JP2016018824A - インプリント装置及び物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】モールドと基板との位置合わせに有利なインプリント装置を提供する。
【解決手段】基板上のインプリント材をモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記インプリント材を硬化させる硬化部と、前記モールドに設けられた第１マーク及び前記基板に設けられた第２マークを検出する検出部と、前記インプリント処理を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記硬化部により、前記モールドに接触している前記インプリント材のうち、前記検出部の検出結果に基づいて前記第１マークと前記第２マークとの位置合わせを行った部分領域の上のインプリント材から順次硬化させることを特徴とするインプリント装置を提供する。
【選択図】図１

Description

本発明は、インプリント装置及び物品の製造方法に関する。

インプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写を可能にする技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体の量産用ナノリソグラフィ技術の１つとして提案されている。インプリント技術を用いたインプリント装置は、パターンが形成されたモールド（型）と基板上の樹脂（インプリント材）とを接触させた状態で樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールドを引き離すことで基板上にパターンを形成する。インプリント装置では、樹脂硬化法として、一般に、紫外線などの光の照射によって基板上の樹脂を硬化させる光硬化法が採用されている。

インプリント装置では、デバイスの性能を維持するために、基板上のパターン（基板上の所定の位置）に対して、モールドのパターンを高精度に転写する必要がある。この際、一般的には、モールドのパターンの形状を基板上のパターンの形状に合わせている。例えば、モールドの周辺からモールドを押し引きしてモールドのパターンを変形させる、即ち、パターンの形状を補正する技術が提案されている（特許文献１参照）。

特表２００８−５０４１４１号公報

しかしながら、従来技術では、モールドのパターンに対して補正可能な成分や変形量が限定され、基板のショット領域内の高次成分や大きな変形量については対応することができない。

本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、モールドと基板との位置合わせに有利なインプリント装置を提供することを例示的目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、基板上のインプリント材をモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記インプリント材を硬化させる硬化部と、前記モールドに設けられた第１マーク及び前記基板に設けられた第２マークを検出する検出部と、前記インプリント処理を制御する制御部と、を有し、前記制御部は、前記硬化部により、前記モールドに接触している前記インプリント材のうち、前記検出部の検出結果に基づいて前記第１マークと前記第２マークとの位置合わせを行った部分領域の上のインプリント材から順次硬化させることを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、モールドと基板との位置合わせに有利なインプリント装置を提供することができる。

本発明の一側面としてのインプリント装置の構成を示す概略図である。 図１に示すインプリント装置の形状補正部の構成の一例を示す図である。 モールドに設けられたモールド側マーク及び基板に設けられた基板側マークの一例を示す図である。 インプリント処理を説明するための図である。 モールドに接触している樹脂を一部分ずつ硬化させることを説明するための図である。 紫外線の照射領域を制限する制限部の構成の一例を示す図である。 モールドに接触している樹脂を一部分ずつ硬化させることによる効果を説明するための図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

図１は、本発明の一側面としてのインプリント装置１の構成を示す概略図である。インプリント装置１は、基板上のインプリント材をモールド（型）で成形して硬化させ、硬化したインプリント材からモールドを引き離す（離型する）ことで基板上にパターンを形成するインプリント処理を行う。本実施形態では、インプリント材として、樹脂を使用し、樹脂硬化法として、紫外線の照射によって樹脂を硬化させる光硬化法を採用する。

インプリント装置１は、照射部３０と、モールド１１を保持するモールド保持部１２と、基板１３を保持する基板保持部１４と、検出部１５と、形状補正部１６と、制御部１７とを有する。また、インプリント装置１は、基板上に樹脂を供給するためのディスペンサを含む樹脂供給部、モールド保持部１２を保持するためのブリッジ定盤、基板保持部１４を保持するためのベース定盤なども有する。

