JP3490360B2 - 温度制御システム - Google Patents
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- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D23/00—Control of temperature
- G05D23/19—Control of temperature characterised by the use of electric means
- G05D23/1919—Control of temperature characterised by the use of electric means characterised by the type of controller
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
- F25B—REFRIGERATION MACHINES, PLANTS OR SYSTEMS; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS
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- F25B21/02—Machines, plants or systems, using electric or magnetic effects using Peltier effect; using Nernst-Ettinghausen effect
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- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F25—REFRIGERATION OR COOLING; COMBINED HEATING AND REFRIGERATION SYSTEMS; HEAT PUMP SYSTEMS; MANUFACTURE OR STORAGE OF ICE; LIQUEFACTION SOLIDIFICATION OF GASES
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- Control Of Temperature (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造装置
など、精密な温度管理が必要なプロセス装置の冷却や加
熱を行う温度制御システムに関する。
など、精密な温度管理が必要なプロセス装置の冷却や加
熱を行う温度制御システムに関する。
【０００２】
【従来の技術】図２に示すのは、チラー装置１によっ
て、半導体プロセス装置２を冷却するシステムの回路で
ある。チラー装置１は、第１温度制御部３を備え、この
第１温度制御部３で、チラー装置１の出口１ａの温度Ｔ
２を制御する。上記第１温度制御部３で温度制御された
流体は、供給通路４を介して、プロセス装置２の図示し
ない流体配管に供給され、戻り通路５を介して、チラー
装置１へ戻る。上記第１温度制御部３は、プロセス装置
２の温度を所定温度に保つために、供給通路４に供給す
る循環流体温度をチラー装置１の出口１ａで制御してい
る。
て、半導体プロセス装置２を冷却するシステムの回路で
ある。チラー装置１は、第１温度制御部３を備え、この
第１温度制御部３で、チラー装置１の出口１ａの温度Ｔ
２を制御する。上記第１温度制御部３で温度制御された
流体は、供給通路４を介して、プロセス装置２の図示し
ない流体配管に供給され、戻り通路５を介して、チラー
装置１へ戻る。上記第１温度制御部３は、プロセス装置
２の温度を所定温度に保つために、供給通路４に供給す
る循環流体温度をチラー装置１の出口１ａで制御してい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体プロセス装置２
のなかには、わずかな温度変化でも製品の品質に大きな
影響を与えるものがある。そのような装置のために、供
給流体の温度は、正確に制御しなければならない。これ
に対し、上記チラー装置１の第１温度制御部３は、出口
温度Ｔ２だけを制御している。チラー装置１とプロセス
装置２との間は、離れているので、上記出口１ａからプ
ロセス装置２までの間に、流体温度はＴ２から（Ｔ２＋
ΔＴ）に変化してしまう。そのため、上記出口１ａの温
度Ｔ２は、プロセス装置２までの距離を考慮して設定さ
れる。つまり、プロセス装置２側の要求温度をＴ３とし
たとき、チラー装置１の出口温度Ｔ２＝（Ｔ３−ΔＴ）
にしなければならない。
のなかには、わずかな温度変化でも製品の品質に大きな
影響を与えるものがある。そのような装置のために、供
給流体の温度は、正確に制御しなければならない。これ
に対し、上記チラー装置１の第１温度制御部３は、出口
温度Ｔ２だけを制御している。チラー装置１とプロセス
装置２との間は、離れているので、上記出口１ａからプ
ロセス装置２までの間に、流体温度はＴ２から（Ｔ２＋
