JP7041545B2 - インプリント装置、物品の製造方法及びモールド - Google Patents

Description

本発明は、インプリント装置、物品の製造方法及びモールドに関する。

インプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写を可能にする技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体などのデバイスの量産用ナノリソグラフィ技術の１つとして提案されている。インプリント技術を用いたインプリント装置は、パターンが形成されたモールド（型）と基板上のインプリント材とを接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材からモールドを引き離すことで基板上にパターンを形成する。この際、インプリント材の硬化法として、一般に、紫外線などの光の照射によってインプリント材を硬化させる光硬化法が採用されている。また、インプリント材の硬化法としては、熱によってインプリント材を硬化させる熱硬化法も存在する。

インプリント装置では、モールドと基板とのアライメント（位置合わせ）方式として、一般的に、ダイバイダイアライメントが採用されている。ダイバイダイアライメントとは、基板のショット領域ごとに、モールドに設けられたマークと基板に設けられたマークとを検出してモールドと基板との位置ずれを補正するアライメント方式である。このようなアライメントにおいて、モールド及び基板のそれぞれに設けられた複数のマークを検出することで、モールドのパターンと基板上のパターン（基板のショット領域）との形状差を求める技術が提案されている。

また、インプリント装置では、デバイスの性能を維持するために、基板上のパターンに対して、モールドのパターンを高精度に転写する必要がある。この際、一般的には、モールドのパターンの形状を基板上のパターンの形状に合わせている。例えば、モールドの周辺からモールドを押し引きしてモールドのパターンを変形させる、即ち、パターンの形状を補正する補正機構が提案されている（特許文献１参照）。また、モールドのパターン面と反対側の面（裏面）に形成された凹部（開口部）に外向きの力を加えるために、アクチュエータを設けた機構も提案されている（特許文献２参照）。更に、モールドのパターンと基板上のパターンとの形状を合わせる技術として、モールドと基板との相対的な間隔や傾きを変化させることも提案されている（特許文献３参照）。

特表２００８－５０４１４１号公報 米国特許出願公開第２００８／０１６０１２９号 特開２０１３－５５３２７号公報

しかしながら、インプリント装置には、重ね合わせ精度の向上が要求されているため、モールドのパターンと基板上のパターンとの形状差をより高い自由度で補正する必要がある。

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、モールドのパターンを高い自由度で変形させるのに有利なインプリント装置を提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、モールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、前記モールドを保持する保持部と、前記保持部に保持された前記モールドのパターンを変形させる第１変形部と、を有し、前記第１変形部は、前記モールドのパターンが形成された第１面とは反対側の第２面に設けられた、凸部又は凹部で構成された複数の構造物のそれぞれに対して、前記第１面に平行な方向及び前記第１面に垂直な方向の少なくとも一方の方向に力を加えることで前記モールドのパターンを変形させることを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、モールドのパターンを高い自由度で変形させるのに有利なインプリント装置を提供することができる。

本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。 モールドの側面に対して、パターン面に平行な方向に力を加える様子を模式的に示す図である。 図１に示すインプリント装置の形状補正部の構成の一例を示す図である。 図１に示すインプリント装置の変形部の構成の一例を示す図である。 図１に示すインプリント装置に適用可能な変形部の構成の一例を示す図である。 図１に示すインプリント装置に適用可能な変形部の構成の一例を示す図である。 図１に示すインプリント装置におけるインプリント処理を説明するためのフローチャートである。 図１に示すインプリント装置におけるインプリント処理を説明するためのフローチャートである。 物品の製造方法を説明するための図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１の構成を示す概略図である。インプリント装置１は、物品としての半導体デバイスなどの製造に使用され、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するリソグラフィ装置である。本実施形態では、インプリント装置１は、基板上に供給されたインプリント材とモールドとを接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギーを与えることにより、モールドの凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する。

インプリント材には、硬化用のエネルギーが与えられることによって硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。硬化用のエネルギーとしては、電磁波、熱などが用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光を用いる。

硬化性組成物は、光の照射によって、或いは、加熱によって硬化する組成物である。光の照射によって硬化する光硬化性組成物は、重合性化合物と光重合開始剤とを少なくとも含有し、必要に応じて、非重合性化合物又は溶剤を含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。

インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターによって基板上に膜状に付与されてもよい。また、インプリント材は、液体噴射ヘッドによって、液滴状、或いは、複数の液滴が繋がって形成された島状又は膜状で基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下である。