照射部３０は、インプリント処理の際に、具体的には、基板上の樹脂を硬化させる際に、モールド１１を介して、樹脂に対して紫外線を照射する。換言すれば、照射部３０は、基板上の樹脂を硬化させる硬化部として機能する。照射部３０は、基板上の樹脂を硬化させるための紫外線を発する光源３２と、光源３２からの光を適切に調整して基板上の樹脂に照射する光学系３４とを含む。

モールド１１は、矩形の外形形状を有し、基板１３（の上の樹脂）に転写すべきパターン（凹凸パターン）が形成されたパターン面１１ａを有する。モールド１１は、基板上の樹脂を硬化させるための紫外線を透過する材料、例えば、石英などで構成されている。また、モールド１１のパターン面１１ａには、モールド側マーク（第１マーク）１８が形成されている。

モールド保持部１２は、モールド１１を保持する保持機構である。モールド保持部１２は、例えば、モールド１１を真空吸着又は静電吸着するモールドチャックと、モールドチャックを載置するモールドステージと、モールドステージを駆動する（移動させる）駆動系とを含む。かかる駆動系は、モールドステージ（即ち、モールド１１）を少なくともｚ軸方向（基板上の樹脂にモールド１１を押印する際の押印方向）に駆動する。また、かかる駆動系は、ｚ軸方向だけではなく、ｘ軸方向、ｙ軸方向及びθ（ｚ軸周りの回転）方向にモールドステージを駆動する機能を備えていてもよい。

基板１３は、モールド１１のパターンが転写される基板であって、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板などを含む。基板１３には、樹脂供給部から樹脂が供給（塗布）される。また、基板１３の複数のショット領域のそれぞれには、基板側マーク（第２マーク）１９が形成されている。

基板保持部１４は、基板１３を保持する保持機構である。基板保持部１４は、例えば、基板１３を真空吸着又は静電吸着する基板チャックと、基板チャックを載置する基板ステージと、基板ステージを駆動する（移動させる）駆動系とを含む。かかる駆動系は、基板ステージ（即ち、基板１３）を少なくともｘ軸方向及びｙ軸方向（モールド１１の押印方向に直交する方向）に駆動する。また、かかる駆動系は、ｘ軸方向及びｙ軸方向だけではなく、ｚ軸方向及びθ（ｚ軸周りの回転）方向に基板ステージを駆動する機能を備えていてもよい。

検出部１５は、モールド１１に設けられたモールド側マーク１８と、基板１３の複数のショット領域のそれぞれに設けられた基板側マーク１９とを光学的に検出（観察）するスコープを含む。検出部１５は、かかるスコープの検出結果に基づいて、モールド１１と基板１３との相対位置を求める。但し、検出部１５は、モールド側マーク１８と基板側マーク１９との相対的な位置関係を検出することができればよい。従って、検出部１５は、２つのマークを同時に撮像するための光学系を備えたスコープを含んでいてもよいし、２つのマークの干渉信号やモアレなどの相対位置関係を反映した信号を検知するスコープを含んでいてもよい。また、検出部１５は、モールド側マーク１８と基板側マーク１９とを同時に検出できなくてもよい。例えば、検出部１５は、内部に配置された基準位置に対するモールド側マーク１８及び基板側マーク１９のそれぞれの位置を求めることで、モールド側マーク１８と基板側マーク１９との相対的な位置関係を検出してもよい。

形状補正部１６は、モールド１１に対して、パターン面１１ａに平行な方向に力を与えてモールド１１（パターン面１１ａ）を変形させることで、パターン面１１ａの形状を補正する。例えば、形状補正部１６は、図２に示すように、モールド１１の側面を吸着する吸着部１６ａと、モールド１１の側面に向かう方向及びモールド１１の側面から遠ざかる方向に吸着部１６ａを駆動するアクチュエータ１６ｂとを含む。但し、形状補正部１６は、モールド１１に熱を与えてモールド１１の温度を制御することでパターン面１１ａを変形させてもよい。