ΔＴ）に変化してしまう。そのため、上記出口１ａの温
度Ｔ２は、プロセス装置２までの距離を考慮して設定さ
れる。つまり、プロセス装置２側の要求温度をＴ３とし
たとき、チラー装置１の出口温度Ｔ２＝（Ｔ３−ΔＴ）
にしなければならない。
【０００４】しかし、通路４，５の設置環境にも温度変
化があるため、上記ΔＴを、正確に予測することはでき
ない。このように、供給通路４での温度変化量ΔＴが予
測できないとき、プロセス装置２への供給される流体温
度Ｔ３を正確に制御することは非常に難しい。
化があるため、上記ΔＴを、正確に予測することはでき
ない。このように、供給通路４での温度変化量ΔＴが予
測できないとき、プロセス装置２への供給される流体温
度Ｔ３を正確に制御することは非常に難しい。
【０００５】一方、上記通路４、５を短くしてチラー装
置１とプロセス装置２とを密着させることができれば、
通路中の温度変化の影響を無視できるはずだが、実際に
は、そのようなことは不可能である。なぜなら、プロセ
ス装置２を設置したクリーンルーム内にチラー装置１を
設置したのではクリーンルームが大きくなってしまい、
コストが高くなってしまう。また、半導体プロセス装置
の中には、電磁波の影響を受けやすいものもあり、その
ような装置の近くにコイルを持ったチラー装置１を設置
することは好ましくないからである。
置１とプロセス装置２とを密着させることができれば、
通路中の温度変化の影響を無視できるはずだが、実際に
は、そのようなことは不可能である。なぜなら、プロセ
ス装置２を設置したクリーンルーム内にチラー装置１を
設置したのではクリーンルームが大きくなってしまい、
コストが高くなってしまう。また、半導体プロセス装置
の中には、電磁波の影響を受けやすいものもあり、その
ような装置の近くにコイルを持ったチラー装置１を設置
することは好ましくないからである。
【０００６】そこで、現実には、温度制御システムの設
置環境変化にも対応しながら、プロセス装置２へ供給さ
れる流体温度を厳密に制御することは非常にむずかしか
った。あるいは、供給通路中での温度変化ΔＴを制御す
るために、複雑な制御機構を設けて、上記供給通路４の
設置環境温度までも厳しく制御しなければならなかっ
た。この発明の目的は、チラー装置から通路を介して供
給される流体のプロセス装置側の温度を厳密に制御でき
るとともに、構成が簡単な温度制御システムを提供する
ことである。
置環境変化にも対応しながら、プロセス装置２へ供給さ
れる流体温度を厳密に制御することは非常にむずかしか
った。あるいは、供給通路中での温度変化ΔＴを制御す
るために、複雑な制御機構を設けて、上記供給通路４の
設置環境温度までも厳しく制御しなければならなかっ
た。この発明の目的は、チラー装置から通路を介して供
給される流体のプロセス装置側の温度を厳密に制御でき
るとともに、構成が簡単な温度制御システムを提供する
ことである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、半導体製
造装置などのプロセス装置とチラー装置とを接続すると
ともに、上記チラー装置からプロセス装置へ流体を供給
する流体供給通路および上記プロセス装置から上記チラ
ー装置へ流体を戻す戻り通路と、チラー装置により流体
を所定の温度に冷却して上記供給通路に供給する第１温
度制御部と、上記供給通路中に設けられた第２温度制御
部とを備え、この第２温度制御部は、プロセス装置側の
要求する流体温度に基づいて、チラー装置の第１温度制
御部に所定の流体温度での流体の供給を要求するととも
に、チラー装置の第１温度制御部が第２温度制御部の要
求する温度に冷却して上記供給通路に供給した流体の流
体温度とプロセス装置の要求する温度との差異に基づい
て、供給された流体の流体温度をプロセス装置の要求す
る温度に適合するように微調整してから上記プロセス装
置へ供給する点に特徴を有する。第２の発明は、第２温
度制御部が、供給された流体温度を微調整する手段とし
てペルチェ素子を備えた点に特徴を有する。
造装置などのプロセス装置とチラー装置とを接続すると
ともに、上記チラー装置からプロセス装置へ流体を供給
する流体供給通路および上記プロセス装置から上記チラ
ー装置へ流体を戻す戻り通路と、チラー装置により流体
を所定の温度に冷却して上記供給通路に供給する第１温
度制御部と、上記供給通路中に設けられた第２温度制御
部とを備え、この第２温度制御部は、プロセス装置側の
要求する流体温度に基づいて、チラー装置の第１温度制
御部に所定の流体温度での流体の供給を要求するととも
に、チラー装置の第１温度制御部が第２温度制御部の要
求する温度に冷却して上記供給通路に供給した流体の流
体温度とプロセス装置の要求する温度との差異に基づい
て、供給された流体の流体温度をプロセス装置の要求す
る温度に適合するように微調整してから上記プロセス装
置へ供給する点に特徴を有する。第２の発明は、第２温
度制御部が、供給された流体温度を微調整する手段とし
てペルチェ素子を備えた点に特徴を有する。
【０００８】
【発明の実施の形態】図１に、この発明の実施例を示
す。このシステムは、第１温度制御部を備えたチラー装
