JP6853704B2 - リソグラフィ装置、および物品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、リソグラフィ装置、および物品の製造方法に関する。

半導体デバイスなどの製造に用いられるリソグラフィ装置には、生産性を向上させるため、基板にパターンを形成する処理を行う処理部を複数有する所謂クラスタ型に構成されたものがある（特許文献１参照）。

特開２０１１−２１０９９２号公報

クラスタ型のリソグラフィ装置では、複数の処理部間で内部温度に差が生じると、その内部温度の差によって基板の熱変形に差が生じるため、基板へのパターンの形成精度が複数の処理部間で異なりうる。

そこで、本発明は、複数の処理部間での内部温度の差を低減するために有利な技術を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、基板上にパターンを形成する処理をそれぞれ行う複数の処理部と、前記複数の処理部の各々に基板を搬送する搬送部と、前記複数の処理部の各々における内部温度を制御する制御部と、を含み、前記搬送部は、前記複数の処理部の各々への基板の搬送時に当該処理部の内部に挿入される部分に設けられた温度センサを有し、前記制御部は、前記搬送部による基板の搬送時に得られた前記温度センサの検出結果に基づいて、前記複数の処理部間での内部温度の差が低減するように、前記複数の処理部の各々における内部温度を制御する、ことを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、複数の処理間での内部温度の差を低減するために有利な技術を提供することができる。

第１実施形態のインプリント装置を示す概略図である。 処理部の構成を示す図である。 搬送部によって基板を基板ステージの上に受け渡している状態を示す図である。 各処理部の内部温度を制御する方法を示すフローチャートである。 第３実施形態のインプリント装置を示す概略図である。 物品の製造方法を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。また、以下の実施形態では、リソグラフィ装置として、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置を用いて説明するが、それに限られるものではない。例えば、基板を露光してマスクのパターンを基板に転写する露光装置や、荷電粒子線を基板に照射して当該基板にパターンを形成する描画装置などのリソグラフィ装置においても本発明を適用することができる。

インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材と型とを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。つまり、インプリント装置は、半導体デバイスなどの製造に使用され、凹凸のパターンが形成されたモールドを用いて、基板上に供給されたインプリント材にパターンを形成するインプリント処理を行う。例えば、インプリント装置は、パターンが形成されたモールドを基板上のインプリント材に接触させた状態で当該インプリント材を硬化する。そして、インプリント装置は、モールドと基板との間隔を拡げて、硬化したインプリント材からモールドを剥離（離型）することによって、インプリント材にパターンを形成することができる。

インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。

硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合成化合物と光重合開始材とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合成化合物または溶剤を含有してもよい。非重合成化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマ成分などの群から選択される少なくとも一種である。

インプリント材は、スピンコータやスリットコータにより基板上に膜状に付与される。あるいは、液体噴射ヘッドにより、液滴状、あるいは複数の液滴が繋がってできた島状または膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。

＜第１実施形態＞
本発明に係る第１実施形態のインプリント装置１００について説明する。本実施形態のインプリント装置１００は、インプリント処理をそれぞれ行う複数の処理部１０を有する所謂クラスタ型のインプリント装置である。図１は、本実施形態のインプリント装置１００を示す概略図である。インプリント装置１００は、例えば、複数の処理部１０（図１では６個の処理部１０ａ〜１０ｆ）と、第２処理部２０（前処理部）と、搬送部３０と、制御部４０とを含みうる。

複数の処理部１０の各々は、モールド１を用いて基板上にインプリント材３のパターンを形成するインプリント処理を行う。処理部１０の構成については後述する。第２処理部２０は、インプリント処理が行われる基板２に対して前処理を行う。第２処理部２０で行われる前処理は、例えば、基板２とその上に供給されるインプリント材３との密着性を向上させるための密着層を基板上に形成する処理を含みうる。搬送部３０は、第２処理部２０によって前処理が行われた基板２を複数の処理部１０の各々に搬送する。搬送部３０は、例えば、基板２を保持するハンド３１と、ハンド３１が移動する搬送路３２と、搬送路３２を温調する温調部３３とを含みうる。当該温調部３３は、例えば、温調された気体を搬送路３２に流すことにより、当該搬送路３２を温調する。制御部４０は、例えばＣＰＵやメモリなどを有するコンピュータによって構成され、インプリント装置１００の各部を制御する。

