KR20010030001A - 디바이스제조를 위한 리소그래피 공정 - Google Patents

디바이스제조를 위한 리소그래피 공정 Download PDF

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KR20010030001A
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루센트 테크놀러지스 인크
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    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping

Abstract

패턴을 반도체 기판위에 형성되는 재료의 층에 도입시키기 위해 신축성 있는 주형이 사용되는 리소그래피 공정이 발표된다. 상기 신축성 있는 주형은 패턴을 정의하기 위해 서로 작용하는 적어도 한개의 돌출 표면과 적어도 한개의 함몰 표면을 갖는다. 상기 공정에서 상기 재료의 층이 기판에 형성된다. 상기 주형표면은 상기 주형표면의 패턴을 상기 레지스트 재료에 이전시키기 위해서 충분한 힘으로 상기 재료와 접촉된다. 단단하고 평평한 표면이 상기 패턴된 주형표면의 반대방향의 상기 주형의 면에서 상기 신축성있는 주형과 접촉된다. 상기 단단한 표면은 상기 주조된 재료에서 특정 두께의 각 지역이 실질적으로 평면이 되도록 한다. 상기 레지스트 재료는 주형표면과 접촉하고 상기 주형이 상기 평평한 표면과 접촉하고 있는 동안 굳어진다. 상기 재료가 굳어진 후에 상기 주형은 상기 굳어진 재료와 분리된다. 상기 패턴된 재료는 그리고나서 후속 공정에서 사용된다.

Description

디바이스제조를 위한 리소그래피 공정 {Lithographic process for device fabrication}
본 발명은 에너지에 민감한 레지스트재료내에 패턴을 만들기 위해 주형이 사용되는, 디바이스제조를 위한 리소그래피 공정에 관한 것이다.
집적회로들같은 디바이스들은 다양한 재료로 이루어진 복잡한 구조이다. 이런 재료들은 다양한 공정들에 의해 원하는 디바이스를 만들기 위해 정밀하게 배열된다. 리소그래피공정은 그런 디바이스들을 제작하기 위해 기판(또는 기판에 형성된 박막)에 원하는 배열을 이전하는데에 자주 사용된다.
리소그래피 공정들은 레지스트라 불리는 중간 정도의 에너지에 민감한 재료들을 사용한다. 상기 레지스트의 노출된 부분에 화학적 변화를 일으키는 패턴된 조사(radiation)에 상기 레지스트를 노출시켜서 원하는 배열의 양이나 음의 상이 우선 상기레지스트에 도입된다. 상기 조사은 전자빔과 이온빔 또는 빛의 빔이다. 상기 조사은 마스크의 총괄적 노출이나 그물형태의 마스크 패턴 또는 초점잡힌 빔을 주사하여 패턴된다. 그리고나서 레지스트에 패턴을 현상하기 위해 상기 화학적 변화가 이용되고, 상기 레지스트 아래에 있는 기판으로 상기 화학적 변화가 옮겨진다.
일반적으로 단일 기판에 디바이스들의 숫자를 증가시킬 필요가 있다. 상기 필요를 맞추기 위해 개별디바이스들은 점점 작게 만들어진다. 좀더 작은 디바이스들을 만들기 위해 상기 디바이스를 정의하는 패턴형태들도 좀더 세밀하게 되어야 한다. 일반적으로 50 nm보다 작은 형태의 패턴들이 요구된다. 전자빔 리소그래피와 X-선 리소그래피는 50 nm이하의 분해능을 갖는 형태를 제공하지만, 그런 기술들을 사용하는데 필요한 리소그래피 장치들은 고가이다.
50 nm이하의 형태크기들을 갖는 패턴들을 만드는데 사용되는 광학 리소그래피 공정들을 대체하는 한가지 비싸지 않은 공정은 Chou등에 의한 미국특허 제 5772905호에 기술된 압축주형공정이다. 이 기술에서 박막층이 기판표면에 증착된 다. 적어도 한개의 돌출 형태가 있는 단단한 주형이 박막에서 패턴을 정의하기 위해 사용된다. 그리고나서 상기 박막과 주형이 상기 박막의 유리전이온도 이상으로 가열되고, 상기 박막과 주형이 고압(1900 psi)에서 함께 압축된다. 상기 주형과 박막은 상기 박막의 온도가 유리전이온도 이하로 떨어질때까지 이 온도에서 함께 압축된다. 돌출 형태하에서의 상기 박막의 두께는 함몰 부분의 상기 박막의 두께보다 얇다. 그리고나서 상기 주형은 박막과의 접촉이 분리된다. 그리고 상기 얇은 부분이 제거되어 그 밑의 상기 기판표면이 노출되도록 상기 박막이 처리된다. 상기 박막의 두꺼운 부분은 상기 기판 위에 남는다. 그 때문에 결과적으로 상기 박막표면은 상기 주형의 패턴을 복제하게 된다.
Adv.Mater.,Vol.9,p.147(1997)에 실린 Xia,Y등의 논문 "중합체를 사용한 복제주형: 나노제작공정을 향한 실용적 단계," 에 나오는 기술과 같은, 나노미터 크기의 형태를 가진 패턴들을 형성하기 위한 다른 주형 기술들은 상기 주조되는 재료로 광학적으로 경화되는 재료를 사용한다. 이런 공정들에서는 상기 주조되는 재료는 상기 주형이 상기 재료와 접촉할 때, 열을 가하지 않아도, 상기 주형의 패턴과 잘 합치하기 위해 충분히 낮은 점성도를 가진다. 상기 주형이 상기 재료와 접촉한 후에 상기 재료는 빛의 빔과 같은 조사을 사용하여 경화된다(굳어진다). 그러나, Xia등은 그들의 공정에 의해 생산된 나노 구조들이 기능적인 전자적 또는 광학적 구성요소들을 생성시키는데 사용될 수 있기 전에 새로운 기술들의 발전이 필요할것이라고 관찰하였다. 결과적으로 박막에서 나노미터크기 형태들을 패턴화하기 위해 주형을 사용하는 공정들은 좀더 고가의 리소그래피 기술들을 대체하는 저가 공정으로서 매력적인 상태이지만, 한층 더한 개선이 요구된다.
