KR20090003601A - 플렉시블 포토마스크 및 이의 제조방법 - Google Patents

플렉시블 포토마스크 및 이의 제조방법 Download PDF

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KR20090003601A
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전경수
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Abstract

본 발명은 볼록부(
Figure 112007048474020-PAT00001
)와 오목부(
Figure 112007048474020-PAT00002
)의 조합 형태로 패턴이 일면에 형성된 광투과성 엘라스토머 층; 및 상기 광투과성 엘라스토머 층의 오목부(
Figure 112007048474020-PAT00003
) 내부에 형성된 광불투과성 엘라스토머 층을 포함하는 플렉시블(flexible) 포토마스크에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 플렉시블 포토마스크의 제조방법 및 이를 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.

Description

플렉시블 포토마스크 및 이의 제조방법 {Flexible photomask and method for manufacturing the same}
본 발명은 광투과성 엘라스토머 층과 광불투과성 엘라스토머 층을 포함하는 플렉시블(flexible) 포토마스크, 이의 제조방법 및 이를 사용한 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
많은 표시소자의 전극 제조 공정 및 반도체 제조 공정에 있어서는 각 단계마다 포토리소그래피 공정(photolithography)이 필수적으로 쓰여지고 있는데, 일반적으로 이 포토리소그래피 공정은 포토레지스트(photoresist)를 기재 상에 균일하게 도포하고, 노광(exposing) 장비를 사용하여 포토마스크 또는 레티클(reticle)상의 패턴을 노광 시킨 후, 현상(developing) 과정을 거쳐 원하는 이차원 패턴의 포토레지스트를 형성시키기까지의 모든 공정을 말한다.
상기 포토레지스트 층이 포지티브(positive) 레지스트 층이면, 노광된 영역에서 레지스트 층 재료의 화학적 변화가 일어나고, 상기 재료는 현상 시에 레지스트 층으로부터 떨어져 나갈 수 있다. 이에 반해, 포토레지스트 층이 네거티브(negative) 레지스트 층이면, 현상 시에 노광되지 않은 재료가 떨어져 나간다.
포토레지스트 층의 노광은 실루엣 방법(silhouette method)으로 이루어질 수 있고, 포토마스크는 포토레지스트 층의 위에 놓이거나(접촉 노광), 또는 레지스트 층 위에 가깝게 제공(근접 노광)된다.
포토마스크를 포토레지스트 층 위에 놓고 노광을 진행하는 접촉 노광의 경우, 포토레지스트 층과 포토마스크의 압착을 위해 진공이나 압력을 가하고 노광을 수행한다. 그러나, 이 과정에서 상기 포토레지스트 층과 포토마스크 사이에 진공이나 압력을 가하여도 그 사이에 완전한 밀착이 이루어지지 않아 미세하고 정확한 패터닝이 이루어질 수 없는 문제가 있으며, 특히 평평하지 않은(non-flat) 기재나 표면의 거칠기가 큰 기재 상에서 수행할수록 이러한 문제가 불가피하게 발생한다.
위와 같은 문제를 해결하고자, 본 발명은 평평한 기재 및 평평하지 않은 기재 상에서 미세하고 정확한 패터닝을 형성할 수 있도록, 탄성이 있는 물질을 포함하는 포토마스크, 및 이의 제조방법을 제공하고자 한다.
또한, 본 발명은 상기 포토마스크를 사용하는 패턴 형성 방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 볼록부(
Figure 112007048474020-PAT00004
)와 오목부(
Figure 112007048474020-PAT00005
)의 조합 형태로 패턴이 일면에 형성된 광투과성 엘라스토머 층; 및 상기 광투과성 엘라스토머 층의 오목부(
Figure 112007048474020-PAT00006
) 내부에 형성된 광불투과성 엘라스토머 층을 포함하는 플렉시블(flexible) 포토마스크를 제공한다.