制御部１７は、ＣＰＵやメモリなどを含み、インプリント装置１の全体（インプリント装置１の各部）を制御する。制御部１７は、本実施形態では、インプリント処理及びそれに関連する処理を制御する。制御部１７は、後述するように、モールド１１と基板上の樹脂とを接触させた状態において、モールド１１に接触している樹脂を一部分ずつ硬化させる。この際、制御部１７は、検出部１５の検出結果に基づいて、モールド１１と基板１３との位置合わせ（アライメント）を行う。また、制御部１７は、形状補正部１６によるモールド１１のパターン面１１ａの変形量を制御する。

図３（ａ）及び図３（ｂ）を参照して、モールド１１と基板１３との位置合わせに用いられるアライメントマークとしてのモールド側マーク１８及び基板側マーク１９について説明する。本実施形態では、基板１３の１つのショット領域に６つのチップ領域が配置されているものとする。

図３（ａ）は、モールド１１のパターン面１１ａ、具体的には、パターン面１１ａの四隅に設けられたモールド側マーク１８ａ乃至１８ｈを示している。図３（ａ）を参照するに、横方向に長手方向を有するモールド側マーク１８ａ、１８ｂ、１８ｅ及び１８ｆは、ｘ軸方向に計測方向を有するマークである。また、縦方向に長手方向を有するモールド側マーク１８ｃ、１８ｄ、１８ｇ及び１８ｈは、ｙ軸方向に計測方向を有するマークである。また、図３（ａ）において、点線で囲まれた領域は、基板上の６つのチップ領域のそれぞれに転写すべきパターンが形成されたパターン領域１１ｂを示している。

図３（ｂ）は、基板１３の１つのショット領域１３ａの周辺、具体的には、ショット領域１３ａの四隅に設けられた基板側マーク１９ａ乃至１９ｈを示している。図３（ｂ）を参照するに、横方向に長手方向を有する基板側マーク１９ａ、１９ｂ、１９ｅ及び１９ｆは、ｘ軸方向に計測方向を有するマークである。また、縦方向に長手方向を有する基板側マーク１９ｃ、１９ｄ、１９ｇ及び１９ｈは、ｙ軸方向に計測方向を有するマークである。また、図３（ｂ）において、ショット領域１３ａの内側の実線で囲まれた領域は、チップ領域１３ｂを示している。

インプリント処理を行う際、即ち、モールド１１と基板上の樹脂とを接触させる際には、モールド１１に設けられたモールド側マーク１８ａ乃至１８ｈのそれぞれと基板１３に設けられた基板側マーク１９ｂ乃至１９ｈのそれぞれとが近接することになる。従って、検出部１５によってモールド側マーク１８と基板側マーク１９とを検出することで、モールド１１のパターン面１１ａの位置及び形状と基板１３のショット領域１３ａの位置及び形状とを比較することができる。モールド１１のパターン面１１ａの位置及び形状と基板１３のショット領域１３ａの位置及び形状との間に差（ずれ）が生じると、重ね合わせ精度が低下し、パターンの転写不良（製品不良）を招いてしまう。

図４（ａ）乃至図４（ｃ）を参照して、モールド１１のパターンを基板上の樹脂に転写する、即ち、基板上にパターンを形成するインプリント処理について説明する。

まず、図４（ａ）に示すように、モールド１１の押印を開始するまでに、基板上の対象ショット領域（これからインプリント処理を行うショット領域）に樹脂２０を供給する。インプリント装置で一般的に使用されている樹脂は、揮発性が高いため、インプリント処理を行う直前に基板に供給（塗布）される。但し、揮発性が低い樹脂であれば、スピンコードなどで基板上に樹脂を予め供給しておいてもよい。また、基板上に樹脂２０を供給するとともに、上述したように、モールド側マーク１８と基板側マーク１９との相対位置を検出し、かかる検出結果に基づいて、モールド１１と基板１３との位置合わせ及びモールド１１のパターン面１１ａの形状の補正を行う。