次に、処理部１０の構成について、図２を参照しながら説明する。図２は、１つの処理部１０の構成を示す概略図である。処理部１０は、例えば、インプリントヘッド１１と、基板ステージ１２と、硬化部１３と、計測部１４と、供給部１５とを含み、モールド１を用いて基板上にインプリント材３のパターンを形成するインプリント処理を行う。

モールド１は、通常、石英など紫外線を透過させることが可能な材料で作製されており、基板側の面における一部の領域（パターン領域１ａ）には、基板上に供給されたインプリント材３に転写するための凹凸のパターンが形成されている。基板２としては、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板２としては、具体的には、シリコンウェハ、化合物半導体ウェハ、石英ガラスなどである。また、インプリント材の付与前に、必要に応じて、インプリント材と基板との密着性を向上させるために密着層を設けてもよい。

インプリントヘッド１１は、真空吸着力などによりモールド１を保持し、モールド１と基板上のインプリント材３とを接触させたり剥離させたりするようにモールド１をＺ方向に駆動する。基板ステージ１２は、基板２を保持して定盤１６の上を移動可能に構成される。具体的には、基板ステージ１２は、真空吸着力などにより基板２を保持するチャック１２ａと、チャック１２ａを機械的に保持して定盤１６の上をＸＹ方向に移動する移動部１２ｂとを含みうる。硬化部１３は、モールド１と基板上のインプリント材３とが接触している状態で当該インプリント材３に光（例えば紫外線）を照射し、当該インプリント材３を硬化する。計測部１４は、モールド１に設けられたマークと基板２に設けられたマークとを検出し、モールド１のパターン領域１ａと基板２のショット領域との相対位置を計測する。供給部１５は、タンク１５ａに収容されたインプリント材を基板上に供給（吐出）する。

また、処理部１０では、インプリントヘッド１１、基板ステージ１２、硬化部１３、計測部１４および供給部１５がチャンバ１７の内部に収容されており、制御部４０によってチャンバ１７の内部温度（処理部１０の内部温度）が制御される。例えば、処理部１０は、チャンバ１７の内部温度を検出する温度センサ１８ａ、１８ｂ（第２温度センサ）と、温調された気体をチャンバ１７の内部に供給することによりチャンバ１７の内部温度を調整する温調部１９ａ、１９ｂとを含みうる。そして、制御部４０は、温度センサ１８ａの検出結果に基づいて、チャンバ１７の内部温度が目標温度になるように温調部１９ａを制御する。同様に、制御部４０は、温度センサ１８ｂの検出結果に基づいて、チャンバ１７の内部温度が目標温度になるように温調部１９ｂを制御する。

このような処理部１０において、基板上のインプリント材３にモールド１のパターンを精度よく形成するためには、チャンバ１７の内部温度を高精度に制御することが好ましい。例えば、基板２としてシリコンウェハを用いた場合、シリコンウェハの線膨張係数は２．６μｍ／ｍＫであるため、基板２の温度が０．０１℃変化すると、直径３００ｍｍのウェハでは７．８ｎｍだけ熱変形することになる。ウェハプロセスにおいて数ｎｍの精度が要求される近年では、このような微小な基板の熱変形が生じた場合においても、基板上にパターンを形成する際の要求精度を満たさなくなりうる。そのため、処理部１０では、温度センサ１８ａ、１８ｂとして、例えば分解能が０．０１℃程度の高精度な温度センサが用いられうる。

しかしながら、分解能が０．０１℃程度の高精度な温度センサは、０．０１℃／年程度の経時変化が生じることがあり、この経時変化は温度センサごとに異なりうる。つまり、複数の処理部１０を有するクラスタ型のインプリント装置１００では、温度センサの経時変化が複数の処理部間で異なり、複数の処理部間で内部温度に差が生じることとなる。このように複数の処理部間で内部温度に差が生じると、その内部温度の差によって基板の熱変形に差が生じ、基板へのパターンの形成精度が複数の処理部間で異なってしまう。また、複数の処理部１０の各々における温度センサをそれぞれ校正することは、温度センサの数が多いために煩雑であり、温度センサの校正時にインプリント処理を停止させる必要があるため、生産性の点でも不利になりうる。そこで、本実施形態のインプリント装置１００における搬送部３０は、複数の処理部１０の各々への基板２の搬送時に当該処理部１０の内部に挿入される部分に設けられた温度センサ３４を有する。そして、制御部４０は、搬送部３０による基板２の搬送時に得られた温度センサ３４の検出結果に基づいて、複数の処理部間での内部温度の差が低減するように、複数の処理部１０の各々における内部温度を制御する。