본 발명은 장치제작을 위한 공정이다. 본 발명의 공정에서 패턴을 정의하는 탄력성있는 주형과 연결된 평평한 표면을 가진 물체를 사용하여 패턴이 한 층의 재료에 도입된다. 상기 주형은 양각 표면을 가진 물체이다. 상기 양각 표면은 적어도 한개의 패턴지역을 가지고 있다. 패턴지역은 적어도 한개의 돌출부와 한개의 함몰 부분을 가지고 있다. 상기 주형이 상기 재료와 접촉할 때 상기 재료의 표면은 상기 주형의 양각 표면을 따른다. 상기 주형의 양각 표면에서 적어도 한개의 돌출부는 상기 주형의 양각표면의 적어도 하나의 함몰 부분에 의해 정의된 지역보다 재료의 두께가 얇다. 그래서 상기 재료에 의해 정의된 상기 패턴은 다른 두께들의 지역들에 의해 형태가 그려지고 이들 다른 두께들은 상기 주형표면에 의해 도입된다. 상기 양각표면도 평평한 지역을 가지면 유리하다. 상기 평평한 지역은 상기 주형의 양각표면에 의해 패턴되지 않은 상기 재료의 표면의 일부분에 원하는 평평도를 도입한다.
상기 주형은 주형기판의 표면을 패턴하거나 패턴된 표면에 주형재료의 액체 프리커서를 주조하고 재료를 굳힘으로써 형성된다. 상기 주형의 평평한 지역은 실질적으로 균일한 두께를 가진다(상기 평평한 표면부터 반대표면(상기 양각표면 반대의 표면)까지의 두께). 상기 양각표면의 반대의 상기 주형표면에 의해 정의된 면과 상기 주형 양각에서 돌출부와 함몰 부분에 의해 정의된 면들이 실질적으로 모두 서로 평행하면 유리하다.
상기 재료에 정의된 패턴에 원하는 평평도를 주기 위해 평평한 표면을 갖는 물체가 상기 주형과 함께 사용된다. 상기 주형 양각표면으로부터 상기 재료의 표면으로 이전된 상기 패턴은 양각표면이므로 상기 주조된 표면은 다른 면들이 있는 지역들을 가진다. 예를 들어 한개의 얇은 지역과 한개의 두꺼운 지역에 의해 정의된 패턴에서 얇은 지역은 제 1 면에 있고 두꺼운 지역은 제 2 면에 있다. 제 1 면의 지역들이 실질적으로 서로 평평하면 유리하다. 부가적으로 제 2 면의 지역들이 실질적으로서로 평평해도 유리하다.
상기 공정에서 재료의 층은 기판위에 형성된다. 상기 기판은 주로 반도체 기판(실리콘, 실리콘-게르마늄, 실리콘-온(on)-절연체)이다. 반도체기판이 주로 사용되는 마이크로 전자공학의 장치제작에 부가하여 고 분해능 리소그래피는 유기전자공학과 분산 광학과 자기적이고 광학적인 저장을 위한 디스크과 마이크로 유체의 종합 분석 시스템과, 기판들이 플라스틱 판들과 석영 판들과 금속 상변화 매개물들인 다른 응용분야의 패턴화에 유용하다. 기판은 박막을 성장시키지 않은 반도체기판이거나, 좀더 전형적으로는 반도체 기판위에 형성된 하나 이상의 재료의 층들이다. 본 발명의 일실시예에서 상기 재료가 적용된 표면은 지형상의 표면이다. 재료의 층이 상기 기판에 형성된 후에, 재료의 층은 주형과 접촉하도록 놓여진다. 상기 주형표면은 평평한 지역과 양각패턴지역을 가지고 있다. 상기 양각패턴지역은 적어도 하나의 돌출부와 하나의 함몰 부분을 가지고 있다. 상기 주형은 또한 실질적으로 신축성이 있다. 본 발명의 상황에서 주형은 약 10 psi보다 작은 압력(그 자신의 무게 아래에서 변형되는 재료를 포함함)에 반응하여 변형될때 실질적으로 신축성이 있다.
상기 주형이 실질적으로 신축성이 있으므로 작은 힘에 반응하여 변형될 것이다. 상기 주형공정중의 변형은 원하지 않는 것이기 때문에, 상기 주형은 상기 주형 양각패턴이 상기 재료와 접촉할 때 평평한 표면에 의해 지지된다. 상기 평평한 표면은 상기 기판보다 더 단단하다. 상기 평평한 표면이 상기 기판보다 더 단단하므로 상기 기판자체는 평평한 표면에 의해 지지되는 주형으로부터의 압력을 받는 접촉에 반응하여 평평해진다. 예를 들어 실리콘 웨이퍼는 휘는 경향이 있다. 그런 휨은 평평도를 저하시킨다. 본 공정에서 웨이퍼의 휨은 상기 재료의 표면이 주조될 때 제거된다. 상기 기판이 휘려는 경향이 없다면 그때 평평한 표면이, 적어도 ,재료의 층이 그 위에 형성되는 기판정도로, 단단하면 유리하다.
본 공정에서 사용하기에 충분히 평평한 표면들을 가진 물체들은 그 분야의 당업자에게 잘 알려져 있다. 그러한 물체의 한 예는 용융실리카(fused silica)로 만들어진 두꺼운(9인치 지름에 1.5인치 두께) 광학적 평면이다. 상기 광학적 평면은 표면 평평도가 λ/10, 여기서 λ는 표준 나트륨램프의 파장,이고 미세거칠기가 약 50Å RMS(평균 제곱근)보다 작다.
상기 양각패턴은 패턴을 재료의 층에 옮기기 위한 충분한 힘으로 재료의 층과 접촉하여 있다. 상기 패턴이전은 상기 평평한 표면이 상기 주형과 접촉하기 전이나 후에 수행된다. 이에 관하여 상기 재료는 상기 주형이 상기 재료에 찍혀지는 방식으로 상기 주형표면의 압력받는 접촉에 반응하여 휘어지거나 흘러야 한다. 적당한 재료들은 에너지-경화가능 재료들 (에너지에 반응하여 굳어지거나 경화되는 재료들) 또는 열을 가했을 때 연화되는 재료들이다. 그리고나서 상기 재료는 굳어진다. 본 발명의 일실시예에서 상기 재료는 조사에 노출되어 굳어지는 에너지-경화가능 재료이다. 본 발명의 다른 실시예에서 상기 재료는 열적 경화처리에 의해 굳어진다. 다른 실시예에서 상기 재료는 용융되고 패턴화 되고 냉각된다(다시 굳게 하기 위해).