또한, 본 발명은 (i) 볼록부(
Figure 112007048474020-PAT00007
)와 오목부(
Figure 112007048474020-PAT00008
)의 조합 형태로 패턴이 형성된 마스터 기판 상에 광투과성 엘라스토머 전구체를 가하고 중합하여 상기 마스터 기판의 패턴과 반대로 볼록부(
Figure 112007048474020-PAT00009
)와 오목부(
Figure 112007048474020-PAT00010
)가 일면에 형성된 광투과성 엘라스토머 층을 형성하는 단계;
(ii) 상기 광투과성 엘라스토머 층을 상기 마스터 기판으로부터 분리하는 단계; 및
(iii) 상기 분리된 광투과성 엘라스토머 층의 오목부(
Figure 112007048474020-PAT00011
)에 광불투과성 엘라스토머 전구체를 가하고 중합하여 광불투과성 엘라스토머 층을 형성하는 단계를 포 함하는 상기 포토마스크의 제조방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 (a) 베이스 기재 상에 포토레지스트(photoresist) 층을 형성하는 단계;
(b) 상기 포토마스크의 패턴이 형성된 면을 상기 포토레지스트 층에 접촉시키는 단계; 및
(c) 노광하여 상기 포토마스크의 패턴에 대응되는 패턴을 상기 포토레지스트 층에 형성하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 포토마스크는 플렉시블(flexible)하고 탄성이 있는 엘라스토머계 물질로 형성되므로, 평평한(flat) 기재뿐만 아니라 평평하지 않은(non-flat) 기재나 거칠기가 큰 기재 상에 형성된 포토레지스트 층과 등각 접촉(conformal contact) 내지 완전한 밀착이 이루어질 수 있으며, 광투과성 엘라스토머 층 및 광불투과성 엘라스토머 층 사이의 계면 접착성은 증가될 수 있다. 또한, 본 발명의 포토마스크를 포토리소그래피 공정에서 사용하면, 기재의 굴곡에 상관없이 원하는 크기의 원하는 패턴을 미세하고 정확하게 형성할 수 있으며, 사용된 포토마스크의 제거도 용이하다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명을 상세하게 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 포토마스크는 탄성이 있는 물질, 구체적으로 엘라스토머로 형성되어 플렉시블(flexible)한 것이 특징이며, 포토리소그래피(photolithography) 공정에서 사용될 수 있다.
본 발명의 포토마스크는 플렉시블(flexible)하고 탄성이 있는 엘라스토머로 형성되므로, 평평한(flat) 기재뿐만 아니라 평평하지 않은(non-flat) 기재나 거칠기가 큰 기재 상에 형성된 포토레지스트 층과 등각 접촉(conformal contact) 내지 완전한 밀착이 이루어질 수 있다.
또한, 본 발명의 포토마스크에서 광투과성 엘라스토머 층 및 광불투과성 엘라스토머 층은 각각 엘라스토머로 이루어지므로 이 두 층 사이의 계면 접착성은 증가될 수 있다. 따라서, 본 발명의 포토마스크가 평평하지 않은 기재나 거칠기가 큰 기재 상에 형성된 포토레지스트 층에 사용되더라도 상기 광투과성 엘라스토머 층 및 광불투과성 엘라스토머 층 사이의 계면 접착성은 안정적으로 유지될 수 있다.
따라서, 본 발명의 포토마스크를 포토리소그래피 공정에서 사용하면, 기재의 굴곡에 상관없이 원하는 크기의 원하는 패턴을 미세하고 정확하게 형성할 수 있으며, 이후 사용된 포토마스크의 제거도 용이하다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 포토마스크(50)는 광투과성 엘라스토머 층(20)과 광불투과성 엘라스토머 층(40)을 포함한다. 또한, 상기 광투과성 엘라스토머 층(20)은 패턴이 볼록부(
Figure 112007048474020-PAT00012
)와 오목부(
Figure 112007048474020-PAT00013
)의 조합 형태로 일면에 형성된 것이고, 상기 광불투과성 엘라스토머 층(40)은 상기 광투과성 엘라스토머 층(20)의 오목부(
Figure 112007048474020-PAT00014
) 내부에 형성된 것이다.