次いで、図４（ｂ）に示すように、モールド１１と基板上の樹脂２０とを接触させて、モールド１１のパターンに樹脂２０を充填させる。この際、樹脂２０は可視光を透過するため、基板側マーク１９は検出部１５で検出可能である。また、モールド１１は、上述したように、紫外線を透過する石英などの材料で構成されている。従って、モールド１１と樹脂２０との屈折率差は小さく、モールド側マーク１８が凹凸構造だけで構成されていると、モールド側マーク１８を検出部１５で検出できなくなる可能性がある。そこで、モールド１１と異なる屈折率や透過率を有する物質をモールド側マーク１８に塗布したり、イオン照射などによってモールド側マーク１８の屈折率を変えたりしている。これにより、モールド１１と基板上の樹脂２０とを接触させた状態においても、モールド側マーク１８を検出部１５で検出することが可能となる。モールド１１のパターンに樹脂２０が充填されたら、モールド１１を介して、かかる樹脂２０に紫外線を照射して硬化させる。

次に、図４（ｃ）に示すように、基板上の硬化した樹脂２０からモールド１１を引き離す。基板上の硬化した樹脂２０からモールド１１を引き離すことで、基板上には、モールド１１のパターンに対応する転写パターン２１ａ、及び、モールド側マーク１８に対応する転写マーク２１ｂが形成される。転写マーク２１ｂは基板上に形成されたパターンであり、転写マーク２１ｂと基板側マーク１９とを検出することで両者の相対位置計測、所謂、重ね合わせ検査を行うことができる。

インプリント装置１で用いるモールド１１には、所定の線幅に対して等倍でパターンを描画する必要がある。また、インプリント処理を繰り返すと、モールド１１が基板上の樹脂と多くの回数接触し、基板上の樹脂から引き離されるため、モールド１１にダメージが蓄積し、パターンの破損などが発生する。電子線やイオンビームなどの荷電粒子線を用いた描画装置によってパターンを直接描画してモールドを製造する方法では、費用が莫大となり、生産コストが大幅に増加する。従って、マスターモールドを製造し、かかるマスターモールドのパターンを転写してレプリカモールドを製造することが提案されている。この場合、基板に転写されるパターンに歪みやねじれなどがどうしても発生してしまう。

また、近年、インプリント装置においては、生産性を向上させるために、基板の複数のショット領域に対して同時にインプリント処理することや基板の全面を一括してインプリント処理することが提案されている。この場合には、モールドのパターン面の面積が増加するため、基板に転写されるパターンに発生する歪みやねじれなど（パターン形状の劣化）が更に大きくなる傾向にある。また、モールドのパターン面の面積が増加することによって、かかるモールドの保持によるパターンの形状の変化も発生する。これらの全てをインプリント装置に備えられた形状補正部で補正するのは難しい。

そこで、本実施形態では、図５（ａ）乃至図５（ｅ）に示すように、モールド１１に接触している樹脂を一部分ずつ硬化させる。図５（ａ）乃至図５（ｅ）は、モールド１１と基板上の樹脂２０とを接触させて樹脂２０を硬化させている状態を示している。図５（ａ）乃至図５（ｅ）には、モールド１１に設けられたモールド側マーク及び基板１３に設けられた基板側マークの両方を示すマークとして、ｘ軸方向及びｙ軸方向の位置を計測可能なマーク２２を示している。但し、マーク２２は、１つのマークでｘ軸方向及びｙ軸方向の位置を計測可能であることのみを示すものではなく、ｘ軸方向の位置のみを計測可能なマーク及びｙ軸方向の位置のみを計測可能なマークを含むマーク群として考えてもよい。本実施形態では、マーク２２は、ショット領域の四隅及び中央部に対応する５箇所に配置され、図５（ａ）に示すように、マーク２２ＬＢ、２２ＬＦ、２２ＲＢ、２２ＲＦ及び２２Ｃを含む。

まず、図５（ａ）に示すように、マーク２２ＬＢに対応する部分領域について、検出部１５の検出結果に基づいて、モールド側マーク１８と基板側マーク１９とが高精度に重なるように位置合わせを行う。ここで、部分領域は、少なくとも１つの基板側マーク１９を含む基板上の一部の領域である。