基板には、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂などが用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。具体的には、基板は、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、石英ガラスなどを含む。

インプリント装置１は、インプリント材の硬化法として光硬化法を採用している。インプリント装置１は、モールド１１を保持するモールド保持部１２と、基板１３を保持する基板保持部１４と、計測部１５と、形状補正部１６と、制御部１７とを有する。更に、インプリント装置１は、基板上にインプリント材を供給するためのディスペンサを含む供給部、モールド保持部１２を保持するためのブリッジ定盤、基板保持部１４を保持するためのベース定盤なども有する。なお、図１では、互いに直交する３軸方向に、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸を定義している。

モールド１１は、基板上のインプリント材を成形するための型である。モールド１１は、矩形の外形形状を有し、基板１３（の上のインプリント材）に転写すべきパターン（凹凸パターン）が形成されたパターン面（第１面）１１ａを有する。モールド１１は、基板上のインプリント材を硬化させるための紫外線２０を透過する材料、例えば、石英などで構成されている。また、モールド１１のパターン面１１ａには、アライメントマークとして機能するモールド側マーク１８が形成されている。

モールド保持部１２は、モールド１１を保持する保持機構である。モールド保持部１２は、例えば、モールド１１を真空吸着又は静電吸着するモールドチャック１２ａと、モールドチャック１２ａを駆動する（移動させる）駆動部１２ｂとを含む。駆動部１２ｂは、モールドチャック１２ａ、即ち、モールド１１を少なくともＺ軸方向（基板上のインプリント材にモールド１１を接触させる（押印する）際の方向（押印方向））に駆動する。また、駆動部１２ｂは、Ｚ軸方向だけではなく、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びθ（Ｚ軸周りの回転）方向にモールドチャック１２ａを駆動する機能を備えていてもよい。

基板１３は、モールド１１のパターンが転写される基板である。基板１３には、供給部からインプリント材が供給（塗布）される。また、基板１３の複数のショット領域のそれぞれには、アライメントマークとして機能する基板側マーク１９が形成されている。

基板保持部１４は、基板１３を保持する保持機構である。基板保持部１４は、例えば、基板１３を真空吸着又は静電吸着する基板チャックと、基板チャックを載置する基板ステージと、基板ステージを駆動する（移動させる）駆動部とを含む。かかる駆動部は、基板ステージ、即ち、基板１３を少なくともＸ軸方向及びＹ軸方向（モールド１１の押印方向に直交する方向）に駆動する。また、かかる駆動部は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向だけではなく、Ｚ軸方向及びθ（Ｚ軸周りの回転）方向に基板ステージを駆動する機能を備えていてもよい。

計測部１５は、モールド１１に設けられたモールド側マーク１８と、基板１３の複数のショット領域のそれぞれに設けられた基板側マーク１９とを光学的に検出（観察）するスコープを含む。計測部１５は、かかるスコープの検出結果に基づいて、モールド１１と基板１３との相対的な位置（位置ずれ）を計測する。但し、計測部１５は、モールド側マーク１８と基板側マーク１９との相対的な位置を検出することができればよい。従って、計測部１５は、２つのマークを同時に撮像するための光学系を備えたスコープを含んでいてもよいし、２つのマークの干渉信号やモアレなどの相対位置を反映した信号を検知するスコープを含んでいてもよい。また、計測部１５は、モールド側マーク１８と基板側マーク１９とを同時に検出できなくてもよい。例えば、計測部１５は、内部に配置された基準位置に対するモールド側マーク１８及び基板側マーク１９のそれぞれの位置を求めることで、モールド側マーク１８と基板側マーク１９との相対的な位置を検出してもよい。また、本実施形態では、図１に示すように、複数の計測部１５が配置され、複数のモールド側マーク１８及び基板側マーク１９を計測することが可能である。従って、計測部１５は、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域（基板上のパターン）との形状差を計測することができる。

形状補正部１６は、モールド１１のパターンの形状と基板１３のショット領域との形状とを一致させるために、基板１３のショット領域ごとに、モールド１１のパターンの形状と基板１３のショット領域との形状の差（形状差）を補正する。形状補正部１６は、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、モールド１１の側面に対して、パターン面１１ａに平行な方向に力を加える（加圧する）ことでモールド１１のパターン（パターン面１１ａ）を変形させる（第２変形部として機能する）。図２（ａ）及び図２（ｂ）は、形状補正部１６が、モールド１１の側面に対して、パターン面１１ａに平行な方向に力を加える様子を模式的に示す図であって、図２（ａ）は、モールド１１の上面図、図２（ｂ）は、モールド１１の側面図である。

