉曝光法的情况下，优选应用光致抗蚀剂作为树脂材料22a，并且将防反射膜预先设置在第一支持基板10上。
(2)然后，清洗第一支持基板10以及树脂成形体22c的表面。第一支持基板10以及树脂成形体22c的表面的清洗可以用干式清洗，也可以用湿式清洗，更优选干式清洗。可以通过干式清洗防止剥离等对树脂成形体22c造成的破坏。
如图6所示，干式清洗可以使用真空紫外线灯18(波长为172nm，输出功率为10mW，试料间距离为1mm)，在氮气气体环境下，照射真空紫外线20，进行30秒钟～900秒钟。通过清洗第一支持基板10，可以去除附着在第一支持基板10的表面上的油脂等污物。另外，可使第一支持基板10以及树脂成形体22c的表面从憎水性变为亲水性。另外，如果第一支持基板10的液中表面电位为负电位，则通过第一支持基板10的清洗可以形成均匀的负电位面。
湿式清洗，例如可通过在室温状态下将第一支持基板10浸渍在臭氧水溶液(臭氧浓度为10ppm～20ppm)中，进行5分钟～30分钟左右。
(3)然后，可在树脂成形体22c上形成含有表面活性剂或硅烷类偶联剂的剥离层24。
首先，如图7所示，将第一支持基板10浸渍在溶解有表面活性剂或硅烷类偶联剂的催化剂吸附溶液14中。在第一支持基板10的表面的液中表面电位为负电位的情况下，优选应用阳离子类表面活性剂。这是因为阳离子类表面活性剂与其它的表面活性剂相比容易吸附在第一支持基板10上。
作为阳离子类表面活性剂，例如，可以使用含有氨基硅烷类成分的水溶性表面活性剂或烷基胺类的表面活性剂(例如，十六烷基三甲基氯化铵、十六烷基三甲基溴化铵，十六烷基二甲基溴化铵等)等。作为在催化剂吸附溶液14中所含有的硅烷类偶联剂，例如可使用六甲基二硅氮烷。浸渍时间例如可以是1分钟～15分钟左右。
其次，可以从催化剂吸附溶液14中取出第一支持基板10，用超纯水进行清洗。然后，例如，将第一支持基板10在室温下进行自然干燥；或者吹入压缩空气来去除水滴后，在90℃～120℃的烘箱内放置10分钟～1小时左右，使之干燥。如图8所示，可通过以上工序将剥离层24设置在第一支持基板10上。此时，在应用阳离子类表面活性剂作为表面活性剂的情况下，第一支持基板10的液中表面电位向吸附前的电位的正电位侧偏移。
另外，可通过将第一支持基板10浸渍在催化剂吸附溶液14中而去除树脂成形体22c的一部分，使其成为如图8所示的形状。具体而言，以削去与催化剂吸附溶液14接触的外侧部分地去除树脂成形体22c的一部分。这是因为，在催化剂吸附溶液14为碱性溶液的情况下，例如在显示为pH11～pH12的情况下，树脂成形体22c的一部分溶解，从而可被部分去除。这样可以改变树脂成形体22c的大小。因此，通过调整第一支持基板10在催化剂吸附溶液14中的浸渍时间或pH值，可以控制树脂成形体22c的大小。
(4)其次，在第一支持基板10上形成催化剂层31。首先，如图9所示，将第一支持基板10浸渍在催化剂溶液30中。催化剂溶液30含有发挥化学镀的催化剂作用的催化剂成分。例如可使用钯作为催化剂成分。
例如，可以通过以下步骤配置催化剂溶液30。
(4a)使纯度99.99％的钯球溶解于盐酸与过氧化氢溶液以及水的混合溶液中，形成钯浓度为0.1g/l～0.5g/l的氯化钯溶液。
(4b)通过用水和过氧化氢溶液进一步将上述氯化钯溶液进行稀释，使钯浓度为0.01g/l～0.05g/l。
(4c)使用氢氧化钠水溶液等，将氯化钯溶液的pH值调整为4.5～6.8。
在浸渍在催化剂溶液30中后，也可以水洗第一支持基板10。可以用纯水进行水洗。通过该水洗，可以防止催化剂残渣混入下述化学镀液中。
可以通过以上工序，形成催化剂层31。如图10所示，催化剂层31形成在第一支持基板10以及树脂成形体22上的剥离层24的上表面。
(5)然后，在基板上形成金属层33。金属层33形成在形成有催化剂层31的区域中。具体而言，如图11所示，通过将第一支持基板10浸渍在含有金属的化学镀液36中，可以析出金属层33。此处，化学镀液36作为镀覆粒子析出在第一支持基板10上时，优选镀覆粒子的平均粒径被调整为20nm～50nm。这样的化学镀液36可通过改变pH值、温度、调整时间等来调整。另外，因为当第一支持基板10在化学镀液36中的浸渍时间达到一定时间以上时，镀覆粒子的平均粒径会变得大于50nm，所以浸渍时间优选为一定时间以内。