상기 주조된 재료가 굳어진 후에, 상기 주형은 상기 굳어진 재료와 접촉이 분리된다. 우선, 상기 단단하고 평평한 표면이 굳어진 상기 주형과 접촉이 분리된다. 그리고나서 상기 주형이 상기 굳어진 재료와 접촉이 분리된다. 상기 주형 그 자체는 변형될 수 있으므로, 상기 굳어진 재료에서 패턴을 손상시키지 않고 상기 굳어진 재료와의 접촉이 쉽게 분리된다. 이에 관하여 상기 주형재료는 굳어진 재료에 들러붙지 않도록 선택된다. 그 분야의 당업자는 쉽게 적당한 재료를 선택할 것이다. 분리제도 사용되어 상기 주형과 상기 재료가 서로 들러붙지 않게 할 것이다.
또한, 상기 주형의 휘는 성질(과 상기 주형의 평평한 지역이 실질적으로 균일한 두께라는 사실로부터 유도된 두께의 균일성)때문에, 상기 평평한 지역의 평평도는 상기 주형을 통해 상기 재료로 이전된다. 상기 평평한 표면이 상기 주조된 표면의 원하는 평면지역에 실질적으로 평행하게 방향이 잡히기 때문에, 그렇지 않으면 생길 원하지 않는 지형이 회피된다. 결과적으로 상기 평평한 표면이 상기 주형의 양각표면에서 상기 주조된 재료로의 패턴이전의 완전함을 보장한다. 상기 평평한 표면과 실질적으로 신축성 있는 상기 주형과의 협력으로 인해, 그렇지 않으면 주형변형과 일직선으로 정렬되지 않음(misalignment)으로 발생하는 원하지 않는 지형이 주조된 재료의 층에 도입되지 않는다. 이에 관하여 본 발명은 상기 재료에 평평한 지역이 없는(사인 곡선의 표면)패턴을 도입하는데도 유용하다.
상기 주형이 상기 굳어진 재료와 접촉이 분리된 후, 상기 굳어진 재료는 상기 굳어진 재료의 얇은 부분이 ,밑에 있는 상기 기판을 노출시키면서, 제거되도록 처리된다. 그래서 상기 주형의 패턴은 상기 굳어진 재료의 박막에 복제된다. 어떤 실시예들에서는 패턴된 재료가 패턴된 층의 얇은 부분들이, 기판표면의 아래에 있는 부분을 노출시키면서, 제거되도록 에칭된다. 상기 굳어진 재료의 박막의 패턴은 다음 공정에서 아래에 있는 기판에 이전된다. 다른 실시예에서는 재료의 층이 굳어진 재료의 패턴된 박막에 증착된다. 그리고나서 과잉 증착된 층은 아래에 있는 패턴된 박막을 제거하여 패턴된다.
도 1a는 본 발명에 따른 주형과 기판과 평평한 표면을 도시한 단면도.
도 1b는 상기 기판에 형성된 에너지-경화가능 재료의 박막에 적용된 상기 주형을 도시한 도 1a의 상기 기판과 상기 주형의 단면도.
도 1c는 상기 박막과 전면접촉한 상기 주형이 도시된 도 1b의 상기 기판의 단면도.
도 1d는 신축성있는 상기 주형의 후면과 접촉하여 압력을 받은 상기 단단하고 평평한 표면을 도시한 도 1c의 상기 기판의 단면도.
도 1e는 상기 에너지-경화가능 재료가 상기 주형과 접촉하는 동안 조사 (radiation)에 노출된 것을 도시한 도 1d의 상기 기판의 단면도.
도 1f는 상기 주형이 아래에 있는 상기 굳어진 재료와의 접촉이 제거되고 있는, 도 1e의 상기 기판의 단면도.
도 1g는 아래에 있는 상기 기판을 노출시키기 위해 에너지-경화가능 상기 박막의 얇은 부분을 제거하는 것을 도시한 도 1f의 상기 기판의 단면도.
도 2는 상기 주형을 상기 에너지-경화가능 재료와 접촉시키고 그것들을 함께 압축시키는데 적합한 장치의 분해 단면도.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
202: 평평한 표면을 가진 물체 213: 주형
214: 양각표면 228: 에너지-경화가능 재료
230: 기판
본 발명은 특정 예들에 의해 더 기술될 수 있다. 상기 예들은 본 발명을 더 예시하기 위한 것이다. 상기 예들은 본 발명의 범위를 한정하기 위한 것이 아니다.
본 발명의 공정은 도 1a 내지 도 1g에 예시된 모범적인 공정흐름에 의해 기술된다. 이 도면들은 스케일(scale)된 것이 아니다. 도1을 언급하면 액체인 에너지-경화가능 재료(15)의 박막이 기판(10)에 형성된다. 상기 기판(10)은 실리콘 웨이퍼와 같은 반도체기판이다. 어떤 실시예들에서는 상기 기판은 그 위에 형성된 다른 재료로 된 하나이상의 층을 가지고 있다. 이런 다른 재료들의 예들은 절연체들(실리콘 다이옥사이드(SiO2), 실리콘 나이트라이드)과 금속들(알루미늄, 구리, 텅스텐, 금)을 포함한다.
양각패턴(21)이 있는 주형(20)이 주어진다. 어떤 특성들을 가진 주형을 제공하기 위해 상기 주형재료가 선택된다. 한가지 특성은 상기 주형은 실질적으로 신축성이 있다는 것이다. 즉, 상기 주형은 작은 양의 압력(주형을 휘게 하는 데 10 psi보다 크지 않은 압력이 요구되어야 한다)에도 휜다. 다른 특성은 에너지-경화가능재료를 굳어지게 하거나 경화시키는 데 사용되는 조사에 상기 주형이 투명하다는 것이 다. 상기 특성은 상기 에너지-경화가능 재료가 조사-경화가능 재료일때 유리하 다. 상기 특성은 상기 에너지-경화가능 재료가 열-경화가능 재료이면 유리한 점이 없다.
실질적으로 신축성있는 주형은 상기 주조되는 재료와 접촉되거나 접촉이 분리될 때 적어도 약간은 변형될 가능성은 있다. 그러므로 상기 주형은, 전체적으로가 아닌 점진적으로, 상기 주조된 재료로부터 접촉되거나 분리될 수 있다. 점진적인 접촉은 상기 주형 접촉표면의 한 부분이 상기 에너지-경화가능 재료와 접촉하고 다른 부분은 접촉하지 않을 때이다. 전체적인 접촉은 전체 주형 접촉표면이 동시에 상기 에너지-경화가능 재료와 접촉하거나 접촉이 분리될 때이다.