置１とプロセス装置２との間を、流体供給通路４と戻り
通路５とで接続している点は従来例と同じである。上記
供給通路４中に、第２温度制御部６を設けている点が従
来例と異なる。この第２温度制御部６は、内部にペルチ
ェ素子を備え、これにより流体を加熱したり冷却したり
する。このペルチェ素子では、±０．００１℃の精度
で、加熱および冷却ができる。ただし、一般の金属では
ペルチェ効果は小さいので、第２温度制御部６では、温
度を大きく変化させることはしないで、微調整だけを行
う。そして、上記第２温度制御部６は、プロセス装置２
にできるだけ近づけて設置している。また、上記第２制
御部６は、プロセス装置２側の温度Ｔ１を検出し、その
検出温度に応じてチラー装置１の出口温度Ｔ２を要求す
る信号を出力する。
す。このシステムは、第１温度制御部を備えたチラー装
置１とプロセス装置２との間を、流体供給通路４と戻り
通路５とで接続している点は従来例と同じである。上記
供給通路４中に、第２温度制御部６を設けている点が従
来例と異なる。この第２温度制御部６は、内部にペルチ
ェ素子を備え、これにより流体を加熱したり冷却したり
する。このペルチェ素子では、±０．００１℃の精度
で、加熱および冷却ができる。ただし、一般の金属では
ペルチェ効果は小さいので、第２温度制御部６では、温
度を大きく変化させることはしないで、微調整だけを行
う。そして、上記第２温度制御部６は、プロセス装置２
にできるだけ近づけて設置している。また、上記第２制
御部６は、プロセス装置２側の温度Ｔ１を検出し、その
検出温度に応じてチラー装置１の出口温度Ｔ２を要求す
る信号を出力する。
【０００９】このような温度制御システムによって、プ
ロセス装置２に供給する流体温度Ｔ３を、高精度で制御
する方法を説明する。第２温度制御部６は、プロセス装
置２の温度Ｔ１を検出する。実際には、プロセス装置２
内の温度を直接測定することはほとんどできないので、
プロセス装置２に隣接する流体配管部分などで測定す
る。そして、プロセス装置２へ温度Ｔ３の流体を供給し
なければならないとき、第２温度制御部６は、第１温度
制御部３へ、温度Ｔ２を要求する。
ロセス装置２に供給する流体温度Ｔ３を、高精度で制御
する方法を説明する。第２温度制御部６は、プロセス装
置２の温度Ｔ１を検出する。実際には、プロセス装置２
内の温度を直接測定することはほとんどできないので、
プロセス装置２に隣接する流体配管部分などで測定す
る。そして、プロセス装置２へ温度Ｔ３の流体を供給し
なければならないとき、第２温度制御部６は、第１温度
制御部３へ、温度Ｔ２を要求する。
【００１０】なお、上記第２温度制御部６が第１温度制
御部３へ要求する温度Ｔ２は、上記温度Ｔ３に近い値で
あるが、チラー装置１から第２温度制御部６までの経路
中での温度変化ΔＴも考慮した値である。しかし、この
温度変化ΔＴは、上記従来例でも説明したように、供給
通路４の設置環境変化の影響を受けるので、プロセス装
置２側で必要とされる精度ほど正確に予測することはで
きない。このように、供給流路４での温度変化ΔＴが正
確に予測できなくても、後で説明するように、第２温度
制御部６において微調整できるのでかまわない。
御部３へ要求する温度Ｔ２は、上記温度Ｔ３に近い値で
あるが、チラー装置１から第２温度制御部６までの経路
中での温度変化ΔＴも考慮した値である。しかし、この
温度変化ΔＴは、上記従来例でも説明したように、供給
通路４の設置環境変化の影響を受けるので、プロセス装
置２側で必要とされる精度ほど正確に予測することはで
きない。このように、供給流路４での温度変化ΔＴが正
確に予測できなくても、後で説明するように、第２温度
制御部６において微調整できるのでかまわない。
【００１１】第２温度制御部６から、温度Ｔ２の要求信
号が入力されると、第１温度制御部３は、温度Ｔ２を設
定温度として、チラー装置１の出口１ａの温度を制御す
る。第１温度制御部３で制御された出口温度Ｔ２の流体
は、供給路４中で変化し、温度（Ｔ２＋ΔＴ）となっ
て、第２温度制御部６に到達する。このとき、流体温度
（Ｔ２＋ΔＴ）≒Ｔ３である。そして、温度（Ｔ２＋Δ
Ｔ）と、プロセス装置２側の必要温度Ｔ３との差が所定
の温度範囲を超えている場合には、第２温度制御部６で
微調整する。
号が入力されると、第１温度制御部３は、温度Ｔ２を設
定温度として、チラー装置１の出口１ａの温度を制御す
る。第１温度制御部３で制御された出口温度Ｔ２の流体
は、供給路４中で変化し、温度（Ｔ２＋ΔＴ）となっ
て、第２温度制御部６に到達する。このとき、流体温度
（Ｔ２＋ΔＴ）≒Ｔ３である。そして、温度（Ｔ２＋Δ
Ｔ）と、プロセス装置２側の必要温度Ｔ３との差が所定
の温度範囲を超えている場合には、第２温度制御部６で
微調整する。
【００１２】すなわち、第２温度制御部６は、温度（Ｔ
２＋ΔＴ）の流体を、±０．００１℃という高精度で温
度Ｔ３に調整し、出口６ａから供給通路４へ供給する。
このとき、第２制御部６をプロセス装置２に近接させて
いるので、第２制御部６の出口６ａからプロセス装置２
までの間での温度変動は無視できる。このようにして、