金属例如可以是镍。作为化学镀液36，有以酸性使用的类型和以碱性使用的类型，作为化学镀液36的一个实施例应用的是以酸性使用的类型。化学镀液36含有上述金属、还原剂以及配位剂等。具体而言，可以使用主体是硫酸镍六水合物或氯化镍六水合物且含有次亚磷酸酸钠作为还原剂的混合物作为化学镀液36。例如，可以通过将第一支持基板10在含有硫酸镍六水合物的化学镀液(温度为70℃～80℃)中浸渍10秒钟～10分钟左右，从而形成具有厚度为20nm～100nm的镍层。
这样，如图12所示，可以在第一支持基板10上的催化剂层31的上表面形成金属层33。
在浸渍到化学镀液中后，也可以水洗第一支持基板10。可以用纯水进行水洗，也可以用水蒸汽来进行水洗，也可以使用纯水以及水蒸汽两者进行水洗。另外，也可以在水洗后通过在第一支持基板10上施加热处理进行干燥。通过这种方式可以提高金属层33对第一支持基板10的密合性。如图12所示，通过以上工序，可以形成镀覆基板100。
此处，对镀覆基板100进行说明。镀覆基板100的金属层33形成在树脂成形体22上方以及侧面。树脂成形体22可以发挥作为金属层33的芯的作用。金属层33也可以形成在树脂成形体22的间隙，即，一定图形以外的区域中。在上述镀覆基板100的制造方法中，可以使树脂成形体22的上方的金属层33的膜厚大于一定图形以外的区域的金属层33的膜厚。具体而言，如以下所作推断。
镀覆基板100的制造方法中，通过将第一支持基板10浸渍在化学镀液36中而析出金属层33。金属层33通过化学镀反应形成。化学镀反应是化学镀液中的还原剂与金属离子的还原反应，是金属离子通过从还原剂中获得电子而析出镀覆粒子的反应。该反应是通过在催化剂层31中所含有的催化剂来促进的，所以主要在催化剂层31的附近进行。在化学镀液中，由于多个金属离子形成聚集体而存在，所以通过还原反应析出作为多个金属原子的聚集体的镀覆粒子。此外，多个金属离子的聚集体的大小可以通过化学镀液的pH值、温度、时间等来控制。
本实施方式中，通过化学镀液36中的镀覆粒子进入树脂成形体22之间，也可以在树脂成形体22的间隙，即，一定图形以外的区域上析出金属层33。存在于树脂成形体22的上方的化学镀液36的流动性比进入树脂成形体22之间的化学镀液36的流动性更好。因而，由于在树脂成形体22上方附近的化学镀液36即使被用于了金属离子的析出，流动性也良好，所以金属离子的浓度可以保持在大致一定的状态。相对于此，在树脂成形体22之间的化学镀液36，由于金属离子在作为金属层33析出后，金属离子浓度暂时处于降低的状态，所以金属层33的析出速度降低。因此，根据本实施方式的镀覆基板100的制造方法，可以使树脂成形体22的上方的金属层33的膜厚大于一定图形以外的区域的金属层33的膜厚。
(6)然后，在镀覆基板100的上方配置第二支持基板110。如图13所示，第二支持基板110以夹着金属层33的方式配置在第一支持基板10的上方。而且，在第一支持基板10和第二支持基板110之间配设有间隔件112。间隔件112设置在形成树脂成形体22的区域的周围。通过如此设置间隔件112，可以将下述树脂材料114a保持在第一支持基板10上。
然后，在第一支持基板10与第二支持基板110之间，流入流动状态的树脂材料114a。树脂材料114a优选以在金属层33与第二支持基板110之间没有间隙的方式进行填充。作为树脂材料114a，可以使用热固化性树脂、热塑性树脂、光固化性树脂等，在本实施方式中对应用光固化性树脂的情况进行说明。
(7)然后，固化树脂材料114a从而形成树脂基板114。本实施方式中，通过在树脂材料114a上照射光而使其固化。此时，树脂基板114中嵌入有金属层33、催化剂层31、剥离层24以及树脂成形体22(参照图14)。
(8)然后，分解剥离层24。例如，剥离层24的分解可以通过将第一支持基板10以及剥离层24浸渍在碱性水溶液中而进行。作为此处所使用的碱性水溶液，只要能够溶解剥离层24的即可，没有特别的限制，例如，可以是氢氧化钠水溶液。另外，剥离层24的分解也可以使用真空紫外线灯118在剥离层24上照射真空紫外线(VUV，vaccum ultraviolet)来进行。可以通过将真空紫外线120的光的波长设为例如170nm～260nm，而切断原子间的键合(例如，C-C、C＝C、C-H、C-F、C-Cl、C-O、C-N、C＝O、O＝O、O-H、H-F、H-Cl、N-H等)。可以通过使用该波长范围，而不需要黄光室(yellow room)等设备，例如在白色灯下进行本实施方式的一系列工序。