본 발명의 포토마스크에서, 상기 광투과성 엘라스토머 층(20)은 자외선 등과 같은 광을 이용한 노광 공정에서 빛을 통과시키는 층으로서, 빛의 통과를 위해 투 명한 층이 바람직하다. 반면, 상기 광불투과성 엘라스토머 층(40)은 노광 공정에서 빛을 통과시키지 않는 영역으로서, 상기 광투과성 엘라스토머 층과 동일한 재질로 이루어지면서 불투명한 층이 바람직하다.
이러한 광투과성 엘라스토머 층은 폴리디메틸실록산(PDMS), 나이트릴계 수지, 아크릴계 수지, 폴리부타디엔, 폴리이소프렌, 부틸 고무, 폴리(스티렌-co-부타디엔)으로 구성된 군에서 선택된 고분자로 이루어질 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 따라서, 상기 광불투과성 엘라스토머 층은 상기 광투과성 엘라스토머 층을 구성하는 고분자(들)와 동일한 고분자(들)로 이루어질 수 있으며, 동시에 불투명한 색상을 갖는 것이 바람직하다.
따라서, 본 발명의 포토마스크(50)에서, 상기 광불투과성 엘라스토머 층(40), 즉 광투과성 엘라스토머 층(20)의 오목부(
Figure 112007048474020-PAT00015
) 부분은 노광 공정에서 빛을 통과시키지 못하므로 포토레지스트 층 재료의 화학적 변화를 유발시키지 못한다. 반면, 광투과성 엘라스토머 층(20)의 볼록부(
Figure 112007048474020-PAT00016
) 부분은 노광 공정에서 빛을 통과시켜 포토레지스트 층 재료의 화학적 변화를 유발시킬 수 있다.
본 발명의 포토마스크에서, 상기 광불투과성 엘라스토머 층의 두께는 특별히 한정되지 않고, 필요에 따라 적절하게 조절될 수 있으나, 바람직하게는 100nm~100㎛일 수 있다. 상기 광불투과성 엘라스토머 층의 두께가 100nm 미만일 경우에는 광불투과층으로서의 효과가 미미하고, 100㎛를 초과하는 경우에는 포토마스크의 제조비용이 비싸지므로 바람직하지 않다.
또한, 상기 광투과성 엘라스토머 층의 볼록부(
Figure 112007048474020-PAT00017
)의 두께는 특별히 한정되지 않으나, 너무 두꺼울 경우 플렉시블한 특징을 잃을 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 포토마스크의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
우선, 볼록부(
Figure 112007048474020-PAT00018
)와 오목부(
Figure 112007048474020-PAT00019
)의 조합 형태로 패턴이 형성된 마스터 기판(10) 상에 광투과성 엘라스토머 전구체를 가하고 중합하여 광투과성 엘라스토머 층(20)을 형성한다. 이때, 중합 온도 및 중합 시간은 특별히 한정되지 않는다. 형성된 광투과성 엘라스토머 층(20)은 상기 마스터 기판의 패턴과 반대로 볼록부(
Figure 112007048474020-PAT00020
)와 오목부(
Figure 112007048474020-PAT00021
)가 일면에 형성된다.
그리고, 상기 형성된 광투과성 엘라스토머 층(20)을 상기 마스터 기판(10)으로부터 분리한다.
다음으로, 상기 분리된 광투과성 엘라스토머 층(20)의 오목부(
Figure 112007048474020-PAT00022
)에 광불투과성 엘라스토머 전구체(30)를 채워 넣는다. 상기 광불투과성 엘라스토머 전구체를 광투과성 엘라스토머 층(20)의 오목부(
Figure 112007048474020-PAT00023
)에 채워 넣는 방법은 당 업계에 알려진 통상적인 코팅 방법을 사용할 수 있으며, 예를 들면 바(bar) 코팅, 딥(dip) 코팅, 다이(die) 코팅, 롤(roll) 코팅, 콤마(comma) 코팅 또는 이들의 혼합 방식 등 다양한 방식을 이용할 수 있다. 도 2는 바(bar) 코팅 방식을 나타내고 있다.
