JP5932327B2 - インプリント装置、検出方法、物品の製造方法及び異物検出装置 - Google Patents

Description

本発明は、インプリント装置、検出方法、物品の製造方法及び異物検出装置に関する。

露光装置は、一般に、ウエハなどの基板上に存在する異物を検出する機能を備えていない。これは、露光装置が光学的な転写技術を用いているため、基板上に異物が存在していたとしても、異物が存在するショット領域のみが不良となり、異物が存在しない他のショット領域への影響がないためである。但し、露光装置に基板を搬入する前に、即ち、露光装置の外部で基板上に存在する異物を検出する技術は知られている。一方、レチクル（マスク）上に異物が存在する場合には、かかるレチクルのパターンを転写すべき基板上の全てのショット領域に影響を与えてしまう（即ち、全てのショット領域が不良となってしまう）。そこで、露光装置には、レチクル（又はペリクル）上に存在する異物を検出する機能が備えられている（特許文献１参照）。

また、近年では、インプリント技術を用いたリソグラフィ装置としてインプリント装置が注目されている。インプリント装置は、基板上の樹脂に微細なパターンが形成された原版（モールド）を押し付けた状態で樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールドを剥離することで基板上にパターンを転写する。

特開平７−４３３１２号公報

しかしながら、インプリント装置では、基板上に異物が存在すると、モールドを押し付けた際にモールドと基板との間に異物が挟み込まれ、モールドのパターンが破損する懸念がある。そこで、上述した技術を適用して、インプリント装置の外部で基板上に存在する異物を検出し、かかる検出結果に応じて異物を除去した基板をインプリント装置に搬入することも考えられる。但し、この場合には、インプリント装置に基板を搬入している間に、基板上に異物が付着する可能性がある。

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、装置内において基板上に存在する異物を検出することができる技術を提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板上の樹脂とモールドとを接触させた状態で当該樹脂を硬化させ、硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板上にパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記基板上に存在する異物を検出する検出部を有し、前記検出部は、前記基板の表面に対して斜入射で光を照射して、前記基板上に形成された複数のショット領域の複数のマーク又は複数のパターンからの散乱光と、前記基板上に存在する異物からの散乱光と、を取得する取得部と、前記取得部で取得された散乱光に基づいて、前記異物が存在するショット領域を特定する特定部と、を含み、前記特定部は、前記取得部で取得された前記複数のマーク又は前記複数のパターンからの散乱光に基づいて前記基板上に形成された複数のショット領域の配列を特定し、前記取得部で取得された前記異物からの散乱光に基づいて前記特定した複数のショット領域のうち前記異物が存在するショット領域を特定することを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、装置内において基板上に存在する異物を検出することができる技術を提供することを例示的目的とする。

本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。 図１に示すインプリント装置の検出部の構成を示す概略図である。 図２に示す検出部による異物検出処理の対象となる基板を模式的に示す図である。 図２に示す検出部による異物検出処理を具体的に説明するための図である。 図２に示す検出部の照射部からの光を基板の全面に照射するための方法を説明するための図である。 図１に示すインプリント装置の搬送部による基板の搬送の一例を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１００の構成を示す概略図である。インプリント装置１００は、基板上の樹脂とモールドとを接触させた状態で樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールドを剥離（離型）することで基板上にパターンを形成（転写）するインプリント処理を行う。

図１を参照するに、基板（ウエハ）１は、搬送ハンドなどを含む搬送部３５によってインプリント装置１００の外部から搬入され、チャック２に保持される。微動ステージ３は、基板１のＺ軸回りの回転を補正する機能、基板１のＺ軸方向の位置を補正する機能及び基板１の傾きを補正する機能を有する。微動ステージ３は、基板１をＸ軸方向及びＹ軸方向の所定の位置に位置決めするためのＸＹステージ４に配置される。なお、微動ステージ３とＸＹステージ４とは、パターンの転写時に基板１を保持して移動させる基板ステージを構成する。