例えば、形状補正部１６は、図３に示すように、モールド１１の側面を吸着する吸着部１６ａと、モールド１１の側面に近づく方向及びモールド１１の側面から遠ざかる方向に吸着部１６ａを駆動するアクチュエータ１６ｂとを含む。吸着部１６ａは、モールド１１の側面を吸着する機能を有していなくてもよく、モールド１１の側面に接触する接触部材であってもよい。

インプリント装置１は、形状補正部１６に加えて、或いは、形状補正部１６に代えて、モールド１１に熱を加えることで（モールド１１の温度を制御することで）モールド１１のパターン（パターン面１１ａ）を変形させる熱補正部（第３変形部）を有してもよい。熱補正部は、例えば、モールド１１の側面に直接的に接触して全体的に熱膨張させてもよいし、モールド１１（パターン面１１ａ）の所定の位置に一定強度の光を照射することで局所的に熱膨張させてもよい。

また、インプリント装置１は、基板上の所定の位置に一定強度の光を照射することで局所的に基板１３を熱膨張させて、基板１３のショット領域を変形させる（ショット領域の形状を補正する）機構を更に有していてもよい。

本実施形態では、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、モールド１１のパターンが形成されたパターン面１１ａとは反対側の裏面（第２面）１１ｂには、凹形状のキャビティ２１が設けられている。キャビティ２１は、モールド１１を基板上のインプリント材に接触させる際に、パターン面１１ａを基板側に凸形状に変形させ、パターン面１１ａの中心部分から、インプリント材との接触領域を徐々に広げることを目的に設けられている。具体的には、キャビティ２１の圧力を外部の圧力よりも高くすることで、モールド１１のパターン面１１ａを基板側に凸形状に変形させることができる。これにより、モールド１１のパターン面１１ａと基板１３との間のインプリント材に存在する気泡を外周に押し出し、インプリント材に残留する気泡を低減することができる。

制御部１７は、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１の全体（インプリント装置１の各部）を制御する。制御部１７は、本実施形態では、インプリント処理及びそれに関連する処理を制御する。例えば、制御部１７は、インプリント処理を行う際に、計測部１５の計測結果に基づいて、モールド１１と基板１３とのアライメント（位置合わせ）やモールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状差の補正を行う。

モールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状差の補正では、上述したように、形状補正部１６によるモールド１１の側面からの加圧によってモールド１１を変形させて、パターン面１１ａの形状を制御する。但し、形状補正部１６は、モールド１１のパターン面１１ａを変形させることができるが、モールド１１を加圧する位置（側面）がパターン面１１ａから遠く、且つ、加圧する位置及び方向に制限があるため、パターン面１１ａの変形の自由度が低い。

そこで、本実施形態では、モールド１１のパターン面１１ａ（パターン）をより高い自由度で変形させることができる技術を提供する。モールド１１のパターン面１１ａをより高い自由度で変形させるためには、モールド１１に対して、モールドのパターン面１１ａに近く、且つ、必要な位置に加圧点（モールド１１に力を加える点）を設けるとよい。また、モールド１１を加圧する方向も自由度が高いとよい。従って、本実施形態では、インプリント装置１は、モールド１１の裏面１１ｂに設けられた加圧点に対して力を加える変形部（第１変形部）３０を有する。

変形部３０は、図４（ａ）乃至図４（ｄ）に示すように、モールド１１の裏面１１ｂに設けられた、凸部又は凹部で構成された複数の構造物２２のそれぞれに対して、パターン面１１ａに平行な方向に力を加えることでパターン面１１ａを変形させる。変形部３０は、パターン面１１ａに平行な方向に力を加えることが可能であれば、その方向（加圧方向）を特定の方向に限定するものではない。例えば、変形部３０は、図４（ａ）に示すように、複数の構造物２２のそれぞれに対して、パターン面１１ａに平行な面内において、第１方向ＦＤ、第２方向ＳＤ及び第３方向ＴＤの少なくとも１つの方向に力を加えることでパターン面１１を変形させる。ここで、第２方向ＳＤは、第１方向ＦＤに直交する方向であり、第３方向ＴＤは、第１方向ＦＤ及び第２方向ＳＤに交差する方向（斜め方向）である。また、複数の構造物２２のそれぞれは、モールド１１の裏面１１ｂに設けられた加圧点として機能する。図４（ａ）乃至図４（ｄ）は、変形部３０の構成の一例を示す図であって、図４（ａ）は、モールド１１の上面図、図４（ｂ）は、モールド１１の側面図、図４（ｃ）及び図４（ｄ）は、モールド１１の裏面１１ｂに設けられた変形部３０の近傍の拡大側面図である。なお、図４（ｃ）は、モールド１１の裏面１１ｂに設けられた構造物２２が凹部である場合を示し、図４（ｄ）は、モールド１１の裏面１１ｂに設けられた構造物２２が凸部である場合を示している。構造物２２は、モールド１１を機械的に削ることで形成することができる。