그리고, 광투과성 엘라스토머 층(20)의 오목부(
Figure 112007048474020-PAT00024
)에 채워진 광불투과성 엘라스토머 전구체(30)를 중합하여 광불투과성 엘라스토머 층(40)을 형성할 수 있다. 이때, 중합 온도 및 중합 시간은 특별히 한정되지 않는다.
상기 광투과성 엘라스토머 전구체 및 광불투과성 엘라스토머 전구체는 상업적으로 알려져 있는 많은 물질을 사용할 수 있다. 일예로, 광투과성 엘라스토머 전 구체는 Sylgard 184(Dow Corning 사)를 사용할 수 있고, 상기 광불투과성 엘라스토머 전구체는 Sylgard 170(Dow Corning 사)를 사용할 수 있으나, 이에 한정하지 않는다. 또한, 이들 전구체에 가교제 및/또는 용매를 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 가교제는 통상의 가교제로 알려진 물질을 비제한적으로 사용할 수 있으며, 상기 용매도 통상의 중합 과정에 사용될 수 있는 통상의 용매를 비제한적으로 사용할 수 있다.
도 3은 평평한 기재 상에 네거티브 포토레지스트 층을 형성한 후, 본 발명에 따른 포토마스크를 사용하여 패턴을 형성하는 방법을 나타내는 개략도이고, 도 4는 평평하지 않은(non-flat), 즉 굴곡이 있는 기재 상에 네거티브 포토레지스트 층을 형성한 후, 본 발명에 따른 포토마스크를 사용하여 패턴을 형성하는 방법을 나타내는 개략도이다.
도 3 및 도 4에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따른 패턴 형성 방법은, (a) 베이스 기재(60, 61) 상에 포토레지스트(photoresist) 층(70)을 형성하는 단계; (b) 본 발명에 따른 상기 포토마스크(50)의 패턴이 형성된 면을 상기 포토레지스트 층(70)에 접촉시키는 단계; 및 (c) 노광하여 상기 포토마스크의 패턴에 대응되는 패턴을 상기 포토레지스트 층(70)에 형성하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.
상기 패턴 형성 방법에서 사용되는 기재(60, 61)로는, 유리(glass), 플라스틱, 고무, 또는 엘라스토머 등을 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 포토마스크(50)를 사용하여 상기 포토레지스트 층(70)에 부착하는 단계 (b)에서, 상기 포토마스크(50)는 플렉시블(flexible)하므로 평평 한(flat) 기재(도 3의 60)뿐만 아니라 평평하지 않은(non-flat) 기재(도 4의 61) 상에 형성된 포토레지스트 층과도 완전한 밀착이 이루어질 수 있다. 따라서, 노광하여 패턴을 형성하는 단계 (c)를 진행하면, 기재의 굴곡에 상관없이 원하는 크기의 원하는 패턴을 미세하고 정확하게 형성할 수 있다.
구체적으로, 본 발명에 따른 패턴 형성 방법 중 단계 (c)에서 자외선 등과 같은 광을 이용한 노광 공정이 진행되면, 상기 광불투과성 엘라스토머 층(40)이 형성되지 않은 광투과성 엘라스토머 층(20)의 볼록부(
Figure 112007048474020-PAT00025
) 부분은 빛을 통과시켜 포토레지스트 층(70) 재료의 화학적 변화를 발생시킬 수 있다.
반면, 상기 광불투과성 엘라스토머 층(40)이 형성된 광투과성 엘라스토머 층(20)의 오목부(
Figure 112007048474020-PAT00026
) 부분은 상기 광불투과성 엘라스토머 층(40)으로 인하여 노광 공정에서 빛을 통과시키지 못하고 포토레지스트 층(70) 재료의 화학적 변화를 유발시키지 못한다.