上記実施例のシステムでは、プロセス装置２へ供給する
流体温度を、非常に高精度で制御することができる。
２＋ΔＴ）の流体を、±０．００１℃という高精度で温
度Ｔ３に調整し、出口６ａから供給通路４へ供給する。
このとき、第２制御部６をプロセス装置２に近接させて
いるので、第２制御部６の出口６ａからプロセス装置２
までの間での温度変動は無視できる。このようにして、
上記実施例のシステムでは、プロセス装置２へ供給する
流体温度を、非常に高精度で制御することができる。
【００１３】上記実施例のシステムでは、大まかな温度
制御をチラー装置１の第１温度制御部３で行い、高精度
な微調整を第２温度制御部６で行うようにしている。こ
のように、２つの温度制御部によって、役割を分けたの
で、第１温度制御部３も、第２温度制御部６も、それぞ
れ、単純な構成で実現することができる。第１温度制御
部３は、広範囲での温度制御が必要であるが、それ程高
精度の温度制御は必要とされない。一方、第２温度制御
部６では、予め、大まかに制御された温度を微調整する
だけでよいので、大きな温度変化には追従できなくて
も、小さな範囲内での精密な制御ができる機構を備えれ
ば良い。そして、微調整を行う第２温度制御部６をチラ
ー装置１から分離して、プロセス装置２の近くに設置す
ることにより、微調整後の温度変化を無視できる。
制御をチラー装置１の第１温度制御部３で行い、高精度
な微調整を第２温度制御部６で行うようにしている。こ
のように、２つの温度制御部によって、役割を分けたの
で、第１温度制御部３も、第２温度制御部６も、それぞ
れ、単純な構成で実現することができる。第１温度制御
部３は、広範囲での温度制御が必要であるが、それ程高
精度の温度制御は必要とされない。一方、第２温度制御
部６では、予め、大まかに制御された温度を微調整する
だけでよいので、大きな温度変化には追従できなくて
も、小さな範囲内での精密な制御ができる機構を備えれ
ば良い。そして、微調整を行う第２温度制御部６をチラ
ー装置１から分離して、プロセス装置２の近くに設置す
ることにより、微調整後の温度変化を無視できる。
【００１４】また、上記実施例では、微調整手段として
ペルチェ素子を用いたが、特にペルチェ効果の大きな素
子を用れば、第２温度制御部が高価なものになってしま
う。しかし、上記微調整手段としては、制御範囲が小さ
くても精度だけが高ければ良いので、その分安価なもの
を利用できる。
ペルチェ素子を用いたが、特にペルチェ効果の大きな素
子を用れば、第２温度制御部が高価なものになってしま
う。しかし、上記微調整手段としては、制御範囲が小さ
くても精度だけが高ければ良いので、その分安価なもの
を利用できる。
【００１５】なお、上記実施例では、ペルチェ素子を用
いて、冷却および加熱を行っているが、第２温度制御部
６での微調整手段は、ペルチェ素子に限らない。また、
微調整時の冷却と加熱とを別々の手段でおこなうように
してもかまわない。例えば、加熱用にはヒータを備え、
冷却用には他の冷凍機で冷却した流体を少量混合するよ
うにしても良い。さらに、チラー装置１から第２温度制
御部６に供給される流体温度が常に低めになるように温
度Ｔ２を設定すれば、第２温度制御部６には、ヒータな
どの加熱機構だけを備えればよい。
いて、冷却および加熱を行っているが、第２温度制御部
６での微調整手段は、ペルチェ素子に限らない。また、
微調整時の冷却と加熱とを別々の手段でおこなうように
してもかまわない。例えば、加熱用にはヒータを備え、
冷却用には他の冷凍機で冷却した流体を少量混合するよ
うにしても良い。さらに、チラー装置１から第２温度制
御部６に供給される流体温度が常に低めになるように温
度Ｔ２を設定すれば、第２温度制御部６には、ヒータな
どの加熱機構だけを備えればよい。
【００１６】
【発明の効果】第１の発明によれば、温度調節のために
プロセス装置に供給する流体の温度制御を、チラー装置
の出口で行う第１温度制御部と、供給通路中で行う第２
温度制御部とで行うようにしたため、大まかな温度制御
と、微調整とを別々の温度制御部で行うことができる。
そのため、微調整を行う第２温度制御部では、小さな制
御範囲だけに対応できればよいので、広範囲に高精度で
温度制御するよりも、単純で安価な機構を用いることが
できる。また、第２温度制御部をチラー装置と分離した
ので、プロセス装置に近接させることができる。そのた
め、第２温度制御部で微調整した流体温度が、そのまま
プロセス装置に供給される。つまり、プロセス装置に供
給する流体の温度を高精度で制御できる。このように厳
密な温度制御は、２種類の温度制御部を設けたことによ
り可能となった。第２の発明によれば、ひとつのペルチ
ェ素子によって、微調整のための加熱および冷却の両方
ができる。したがって、加熱手段と冷却手段とを別々に
設ける必要がない。その分、第２温度制御部がコンパク
トになり、設置場所の自由度も増す。
プロセス装置に供給する流体の温度制御を、チラー装置
の出口で行う第１温度制御部と、供給通路中で行う第２
温度制御部とで行うようにしたため、大まかな温度制御
と、微調整とを別々の温度制御部で行うことができる。