インプリント材が紫外線硬化型である場合、モールド１１には、紫外線２０を透過させるため、石英を用いることが多い。従って、モールド１１の加圧に対する強度を考慮すると、モールド１１の裏面１１ｂに設ける構造物２２を微小な凸部（凸構造）とし、かかる凸部に力を加えるよりも、構造物２２を微小な凹部（凹構造）とし、かかる凹部に力を加える方が好ましい。本実施形態では、図４（ｃ）に示すように、モールド１１の裏面１１ｂに設ける構造物２２を凹部とし、かかる凹部に加圧部材を挿入することで変形部３０を構成している。加圧部材としては、ピエゾ素子などの小型で力を発生させる素子を用いる。これにより、限られた空間であるモールド１１の裏面１１ｂに、多くの加圧点を設けることが可能となる。

複数の構造物２２のそれぞれは、本実施形態では、モールド１１のパターン面１１ｂにおけるキャビティ２１の面積（寸法）よりも小さい寸法を有する凹部で構成されている。また、複数の構造物２２のそれぞれは、Ｚ軸方向（モールド１１のパターン面１１ｂに垂直な方向）におけるキャビティ２１の深さよりも小さい深さを有する凹部で構成されている。

また、複数の構造物２２は、キャビティ２１のように、予め定められた位置に設けるのではなく、モールド１１の裏面１１ｂの任意の位置に設けることができる。複数の構造物２２は、形状補正部１６と比較して、変形部３０がモールド１１のパターン面１１ａにより近い位置に力を加えることができるように設けられている。例えば、複数の構造物２２は、図４（ａ）に示すように、モールド１１の裏面１１ａのうちキャビティ２１の領域を除く領域に、キャビティ２１を取り囲むように設けられている。また、構造物２２は、モールドチャック１２ａによってモールド１１の裏面１１ｂを保持する領域にも設けることが可能である。

複数の構造物２２を設ける位置に関しては、モールド１１やキャビティ２１の形状及び大きさ、モールド１１の材質、パターン面１１ａの変形後の形状などに基づいて、シミュレーションによって効果的な位置を予測するとよい。また、モールド１１の裏面１１ｂに多くの構造物２２を設け、変形部３０によってモールド１１を実際に加圧してパターン面１１ａの変化を実際に観察することで、複数の構造物２２を設ける位置、力を加える量（加圧量）や方向（加圧方向）を求めてもよい。

本実施形態では、モールド１１の裏面１１ｂにキャビティ２１が設けられている場合を例に説明した。但し、モールド１１には、キャビティ２１が設けられていない場合もある。このような場合には、図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、キャビティ２１が設けられている場合（図４（ａ）及び図４（ｂ））と比較して、モールド１１のパターン面１１ａにより近い位置に力を加えることができるように、構造物２２を設けることができる。例えば、複数の構造物２２は、図５（ｂ）に示すように、モールド１１のパターン面１１ａに形成されたパターンを含む領域をモールド１１の裏面１１ｂに投影した領域ＰＲを取り囲むように設けられている。図５（ａ）及び図５（ｄ）は、変形部３０の構成の一例を示す図であって、図５（ａ）は、モールド１１の上面図、図５（ｂ）は、モールド１１の側面図である。