또한, 상기 단계 (c)에서, 상기 포토레지스트가 포지티브(positive) 방식인 경우에 상기 포토레지스트 층은 상기 광투과성 엘라스토머 층의 볼록부(
Figure 112007048474020-PAT00027
)에 해당하는 부분이 제거될 수 있다.
구체적으로, 기재(60, 61) 상에 형성된 상기 포토레지스트 층의 포토레지스트 재료가 포지티브(positive) 포토레지스트인 경우에, 상기 포토레지스트 층(70) 중에서 상기 광투과성 엘라스토머 층(20)의 볼록부(
Figure 112007048474020-PAT00028
)에 해당하는 부분은 노광 공정을 통해 제거될 수 있다. 그리고, 이에 의해 상기 포토레지스트 층은 상기 광투과성 엘라스토머층의 오목부(
Figure 112007048474020-PAT00029
)와 동일한 형태의 패턴이 형성될 수 있다.
반면, 상기 단계 (c)에서, 상기 포토레지스트가 네거티브(negative) 방식인 경우에 상기 포토레지스트 층은 상기 광투과성 엘라스토머 층의 오목부(
Figure 112007048474020-PAT00030
)에 해당하는 부분이 제거될 수 있다.
구체적으로, 기재(60, 61) 상에 형성된 상기 포토레지스트 층의 포토레지스트 재료가 네거티브 포토레지스트인 경우에, 상기 포토레지스트 층(70) 중에서 상기 광투과성 엘라스토머 층(20)의 오목부(
Figure 112007048474020-PAT00031
)에 해당하는 부분은 노광 공정을 통해 제거될 수 있다. 그리고, 이에 의해 상기 포토레지스트 층은 상기 광투과성 엘라스토머층의 볼록부(
Figure 112007048474020-PAT00032
)와 동일한 형태의 패턴이 형성될 수 있다.
상기 포지티브(positive) 포토레지스트 및 상기 네거티브 포토레지스트는 특별히 제한되지 않고, 당업계에 알려진 통상의 포지티브 포토레지스트 및 네거티브 포토레지스트를 사용할 수 있다.
본 발명은 상기 방법을 통해 형성된 패턴을 포함하는 반도체 소자 또는 표시소자의 전극과 같은 미세 전자 부품을 제공할 수 있다.
이하 본 발명을 실시예를 통하여 상세히 설명하면 다음과 같다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1) 포토마스크의 제조
특정한 패턴이 형성된 마스터 기판 상에 광투과성 엘라스토머 전구체(상품명: Sylgard 184, Dow Corning 사 구입)를 부은 후, 80℃에서 30분 동안 열경화시켰다.
경화된 stamp(광투과성 엘라스토머 층)를 마스터 기판으로부터 떼어낸 후, 광불투과성 엘라스토머 전구체(상품명: Sylgard 170, Dow Corning 사 구입)를 바 코팅(bar coating) 방식을 이용하여 상기 stamp(광투과성 엘라스토머 층)의 오목부(
Figure 112007048474020-PAT00033
) 사이에 채워 넣었다. 그리고, 이를 80℃에서 30분 동안 열경화시켜 포토마스크를 제조하였다.
(실시예 2) 패턴 형성
에폭시 기재의 네거티브 레지스트(Epoxy-Based Negative Resist)인 SU-8(microchem사)을 기재(substrate) 상에 스핀 코팅(spin coating)하였다.
그리고, 실시예 1에서 제조된 포토마스크의 패턴이 형성된 면(즉, 포토마스크의 볼록부 및 오목부가 형성된 면)을 상기 스핀 코팅으로 형성된 SU-8 레지스트 층 위에 밀착시켜, 상기 포토마스크의 패턴이 형성된 면이 SU-8 레지스트 층과 접하도록 하였다.
이후, 노광 공정을 수행하여 SU-8 레지스트 층에 패턴을 형성하였고, 이렇게 패턴이 형성된 기재 표면의 SEM 사진을 도 5에 나타내었다. 도 5에 따르면, 미세한 패턴이 선명하게 형성되었음을 알 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 포토마스크의 단면도이다.
