JP7241623B2 - 形成方法、および物品の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明に係る第1実施形態のインプリント装置1の構成について説明する。図1は、本実施形態のインプリント装置1の構成を示す概略図である。以下の説明では、モールド3に照射される光の光軸に平行な方向をZ方向とし、当該Z方向に垂直な平面内で互いに直交する方向をX方向およびY方向とする。
インプリント処理について、図2を参照しながら説明する。図2は、インプリント処理の各工程を示す図である。
まず、モールド3が、モールド搬送部11によりインプリントヘッド4に搬送され、真空チャックなどでインプリントヘッド4(モールド保持部)により保持される。また、基板5は、基板搬送部12により基板ステージ6に搬送され、真空チャックなどで基板ステージ6(基板保持部)により保持される。モールド3および基板5が搬送された後、第1計測部8により基板5の高さおよび傾きが計測され、第2計測部9によりモールド3の高さおよび傾きが計測される。これらの計測部で得られた情報は、モールド3と基板上のインプリント材とを接触させるときのモールド3と基板5との相対駆動量(Z方向)を決定したり、モールド3と基板5とを平行にするための相対チルト量を決定したりするために使用されうる。
モールド3と基板5(対象ショット領域)との典型的なアライメントについて、図3を参照しながら説明する。モールド3と基板5とのアライメントは、例えば、モールド3と基板上のインプリント材14とが接触していない状態でのアライメントと、モールド3と基板上のインプリント材とを接触させた状態でのアライメントとを含みうる。図3は、モールド3と基板上のインプリント材14とを接触させた状態(接触状態)でのアライメントを説明するための図であり、図2(c)におけるモールド3および基板5の一部を切り出して示している。典型的な接触状態でのアライメントでは、検出部13での検出結果に基づいて、モールド3に形成されたマーク21と基板5に形成されたマーク22との相対位置ずれ(XY方向)が目標値になるようにモールド3と基板5とを駆動しうる。ここでは、モールド3に形成されたマーク21の位置と基板5に形成されたマーク22の位置とをXY方向において一致させる(即ち、目標値を零とする)例について説明する。
本発明に係る実施形態では、ダブルパターニングが採用される。ダブルパターニングとは、パターニングの限界を超える細い線幅のパターンを基板上に形成するため、インプリント材で構成された複数のパターン層を基板上に重ねて形成する方法である。
本発明に係る第1実施形態のパターン形成方法について、図6~図7を参照しながら説明する。本実施形態のパターン形成方法では、上述したダブルパターニングが採用される。図6は、本実施形態のパターン形成方法を示すフローチャートである。図6に示すフローチャートの各工程は制御部10によって制御されうる。また、図7は、本実施形態のパターン形成方法の各工程を説明するための図であり、モールド3(第1モールド3a、第2モールド3b)および基板5が図示されている。
第1実施形態では、複数のパターン層を形成する部材として、基板5(例えば半導体ウェハ)を用いる例について説明したが、それに限られるものではない。例えば、上述したインプリント装置1を用いてレプリカモールドを作成する際には、ブランクモールドが当該部材として用いられてもよい。この場合、ブランクモールドには、マーク(基板マーク22)のみが形成されうる。
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に供給(塗布)されたインプリント材に上記のインプリント装置(インプリント方法)を用いてパターンを形成する工程と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
Claims (13)
- モールドで部材上のインプリント材を成形するインプリント処理を適用して、インプリント材で構成された複数のパターン層を前記部材上に形成する形成方法であって、
第1パターン層を前記部材上に形成する第1形成工程と、
前記第1パターン層と前記部材に形成されたマークとの相対位置ずれを計測する計測工程と、
前記計測工程で計測された前記相対位置ずれに基づいて、第2パターン層を前記マークに対してずらして前記第1パターン層の上に形成する第2形成工程と、
を含むことを特徴とする形成方法。 - 前記第1形成工程と前記第2形成工程とで、前記モールドと前記部材とのアライメントの制御内容が異なる、ことを特徴とする請求項1に記載の形成方法。
- 前記第1形成工程は、前記モールドと前記部材上のインプリント材とが接触している状態での前記モールドと前記部材とのアライメントを含まない、ことを特徴とする請求項1又は2に記載の形成方法。
- 前記第1形成工程は、前記モールドと前記部材上のインプリント材とが接触していない状態での前記モールドと前記部材とのアライメントを含む、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の形成方法。
- 前記第2形成工程は、前記モールドと前記部材上のインプリント材とが接触している状態での前記モールドと前記部材とのアライメントを含む、ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の形成方法。
- 前記第1パターン層は、前記第2パターン層より残膜厚が薄い、ことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の形成方法。
- 前記第1形成工程では、前記第1パターン層のパターン形成精度に応じて、前記モールドと前記部材上のインプリント材とが接触している状態で前記モールドと前記部材とを相対駆動するときの駆動力の上限値を変更する、ことを特徴とする請求項1に記載の形成方法。
- 前記第1形成工程では、前記第1パターン層のパターン形成精度に応じて、前記モールドと前記部材上のインプリント材とが接触している状態での前記モールドと前記部材との相対駆動を行わない、ことを特徴とする請求項1に記載の形成方法。
- 前記パターン形成精度は、前記第1パターン層の残膜厚に関する情報に基づいて決定される、ことを特徴とする請求項7又は8に記載の形成方法。
- 前記パターン形成精度は、前記第1パターン層を形成するために前記部材上に供給されるインプリント材の量に関する情報に基づいて決定される、ことを特徴とする請求項7乃至9のいずれか1項に記載の形成方法。
- 前記パターン形成精度は、前記第1パターン層に形成されるパターンの形状に関する情報に基づいて決定される、ことを特徴とする請求項7乃至10のいずれか1項に記載の形成方法。
- 前記パターン形成精度は、前記部材に既に形成されているパターンの形状に関する情報に基づいて決定される、ことを特徴とする請求項7乃至11のいずれか1項に記載の形成方法。
- 請求項1乃至12のいずれか1項に記載の形成方法を用いて基板上にパターンを形成する形成工程と、
前記形成工程でパターンが形成された前記基板を加工する加工工程と、を含み、
前記加工工程で加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
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