そのため、微調整を行う第２温度制御部では、小さな制
御範囲だけに対応できればよいので、広範囲に高精度で
温度制御するよりも、単純で安価な機構を用いることが
できる。また、第２温度制御部をチラー装置と分離した
ので、プロセス装置に近接させることができる。そのた
め、第２温度制御部で微調整した流体温度が、そのまま
プロセス装置に供給される。つまり、プロセス装置に供
給する流体の温度を高精度で制御できる。このように厳
密な温度制御は、２種類の温度制御部を設けたことによ
り可能となった。第２の発明によれば、ひとつのペルチ
ェ素子によって、微調整のための加熱および冷却の両方
ができる。したがって、加熱手段と冷却手段とを別々に
設ける必要がない。その分、第２温度制御部がコンパク
トになり、設置場所の自由度も増す。
【図１】実施例の温度制御システムのブロック図であ
る。
る。
【図２】従来例の温度制御システムのブロック図であ
る。
る。
１ チラー装置
２ プロセス装置
３ 第１温度制御部
４ 供給通路
５ 戻り通路
６ 第２温度制御部
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体製造装置などのプロセス装置とチ
ラー装置とを接続するとともに、上記チラー装置からプ
ロセス装置へ流体を供給する流体供給通路および上記プ
ロセス装置から上記チラー装置へ流体を戻す戻り通路
と、チラー装置により流体を所定の温度に冷却して上記
供給通路に供給する第１温度制御部と、上記供給通路中
に設けられた第２温度制御部とを備え、この第２温度制
御部は、 プロセス装置側の要求する流体温度に基づいて、チラー
装置の第１温度制御部に所定の流体温度での流体の供給
を要求するとともに、チラー装置の第１温度制御部が第
２温度制御部の要求する温度に冷却して上記供給通路に
供給した流体の流体温度とプロセス装置の要求する温度
との差異に基づいて、供給された流体の流体温度をプロ
セス装置の要求する温度に適合するように微調整してか
ら上記プロセス装置へ供給するようにしたことを特徴と
する温度制御システム。 - 【請求項２】 第２温度制御部が、供給された流体温度
を微調整する手段としてペルチェ素子を備えたことを特
徴とする請求項１に記載の温度制御システム。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33969299A JP3490360B2 (ja) | 1999-11-30 | 1999-11-30 | 温度制御システム |
| US09/725,787 US6389829B2 (en) | 1999-11-30 | 2000-11-29 | Temperature control system |
| SG200007071A SG90210A1 (en) | 1999-11-30 | 2000-11-29 | Temperature control system |
| KR10-2000-0071508A KR100406767B1 (ko) | 1999-11-30 | 2000-11-29 | 온도제어시스템 |
| TW089125278A TW577968B (en) | 1999-11-30 | 2000-12-20 | Temperature control device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33969299A JP3490360B2 (ja) | 1999-11-30 | 1999-11-30 | 温度制御システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001153518A JP2001153518A (ja) | 2001-06-08 |
| JP3490360B2 true JP3490360B2 (ja) | 2004-01-26 |
Family
ID=18329903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33969299A Expired - Fee Related JP3490360B2 (ja) | 1999-11-30 | 1999-11-30 | 温度制御システム |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6389829B2 (ja) |
| JP (1) | JP3490360B2 (ja) |
| KR (1) | KR100406767B1 (ja) |
| SG (1) | SG90210A1 (ja) |
| TW (1) | TW577968B (ja) |
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| JP3870002B2 (ja) * | 2000-04-07 | 2007-01-17 | キヤノン株式会社 | 露光装置 |
| US8051861B2 (en) * | 2001-07-30 | 2011-11-08 | Tennant Company | Cleaning system utilizing purified water |