도 2는 본 발명에 따른 포토마스크의 제조 과정을 나타내는 개략도이다.
도 3은 평평한 기재 상에 네거티브 포토레지스트 층을 형성한 후, 본 발명에 따른 포토마스크를 사용하여 패턴을 형성하는 방법을 나타내는 개략도이다.
도 4는 평평하지 않은(non-flat) 기재 상에 네거티브 포토레지스트 층을 형성한 후, 본 발명에 따른 포토마스크를 사용하여 패턴을 형성하는 방법을 나타내는 개략도이다.
도 5는 실시예 2에 따라 패턴이 형성된 기재 표면의 SEM 사진이다.
<도면에 사용된 부호의 간단한 설명>
10: 패턴이 형성된 마스터 기판
20: 광투과성 엘라스토머 층
30: 광불투과성 엘라스토머 전구체
40: 광불투과성 엘라스토머 층
50: 포토마스크
60, 61: 기재(substrate)
70: 포토레지스트 층

Claims (8)

  1. 볼록부(
    Figure 112007048474020-PAT00034
    )와 오목부(
    Figure 112007048474020-PAT00035
    )의 조합 형태로 패턴이 일면에 형성된 광투과성 엘라스토머 층; 및 상기 광투과성 엘라스토머 층의 오목부(
    Figure 112007048474020-PAT00036
    ) 내부에 형성된 광불투과성 엘라스토머 층을 포함하는 플렉시블(flexible) 포토마스크.
  2. 제1항에 있어서, 포토리소그래피(photolithography)용인 것이 특징인 포토마스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 광투과성 엘라스토머 층은 투명한 층이고, 상기 광불투과성 엘라스토머 층은 상기 광투과성 엘라스토머 층과 동일한 재질로 이루어지면서 불투명한 층인 것이 특징인 포토마스크.
  4. 제1항에 있어서, 상기 광투과성 엘라스토머 층은 폴리디메틸실록산(PDMS), 나이트릴계 수지, 아크릴계 수지, 폴리부타디엔, 폴리이소프렌, 부틸 고무, 폴리(스티렌-co-부타디엔)으로 구성된 군에서 선택된 고분자로 이루어진 것이 특징인 포토마스크.
  5. (i) 볼록부(
    Figure 112007048474020-PAT00037
    )와 오목부(
    Figure 112007048474020-PAT00038
    )의 조합 형태로 패턴이 형성된 마스터 기판 상에 광투과성 엘라스토머 전구체를 가하고 중합하여 상기 마스터 기판의 패턴과 반 대로 볼록부(
    Figure 112007048474020-PAT00039
    )와 오목부(
    Figure 112007048474020-PAT00040
    )가 일면에 형성된 광투과성 엘라스토머 층을 형성하는 단계;
    (ii) 상기 광투과성 엘라스토머 층을 상기 마스터 기판으로부터 분리하는 단계; 및
    (iii) 상기 분리된 광투과성 엘라스토머 층의 오목부(
    Figure 112007048474020-PAT00041
    )에 광불투과성 엘라스토머 전구체를 가하고 중합하여 광불투과성 엘라스토머 층을 형성하는 단계를 포함하는 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 포토마스크의 제조방법.
  6. (a) 베이스 기재 상에 포토레지스트(photoresist) 층을 형성하는 단계;
    (b) 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 포토마스크의 패턴이 형성된 면을 상기 포토레지스트 층에 접촉시키는 단계; 및
    (c) 노광하여 상기 포토마스크의 패턴에 대응되는 패턴을 상기 포토레지스트 층에 형성하는 단계를 포함하는 패턴 형성 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 포토레지스트가 포지티브(positive) 방식인 경우에 상기 포토레지스트 층은 상기 광투과성 엘라스토머 층의 볼록부(
    Figure 112007048474020-PAT00042
    )에 해당하는 부분이 제거되는 것이 특징인 패턴 형성 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 포토레지스트가 네거티브(negative) 방식인 경우에 상기 포토레지스트 층은 상기 광투과성 엘라스토머 층의 오목부(
    Figure 112007048474020-PAT00043
    )에 해당하는 부분 이 제거되는 것이 특징인 패턴 형성 방법.