本実施形態では、モールド１１の上方から紫外線２０を照射するため、モールド１１のパターン面１１ａの領域（パターン領域）をモールド１１の裏面１１ｂに投影した領域には、構造物２２を設けないようにしている。これは、構造物２２に対して設けられた変形部３０によって紫外線２０が遮られ、モールド１１のパターン面１１ａの一部の領域に紫外線２０が照射されなくなることを懸念しているからである。従って、基板上のインプリント材を熱で硬化させる場合やモールド１１の側面から紫外線２０を照射する場合には、モールド１１のパターン領域をモールド１１の裏面１１ｂに投影した領域に構造物２２を配置してもよい。この場合、モールド１１のパターン領域をモールド１１の裏面１１ｂに投影した領域に直接力を加えることができるため、モールド１１のパターン面１１ａをより高い自由度で変形させることができる。

また、変形部３０は、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、モールド１１の裏面１１ｂに設けられた複数の構造物２２のそれぞれに対して、モールド１１のパターン面１１ｂに垂直な方向（Ｚ軸方向）に力を加えることも可能である。上述したように、モールド１１と基板１３との相対的な間隔や傾きを変化させることでモールド１１のパターン面１１ｂが変形することが知られている。従って、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、変形部３０は、モールド１１の裏面１１ｂに設けられた構造物２２に対して、モールド１１のパターン面１１ｂに垂直な方向に力を加える（即ち、構造物２２を押し引きする）ようにしてもよい。これにより、モールド１１のパターン面１１ａにより局所的な変形を生じさせることができる。図６（ａ）及び図６（ｄ）は、変形部３０の構成の一例を示す図であって、図６（ａ）は、モールド１１の上面図、図６（ｂ）は、モールド１１の側面図である。

変形部３０は、モールド１１の裏面１１ｂに設けられた複数の構造物２２のそれぞれに対して、モールド１１のパターン面１１ｂに平行な方向及び垂直な方向の両方の方向に力を加えることができるとよいが、それらを別々に構成してもよい。このように、変形部３０は、構造物２２に対して、モールド１１の裏面１１ｂに設けられた複数の構造物２２のそれぞれに対して、モールド１１のパターン面１１ｂに平行な方向及び垂直な方向の少なくとも一方の方向に力を加えるように構成されている。

図７を参照して、インプリント装置１におけるインプリント処理について説明する。インプリント処理は、上述したように、制御部１７がインプリント装置１の各部を統括的に制御することで行われる。また、図７では、モールド１１と基板上のインプリント材とを接触させた状態において、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状差を計測することを前提としている。

Ｓ７０２では、モールド１１を基板１３のショット領域上のインプリント材に接触させる。具体的には、駆動部１２ｂによってモールドチャック１２ａを駆動して、モールド１１と基板１３との間隔を狭めることでショット領域上のインプリント材にモールド１１を接触させる。

Ｓ７０４では、モールド１１と基板１３のショット領域上のインプリント材とを接触させた状態において、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状差を計測する。上述したように、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状差は、計測部１５によって計測することができる。計測部１５の数や計測部１５が検出するモールド側マーク１８及び基板側マーク１９の数は、求めるべき形状差の次数に応じて異なる。但し、より多くのモールド側マーク１８及び基板側マーク１９を計測部１５が検出することで、より高次の形状差まで計測することができる。

Ｓ７０６では、Ｓ７０４で計測された形状差に基づいて、モールド１１の裏面１１ｂに設けられた複数の構造物２２のそれぞれに対して、変形部３０が加えるべき力の量（加圧量）及び方向（加圧方向）を求める。具体的には、Ｓ７０４で計測された形状差と、複数の構造物２２のそれぞれに加える加圧量及び加圧方向と、モールド１１のパターンの変形の量及び方向との関係を示す敏感度とに基づいて、複数の構造物２２のそれぞれに対する加圧量及び加圧方向を決定する。この際、モールド１１のパターンの形状が基板１３のショット領域の形状と一致するように、複数の構造物２２のそれぞれに対する加圧量及び加圧方向を決定する。複数の構造物２２のそれぞれに加える加圧量及び加圧方向と、モールド１１のパターンの変形の量及び方向との関係を示す敏感度は、予め取得されてインプリント装置１の記憶部（制御部１７のメモリなど）に格納されている。かかる敏感度は、例えば、モールド１１の形状や材質、モールド１１のパターン、インプリント材の粘弾性などからシミュレーションによって求めてもよいし、モールド１１に実際に力を加えてモールド１１のパターンの変形を観察することで求めてもよい。

Ｓ７０８では、Ｓ７０６で求めた加圧量及び加圧方向に基づいて、モールド１１の裏面１１ｂに設けられた複数の構造物２２のそれぞれに対して、変形部３０によって力を加える。