如图15所示，可以通过这样分解剥离层24而从第一支持基板10上剥离金属层33。此时，树脂成形体22可能从第一支持基板上10剥离。这种情况下，通过例如使用氧的干式蚀刻法(dry eching)去除树脂成形体22，可以形成在树脂基板114的上表面具有一定图形的金属层33的第一元件基板200(参照图16)。
此处，对第一元件基板200进行说明。第一元件基板200包括树脂基板114以及金属层33。金属层33包括所述催化剂层31。树脂基板114具有多个孔部202。孔部202的平面形状可以是线状，更具体而言，可以是条纹状，孔部202的尺寸可以是例如宽度为40nm～1.0μm，深度为20nm～300nm。在孔部202的内部嵌入有金属层33。另外，金属层33也可以形成在未形成孔部202的区域中。此时，在金属层33的上表面上还形成有凹部204。如图16所示，凹部204形成在所述孔部202的上部，其宽度和深度都小于孔部202。孔部202的非形成区域的金属层33的膜厚小于孔部202的形成区域的金属层33的膜厚。
(9)然后，也可以通过研磨第一元件基板200的上表面而去除金属层33的一部分。此处，所谓金属层33的一部分，是指金属层33的上部，例如可以是在孔部202的外侧所形成的金属层33。研磨可以通过例如CMP(Chemical MechanicalPlanarization，化学机械研磨)来进行。这样，可以通过研磨第一元件基板200的上表面而使金属层34与相邻的金属层34断路。
可以通过以上的工序形成第二元件基板300。第二元件基板300包括树脂基板114和金属层34。从与相邻的金属层34断路方面来看，金属层34与金属层33是不同的。即，金属层34仅形成在孔部202的内部，且形成嵌入的状态，因此，当第二元件基板300弯曲时，可以防止相邻的金属层34彼此之间接触。
金属层34具有一定的图形。一定的图形可以是例如一维或者二维的周期性图形。第二元件基板300通过在透光性基板上具有一定图形，可以发挥作为偏光板等光学元件基板的作用。例如，第二元件基板300可以是反复设置有一定间隔和一定宽度的直线形金属层的一维周期性图形(条纹形状)。周期方向上的宽度小于等于可见光的波长，而且在树脂基板114包括透光性基板的情况下，第二元件基板300可以发挥作为偏光板的作用。
另外，在通过所述制造方法形成的元件基板中，孔部202可以是宽度a为40nm～1μm，深度b为20nm～300nm。即，嵌入在该孔部202内的金属层34可以是宽度为40nm～1μm，深度b为20nm～300nm。另外，在金属层34的上表面，还形成有凹部204。如图16所示，凹部204形成在所述孔部202的上部，其宽度和深度都小于孔部202。
2.电子装置
图18示出应用了通过本实施方式的元件基板的制造方法制造的第二元件基板300的电子装置的一个实施例。在第一支持基板10为绝缘性基板的情况下，第二元件基板300可以发挥作为配线基板的作用。电子装置1000包括作为配线基板的第二元件基板300、集成电路芯片90和其它基板92。
形成在第二元件基板300上的配线图形也可以用于将电子部件彼此进行电连接。第二元件基板300是通过上述制造方法而制造的。在如图18所示的实施例中，在第二元件基板300上电连接有集成电路芯片90，第二元件基板300的一个端部，与其它基板92(例如显示面板)进行电连接。电子装置1000也可以是液晶显示装置、等离子体显示装置、EL(Electroluminescence，电发光)显示装置等显示装置。
另外，作为光学元件基板的第二元件基板300，也可以发挥作为液晶显示装置、投影机装置等的偏光板的作用。
本发明并不仅限于上述实施方式，还可以进行各种变形。
例如，上述工序(3)中，可以通过将第一支持基板10浸渍在催化剂吸附溶液14中来改变树脂成形体22c的形状，从而形成树脂成形体22，也可以将此替换成，在工序(3)之前，即在将第一支持基板10浸渍在催化剂吸附溶液14中之前，将第一支持基板10浸渍在另外的碱性溶液中。通过这样，由于可以在形成预先期望的形状的树脂成形体22之后形成剥离层24，因此，可以形成精度更加良好的微细图形。
