JP4660581B2 - パターン形成方法 - Google Patents
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Description
この第1の実施の形態では、下地膜をウェハ上に形成した後、凹凸/異物検査を行い、ショット領域に凹凸/異物が存在しない場合には、第1のテンプレートでインプリント処理を行い、ショット領域に凹凸/異物が存在する場合には、傷ついてもよいダミーの第2のテンプレートでインプリント処理を行うようにしている。なお、上記の凹凸/異物は、第1のテンプレートを破損させる虞のある凹凸/異物であり、転写したパターンに欠陥が生じるような凹凸/異物であってもよい。以下では、凹凸/異物が第1のテンプレートを破損させる虞のある凹凸/異物である場合を例に挙げて詳細に説明する。
第1の実施の形態では、レジスト剤をショット領域ごとに塗布する場合を説明したが、この第2の実施の形態では、レジスト剤をウェハ上の全面に塗布する場合について説明する。
この第3の実施の形態では、1ショットごとにテンプレートに異常がないかを判定して、破損の虞のあるテンプレートを使用しないようにする場合について説明する。
Claims (5)
- 第1のテンプレートに形成された凹凸状のパターンを、基板に形成された下地膜と前記第1のテンプレートとの間に配置されたレジスト剤に転写してマスクパターンを形成するパターン形成方法において、
前記基板にパターンを形成する対象である下地膜を形成する下地膜形成工程と、
前記下地膜の表面に、凹凸/異物が存在するか否かを検査する表面検査工程と、
前記表面検査工程の結果を用いて、前記第1のテンプレートでパターンを形成するショット領域に、凹凸/異物が存在するかを判定する判定工程と、
前記ショット領域に凹凸/異物が存在しない場合には、前記第1のテンプレートを前記ショット領域上の前記下地膜に前記レジスト剤を介して所定の距離に接近させた状態で前記レジスト剤を固化して、前記第1のテンプレートに形成された凹凸状のパターンを有するマスクパターンを形成し、前記ショット領域に凹凸/異物が存在する場合には、前記第1のテンプレートとは異なる第2のテンプレートを前記ショット領域上の前記下地膜に前記レジスト剤を介して所定の距離に接近させた状態で前記レジスト剤を固化するレジスト固化工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 第1のテンプレートに形成された凹凸状のパターンを、基板に形成された下地膜上に塗布されたレジスト剤に転写してマスクパターンを形成するパターン形成方法において、
前記基板にパターンを形成する対象である下地膜を形成する下地膜形成工程と、
前記下地膜の表面に、凹凸/異物が存在するか否かを検査する表面検査工程と、
前記下地膜が形成された前記基板上の全面にレジスト剤を塗布するレジスト剤塗布工程と、
前記レジスト剤が塗布された領域よりも小さい、前記第1のテンプレートでパターンを形成するショット領域に、凹凸/異物が存在するかを、前記表面検査工程の結果を用いて判定する判定工程と、
前記ショット領域に凹凸/異物が存在しない場合には、前記第1のテンプレートを前記ショット領域上の前記下地膜に前記レジスト剤を介して所定の距離に接近させた状態で前記レジスト剤を固化して、前記第1のテンプレートに形成された凹凸状のパターンを有するマスクパターンを形成し、前記ショット領域に凹凸/異物が存在する場合には、前記第1のテンプレートとは異なる第2のテンプレートを前記ショット領域上の前記下地膜に前記レジスト剤を介して所定の距離に接近させた状態で前記レジスト剤を固化するレジスト固化工程と、
を含むことを特徴とするパターン形成方法。 - 前記レジスト固化工程では、凹凸/異物が存在する場合に、前記第1のテンプレートで形成されたショット領域での前記マスクパターンの高さと同じ高さとなるように、パターンが形成されていないまたは前記第1のテンプレートを用いて形成されたマスクパターンと同じ被覆率を有するパターンが形成された前記第2のテンプレートを用いて、前記レジスト剤を固化することを特徴とする請求項1または2に記載のパターン形成方法。
- 前記凹凸/異物は、インプリント時に前記第1のテンプレートを破損する虞のある凹凸/異物であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載のパターン形成方法。
- 前記レジスト固化工程の後に、
前記第1のテンプレートと前記基板とを接近させた状態で、前記第1のテンプレートまたは前記基板が受ける応力を測定する工程と、
前記応力が前記第1のテンプレートを破損する虞のある基準値を満たすかを判定する工程と、
前記応力が前記基準値を満たす場合に、前記第1のテンプレートを新しい第1のテンプレートに交換する工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載のパターン形成方法。
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