Ｓ７１０では、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状差が予め定められた許容範囲に収まっているかどうかを判定する。具体的には、モールド１１の裏面１１ｂに設けられた複数の構造物２２のそれぞれに対して変形部３０が力を加えた状態において、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状差を計測部１５で計測して、その計測結果を許容範囲と比較する。

モールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状差が許容範囲に収まっていない場合には、Ｓ７０６に移行して、複数の構造物２２のそれぞれに対して変形部３０が加えるべき加圧量及び加圧方向を再度求める。このように、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状差が許容範囲に収まるように、追い込み処理を続ける。一方、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状差が許容範囲に収まっている場合には、Ｓ７１２に移行する。

Ｓ７１２では、モールド１１と基板１３のショット領域上のインプリント材とを接触させた状態で紫外線２０をインプリント材に照射して、インプリント材を硬化させる。基板上のインプリント材が硬化したら、モールド１１の裏面１１ｂに設けられた複数の構造物２２のそれぞれに対する、変形部３０による加圧を解除してもよい。

Ｓ７１４では、基板１３のショット領域上の硬化したインプリント材からモールド１１を引き離す。具体的には、駆動部１２ｂによってモールドチャック１２ａを駆動して、モールド１１と基板１３との間隔を広めることでショット領域上のインプリント材からモールド１１を引き離す。これにより、基板１３のショット領域には、モールド１１のパターンに対応するインプリント材のパターンが形成される。このようなインプリント処理を、基板１３の各ショット領域に対して繰り返す。

なお、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状差は、計測部１５で計測するのではなく、インプリント装置１の外部の計測装置で予め計測してもよい。例えば、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状差を補正せずにインプリント処理を行い、その結果から、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状差をインプリント装置１の外部の計測装置で計測する。基板１３のショット領域間で、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状差が安定して発生しているのであれば、かかる形状差が再現する。従って、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状差を予め計測していれば、かかる形状差の計測に要する時間が削減されるため、生産性を向上させることができる。

但し、基板間のショット領域の形状のばらつきが大きい場合には、基板１３ごとにショット領域の形状を計測する必要がある。この場合、インプリント処理の前に、各基板１３のショット領域の形状を計測するとよい。例えば、モールドをインプリント材を介さずに極小間隔で基板１３に近づけることで、モールド側マークと基板側マーク１９との相対位置を計測することができる。これにより、基板１３のショット領域の形状差を求めることが可能である。かかるモールドは、インプリント処理で実際に使用するモールド１１であってもよいし、別途基準となるモールドであってもよい。

更に、計測ユニットによって、基板単体でのショット領域の形状を絶対位置計測してもよい。また、インプリント装置外で計測してもよいし、インプリント装置内に基板単体でのショット領域の形状を絶対位置計測するためのユニットを設けてもよい。

図８は、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状差を予め計測することを前提とする、インプリント装置１におけるインプリント処理を説明するためのフローチャートである。ここでは、予め計測された、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状差は、インプリント装置１の記憶部（制御部１７のメモリなど）に格納されているものとする。

Ｓ８０２では、Ｓ７０２と同様に、モールド１１を基板１３のショット領域上のインプリント材に接触させる。

Ｓ８０４では、予め計測された形状差に基づいて、モールド１１の裏面１１ｂに設けられた複数の構造物２２のそれぞれに対して、変形部３０が加えるべき力の量（加圧量）及び方向（加圧方向）を求める。具体的には、予め計測された形状差と、複数の構造物２２のそれぞれに加える加圧量及び加圧方向と、モールド１１のパターンの変形の量及び方向との関係を示す敏感度とに基づいて、複数の構造物２２のそれぞれに対する加圧量及び加圧方向を決定する。この際、モールド１１のパターンの形状が基板１３のショット領域の形状と一致するように、複数の構造物２２のそれぞれに対する加圧量及び加圧方向を決定する。但し、複数の構造物２２のそれぞれに対して変形部３０が加えるべき加圧量及び加圧方向は、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状差を計測した際に予め求めておいてもよい。

Ｓ８０６では、Ｓ８０４で求めた加圧量及び加圧方向に基づいて、モールド１１の裏面１１ｂに設けられた複数の構造物２２のそれぞれに対して、変形部３０によって力を加える。