점진적인 접촉이 진행될 때(상기 주형의 중앙에서 바깥쪽으로 움직이거나 상기 주형의 한면에서 다른 면으로 진행함), 그렇지 않았으면 상기 주형 표면과 상기재료사이에서 갇혔을 공기가 빠져나오기 때문에 상기 주형이 상기 에너지-경화가능 재료와 접촉될 때 실질적으로 신축성 있는 주형을 사용하는 것이 유리하다. 상기 주형이 상기 굳어진 에너지-경화가능 재료와 접촉이 분리될 때에도 실질적으로 신축성있는 주형이 유리하다. 전체적인 분리에 필요한 힘의 양에 비해 점진적으로 주형을 굳어진 재료로부터 분리하는 데 더 작은 힘이 요구된다는 사실에서 상기 유리한 점이 얻어진다. 결과적으로 주형으로부터의 전체적인 분리에 비해 주형으로부터의 점진적인 분리동안 상기 굳어진 재료는 더 작은 힘을 받게 된다. 전체적인 분리에 비해 점진적인 분리동안, 상기 굳어진 재료의 패턴은 손상을 더 적게 받게 된다.
상기 주형과 에너지-경화가능 재료가 모두 단단하다면(이미 인용된 Chou등의 특허의 경우처럼) 상기 주형과 굳어진 재료를 분리하는데 전체적인 분리가 필요하다. 이로 인해 상기 주조된 표면의 패턴된 지역을 제한하게 되는데, 큰 표면적(6 인치나 8 인치 실리콘웨이퍼의 표면적)을 분리하는 데 필요한 힘이 상기 주조된 패턴을 손상시키기 쉽기 때문이다.
적당한 주형재료의 한 예로 폴리디메틸실록세인(Polydimethylsiloxane)의 합성고무 (Elastomer)가 있다. 그러한 재료로 된 주형은 그 분야의 당업자에게 잘 알려진 다양한 기술들에 의해 만들어 질 수 있다. 하나의 모범적인 기술로서 고 분해능 리소그래피를 사용하여 패턴이 에너지에 민감한 재료(레지스트로 언급됨)에 형성된다. 레지스트는 양의 상태이거나 음의 상태이고 단단한 기판위에 형성된다.
20 nm정도로 작은 형태의 패턴들은 고 분해능 리소그래피를 사용하여 형성된다. 5 nm정도로 작은 크기의 패턴 형태들은 본 발명의 공정을 사용하여 달성될 수 있다. 고 분해능 리소그래피에 사용된 공정조건들과 재료들은 그 분야의 당업자에게 잘 알려져 있고 여기서 자세히 논의되지는 않는다.
상기 패턴의 형상이 상기 레지스트에 그려진 뒤에 상기 패턴이 현상된다. 그리고나서 상기 주형재료의 액체 프리커서가 패턴된 레지스트 재료에 대해 주조된 다. 그리고나서 상기 액체 프리커서는 경화되고(굳어지고) 상기 레지스트 패턴으로부터 분리된다.
상기 주형이 신축성이 있기 때분에, 상기 에너지-경화가능 재료(15)와 접촉할 때 실질적으로 단단한 표면에 의해 지지되면 유리하다. 본 발명의 상황에서 실질적으로 단단하다는 것은 에너지-경화가능 재료의 층이 형성되는 기판보다 단단하다는 것이다. 도 1a에서 상기 평평하고 단단한 표면(25)은 아직 상기 주형(20)과 접촉하고 있지 않다.
도 1b를 언급하면 상기 주형(20)이 상기 에너지-경화가능 재료(15)와 점진적으로 접촉하고 있다. 도 1b에 점진적인 접촉이 도시되어 있다. 점진적인 접촉에서 상기 주형표면과 에너지-경화가능 재료의 표면은 서로 처음 접촉했을때 동일평면상에 있지 않다. 상기 주형(20)은 상기 에너지-경화가능 재료(15)와 접촉했을 때 움푹 들어가게 된다. 결과적으로 상기 주형(20)과 상기 에너지-경화가능 재료(15)사이의 공기가 빠져나가게 된다. 이것이, 접촉되었을 때 공기가 상기 주형과 에너지-경화가능 재료사이에 갇히기 쉬운, 종래 기술의 단단한 주형들에 대해 유리한 점이다. 그렇게 갇힌 공기로 인해 다음의 주조된 표면은 균일하지 않게 된다.
도 1c를 언급하면 상기 주형(20)이 상기 에너지-경화가능 재료(15)로 약간 압력을 받을 때 상기 에너지-경화가능 재료(15)는 상기 패턴된 주형표면(21)을 따른 다. 상기 패턴된 주형표면 (21)에서 투사(projection)에 의해 옮겨진 상기 에너지-경화가능 재료는 패턴된 주형표면(21)의 함몰 부분으로 흘러간다.
도 1d를 언급하면, 그리고나서 상기 단단하고 평평한 표면(25)이 상기 주형 (20)과 접촉한다. 상기 단단하고 평평한 표면(25)은 실질적으로 기판의 표면(10)에 평행하게 방향이 잡혀진다. 상기 단단하고 평평한 표면때문에 상기 에너지-경화가능 재료(15)의 주조된 표면에 평평한 지역과 패턴된 지역이 얻어진다. 도 1e를 언급하면 상기 에너지-경화가능 재료는 조사(30)에 노출시켜서 굳어진다. 상기 노출용 조사의 파장은 상기 특정재료에 의존한다. 상기 평평한 표면(25)과 주형(20)은 모두 실질적으로 노출용 조사의 파장에서 투명하다. 도 1f를 언급하면 상기 에너지 -경화가능 재료가 굳어지고 상기 단단하고 평평한 표면이 상기 주형(25)과 접촉이 분리된 후에 상기 주형(25)이 굳어진 재료(15)와 분리된다. 그리고나서 상기 굳어진 재료는 상기 기판의 표면(10)을 노출시키면서 상기 재료의 얇은 지역들(17)이 제거될 때까지 에칭된다. 도 1g에 도시된 대로 상기 굳어진 재료의 남은 부분들(15)은 도 1f의 굳어진 재료(15)의 층의 두꺼운 부분들(18)과 일치한다.