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101322967B1 (ko) * 2011-05-20 2013-10-29 연세대학교 산학협력단 접촉형 임프린팅 시스템, 접촉형 임프린팅 방법 및 접촉형 임프린팅 시스템용 스탬프 제조방법
KR20160002349A (ko) * 2014-06-30 2016-01-07 내셔널 청쿵 유니버시티 포토마스크 및 포토마스크의 제조 방법
CN105278237A (zh) * 2014-06-30 2016-01-27 李永春 光罩及光罩的制造方法
KR20170013844A (ko) 2015-07-28 2017-02-07 주식회사 엘지화학 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법, 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성장치 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법
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WO2017131497A1 (ko) * 2016-01-27 2017-08-03 주식회사 엘지화학 필름 마스크, 이의 제조방법 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
WO2017131498A1 (ko) * 2016-01-27 2017-08-03 주식회사 엘지화학 필름 마스크, 이의 제조방법, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 이를 이용하여 형성된 패턴
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KR20170112550A (ko) 2016-03-31 2017-10-12 주식회사 엘지화학 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체 및 상기 포토마스크의 제조방법
WO2021137616A1 (ko) * 2020-01-03 2021-07-08 차혁진 고해상도를 갖는 유기발광디스플레이용 플렉시블 포토-패턴 마스크 및 이의 제조방법
EP4047674A3 (en) * 2021-01-28 2022-12-28 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus, mask for manufacturing the display apparatus, and method of manufacturing the display apparatus

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101322967B1 (ko) * 2011-05-20 2013-10-29 연세대학교 산학협력단 접촉형 임프린팅 시스템, 접촉형 임프린팅 방법 및 접촉형 임프린팅 시스템용 스탬프 제조방법
KR20160002349A (ko) * 2014-06-30 2016-01-07 내셔널 청쿵 유니버시티 포토마스크 및 포토마스크의 제조 방법
CN105278237A (zh) * 2014-06-30 2016-01-27 李永春 光罩及光罩的制造方法
US9690188B2 (en) 2014-06-30 2017-06-27 National Cheng Kung University Photomask and method for manufacturing photomask
US10732500B2 (en) 2015-07-28 2020-08-04 Lg Chem, Ltd. Photomask, laminate comprising photomask, photomask preparation method, pattern forming apparatus using photomask and pattern forming method using photomask
KR20170013844A (ko) 2015-07-28 2017-02-07 주식회사 엘지화학 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법, 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성장치 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법
KR20170013750A (ko) 2015-07-28 2017-02-07 주식회사 엘지화학 포토마스크, 상기 포토마스크를 포함하는 적층체, 상기 포토마스크의 제조방법 및 상기 포토마스크를 이용하는 패턴형성방법
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US10747101B2 (en) 2015-07-28 2020-08-18 Lg Chem, Ltd. Photomask, laminate comprising photomask, photomask preparation method, and pattern forming method using photomask
US10969686B2 (en) 2016-01-27 2021-04-06 Lg Chem, Ltd. Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby
JP2018535446A (ja) * 2016-01-27 2018-11-29 エルジー・ケム・リミテッド フィルムマスク、その製造方法およびこれを用いたパターンの形成方法
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WO2017131499A1 (ko) * 2016-01-27 2017-08-03 주식회사 엘지화학 필름 마스크, 이의 제조방법, 이를 이용한 패턴 형성 방법 및 이를 이용하여 형성된 패턴
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WO2017131497A1 (ko) * 2016-01-27 2017-08-03 주식회사 엘지화학 필름 마스크, 이의 제조방법 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
US10969677B2 (en) 2016-01-27 2021-04-06 Lg Chem, Ltd. Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask
US11029596B2 (en) 2016-01-27 2021-06-08 Lg Chem, Ltd. Film mask, method for manufacturing same, and method for forming pattern using film mask and pattern formed thereby
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