Ｓ８０８では、Ｓ７１２と同様に、モールド１１と基板１３のショット領域上のインプリント材とを接触させた状態で紫外線２０をインプリント材に照射して、インプリント材を硬化させる。基板上のインプリント材が硬化したら、モールド１１の裏面１１ｂに設けられた複数の構造物２２のそれぞれに対する、変形部３０による加圧を解除してもよい。

Ｓ８１０では、Ｓ７１４と同様に、基板１３のショット領域上の硬化したインプリント材からモールド１１を引き離す。これにより、基板１３のショット領域には、モールド１１のパターンに対応するインプリント材のパターンが形成される。このようなインプリント処理を、基板１３の各ショット領域に対して繰り返す。

図８では、生産性を重視しているため、Ｓ８０６の後に、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状差が予め定められた許容範囲に収まっているかどうかを判定していない。但し、Ｓ８０６の後に、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状差が予め定められた許容範囲に収まっているかどうかを判定してもよい。モールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状差が予め定められた許容範囲に収まっていない場合には、図７で説明したように、追い込み処理を行う。具体的には、モールド１１の裏面１１ｂに設けられた複数の構造物２２のそれぞれに対して変形部３０が力を加えた状態において、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状差を計測部１５で計測する。そして、計測部１５の計測結果に基づいて、複数の構造物２２のそれぞれに対して変形部３０が加えるべき加圧量及び加圧方向を再度求める。

本実施形態によれば、変形部３０によって、モールド１１に対して、モールドのパターン面１１ａに近い位置に力を加えることができるため、モールド１１のパターン（パターン面１１ａ）をより高い自由度で変形させることができる。従って、インプリント装置１は、モールド１１のパターンと基板１３のショット領域との形状差をより高い自由度で補正することが可能となり、重ね合わせ精度を向上させることができる。

インプリント装置１を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは、各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサー、或いは、型などである。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭなどの揮発性又は不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡなどの半導体素子などが挙げられる。型としては、インプリント用のモールドなどが挙げられる。

硬化物のパターンは、上述の物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入などが行われた後、レジストマスクは除去される。

次に、物品の具体的な製造方法について説明する。図９（ａ）に示すように、絶縁体などの被加工材が表面に形成されたシリコンウエハなどの基板１３を用意し、続いて、インクジェット法などにより、被加工材の表面にインプリント材を付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材が基板上に付与された様子を示している。

図９（ｂ）に示すように、インプリント用のモールド１１を、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材に向け、対向させる。図９（ｃ）に示すように、インプリント材が付与された基板１３とモールド１１とを接触させ、圧力を加える。インプリント材は、モールド１１と被加工材との隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光（紫外線）をモールド１１を介して照射すると、インプリント材は硬化する。

図９（ｄ）に示すように、インプリント材を硬化させた後、モールド１１と基板１３を引き離すと、基板上にインプリント材の硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、モールド１１の凹部が硬化物の凸部に、モールド１１の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材にモールド１１の凹凸パターンが転写されたことになる。

図９（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材の表面のうち、硬化物がない、或いは、薄く残存した部分が除去され、溝となる。図９（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材の表面に溝が形成された物品を得ることができる。ここでは、硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子などに含まれる層間絶縁用の膜、即ち、物品の構成部材として利用してもよい。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。例えば、インプリント材に形成すべきパターンが形成されたパターン面（第１面）とは反対側の裏面（第２面）に設けられた、凸部又は凹部で構成された複数の構造物を有するモールドも本発明の一側面を構成する。

１：インプリント装置 １１：モールド １２：モールド保持部 １３：基板 ３０：変形部

Claims (20)