以下に、本実施形態のインプリント装置１００において、複数の処理部１０の各々における内部温度を制御する方法について説明する。ここでは、処理部内における基板２の受け渡し位置に配置された基板ステージ１２の上に、搬送部３０により基板２を受け渡しているときに得られた温度センサ３４の検出結果に基づいて、各処理部１０の内部温度を制御する例について説明する。図３は、搬送部３０によって基板２を基板ステージ１２の上に受け渡している状態を示す図である。図３（ａ）は当該状態を上方（Ｚ方向）から見た図であり、図３（ｂ）は当該状態を側方（−Ｘ方向）から見た図である。

搬送部３０は、第２処理部２０で前処理が行われた基板２をハンド３１に保持させ、当該基板２を搬送（搬入）すべき処理部１０の前にハンド３１を搬送路３２に沿って移動させる。そして、搬送部３０は、図３に示すように、基板２を保持したハンド３１を処理部１０（チャンバ１７）の内部に挿入し、基板ステージ１２（チャック１２ａ）から突出したピン１２ｃの上に基板２を受け渡す。基板２がピン１２ｃの上に受け渡された後、基板ステージ１２は、チャック１２ａからのピン１２ｃの突出量を小さくしていき、基板２とチャック１２ａとが接触した状態においてチャック１２ａに基板２を保持させる。

ここで、ハンド３１には、図３に示すように温度センサ３４が設けられており、処理部１０への基板２の搬送時においてハンド３１を処理部１０の内部に挿入している状態で、当該温度センサ３４によって処理部１０（チャンバ１７）の内部温度が検出される。図３に示す例では、温度センサ３４がハンド３１に設けられているが、それに限られるものではなく、処理部１０への基板２の搬送時に当該処理部１０の内部に挿入される部分に温度センサ３４が設けられていればよい。また、温度センサ３４は、処理部１０の温調部１９（例えば、水平方向に気体を噴き出す温調部１９ｂ）から供給された気体の温度を検出することが好ましいため、当該気体が直接当たるように搬送部３０（ハンド３１）に設けられるとよい。さらに、温度センサ３４は、ハンド３１により保持された基板２に接触してしまうと当該基板２の温度が検出されうるため、当該基板２に接触しないように設けられるとよい。同様に、基板ステージ１２への基板２の受け渡し時に基板ステージ１２に接触しないように設けられるとよい。

このように搬送部３０（ハンド３１）に設けられた温度センサ３４による処理部１０の内部温度の検出は、複数の処理部１０の各々への基板２の搬送時に行われうる。つまり、本実施形態では、複数の処理部の各々における内部温度を、ハンド３１に設けられた共通の温度センサ３４で検出することができる。これにより、制御部４０は、温度センサ３４によって検出された複数の処理部１０の各々の内部温度を示す情報に基づいて、複数の処理部間での内部温度の差が低減するように、複数の処理部１０の各々における内部温度を制御することができる。例えば、制御部４０は、複数の処理部１０の各々に設けられた温度センサ１８ａ、１８ｂの検出結果を当該情報によって校正し、校正した温度センサ１８ａ、１８ｂの検出結果に基づいて複数の処理部１０の各々における温調部１９ａ、１９ｂを制御する。これにより、複数の処理部間での内部温度の差を低減することができる。

図４は、本実施形態のインプリント装置１００において、各処理部１０の内部温度を制御する方法を示すフローチャートである。図４に示すフローチャートは、第２処理部２０により前処理が行われた基板２を各処理部１０へ搬入する際に得られた温度センサ３４の検出結果に基づいて、各処理部１０の内部温度を制御する例を示している。当該フローチャートの各工程は制御部４０によって制御されうる。

Ｓ１１では、制御部４０は、複数の処理部１０のうち、第２処理部２０により前処理が行われた基板２を搬送すべき対象の処理部１０（以下、対象処理部１０）を決定する。例えば、制御部４０は、複数の処理部１０の各々におけるインプリント処理の状況を示す情報に基づいて対象処理部１０を決定するとよい。Ｓ１２では、制御部４０は、ハンド３１に基板２を保持させ、当該ハンド３１を対象処理部１０の前まで搬送路３２に沿って移動させるように搬送部３０を制御する。Ｓ１３では、制御部４０は、基板２を保持したハンド３１を対象処理部１０の内部に挿入させ、当該基板２を対象処理部１０の内部に搬入させるように（例えば、基板ステージ上に基板２を受け渡すように）搬送部３０を制御する。Ｓ１４では、制御部４０は、対象処理部１０からハンド３１を抜き出すように搬送部３０を制御する。