另外，在所述工序(5)中，在树脂成形体22的上方形成有金属层33，也可以将此替换成，在树脂成形体22的非形成区域上形成金属层33。具体而言，在形成树脂成形体22c后，通过上述方法设置剥离层24以及催化剂层31，并且去除树脂成形体22c。由此，形成仅在树脂成形体22c的非形成区域中形成有催化剂层31的状态。然后，将第一支持基板10浸渍在化学镀液中。可以通过所述工序在催化剂层31的上表面(树脂成形体22的非形成区域)形成金属层33。其后的工序与上述情况相同，因此省略说明。
另外，本发明包括与在实施方式中说明的结构基本上相同的结构(例如，功能、方法以及结果相同的结构，或者目的以及结果相同的结构)。另外，本发明包括置换了在实施方式中说明的非实质性部分的结构。另外，本发明包括可以发挥与在实施方式中说明的结构相同的作用效果的结构，或者可以达到相同目的的结构。另外，本发明包括在实施方式中说明的结构上附加了公知技术的结构。
符号说明
10第一支持基板      12纳米压模
14催化剂吸附溶液    18光源
20光                22、22b、22c树脂成形体
22a树脂材料         24、26剥离层
30催化剂溶液       31催化剂层
33、34金属层       36化学镀液
90集成电路芯片     92其它基板
100镀覆基板        114a树脂材料
114树脂基板        200第一元件基板
300第二元件基板    1000电子装置

Claims (11)

1.一种元件基板，包括：
在上表面具有孔部的树脂基板；以及
形成在所述孔部内部的金属层；
所述孔部的宽度为40nm到1μm，深度为20nm～120nm。
2.根据权利要求1所述的元件基板，其中，
在所述金属层的上表面形成有凹部。
3.一种元件基板的制造方法，包括：
(a)在第一支持基板上形成剥离层的工序；
(b)在所述剥离层上形成一定图形的金属层的工序；
(c)以夹着金属层的方式在第一支持基板上方配置第二支持基板的工序；
(d)在所述第一支持基板与所述第二支持基板之间流入流动状态的树脂材料的工序；
(e)固化所述树脂材料而形成树脂基板的工序；以及
(f)通过分解所述剥离层而将所述金属层从所述第一支持基板上剥离，使所述金属层从所述第一支持基板上移动至所述树脂基板的工序。
4.根据权利要求3所述的元件基板的制造方法，其中，
在所述工序(f)之后，还包括对所述树脂基板中的所述金属层移动后的面进行研磨的工序。
5.根据权利要求3或4所述的元件基板的制造方法，其中，
在所述工序(b)中，使用化学镀法形成所述金属层。
6.根据权利要求5所述的元件基板的制造方法，其中，
在所述工序(a)中，通过将第一支持基板浸渍在表面活性剂溶液中，形成表面活性剂层作为所述剥离层；
在所述工序(b)中包括：通过将所述第一支持基板浸渍在催化剂溶液中而在所述剥离层上形成催化剂层的工序，以及
通过将第一支持基板浸渍在化学镀液中而在所述催化剂层上析出金属层的工序。
7.根据权利要求6所述的元件基板的制造方法，其中，
在所述工序(a)之前还包括：(g)在所述第一支持基板上形成具有与所述金属层的一定图形相同的一定图形的树脂成形体的工序；
在所述工序(a)中，在所述树脂成形体上形成所述剥离层。
8.根据权利要求7所述的元件基板的制造方法，其中，所述工序(g)包括：
在第一支持基板上涂布流动状态的树脂材料的工序；
将具有一定图形的凹陷图形的纳米压模按压在所述第一支持基板上从而将所述一定图形转印在所述树脂材料上的工序；以及
固化所述树脂材料的工序。
9.根据权利要求8所述的元件基板的制造方法，其中，
在所述工序(g)与(a)之间，通过灰化处理去除经过固化的树脂材料的上部以及所述一定图形以外的区域的树脂材料。
10.根据权利要求7所述的元件基板的制造方法，其中，
所述树脂成形体包括光致抗蚀剂，
在所述工序(g)中，使用干涉曝光法形成所述树脂成形体。
11.根据权利要求7所述的元件基板的制造方法，其中，
在所述工序(g)与(a)之间，还包括通过将所述第一支持基板浸渍在碱性溶液中而去除所述树脂成形体的一部分的工序。
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