도 2(스케일되어 있지 않음)는 물체(202)의 평평한 표면을 양각표면(214)을 가진 주형(213)과 접촉시키기 위해 사용되는 장치(200)의 개략도이다. 상기 장치는 상기 양각표면(214)이 상기 에너지-경화가능 재료(228)와 접촉하게도 한다. 상기 장치(200)는 장치의 틀(201)을 가지고 있고 그 안에 평평한 표면의 물체(202)와 주형(213)이 들어가 있다 . 에너지-경화가능 재료의 층(228)이 있는 기판(230)은 상기 장치의 틀(201)안에 움직일 수 있게 들어가 있는 변형가능한 지지대(211)위에 놓여져 있다. 그러므로 변형가능한 지지대(211)는 상기 에너지-경화가능 재료(228)가 상기 주형(213)의 양각표면(214)과 접촉하고 있지 않은 제 1 위치로부터 에너지 -경화가능 재료(228)가 주형(213)의 양각표면(214)과 접촉하고 있는 제 2 위치로 이동될 수 있다.
충분히 단단하고, 충분히 평면적인, 평평한 표면을 가진 물체(202)의 하나의 예는 광학적 평면이다. 상기물체가 자외선 조사에 투명하다는 것도 유리한데, 어떤 실시예들에서 그런 조사에 노출되었을 때 상기 에너지-경화가능 재료가 굳어지기 때문이다. 바람직하게 평평한 표면을 제공하는 물체의 한가지 예는 캘리포니아의 무어파크(Moorpark)에 있는 제네랄 옵틱스 (General Optics)로 부터 입수할 수 있는 용융실리카로 만들어진 광학적 평면이다. 물체(202)의 형태는 그 크기처럼 변할 수 있다. 그러나, 상기 물체(202)는 상기 에너지-경화가능 재료(228)에 형성된 각각의 평면지역이 원하는 정도의 평평도를 갖는 것을 보장하기에 충분한 두께를 갖는다.
장치의 틀(201)은 물체(202)를 장치의 틀에서 보장하기 위해 아래덮개(206)와 중간덮개(205)와 윗덮개(204)와 클램핑(clamping)덮개(203)를 포함하는 다중 구성요소의 덮개 조립품(220)이 통합되어 있다. 물체(202)의 아래표면은 아래덮개 (206)의 덮개(225)에 위치한 O-링(250)에 놓여진다. O-링(250)은 아래에 논의된 바와 같이 장치의 틀(201)이 진공이 될 때 물체(202)와 봉인을 형성한다. 윗덮개 (204)와 중간덮개(205)는 O-링(258)과 결합되어 덮개 조립품(220)내에 있을 때 물체(202)가 측면으로 움직이는 것을 제한하도록 배치된다. 도 2에 도시된 아래덮개 (206)는 링형태의 재료이지만, 아래덮개(206)의 형태은 설계선택상의 문제이 고, 상기 물체(202)를 제한하고 진공을 보장하며(아래에 논의됨) 상기 물체(202)와 주형(213)과 에너지-경화가능 재료(228)와 접촉하게 하는 기능을 수행하는 어떤 배치도 적절히 구상되어 진다.
물체(202)의 형태과 두께를 따르는 중간덮개(205)와 윗덮개(204)는 아래덮개 (206)에 부착되어 있다. 물체(202)의 윗평면이 윗덮개(204)의 윗평면과 같은 평면에 있는 것이 유리하고, 그러므로 클램핑 덮개(203)의 윗덮개(204)에 대한 부착은 기판(230)위의 상기 에너지-경화가능 재료(228)가 상기 주형 양각표면(214)과 접촉할 때 물체(202)의 수직운동을 제한한다. 가장 윗부분의 클램프 링(203)은 그것을 통해 조사이 기판(230)위의 상기 에너지-한정가능 재료(228)의 표면으로 투과되는 지역(215)을 포함한다. 상기 조사은 상기 기판표면에 형성된 상기 에너지-경화가능 재료(228)를 경화시키는데 사용된다(아래에 논의됨). 예를 들어 도 2에 도시된대로 에너지가 그것을 통해 투과할 수 있는 지역(215)은 클램핑 덮개(203)의 선택할 수 있게 열린 지역이다.
다중 구성요소 덮개 조립품(220)은 힌지들(도시되지 않음)과 복수의 클램프들과 나사들(도시되지 않음)을 사용하여 장치의 틀의 측벽(207)에 부착되어 있다. 힌지들과 클램프들과 나사들(도시되지 않음)은 평평화 장치(200)로부터 기판들 (230)을 로딩하고 언로딩하는 것을 용이하게 한다. 장치의 틀(201)의 구성부분들은 위에 논의된 것을 제외하고 예를들어 알루미늄같은 금속으로부터 선택할 수 있게 만들어진다.
(예1)
주형은 그 위에 2 ㎛ 두께의 실리콘산화막이 형성된 실리콘웨이퍼에 레지스트재료(말보로 마스의 쉬플리회사(the Shipley Company of Marlborough Mass)로 부터 입수된 노볼락 레진(a novolac resin, Shipley 1805))의 층을 증착시켜 형성된다. 상기 레지스트의 두께는 600 nm였다. 200 nm 폭의 라인들과 공간들의 패턴의 상이 전통적인 248nm 투사 리소그래피 장치를 사용하여 상기 레지스트 재료에 도입되었다. 그리고나서 상기 패턴은 전통적인 현상액(마이크로디포짓(Microdeposit) 351; 물에서 1:5의 희석액)을 사용하여 40초간 현상되었다. 그리고나서 상기 패턴은 산소 플라즈마 에칭(RF전압이 100V, 50 mtorr CHF3가 30초간 50 sccm/min의 유량)을 사용하여 아래있는 산화물층에 이전되었다. 이전된 상기 패턴의 깊이는 100 nm였다. 남아있는 상기 레지스트는 아세톤을 사용하여 제거되었다.
그리고나서 상기 산화물패턴은 트리데카플루오로-1,1,2,2,-테트라하이드로
옥틸-1-트리클로로실레인(tridecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrooctyl-1-trichloro silane)의 증기에 노출되었다. 상기 산화물 패턴이 있는 웨이퍼가 진공 챔버 (chamber) 에 놓여지고 몇 방울의 실레인(silane)이 상기 챔버에 도입되었다.