ＸＹステージ４は、ベース定盤５に載置される。微動ステージ３には、微動ステージ３のＸ軸方向及びＹ軸方向の位置を計測するレーザ干渉計からの光を反射するバーミラー（不図示）が取り付けられている。

モールド１０は、基板１に転写すべきパターンを表面に有し、モールドチャック１１に固定される。モールドチャック１１は、モールドステージ１２に載置される。モールドステージ１２は、モールド１０のＺ軸回りの傾きを補正する機能を有する。モールドチャック１１のＸ軸方向及びＹ軸方向の位置は、アライメント棚１８に支持されたレーザ干渉計によって計測される。

モールドチャック１１及びモールドステージ１２のそれぞれは、ＵＶ光源１６からコリメータレンズを介して照射されるＵＶ光を通過させる開口（不図示）を有する。また、モールドチャック１１（又はモールドステージ１２）には、モールド１０の押し付け力（押印圧）を検出するためのロードセルが配置されている。

ガイドバープレート１３は、一端がモールドステージ１２に固定され、天板９を貫通するガイドバー１４の他端を固定する。モールド昇降用アクチュエータ１５は、エアシリンダ又はリニアモータで構成され、ガイドバー１４をＺ軸方向に駆動して、モールドチャック１１に保持されたモールド１０を基板１に押し付けたり、基板１から引き離したりする。アライメント棚１８は、支柱１９を介して天板９に懸架される。アライメント棚１８には、ガイドバー１４が貫通している。また、アライメント棚１８には、例えば、斜入射像ずれ方式を用いて、チャック２に保持された基板１の高さ（平坦度）を計測するための高さ計測系（不図示）が配置されている。

モールドアライメント用のＴＴＭ（スルー・ザ・モールド）アライメントスコープ２０は、基板ステージ上の基準マークとモールド１０に設けられたアライメントマークとを観察するための光学系及び撮像系を有する。ＴＴＭアライメントスコープ２０は、基板ステージとモールド１０とのＸ軸方向及びＹ軸方向の位置ずれを計測する。また、ＴＴＭアライメントスコープ２０は、ショット毎に基板上のマークとモールド１０に設けられたアライメントマークとの相対位置を計測し、その位置ずれを補正（計測）する、所謂、ダイバイダイ方式を採用する際にも使用される。

樹脂供給部３０は、基板１の表面に液状の光硬化型の樹脂（レジスト）を滴下するノズルを含むディスペンサヘッドで構成され、基板上の複数のショット領域のそれぞれに樹脂を供給（塗布）する機能を有する。樹脂供給部３０は、例えば、ピエゾジェット方式やマイクロソレノイド方式などを採用し、基板上に１ｐＬ（ピコリットル）程度の非常に微小な容積の樹脂を供給することができる。また、樹脂供給部３０を構成するディスペンサヘッドは、シングルノズルであってもよいし、ノズルの数が１００を超えるリニアノズルアレイであってもよい。

オフアクシスアライメント（ＯＡ）スコープ４０は、基板上の複数のショット領域に設けられたアライメントマークを計測し、複数のショット領域のそれぞれの位置を決定するグローバルアライメント処理を行う。ＴＴＭアライメントスコープ２０によってモールド１０と基板ステージとの位置関係を求め、ＯＡスコープ４０によって基板ステージと基板１との位置関係を求めることでモールド１０と基板１との相対的な位置合わせを行うことができる。

検出部（異物検出装置）５０は、インプリント装置１００の内部において、基板上に存在する異物（即ち、基板１に付着した異物）を検出する。検出部５０は、後述するように、基板上に光を照射する照射部５０２と、基板上で散乱された散乱光を検出するセンサ５０４と、基板上に存在する異物が位置するショット領域を特定する特定部５０６とを含む。また、検出部５０は、基板上の複数のショット領域の配列を表すレイアウト情報を記憶する記憶部５０８を含んでいてもよい。