1. モールドを用いて基板上のインプリント材にパターンを形成するインプリント装置であって、
   前記モールドを保持する保持部と、
   前記保持部に保持された前記モールドのパターンを変形させる第１変形部と、を有し、
   前記第１変形部は、前記モールドのパターンが形成された第１面とは反対側の第２面に設けられた、凸部又は凹部で構成された複数の構造物のそれぞれに対して、前記第１面に平行な方向及び前記第１面に垂直な方向の少なくとも一方の方向に力を加えることで前記モールドのパターンを変形させることを特徴とするインプリント装置。
2. 前記モールドのパターンと前記基板のショット領域との形状差を計測する計測部と、
   前記計測部で計測された前記形状差に基づいて、前記モールドのパターンの形状が前記基板のショット領域の形状と一致するように、前記第１変形部による前記モールドのパターンの変形を制御する制御部と、
   を更に有することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
3. 前記制御部は、前記計測部で計測された前記形状差と、前記複数の構造物のそれぞれに加える力の量及び方向と、前記モールドのパターンの変形の量及び方向との関係を示す敏感度とに基づいて、前記第１変形部により前記複数の構造物のそれぞれに加える力の量及び方向を決定することを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
4. 予め計測された、前記モールドのパターンと前記基板のショット領域との形状差に基づいて、前記モールドのパターンの形状が前記基板のショット領域の形状と一致するように、前記第１変形部による前記モールドのパターンの変形を制御する制御部を更に有することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
5. 前記制御部は、予め計測された前記形状差と、前記複数の構造物のそれぞれに加える力の量及び方向と、前記モールドのパターンの変形の量及び方向との関係を示す敏感度とに基づいて、前記第１変形部により前記複数の構造物のそれぞれに加える力の量及び方向を決定することを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
6. 前記第１変形部は、前記複数の構造物のそれぞれに対して、前記第１面に平行な面内において、第１方向、前記第１方向に直交する第２方向、及び、前記第１方向及び第２方向に交差する第３方向の少なくとも１つの方向に力を加えることで前記モールドのパターンを変形させることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
7. 前記保持部に保持された前記モールドの側面に対して、前記第１面に平行な方向に力を加えることで前記モールドのパターンを変形させる第２変形部を更に有することを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
8. 前記保持部に保持された前記モールドに熱を加えることで前記モールドのパターンを変形させる第３変形部を更に有することを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
9. 前記保持部を前記第１面に垂直な方向に駆動する駆動部を更に有し、
   前記第１変形部は、前記駆動部によって前記モールドと前記基板との間隔を狭めることで前記基板上のインプリント材に前記モールドを接触させている間に、前記複数の構造物のそれぞれに対して、前記第１面に平行な方向及び前記第１面に垂直な方向の少なくとも一方の方向に力を加えることで前記モールドのパターンを変形させることを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
10. 前記モールドの前記第２面には、前記第１面を前記基板側に凸形状に変形させるための凹形状のキャビティが設けられ、
    前記複数の構造物のそれぞれは、前記第２面における前記キャビティの面積よりも小さい面積を有する凹部で構成されていることを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
11. 前記複数の構造物のそれぞれは、前記第１面に垂直な方向における前記キャビティの深さよりも小さい深さを有する凹部で構成されていることを特徴とする請求項１０に記載のインプリント装置。
12. 前記モールドの前記第２面には、前記モールドの前記第１面を前記基板側に凸形状に変形させるための凹形状のキャビティが設けられ、
    前記複数の構造物は、前記第２面の領域のうち前記キャビティの領域を除く領域に設けられていることを特徴とする請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
13. 前記複数の構造物は、前記キャビティを取り囲むように設けられていることを特徴とする請求項１２に記載のインプリント装置。
14. 前記複数の構造物は、前記モールドの前記第１面に形成されたパターンを含むパターン領域を前記第２面に投影した領域を取り囲むように設けられていることを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
15. 請求項１乃至１４のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
    前記工程で前記パターンが形成された前記基板を処理する工程と、
    処理された前記基板から物品を製造する工程と、
    を有することを特徴とする物品の製造方法。
16. 基板上のインプリント材を成形するためのモールドであって、
    前記インプリント材に形成すべきパターンが形成された第１面とは反対側の第２面に設けられた、凸部又は凹部で構成された複数の構造物を有し、
    前記第２面には、前記モールドの前記第１面を前記基板側に凸形状に変形させるための凹形状のキャビティが設けられ、
    前記複数の構造物のそれぞれは、前記第２面における前記キャビティの面積よりも小さい面積を有する凹部で構成されていることを特徴とするモールド。
17. 前記複数の構造物のそれぞれは、前記第１面に垂直な方向における前記キャビティの深さよりも小さい深さを有する凹部で構成されていることを特徴とする請求項１６に記載のモールド。
18. 前記複数の構造物は、前記第２面の領域のうち前記キャビティの領域を除く領域に設けられていることを特徴とする請求項１６又は１７に記載のモールド。
19. 前記複数の構造物は、前記キャビティを取り囲むように設けられていることを特徴とする請求項１８に記載のモールド。
20. 前記複数の構造物は、前記モールドの前記第１面に形成されたパターンを含むパターン領域を前記第２面に投影した領域を取り囲むように設けられていることを特徴とする請求項１６に記載のモールド。

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