그리고나서, 폴리디메틸실록세인(PDMS, 다우케미칼 회사(the Dow Chemical Co) 의 실가드(Sylgard)184로부터 얻음)의 액체 프리커서가 상기 패턴된 레지스트에서 주조되었다. 그리고 프리폴리머(prepolymer)가 65 ℃에서 2 시간동안 경화되었다(굳어짐). 그리고 경화된 PDMS박막은 상기 패턴된 레지스트로부터 분리되었다.
그리고나서 패턴을 에너지에 민감한 재료의 층에 도입하기 위해 상기 주형이
사용되었다. 광-경화가능재료의 층들, 아크릴레이트 광증감제(acrylate photo -sensitizer)(무게비로 3 %)와 결합된 에폭시 노볼락( 미시간주 미드랜드의 다우케미칼 회사의 D.E.N 431로부터 얻어짐)이 두가지 서로 다른 기판들위에 스핀-주조되었다. 하나의 기판은 그 위에 산화된 실리콘과 텅스텐의 연속된 층이 형성된 실리콘 기판이었다. 다른 기판은 그 위에 금의 층이 형성된 실리콘 기판이었다. 상기 재료는 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트 (부피비로 8:1)로 희석시켜 스핀-주조되었다. 상기 액체혼합물은 200 nm두께의 액체 박막을 형성시키기 위해 약 40초간 5000 rpm의 속도로 스핀-주조되었다. 결과적으로 상기 에너지-경화가능 박막은 상기 주형의 양각 형태들의 두께보다 두꺼웠다.
그리고나서 상기 신축성 있는 주형이 상기 액체박막과 접촉되었다. 상기
신축성 있는 주형은 공기가 상기 주형과 액체박막의 사이에 갇히지 않게 하는 방법으로 접촉되었다. 한 예로 상기 주형의 중심이 우선 상기 웨이퍼의 중심과 접촉하고 상기 접촉이 바깥방향으로 진행하였다. 다른 예로 상기 주형의 한 가장자리가 상기 액체박막의 한 가장자리와 접촉되었고 점진적인 접촉이 상기 웨이퍼표면에 걸쳐 이루어졌다.
그리고나서 상기 주형은 광학적으로 평평한 표면을 사용하여 상기 액체와 접촉하여 압력을 받았다. 상기 주형과 접촉하고 있는 상기 평평한 표면에 압력을 가하기 위해 사용된 장치는 도 2에 개략적으로 도시되어 있다. 그리고 상기액체재료는 코넥티커트주 스트라트포드의 오리엘(Oriel) 인스트루먼트로부터 입수된 오리엘 68810 수은 아크 램프의 자외선 조사에 노출시켜 경화되었다. 상기 램프의 출력은 4W/㎠이었고 상기 액체 재료는 15분간 상기 램프의 조사에 노출되었는데 200 nm두께의 박막을 경화시키기에 적당하였다. 상기 조사은 상기 주형을 투과하였다.
상기 박막이 굳어진 후에 상기 광학적으로 평평한 표면은 상기 주형과의 접촉이 분리되었고 상기 주형은 상기 굳어진 재료와의 접촉으로부터 벗겨졌다. 그리고나서 상기 굳어진 표면은 이방성(anisotropic)에칭을 받았다. 선택된 에칭수단은 RF 전압 100 V와 O2압력 50 mtorr와 30초간의 O2유량 50 sccm/min 을 사용하여 형성된 산소 플라즈마였다. 이것은 상기 패턴된 박막의 두꺼운 지역들을 제거하지 않고 패턴된 박막의 얇은 지역들을 제거하기에 적당한 시간이었다. 그리고 상기 패턴은 아래있는 상기 기판으로 이전되었다. 한가지 예로 상기 기판이, 그위에 산화된 실리콘과 텅스텐의 연속된 층이 형성된, 실리콘 웨이퍼일때 상기 굳어진 재료의 패턴은 CF4플라즈마에서 반응성 이온 에칭을 사용하여 아래있는 텅스텐과 산화된 실리콘 층들에 이전되었다. 에칭은 플라즈마-썸 790 시리즈 (Plasma-Therm 790 Series) 에칭 장치에서 수행되었다. CF4의 유량은 50 sccm이었고 플라즈마 에칭장비의 압력은 50 mtorr 였으며 동작전압은 80 볼트였다. 상기 플라즈마에칭의 지속시간은 약 1분 이었다.
상기 기판이, 그 위에 금의 층이 형성된, 실리콘 웨이퍼인 한가지 예에서, 상기 패턴은 습식 요오드화 칼륨 에칭을 사용하여 아래있는 층으로 이전되었다. 에칭률은 약 28 Å/sec 였다. 에칭액은 금 에칭액 타입 TFA 였는데, 이것은 MA 댄버의 트랜센 회사 (the Transene Co.,Inc.,of Danvers,MA)에서 상업적으로 얻어진다.

Claims (12)

  1. 디바이스제조를 위한 리소그래피 공정에 있어서,
    기판위에 재료층을 형성시키는 단계와,
    패턴을 정의하는 주형표면을 가지며 신축성있는 재료로 된 주형을 상기 재료층과 접촉시켜서 위치시키는 단계로써, 상기 주형표면은 적어도 하나의 돌출 표면과 적어도 하나의 함몰 표면을 가진 패턴지역을 가지며, 상기 돌출 표면과 상기 함몰 표면은 함께 패턴형태를 정의하는, 상기 주형을 위치시키는 단계와,
    상기 주형을 상기 주형표면의 반대쪽 표면상에서 물체의 평평한 표면과 충분한 힘으로 접촉시켜서 상기 주형이 상기 평평한 표면과 같은 모양이 되도록 하는 단계와,
    상기 재료가 상기 주형표면과 접촉하고 있고, 상기 평평한 표면이 상기 주형과 접촉하고 있는 동안 상기 재료를 굳게 하는 단계와,
    상기 주형을 상기 굳어진 재료막과의 접촉으로부터 분리시키는 단계를 포함하며,
    상기 재료를 굳게 하기 전에, 상기 주형표면은 상기 재료층과 충분한 압력으로 접촉하여 상기 재료층이 상기 주형표면과 같은 모양이 되도록 하고, 그에의해, 양각패턴을 상기 주형표면의 패턴과 같은 모양인 상기 재료층에 도입하며, 상기 양각패턴은 상기 주형표면의 돌출표면에 대응하는 얇은 지역과 상기 주형표면의 함몰 표면에 대응하는 두꺼운 지역을 갖는, 리소그래피 공정.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 주형 표면이 평탄한 지역을 더 포함하는 리소그래피 공정.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 굳어진 재료의 얇은 부분을 제거하기 위해 상기 양각패턴을 처리하고, 이에의해 상기 굳어진 재료의 얇은 부분의 아래에 있는 상기기판의 일부분을 노출시키는 단계를 더 포함하는 리소그래피 공정.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 재료가 에너지-경화가능 재료인 리소그래피 공정.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 재료가 열가소성 재료인 리소그래피 공정.