制御部６０は、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１００の全体（動作）を制御する。例えば、制御部６０は、検出部５０の検出結果に基づいてインプリント処理に関する動作を制御する。

ここで、検出部５０による基板上に存在する異物の検出（以下、「異物検出処理」と称する）について説明する。検出部５０において、照射部５０２は、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、基板１に対して斜入射方式で（即ち、基板１の表面に対して角度をもたせて）光を照射する。この際、基板１の上に異物が存在していない場合、照射部５０２から照射された光は、図２（ａ）に示すように、基板１の表面で正反射するため、照射部５０２の光軸上に配置されていないセンサ５０４には、基板１の表面で正反射された光が入射しない。一方、基板１の上に異物ＦＰが存在している場合、照射部５０２から照射された光は、図２（ｂ）に示すように、異物ＦＰで散乱し、その一部がセンサ５０４に入射する（即ち、センサ５０４で検出される）。このように、照射部５０２及びセンサ５０４は、基板上に光を照射して基板上で散乱された散乱光の分布を取得する取得部として機能する。

特定部５０６は、照射部５０２及びセンサ５０４によって取得される散乱光の分布に基づいて、基板上に異物ＦＰが存在しているかどうか（即ち、異物ＦＰの有無）を判定する。例えば、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示す例では、センサ５０４が散乱光を検出した場合には、基板上に異物ＦＰが存在していると判定し、センサ５０４が散乱光を検出しない場合には、基板上に異物ＦＰが存在していないと判定することが可能である。なお、特定部５０６は、センサ５０４で検出される散乱光の強度に基づいて、異物ＦＰの寸法を特定することもできる。これは、異物ＦＰの寸法が大きい場合には、センサ５０４で検出される散乱光の強度が大きくなり、異物ＦＰの寸法が小さい場合には、センサ５０４で検出される散乱光の強度が小さくなるからである。

図３は、異物検出処理の対象となる基板１（実素子ウエハ）を模式的に示す図である。図３（ａ）に示すように、基板１には、所定の寸法をそれぞれ有する複数のショット領域が配列（レイアウト）され、かかるショット領域の配列に対応して下地パターンが形成されている。図３（ｂ）は、図３（ａ）に示す基板１の上の１つのショット領域を含む領域αの拡大図である。図３（ｂ）に示すように、１つのショット領域は、チップを個片化する際に切断されるスクライブラインＳＬと、パターンが形成された（或いは、パターンが形成される）実素子部分ＲＤとを含む。

実素子部分ＲＤには、実際にＩＣなどを構成するためのパターンが形成されており、かかるパターンは、数十ｎｍ程度の線幅でパターニングされている。スクライブラインＳＬには、次に転写すべきパターンと下地パターンとの位置合わせを行うためのアライメントマークＡＭが形成されている。アライメントマークＡＭは、一般的に、０．５μｍ〜数μｍ程度の線幅で構成されるマークであって、ＯＡスコープ４０やＴＴＭアライメントスコープ２０によって計測される。

センサ５０４で検出される散乱光の強度は、上述したように、異物ＦＰの寸法によって変化する。例えば、図３（ｃ）に示すように、実素子部分ＲＤのパターンＲＰが表面に露出している場合を考えると、アライメントマークＡＭとパターンＲＰとの線幅差は一桁以上となる。従って、センサ５０４において、アライメントマークＡＭで散乱された散乱光と実素子部分ＲＤのパターンＲＰで散乱された散乱光との強度差が大きく現れるため、アライメントマークＡＭからの散乱光とパターンＲＰからの散乱光とは識別可能である。

また、図３（ｄ）に示すように、基板１が樹脂などの層で覆われている場合を考えると、アライメントマークＡＭは大きな凹凸構造を有するため、表層に凹凸が現れる。但し、実素子部分ＲＤのパターンＲＰは微細な凹凸構造であるため、表層に凹凸が現れない。従って、センサ５０４において大きな強度差が現れるため、アライメントマークＡＭ（を覆った樹脂の表層）からの散乱光と実素子部分ＲＤのパターンＲＰ（を覆った樹脂の表層）からの散乱光とは識別可能である。