Ｓ１５では、制御部４０は、ハンド３１の温度センサに３４よりＳ１３の工程時に得られた対象処理部１０の内部温度の検出結果と、対象処理部１０の温度センサ１８によりＳ１３の工程時に得られた対象処理部１０の内部温度の検出結果とを取得する。そして、それらの検出結果の差（温度差ΔＴ）を求める。Ｓ１６では、制御部４０は、Ｓ１５で求めた温度差ΔＴが閾値以上であるか否かを判断する。温度差ΔＴが閾値以上である場合にはＳ１７に進み、温度差ΔＴが閾値より小さい場合にはＳ１８に進む。

Ｓ１７では、制御部４０は、温度差ΔＴに基づいて、対象処理部１０の温度センサ１８の検出結果がハンド３１の温度センサ３４の検出結果に近づくように、対象処理部１０の温度センサ１８を校正する。Ｓ１８では、制御部４０は、第２処理部２０により前処理が行われた新たな基板２（次の基板）があるか否かを判断する。次の基板がある場合にはＳ１１に戻る。この場合、当該次の基板については別の処理部１０に搬送されうるため、別の処理部１０に対してＳ１１〜Ｓ１７の工程が行われうる。そのため、制御部４０は、複数の処理部１０の各々に設けられた温度センサ１８を、ハンド３１に設けられた温度センサ３４を共通に用いて校正することができる。これにより、制御部４０は、複数の処理部間での内部温度の差が低減するように、複数の処理部１０の各々における内部温度を制御することができる。

上述したように、本実施形態のインプリント装置１００は、搬送部３０のハンド３１に設けられた温度センサ３４により、複数の処理部１０の各々への基板２の搬送時に当該複数の処理部１０の各々における内部温度を検出する。そして、温度センサ３４により検出された複数の処理部１０の各々における内部温度を示す情報に基づいて、複数の処理部間での内部温度の差が低減するように、複数の処理部１０の各々における内部温度を制御する。これにより、複数の処理部間における内部温度の差に起因するパターンの形成精度の差を低減することができる。

また、搬送部３０（ハンド３１）の温度センサ３４も経時変化を起こすため、定期的な校正が必要になるが、搬送部３０の温度センサ３４の数は、複数の処理部１０における温度センサ１８の全数より少ないため、校正に要する時間を短縮することができる。つまり、温度センサを校正するためにインプリント処理を停止させる時間を短縮することができるため、生産性の点でも有利になりうる。

ここで、本実施形態では、複数の処理部１０の各々への基板２の搬入時に得られた温度センサ３４の検出結果に基づいて、複数の処理部１０の各々における内部温度を制御する例を説明した。しかしながら、それに限られるものではなく、複数の処理部１０の各々からの基板２の搬出時に得られた温度センサ３４の検出結果に基づいて、複数の処理部１０の各々における内部温度を制御してもよい。つまり、「基板の搬送時」とは、基板の搬入時および基板の搬出時の少なくとも一方を含みうる。

＜第２実施形態＞
本発明に係る第２実施形態のインプリント装置について説明する。第２実施形態のインプリント装置の装置構成は、第１実施形態のインプリント装置１００と同様である。第２実施形態では、制御部４０は、搬送路３２に沿ったハンド３１の移動中における温度センサ３４の検出結果に基づいて、搬送路３２の温度が目標温度になるように温調部３３を制御する（搬送路３２の温度を制御する）。搬送路３２の目標温度は、例えば、複数の処理部１０の各々における内部温度の目標温度と同じに設定されることが好ましい。このように、複数の処理部１０の各々における内部温度と搬送路３２の温度とを共通の温度センサ３４による検出結果に基づいて制御することにより、当該内部温度と搬送路３２の温度との差を低減させることができる。即ち、搬送路３２と各処理部１０の内部との温度差により生じる基板２の熱変形を低減させることができる。