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 패턴형태가 약 5 ㎛ 보다 작은 크기를 갖는 리소그래피 공정.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 패턴형태가 약 500 nm 보다 작은 크기를 갖는 리소그래피 공정.
  8. 제 4 항에 있어서, 상기 평평한 표면과 상기 주형재료가 상기 노출용 조사에 투명한, 리소그래피 공정.
  9. 제 2 항에 있어서, 상기 평평한 표면이 광학적으로 평평한 표면인 리소그래피 공정.
  10. 제 2 항에 있어서, 상기 양각표면이, 상기 기판표면에 의해 정의되는 평면에 실질적으로 평행한 복수의 면들 내에서 복수의 표면들을 가지고, 각 면의 상기 표면이 실질적으로 평면인 리소그래피 공정.
  11. 제 2 항에 있어서, 상기 기판이 반도체 기판들과, 플라스틱 기판들과, 유리 기판들과, 금속 상변화 기판들로 구성되는 그룹에서 선택되는 리소그래피 공정.
  12. 제 2 항에 있어서, 상기 기판이 그 위에 상기 재료의 층이 형성된 지형상의 표면을 가진 리소그래피 공정.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020084849A (ko) * 2001-05-02 2002-11-13 주식회사 미뉴타텍 용매 흡수성 물질을 이용한 미세 패턴 및 미세 채널 형성방법
KR100408163B1 (ko) * 2001-10-29 2003-12-01 주식회사 미뉴타텍 반도체 소자용 미세 패턴 형성 방법
KR100491244B1 (ko) * 2001-09-25 2005-05-24 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 박막형성장치 및 박막형성방법
KR101375132B1 (ko) * 2005-12-01 2014-03-17 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 고화된 임프린팅 재료로부터 몰드를 분리하는 기술

Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2264523A3 (en) * 2000-07-16 2011-11-30 Board Of Regents, The University Of Texas System A method of forming a pattern on a substrate in imprint lithographic processes
WO2002006902A2 (en) * 2000-07-17 2002-01-24 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and system of automatic fluid dispensing for imprint lithography processes
DE20122196U1 (de) * 2000-10-12 2004-09-16 Board of Regents, The University of Texas System, Austin Schablone für Niederdruck-Mikro- und -Nanoprägelithographie bei Raumtemperatur
KR101031528B1 (ko) * 2000-10-12 2011-04-27 더 보드 오브 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 실온 저압 마이크로- 및 나노- 임프린트 리소그래피용템플릿
US6517977B2 (en) * 2001-03-28 2003-02-11 Motorola, Inc. Lithographic template and method of formation and use
DE10134763A1 (de) * 2001-07-05 2003-01-16 Micro Resist Technology Gmbh Kunststoffstempel für die Erzeugung von Mikro- und Nanostrukturen mit der Imprintlithographie
CN100373528C (zh) * 2002-03-15 2008-03-05 普林斯顿大学 激光辅助直接压印平板印刷术
US6861365B2 (en) * 2002-06-28 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system for forming a semiconductor device
US7442336B2 (en) 2003-08-21 2008-10-28 Molecular Imprints, Inc. Capillary imprinting technique
US7019819B2 (en) 2002-11-13 2006-03-28 Molecular Imprints, Inc. Chucking system for modulating shapes of substrates
US7077992B2 (en) 2002-07-11 2006-07-18 Molecular Imprints, Inc. Step and repeat imprint lithography processes
US6887792B2 (en) * 2002-09-17 2005-05-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Embossed mask lithography
US7510946B2 (en) 2003-03-17 2009-03-31 Princeton University Method for filling of nanoscale holes and trenches and for planarizing of a wafer surface
CA2423531A1 (en) * 2003-03-26 2004-09-26 Shawcor Ltd. Method of imparting patterns of surface relief to rigid substrates
JP2005045168A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Tokyo Electron Ltd インプリント方法およびインプリント装置
US7153360B2 (en) 2003-12-16 2006-12-26 Hewlett-Packard Development Company, Lp. Template and methods for forming photonic crystals
US7255805B2 (en) 2004-01-12 2007-08-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Photonic structures, devices, and methods
US7168939B2 (en) 2004-02-26 2007-01-30 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv System, method, and apparatus for multilevel UV molding lithography for air bearing surface patterning
EP1742893B1 (en) * 2004-04-27 2012-10-10 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Composite patterning devices for soft lithography
JP4574240B2 (ja) * 2004-06-11 2010-11-04 キヤノン株式会社 加工装置、加工方法、デバイス製造方法
US7331283B2 (en) 2004-12-16 2008-02-19 Asml Holding N.V. Method and apparatus for imprint pattern replication
US7363854B2 (en) 2004-12-16 2008-04-29 Asml Holding N.V. System and method for patterning both sides of a substrate utilizing imprint lithography
US7410591B2 (en) 2004-12-16 2008-08-12 Asml Holding N.V. Method and system for making a nano-plate for imprint lithography
US7399422B2 (en) 2005-11-29 2008-07-15 Asml Holding N.V. System and method for forming nanodisks used in imprint lithography and nanodisk and memory disk formed thereby
US7409759B2 (en) 2004-12-16 2008-08-12 Asml Holding N.V. Method for making a computer hard drive platen using a nano-plate
JP4773729B2 (ja) 2005-02-28 2011-09-14 キヤノン株式会社 転写装置およびデバイス製造方法
JP4787993B2 (ja) * 2005-04-22 2011-10-05 株式会社日立製作所 インプリント方式の転写印刷方法、および転写印刷版
KR101117987B1 (ko) 2005-06-07 2012-03-06 엘지디스플레이 주식회사 평판표시소자의 제조장치 및 방법