図４を参照して、検出部５０による異物検出処理を具体的に説明する。図４（ａ）は、実素子部分ＲＤにパターンＲＰが形成され、スクライブラインＳＬにアライメントマークＡＭが形成された基板１を示している。なお、かかる基板１には、異物ＦＰが存在しているものとする。

本実施形態では、図４（ａ）に示す基板１（の実素子部分ＲＤ）に新たなパターンを転写するインプリント処理を行う前に、検出部５０による異物検出処理を行う。具体的には、まず、図４（ａ）に示す基板１に対して照射部５０２から光を照射し、基板１からの散乱光をセンサ５０４で検出する。センサ５０４で検出される基板１からの散乱光には、アライメントマークＡＭからの散乱光と、異物ＦＰからの散乱光とが含まれているが、上述したように、実素子部分ＲＤのパターンＲＰからの散乱光は殆ど含まれていない。従って、図４（ｂ）に示すように、アライメントマークＡＭからの散乱光の分布ＳＬＤ１と異物ＦＰからの散乱光の分布ＳＬＤ２とを含む散乱光の分布ＳＬＤが取得される。

散乱光の分布ＳＬＤが取得されると、特定部５０６は、図４（ｃ）に示すように、アライメントマークＡＭからの散乱光の分布ＳＬＤ１から基板上の複数のショット領域の配列を特定する。この際、特定部５０６は、アライメントマークＡＭからの散乱光の分布ＳＬＤ１に対して、図４（ｄ）に示すような記憶部５０８に記憶されたレイアウト情報をフィッティングさせてもよい。これにより、基板上の複数のショット領域の配列をより確実に特定することができる。また、基板上の複数のショット領域の配列が特定されると、特定部５０６は、異物ＦＰからの散乱光の分布ＳＬＤ２に基づいて特定した複数のショット領域のうち異物ＦＰが位置するショットを特定する。

なお、本実施形態では、センサ５０４で検出される基板１からの散乱光には実素子部分ＲＤからの散乱光が殆ど含まれないものとみなしている。但し、実素子部分ＲＤが識別可能な特徴的パターン（例えば、大きい又は太いパターン）を有する場合には、アライメントマークからの散乱光の代わりに、実素子部分ＲＤの特徴的パターンからの散乱光を用いることも可能である。

なお、異物検出処理を行う際には、基板１が基準の状態から回転した状態（例えば、基準の状態を０°とし、基準の状態から９０°、１８０°、２７０°回転した状態など）になっていることもある。このような場合、基板上のショット領域の形状が正方形でなければ、基板１が基準の状態から９０°回転した状態及び２７０°回転した状態は判別することができるが、１８０°回転した状態は判別することができない。基板１が基準の状態から１８０°回転した状態を判別するためには、基板１の外周部に形成されたシリコンの結晶方向を示すノッチ又はオリフラ（欠け領域）を用いればよい。例えば、基板１の外周部まで照射部５０２から光を照射し、基板１の外周部に形成されたノッチ又はオリフラで散乱された散乱光をセンサ５０４で検出することで、基板１が基準の状態から１８０°回転した状態を判別することが可能となる。換言すれば、基板１の外周部に光を照射して外周部からの光を取得することによって、基板１の回転角度は検出可能である。

また、本実施形態の異物検出処理では、照射部５０２からの光を基板１の全面に照射して、図４（ｂ）に示すような基板１の全面からの散乱光の分布ＳＬＤを取得する必要がある。照射部５０２からの光を基板１の全面に照射するためには、図５（ａ）乃至図５（ｄ）、及び、図５（ｅ）乃至図５（ｈ）に示すように、２種類の方法が考えられる。