マーク２２ＬＢに対応するモールド側マーク１８と基板側マーク１９との位置合わせを行ったら、図５（ｂ）に示すように、かかる基板側マーク１９を含む部分領域の上の樹脂のみに照射部３０からの紫外線を照射して樹脂を硬化させる。図５（ｂ）では、基板上の樹脂のうち硬化した樹脂を網掛けで示している。この際、最終的な製品に必要な重ね合わせ精度に基づいた閾値を設定し、閾値を超える位置合わせ精度が達成されたときに紫外線を照射して樹脂を硬化させるとよい。これにより、マーク２２ＬＢに対応する部分領域は、モールド側マーク１８と基板側マーク１９との相対的な位置関係が高精度に合った状態のまま固定される。

従来技術におけるインプリント処理では、モールド１１に接触している樹脂の全面（即ち、モールド１１の全面）に紫外線を照射して均一な照度を与えている。一方、本実施形態では、モールド１１に接触している樹脂の一部分、具体的には、モールド側マーク１８と基板側マーク１９との位置合わせを行った部分領域の上の樹脂のみに紫外線を照射する必要がある。また、モールド側マーク１８や基板側マーク１９の配置はユーザの都合で変更される。従って、モールド側マーク１８と基板側マーク１９との位置合わせを行った部分領域の上の樹脂のみに紫外線を照射するためには、紫外線の照射領域を高い自由度で制限する必要がある。

本実施形態では、図６に示すように、紫外線の照射領域を制限する制限部として機能する絞り２３が照射部３０、具体的には、光学系３４の基板１３と光学的に共役な位置に配置されている。絞り２３は、開口２３ａの形状（開口形状）を可変とし、基板上の樹脂に部分的に紫外線を照射するための絞りである。また、制限部は、絞り２３を光学系３４の光軸に直交する方向に移動させる移動部２４も含む。移動部２４によって絞り２３を移動させることで、基板上における紫外線の照射領域の位置を変化させることができる。但し、絞り２３及び移動部２４の代わりに、複数の反射素子（マイクロミラー）を平面に配列した表示素子の一種であるデジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を、光学系３４の基板１３と光学的に共役な位置に配置してもよい。このように、ＤＭＤを紫外線の照射領域を制限する制限部として機能させることで、より自由度が高く、且つ、速い応答速度で紫外線の照射領域を制限することができる。

次いで、図５（ｃ）に示すように、マーク２２ＲＦに対応する部分領域について、検出部１５の検出結果に基づいて、モールド側マーク１８と基板側マーク１９とが高精度に重なるように位置合わせを行う。マーク２２ＲＦに対応するモールド側マーク１８と基板側マーク１９との位置合わせを行ったら、かかる基板側マーク１９を含む部分領域の上の樹脂のみに照射部３０からの紫外線を照射して樹脂を硬化させる。これにより、マーク２２ＲＦに対応する部分領域は、モールド側マーク１８と基板側マーク１９との相対的な位置関係が高精度に合った状態のまま固定される。

ここで、図７（ａ）及び図７（ｂ）を参照して、図５（ｃ）に示す状態、即ち、マーク２２ＬＢに対応する部分領域及びマーク２２ＲＦに対応する部分領域が固定された状態での効果について説明する。図７（ａ）は、モールド１１のパターン面１１ａの形状と基板１３のショット領域の形状との間に倍率差がある状態を示している。図７（ａ）では、モールド１１のパターン面１１ａを点線で示し、基板１３のショット領域を実線で示している。図５（ｃ）に示す状態では、上述したように、マーク２２ＬＢ及び２２ＲＦのそれぞれに対応するモールド側マーク１８と基板側マーク１９との相対位置が合った状態のまま固定される。従って、図７（ｂ）に示すように、モールド１１の対角線に沿った力が発生するため、モールド１１のパターン面１１ａの形状と基板１３のショット領域の形状との倍率差が補正されることになる。