| KR100684902B1 (ko) | 2005-05-30 | 2007-02-20 | 삼성전자주식회사 | 온도 조절 장치 및 이를 가지는 기판 처리 장치, 그리고상기 장치의 온도를 제어하는 방법 |
| KR100647998B1 (ko) | 2005-10-20 | 2006-11-23 | 유니셈 주식회사 | 반도체 공정설비를 위한 칠러의 과열도 제어방법 |
| KR100725720B1 (ko) * | 2005-11-07 | 2007-06-08 | 유니셈(주) | 반도체 공정설비를 위한 칠러 장치 |
| JP2008292026A (ja) | 2007-05-23 | 2008-12-04 | Ats Japan Corp | 恒温維持装置。 |
| EP3332182B1 (en) | 2015-08-04 | 2022-10-19 | Trane International Inc. | Chiller plant |
| JP5941589B1 (ja) | 2015-09-14 | 2016-06-29 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法、プログラム及び記録媒体 |
| JP6853704B2 (ja) * | 2017-03-22 | 2021-03-31 | キヤノン株式会社 | リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
| GB201915900D0 (en) * | 2019-11-01 | 2019-12-18 | Fives Landis Ltd | Temperature controls in machine tools |
| CN111189255A (zh) * | 2020-01-20 | 2020-05-22 | 上海应用技术大学 | 半导体制冷机 |
| KR102605999B1 (ko) * | 2021-03-17 | 2023-11-23 | 세메스 주식회사 | 처리액 제공 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3381490A (en) * | 1966-12-20 | 1968-05-07 | Cannon Instr Company | Constant temperature system |
| US4689967A (en) * | 1985-11-21 | 1987-09-01 | American Standard Inc. | Control and method for modulating the capacity of a temperature conditioning system |
| KR870001786B1 (ko) * | 1982-01-29 | 1987-10-10 | 카다 야마히도 하지로 | 냉난방 급탕장치 |
| US4459818A (en) * | 1983-05-26 | 1984-07-17 | The Babcock & Wilcox Company | Supervisory control of chilled water temperature |
| US4715190A (en) * | 1985-11-21 | 1987-12-29 | American Standard Inc. | Control and method for modulating the capacity of a temperature conditioning system |
| JPH0731208B2 (ja) * | 1988-07-09 | 1995-04-10 | 株式会社日立製作所 | 自動分析装置の反応温度制御装置 |
| US5724825A (en) * | 1996-09-11 | 1998-03-10 | Mosel Vitelic Inc. | Automatic temperature controlling system |
| JP3010443B2 (ja) * | 1998-01-27 | 2000-02-21 | 株式会社小松製作所 | 温度制御装置および温度制御方法 |
| US5996353A (en) * | 1998-05-21 | 1999-12-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system with a thermoelectric cooling/heating device |
| US6085532A (en) * | 1999-02-05 | 2000-07-11 | American Standard Inc. | Chiller capacity control with variable chilled water flow compensation |
-
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