第１の方法は、照射部５０２からの光を、基板１の上において円を描くように走査することと、一軸方向に走査することとを組み合わせた方法である。具体的には、まず、図５（ａ）に矢印で示すように、基板１の中心位置から半径方向にずれた第１の位置に照射部５０２からの光を照射すると共に、かかる光を基板１の上において円を描くように走査する。次いで、図５（ｂ）に矢印で示すように、基板１の中心から半径方向にずれた第１の位置とは異なる第２の位置に照射部５０２からの光を照射すると共に、かかる光を基板１の上において円を描くように走査する。このような動作を繰り返すことで、図５（ａ）乃至図５（ｄ）に斜線で示すように、照射部５０２からの光が基板１の全面に照射され、図４（ｂ）に示すような基板１の全面からの散乱光の分布ＳＬＤを取得することができる。なお、基板１の半径方向への光の走査量を大きくすれば、基板１の半径方向への光の走査回数を少なくすることができるが、基板１の上に存在する異物ＦＰの検出能は低下してしまう。

第２の方法は、照射部５０２からの光を、基板１の上において二軸方向に走査する方法である。具体的には、図５（ｅ）に矢印で示すように、基板１の外周部の第１の端部に照射部５０２からの光を照射すると共に、かかる光を基板１の第１の方向に走査する。照射部５０２からの光を、第１の端部から第１の方向に沿った第２の端部まで走査したら、図５（ｆ）に示すように、第２の端部から第１の方向に直交する第２の方向に走査して第３の端部に位置させる。そして、図５（ｆ）に矢印で示すように、第３の端部に位置させた光を基板１の第１の方向と反対の方向に走査する。このような動作を繰り返すことで、図５（ｅ）乃至図５（ｈ）に斜線で示すように、照射部５０２からの光が基板１の全面に照射され、図４（ｂ）に示すような基板１の全面からの散乱光の分布ＳＬＤを取得することができる。

本実施形態では、照射部５０２からの光を走査することで基板１の全面に光を照射している。但し、照射部５０２からの光は走査せず、かかる光に対して基板１を上述したように駆動させることで基板１の全面に光を照射することも可能である。また、照射部５０２からの光の走査と基板１の駆動とを組み合わせてもよい。

また、本実施形態の異物検出処理は、例えば、搬送部３５による基板１の搬送中に行うことができる。図６に示すように、インプリント装置１００に搬入された基板１は、搬送部３５によって、基板１の温度を調整するための温調ステージ３５１に載置される。なお、温調ステージ３５１は、基板１の温度（即ち、インプリント装置１００の外部における基板１の温度）をインプリント装置１００の内部の温度に調整するために、基板１を加熱又は冷却する。また、温度を調整された基板１は、搬送部３５によって、粗位置合わせ用のステージ３５２に載置される。ステージ３５２では、基板１に形成されたアライメントマークやノッチ又はオリフラが計測され、基板１のプリアライメントが行われる。プリアライメントが行われたら、基板１は、搬送部３５によって、チャック２に載置される。インプリント装置１００の生産性を考慮すると、ある基板にインプリント処理を行っている間に、次にインプリント処理を行う基板に対して異物検出処理を行うことが好ましい。従って、搬送部３５による基板１の搬送中、例えば、温調ステージ３５１やステージ３５２に基板１が載置されているときに異物検出処理を行うとよい。また、搬送部３５が基板１を保持している間に異物検出処理を行うことも可能である。なお、インプリント装置１００が十分な生産性を有している場合やツインステージの構成を有している場合には、基板ステージに基板１を載置した後で異物検出処理を行ってもよい。また、インプリント装置１００がツインステージの構成を有している場合には、計測ステーションにおいてアライメント計測やフォーカス計測を行う際に、異物検出処理を行ってもよい。

上述したように、本実施形態では、インプリント装置１００の内部において、基板上に存在する異物を検出することが可能であり、更に、かかる異物が位置する基板上のショット領域を特定することができる。この結果、即ち、異物検出処理の結果に応じて、制御部６０は、以下のように、インプリント処理に関する動作を制御する。