図５（ｄ）は、マーク２２ＲＢ、２２ＬＦ及び２２Ｃのそれぞれに対応する部分領域について、モールド側マーク１８と基板側マーク１９との位置合わせを行い、各部分領域の上の樹脂を硬化させた状態を示している。マーク２２ＬＢ、２２ＲＦ、２２ＲＢ、２２ＬＦ及び２２Ｃのそれぞれに対応する部分領域は、モールド側マーク１８と基板側マーク１９とが高精度に位置合わせされた状態で固定されている。また、それ以外の領域は、かかる部分領域（固定された部分）に従ってモールド１１又は基板１３が変形するため、パターンの歪みやねじれなどを補正することができる。

次に、図５（ｅ）に示すように、マーク２２ＬＢ、２２ＲＦ、２２ＲＢ、２２ＬＦ及び２２Ｃのそれぞれに対応する部分領域以外の領域について、かかる領域の上の樹脂に照射部３０からの紫外線を照射して樹脂を硬化させる。この際、図６に示す絞り２３は、紫外線を遮蔽しない位置へ移動させる、或いは、紫外線を遮蔽しないように開口を大きくする（そのような絞りに切り替える）。また、ＤＭＤでは、紫外線の照射領域を自由に選択することができるため、全面に紫外線が照射されるようにしてもよい。そして、基板上の硬化した樹脂からモールド１１を引き離し、次のショット領域へのインプリント処理に移行する。

なお、使用している樹脂への紫外線の照射量が過剰になっても性能に影響しないのであれば、既に硬化した部分を含めた転写領域全面に紫外線を照射してもよい。

このように、本実施形態では、インプリント処理において、モールド側マーク１８と基板側マーク１９との位置合わせを行った部分領域の上の樹脂から順次硬化させている。従って、インプリント装置１は、モールド１１と基板１３との相対位置や形状を高精度に合わせることが可能であり、パターンの転写不良（製品不良）を低減することができる。

本実施形態では、モールド１１の頂点に位置する４つの部分領域のうちの１つの部分領域からモールド側マーク１８と基板側マーク１９との位置合わせを行っている。そして、かかる１つの部分領域の対角に位置する部分領域についてモールド側マーク１８と基板側マーク１９との位置合わせを行い、続いて、モールド１１の中央部に位置する部分領域についてモールド側マーク１８と基板側マーク１９との位置合わせを行っている。但し、モールド側マーク１８と基板側マーク１９との位置合わせを行う順番は、これに限定されるものではない。例えば、モールド１１の外周部に位置する部分領域からモールド側マーク１８と基板側マーク１９との位置合わせを行ってもよい。また、１つの部分領域についてモールド側マーク１８と基板側マーク１９との位置合わせを行った後、かかる１つの部分領域から最も離れている部分領域についてモールド側マーク１８と基板側マーク１９との位置合わせを行ってもよい。

また、従来のインプリント装置では、複数のモールド側マーク１８及び基板側マーク１９を同時に検出して、例えば、モールド１１と基板１３との形状差を求めなければならない。従って、モールド側マーク１８及び基板側マーク１９の数と同じ数の検出部１５が必要となる。一方、本実施形態では、モールド側マーク１８及び基板側マーク１９を順次検出するため、必ずしもモールド側マーク１８及び基板側マーク１９の数と同じ数の検出部１５を必要としていない。換言すれば、検出対象のモールド側マーク１８及び基板側マーク１９に応じて、検出部１５を駆動すればよい。

また、本実施形態では、少なくとも１つの基板側マーク１９を含む部分領域を５つとしているが、これに限定されるものではない。部分領域の数が多くなれば、検出対象となるモールド側マーク１８及び基板側マーク１９の数も多くなるため、モールド１１と基板１３との位置合わせ精度も向上する。但し、検出対象となるモールド側マーク１８及び基板側マーク１９の数が多くなることで、その検出に時間を要してしまうため、生産性が低下することになる。従って、必要な精度と生産性とに応じて、部分領域の数を決定する必要がある。