KR100758699B1 (ko) * 2005-08-29 2007-09-14 재단법인서울대학교산학협력재단 고종횡비 나노구조물 형성방법 및 이를 이용한 미세패턴형성방법
JP2007134368A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Nikon Corp パターン転写装置、露光装置及びパターン転写方法
KR100699092B1 (ko) 2005-11-22 2007-03-23 삼성전자주식회사 패턴형성방법과 패턴형성장치
ATE510241T1 (de) * 2005-12-08 2011-06-15 Molecular Imprints Inc Verfahren zum ausstossen von zwischen einem substrat und einer form befindlichen gas
JP4536148B2 (ja) * 2006-04-03 2010-09-01 モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド リソグラフィ・インプリント・システム
JP4848832B2 (ja) * 2006-05-09 2011-12-28 凸版印刷株式会社 ナノインプリント装置及びナノインプリント方法
US8215946B2 (en) * 2006-05-18 2012-07-10 Molecular Imprints, Inc. Imprint lithography system and method
JP5039145B2 (ja) * 2006-12-04 2012-10-03 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ シートを基板に適用するための方法及び装置
JP4922774B2 (ja) * 2007-01-26 2012-04-25 株式会社東芝 パターン形成方法及びパターン形成用モールド
JP5238164B2 (ja) 2007-01-26 2013-07-17 株式会社東芝 パターン形成方法
JP5062521B2 (ja) * 2007-02-27 2012-10-31 独立行政法人理化学研究所 レプリカモールドの製造方法およびレプリカモールド
JP2009176352A (ja) * 2008-01-23 2009-08-06 Showa Denko Kk 磁気記録媒体の製造方法、および磁気記録再生装置
JP4799575B2 (ja) * 2008-03-06 2011-10-26 株式会社東芝 インプリント方法
US7927976B2 (en) * 2008-07-23 2011-04-19 Semprius, Inc. Reinforced composite stamp for dry transfer printing of semiconductor elements
JP4660581B2 (ja) 2008-09-19 2011-03-30 株式会社東芝 パターン形成方法
JP4679620B2 (ja) 2008-09-25 2011-04-27 株式会社東芝 テンプレート検査方法および欠陥検査装置
JP5100609B2 (ja) 2008-10-27 2012-12-19 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
GB2468120B (en) 2009-02-20 2013-02-20 Api Group Plc Machine head for production of a surface relief
JP4892026B2 (ja) 2009-03-19 2012-03-07 株式会社東芝 パターン形成方法
JP4940262B2 (ja) 2009-03-25 2012-05-30 株式会社東芝 インプリントパターン形成方法
JP4825891B2 (ja) 2009-03-31 2011-11-30 株式会社東芝 半導体装置の製造方法およびテンプレート
JP4944158B2 (ja) * 2009-06-01 2012-05-30 株式会社日立製作所 ナノプリント用スタンパ、及び微細構造転写方法
JP5295870B2 (ja) * 2009-06-02 2013-09-18 株式会社東芝 インプリントパターン形成方法
JP2011066238A (ja) * 2009-09-17 2011-03-31 Toshiba Corp パターン形成用テンプレートの作製方法
JP4823346B2 (ja) 2009-09-24 2011-11-24 株式会社東芝 テンプレートおよびパターン形成方法
JP5275208B2 (ja) * 2009-12-02 2013-08-28 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
JP5469041B2 (ja) * 2010-03-08 2014-04-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 微細構造転写方法およびその装置
JP2011258605A (ja) 2010-06-04 2011-12-22 Toshiba Corp パターン形成方法および半導体デバイスの製造方法
JP5404570B2 (ja) 2010-09-24 2014-02-05 株式会社東芝 滴下制御方法および滴下制御装置
JP5822597B2 (ja) * 2010-10-01 2015-11-24 キヤノン株式会社 インプリント装置、及びそれを用いた物品の製造方法
JP4774125B2 (ja) * 2010-10-04 2011-09-14 キヤノン株式会社 転写装置、型、および、デバイス製造方法
JP5744590B2 (ja) * 2011-03-28 2015-07-08 キヤノン株式会社 インプリント方法、型、それらを用いた物品の製造方法
JP5275419B2 (ja) * 2011-08-08 2013-08-28 株式会社東芝 パターン形成方法
JP5535164B2 (ja) * 2011-09-22 2014-07-02 株式会社東芝 インプリント方法およびインプリント装置
JP5328869B2 (ja) * 2011-10-21 2013-10-30 東芝機械株式会社 転写用の型の製造方法
JP5813603B2 (ja) 2012-09-04 2015-11-17 株式会社東芝 インプリント装置およびインプリント方法
JP6491928B2 (ja) * 2015-03-31 2019-03-27 株式会社協同インターナショナル レプリカモールドおよびその製造方法
TWI672212B (zh) * 2016-08-25 2019-09-21 國立成功大學 奈米壓印組合體及其壓印方法
CN106500886B (zh) * 2016-09-22 2019-05-10 太原理工大学 一种基于纳米导电材料的柔性应力传感器的制备方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0580530A (ja) * 1991-09-24 1993-04-02 Hitachi Ltd 薄膜パターン製造方法
US5378583A (en) * 1992-12-22 1995-01-03 Wisconsin Alumni Research Foundation Formation of microstructures using a preformed photoresist sheet
JP3372258B2 (ja) * 1995-08-04 2003-01-27 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン リソグラフィ・プロセス用のスタンプ
US5772905A (en) * 1995-11-15 1998-06-30 Regents Of The University Of Minnesota Nanoimprint lithography
US5725788A (en) * 1996-03-04 1998-03-10 Motorola Apparatus and method for patterning a surface
US5669303A (en) * 1996-03-04 1997-09-23 Motorola Apparatus and method for stamping a surface
JP2000194142A (ja) * 1998-12-25 2000-07-14 Fujitsu Ltd パタ―ン形成方法及び半導体装置の製造方法
JP2000323461A (ja) * 1999-05-11 2000-11-24 Nec Corp 微細パターン形成装置、その製造方法、および形成方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020084849A (ko) * 2001-05-02 2002-11-13 주식회사 미뉴타텍 용매 흡수성 물질을 이용한 미세 패턴 및 미세 채널 형성방법
KR100491244B1 (ko) * 2001-09-25 2005-05-24 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 박막형성장치 및 박막형성방법
US6926057B2 (en) 2001-09-25 2005-08-09 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Thin film forming apparatus and thin film forming method
KR100408163B1 (ko) * 2001-10-29 2003-12-01 주식회사 미뉴타텍 반도체 소자용 미세 패턴 형성 방법
KR101375132B1 (ko) * 2005-12-01 2014-03-17 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 고화된 임프린팅 재료로부터 몰드를 분리하는 기술

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Publication number Publication date
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