例えば、異物が位置する基板上のショット領域にインプリント処理を行うと、モールド１０と基板１との間に異物が挟み込まれ、モールド１０のパターンが破損する可能性がある。そこで、制御部６０は、基板上の複数のショット領域のうち異物が位置すると特定されたショット領域にはインプリント処理を行わないようにする。また、インプリント処理を行っていないショット領域を特定するための情報は、後工程の処理装置に出力して後工程での処理に影響を与えないようにする必要がある。

但し、異物が位置すると特定されたショット領域にインプリント処理を行わない場合には、異物が存在しない他のショット領域との連続性が維持できない。具体的には、異物が位置すると特定されたショット領域に樹脂が供給（塗布）されていないため、後工程のエッチングなどで他のショット領域に影響を与えてしまう可能性がある。このような場合には、制御部６０は、異物が位置すると特定されたショット領域にも樹脂を供給するように樹脂供給部３０を制御する。

なお、ショット領域における異物の位置又は寸法によっては、インプリント処理に対する影響が少ない（例えば、モールド１０のパターンが破損しない）場合もある。例えば、スクライブライン上であって、アライメントマークが形成されていない領域に異物が位置している場合には、インプリント処理を行っても異物の影響は殆どないと考えられる。このような場合には、制御部６０は、異物が位置すると特定されたショット領域に対してもインプリント処理を行うようにするとよい。

また、基板１に異物が存在した場合には、制御部６０は、かかる基板１に対してインプリント処理を行わずにインプリント装置１００の外部に搬出するようにしてもよい。インプリント装置１００の外部に搬出された基板１は、例えば、洗浄装置などを用いて異物が除去され、インプリント装置１００に再度搬入される。

このように、本実施形態のインプリント装置１００は、基板上に存在する異物を検出し、かかる検出結果に基づいてインプリント処理を行うことができる。従って、インプリント装置１００は、基板上に存在する異物によるモールド１０の破損やパターンの転写不良などを防止することが可能であり、半導体デバイスなどの物品を効率的に製造することができる。物品としてのデバイス（半導体デバイス、液晶表示素子等）の製造方法は、インプリント装置１００を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）にパターンを転写（形成）するステップを含む。かかる製造方法は、パターンが転写された基板をエッチングするステップを更に含む。なお、かかる製造方法は、パターンドットメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、エッチングステップの代わりに、パターンが転写された基板を加工する他の加工ステップを含む。

また、本実施形態では、アライメントマークからの散乱光の分布を取得し、この分布を用いてショット領域の配列を特定する例について説明した。但し、マークからの光を取得し、取得された光からショット領域の配列を特定可能であれば、散乱光の分布に限られない。

本実施形態では、インプリント装置に搬入された基板上に存在する異物の検出を例に説明した。但し、本発明は、インプリント装置に限定するものではなく、半導体露光装置、液晶露光装置、ＥＵＶ（極端紫外線）光を用いた露光装置（ＥＵＶ露光装置）、電子線露光装置などの他のリソグラフィ装置にも適用することができる。例えば、ＥＵＶ露光装置や電子線露光装置では、大気による露光光の吸収を低減するために、露光光の光路内、或いは、チャンバ内を真空に維持している。露光光の光路内又はチャンバ内では、上方から下方への気流（所謂、ダウンフロー）によって、露光光の光路内又はチャンバ内の異物を低減させている。但し、上述したように、真空にしたことでダウンフローによる異物低減ができないため、露光装置の外部から流入する異物の検出をより厳重に行う必要がある。従って、露光光の光路内又はチャンバ内に搬入される基板の異物の検出に本発明を適用することが有用となる。また、異物検出処理の対象も下地パターンを有する基板に限定するものではなく、既知のパターンを有する部材、例えば、レチクルなどであってもよい。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

Claims (11)