また、本実施形態では、基板１３の１つのショット領域に対してインプリント処理を行う場合を例に説明したが、これに限定されるものではない。例えば、複数のショット領域を同時にインプリント処理する場合や基板の全面を一括してインプリント処理する場合（所謂、全面一括インプリント）において、より大きな効果を得ることができる。特に、全面一括インプリトでは、現在主流のシリコンウエハが直径３００ｍｍであるため、モールドも３００ｍｍとなる。この場合、特許文献１の技術では、モールドの中心部の近傍の形状を補正することは不可能である。一方、本実施形態では、基板やモールドの大きさに関係なく、その形状を補正することができる。

物品としてのデバイス（半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等）の製造方法について説明する。かかる製造方法は、インプリント装置１を用いてパターンを基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）に形成する工程を含む。かかる製造方法は、パターンを形成された基板を処理する工程を更に含む。当該処理ステップは、当該パターンの残膜を除去するステップを含みうる。また、当該パターンをマスクとして基板をエッチングするステップなどの周知の他のステップを含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。

１：インプリント装置 １１：モールド １３：基板 １７：制御部 ３０：照射部

Claims (12)

1. 基板上のインプリント材をモールドで成形して前記基板上にパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
   前記インプリント材を硬化させる硬化部と、
   前記モールドに設けられた第１マーク及び前記基板に設けられた第２マークを検出する検出部と、
   前記インプリント処理を制御する制御部と、を有し、
   前記制御部は、前記硬化部により、前記モールドに接触している前記インプリント材のうち、前記検出部の検出結果に基づいて前記第１マークと前記第２マークとの位置合わせを行った部分領域の上のインプリント材から順次硬化させることを特徴とするインプリント装置。
2. 前記制御部は、前記モールドの外周部に位置する部分領域から前記第１マークと前記第２マークとの位置合わせを行うことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
3. 前記モールドは、矩形の外形形状を有し、
   前記部分領域は、前記モールドの頂点に位置する４つの部分領域を含み、
   前記制御部は、前記４つの部分領域のうちの１つの部分領域から前記第１マークと前記第２マークとの位置合わせを行うことを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
4. 前記制御部は、前記１つの部分領域について前記第１マークと前記第２マークとの位置合わせを行った後、前記１つの部分領域の対角に位置する部分領域について前記第１マークと前記第２マークとの位置合わせを行うことを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
5. 前記部分領域は、前記モールドの中心部に位置する部分領域を含み、
   前記制御部は、前記４つの部分領域について前記第１マークと前記第２マークとの位置合わせを行った後、前記モールドの中心部に位置する部分領域について前記第１マークと前記第２マークとの位置合わせを行うことを特徴とする請求項３又は４に記載のインプリント装置。
6. 前記制御部は、１つの部分領域について前記第１マークと前記第２マークとの位置合わせを行った後、当該１つの部分領域から最も離れている部分領域について前記第１マークと前記第２マークとの位置合わせを行うことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
7. 前記硬化部は、前記インプリント材を硬化させるための光を前記インプリント材に照射する光学系を更に有し、
   前記光学系は、前記第１マークと前記第２マークとの位置合わせを行った部分領域の上の前記インプリント材のみに前記光が照射されるように前記光の照射領域を制限する制限部を含むことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
8. 前記制限部は、前記基板と光学的に共役な位置に配置されていることを特徴とする請求項７に記載のインプリント装置。
9. 前記制限部は、開口形状を可変とする絞りを含むことを特徴とする請求項７又は８に記載のインプリント装置。
10. 前記制限部は、前記絞りを前記光学系の光軸に直交する方向に移動させる移動部を含むことを特徴とする請求項９に記載のインプリント装置。
11. 前記制限部は、複数の反射素子を平面に配列して構成されたデジタルマイクロミラーデバイスを含むことを特徴とする請求項７又は８に記載のインプリント装置。
12. 請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
    前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
    を含むことを特徴とする物品の製造方法。

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