＜第３実施形態＞
本発明に係る第３実施形態について説明する。図５は、第３実施形態のインプリント装置３００を示す図であり、搬送部３０の構成以外は第１実施形態のインプリント装置１００（図１）と同様である。第３実施形態のインプリント装置３００では、搬送路３２が複数の領域に区分けされており、当該複数の領域の各々に対して温調部３３が設けられている。図５に示す例では、搬送路３２は３つの領域３２ａ〜３２ｃに区分けされており、領域３２ａを温調する温調部３３ａと、領域３２ｂを温調する温調部３３ｂと、領域３２ｃを温調する温調部３３ｃとが設けられている。

制御部４０は、搬送路３２に沿ったハンド３１の移動中における温度センサ３４の検出結果に基づいて、搬送路３２における各領域３２ａ〜３２ｃの温度が目標温度になるように各温調部３３ａ〜３３ｃを制御する。具体的には、制御部４０は、搬送路３２の領域３２ａをハンド３１が移動している際の温度センサ３４の検出結果に基づいて、領域３２ａの温度が目標温度になるように温調部３３ａを制御する。同様に、制御部４０は、搬送路３２の領域３２ｂ（領域３２ｃ）をハンド３１が移動している際の温度センサ３４の検出結果に基づいて、領域３２ｂ（領域３２ｃ）の温度が目標温度になるように温調部３３ｂ（温調部３３ｃ）を制御する。このように搬送路３２における複数の領域の各々の温度を個別に制御することにより、搬送路３２の温度を精度よく制御することができる。

＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布されたインプリント材に上記のインプリント装置を用いてパターンを形成する工程（基板にインプリント処理を行う工程）と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

インプリント装置を用いて成形した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図６（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウェハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。

図６（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図６（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを透して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。

図６（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凹部が硬化物の凸部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。

図６（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図６（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。

１０：処理部、２０：第２処理部、３０：搬送部、３１：ハンド、３２：搬送路、３３：温調部、３４：温度センサ、４０：制御部、１００：インプリント装置

Claims (9)

1. 基板上にパターンを形成する処理をそれぞれ行う複数の処理部と、
   前記複数の処理部の各々に基板を搬送する搬送部と、
   前記複数の処理部の各々における内部温度を制御する制御部と、
   を含み、
   前記搬送部は、前記複数の処理部の各々に対する基板の搬送時に当該処理部の内部に挿入される部分に設けられた温度センサを有し、
   前記制御部は、前記搬送部による基板の搬送時に得られた前記温度センサの検出結果に基づいて、前記複数の処理部間での内部温度の差が低減するように、前記複数の処理部の各々における内部温度を制御する、ことを特徴とするリソグラフィ装置。
2. 前記複数の処理部の各々は、内部温度を調整する温調部を含み、
   前記制御部は、前記搬送部による基板の搬送時に得られた前記温度センサの検出結果に基づいて、前記複数の処理部の各々における前記温調部を制御する、ことを特徴とすることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
3. 前記複数の処理部の各々は、内部温度を検出する第２温度センサを含み、
   前記制御部は、前記搬送部による前記複数の処理部の各々への基板の搬送時に得られた前記温度センサの検出結果によって校正された前記第２温度センサの検出結果に基づいて、前記複数の処理部の各々における前記温調部を制御する、ことを特徴とする請求項２に記載のリソグラフィ装置。
4. 前記搬送部は、基板を保持するハンドを有し、
   前記温度センサは、前記ハンドに設けられている、ことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
5. 前記温度センサは、前記ハンドにより保持された基板に接触しないように前記ハンドに設けられている、ことを特徴とする請求項４に記載のリソグラフィ装置。
6. 前記搬送部は、前記複数の処理部の各々に基板を搬送する搬送路を含み、
   前記制御部は、前記温度センサの検出結果に基づいて前記搬送路の温度を制御する、ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
7. 前記搬送路は、複数の領域に区分けされ、
   前記制御部は、前記温度センサの検出結果に基づいて、前記搬送路における前記複数の領域の各々の温度を制御する、ことを特徴とする請求項６に記載のリソグラフィ装置。
8. 基板の前処理を行う第２処理部を更に含み、
   前記搬送部は、前記第２処理部から前記複数の処理部の各々に基板を搬送する、ことを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
9. 請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する形成工程と、
   前記形成工程で前記パターンが形成された前記基板を加工する加工工程と、
   を含み、
   前記加工工程で加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。

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