1. 基板上の樹脂とモールドとを接触させた状態で当該樹脂を硬化させ、硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板上にパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
   前記基板上に存在する異物を検出する検出部を有し、
   前記検出部は、
   前記基板の表面に対して斜入射で光を照射して、前記基板上に形成された複数のショット領域の複数のマーク又は複数のパターンからの散乱光と、前記基板上に存在する異物からの散乱光と、を取得する取得部と、
   前記取得部で取得された散乱光に基づいて、前記異物が存在するショット領域を特定する特定部と、
   を含み、
   前記特定部は、前記取得部で取得された前記複数のマーク又は前記複数のパターンからの散乱光に基づいて前記基板上に形成された複数のショット領域の配列を特定し、前記取得部で取得された前記異物からの散乱光に基づいて前記特定した複数のショット領域のうち前記異物が存在するショット領域を特定することを特徴とするインプリント装置。
2. 前記検出部は、前記基板上の複数のショット領域の配列を表すレイアウト情報を記憶する記憶部を有し、
   前記特定部は、前記複数のマーク又は前記複数のパターンからの散乱光の分布に前記記憶部に記憶されたレイアウト情報をフィッティングさせることで前記基板上に形成された複数のショット領域の配列を特定することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
3. 前記マークは、前記基板上に形成された複数のショット領域のスクライブラインに形成されているマークであることを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
4. 前記マークは、アライメントマークを含むことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
5. 前記検出部の検出結果に基づいて前記インプリント処理を制御する制御部を更に有し、
   前記制御部は、前記基板上に形成された複数のショット領域のうち前記特定部によって前記異物が存在すると特定されたショット領域には前記インプリント処理を行わないことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
6. 前記インプリント処理を行う際に前記基板上に形成された複数のショット領域のそれぞれに樹脂を供給する供給部を更に有し、
   前記制御部は、前記特定部によって前記異物が存在すると特定されたショット領域にも樹脂を供給するように前記供給部を制御することを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
7. 前記取得部は、前記基板の外周部に光を照射して前記外周部からの光を取得することによって、前記基板の回転角度を検出可能であることを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
8. 前記パターンの転写時に前記基板を保持する基板ステージを備え、
   前記検出部は、前記パターンを転写すべき基板を前記基板ステージ上に搬送している間において、当該基板上の異物を検出可能に構成されていることを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
9. 基板にパターンを転写するリソグラフィ装置の内部において前記基板に存在する異物を検出する検出方法であって、
   前記基板の表面に対して斜入射で光を照射して、前記基板上に形成された複数のショット領域の複数のマーク又は複数のパターンからの散乱光と、前記基板上に存在する異物からの散乱光と、を取得する取得ステップと、
   前記取得ステップで取得された散乱光に基づいて、前記異物が存在するショット領域を特定する特定ステップと、
   を有し、
   前記特定ステップでは、取得された前記複数のマーク又は前記複数のパターンからの散乱光に基づいて前記基板上に形成された複数のショット領域の配列を特定し、取得された前記異物からの光に基づいて前記特定した複数のショット領域のうち前記異物が存在するショット領域を特定することを特徴とする検出方法。
10. 請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて樹脂のパターンを基板に形成するステップと、
    前記パターンが形成された基板を加工するステップと、
    を有することを特徴とする物品の製造方法。
11. 複数のショット領域が形成された基板上に存在する異物を検出する異物検出装置であって、
    前記基板上に存在する異物を検出する検出部を有し、
    前記検出部は、
    前記基板の表面に対して斜入射で光を照射して、前記基板上に形成された複数のショット領域の複数のマーク又は複数のパターンからの散乱光と、前記基板上に存在する異物からの散乱光と、を取得する取得部と、
    前記取得部で取得された散乱光に基づいて、前記異物が存在するショット領域を特定する特定部と、
    を含み、
    前記特定部は、前記取得部で取得された前記複数のマーク又は前記複数のパターンからの散乱光に基づいて前記基板上に形成された複数のショット領域の配列を特定し、前記異物からの散乱光に基づいて前記特定した複数のショット領域のうち前記異物が存在するショット領域を特定することを特徴とする異物検出装置。

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