JP2017022243A - インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】配置スペースの削減、コストの削減、メンテナンスの容易性、スループットの向上の点で有利なインプリント装置を提供する。
【解決手段】モールドを用いて基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、第1波長の光及び前記第1波長とは異なる第2波長の光を射出する光源部と、前記第1波長の光の照射で軟化し、前記第2波長の光の照射で硬化する可逆性のインプリント材が供給された前記基板を保持するステージと、前記ステージに保持された前記基板上の前記インプリント材に前記光源部から前記第1波長の光を照射して軟化させ、前記基板上の軟化した前記インプリント材と前記モールドとを接触させた状態で当該インプリント材に前記光源部から前記第2波長の光を照射して硬化させ、硬化した前記インプリント材から前記モールドを引き離すことで前記インプリント材にパターンを形成するインプリント処理を行う処理部と、を有することを特徴とするインプリント装置を提供する。
【選択図】図1
【解決手段】モールドを用いて基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、第1波長の光及び前記第1波長とは異なる第2波長の光を射出する光源部と、前記第1波長の光の照射で軟化し、前記第2波長の光の照射で硬化する可逆性のインプリント材が供給された前記基板を保持するステージと、前記ステージに保持された前記基板上の前記インプリント材に前記光源部から前記第1波長の光を照射して軟化させ、前記基板上の軟化した前記インプリント材と前記モールドとを接触させた状態で当該インプリント材に前記光源部から前記第2波長の光を照射して硬化させ、硬化した前記インプリント材から前記モールドを引き離すことで前記インプリント材にパターンを形成するインプリント処理を行う処理部と、を有することを特徴とするインプリント装置を提供する。
【選択図】図1
Description
本発明は、インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法に関する。
インプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写を可能にする技術であり、半導体デバイスや磁気記憶媒体の量産用ナノリソグラフィ技術の1つとして注目されている。インプリント技術を用いたインプリント装置は、パターンが形成されたモールドと基板上の樹脂(インプリント材)とを接触させた状態で樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールドを引き離すことで基板上にパターンを形成する。
インプリント装置では、樹脂の硬化方法や用途に応じて様々な構成が実現されている(特許文献1参照)。例えば、特許文献1に開示されたインプリント装置は、基板を保持する基板ステージ、基板に樹脂を供給する樹脂供給部、モールドを保持するインプリントヘッド、基板上の樹脂を硬化させる光を照射する照射部、アライメントスコープなどを有する。
このようなインプリント装置では、まず、基板のショット領域に未硬化の光硬化性樹脂を供給(塗布)し、かかる樹脂をモールドで成形する。そして、光を照射して樹脂を硬化させ、基板上の硬化した樹脂からモールドを引き離すことで、基板上に樹脂のパターンを形成する。基板上の樹脂とモールドとを接触させる際には、基板とモールドとの正確な位置合わせ(アライメント)を必要とする。インプリント装置においては、一般的に、基板のショット領域ごとに、モールドに設けられたマークと基板に設けられたマークとを光学的に検出することによって基板とモールドとの位置合わせを行う、所謂、ダイバイダイ方式が採用されている。
インプリント装置は、基板上の樹脂の硬化や基板上の樹脂からのモールドの引き離しなどが必要となるため、露光装置と比較して、単位時間当たりの処理能力、即ち、スループットが低いという問題がある。そこで、インプリント装置の設置面積を小さくして、複数のインプリント装置をクラスター化することで、単位時間当たりの処理能力を向上させる技術が提案されている。かかる技術では、インプリント装置を構成するユニットの小型化や簡素化などが必要となる。
インプリント装置を構成するユニットのうち、特に、樹脂供給部は、装置内の配置スペースの確保の困難性やコストの増加を招くだけではなく、基板への樹脂の供給に要する時間によるスループットの低下も招いてしまう。また、樹脂の補充や品質を確保するために、樹脂供給部を定期的にメンテナンスすることが必要となる。更に、クラスターを構成するインプリント装置のそれぞれが樹脂供給部を有する場合には、上述した理由から、クラスターとしての安定的な稼働に課題がある。
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、配置スペースの削減、コストの削減、メンテナンスの容易性、スループットの向上の点で有利なインプリント装置を提供することを例示的目的とする。
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、モールドを用いて基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、第1波長の光及び前記第1波長とは異なる第2波長の光を射出する光源部と、前記第1波長の光の照射で軟化し、前記第2波長の光の照射で硬化する可逆性のインプリント材が供給された前記基板を保持するステージと、前記ステージに保持された前記基板上の前記インプリント材に前記光源部から前記第1波長の光を照射して軟化させ、前記基板上の軟化した前記インプリント材と前記モールドとを接触させた状態で当該インプリント材に前記光源部から前記第2波長の光を照射して硬化させ、硬化した前記インプリント材から前記モールドを引き離すことで前記インプリント材にパターンを形成するインプリント処理を行う処理部と、を有することを特徴とする。
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。
本発明によれば、例えば、配置スペースの削減、コストの削減、メンテナンスの容易性、スループットの向上の点で有利なインプリント装置を提供することができる。
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
まず、図8(a)乃至図8(c)及び図9(a)乃至図9(c)を参照して、従来技術におけるインプリント装置について説明する。インプリント装置において、モールド1020は、インプリントヘッド1010に保持され、基板1040は、基板ステージ1050に保持されている。インプリント処理では、まず、図8(a)に示すように、基板ステージ1050は、モールド1020の下、即ち、インプリント位置に待機している。次いで、図8(b)に示すように、基板ステージ1050は、基板上の対象ショット領域(これからインプリント処理を行うショット領域)に対して樹脂REを供給(塗布)するために、樹脂供給部1080の下、即ち、樹脂供給位置に移動する。そして、図8(c)に示すように、樹脂供給部1080によって、基板上の対象ショット領域に樹脂REを供給する。
次に、図9(a)に示すように、基板ステージ1050は、インプリント位置に移動する。そして、図9(b)に示すように、基板上の樹脂REとモールド1020とを接触させるとともに、モールド1020と基板1040との位置合わせ(アライメント)を行い、樹脂REを硬化させる波長の光CLを照射して基板上の樹脂REを硬化させる。次いで、図9(c)に示すように、基板上の硬化した樹脂REからモールド1020を引き離すことで、基板上に樹脂REのパターンが形成される。
このように、従来技術におけるインプリント装置は、インプリント装置を構成するユニットとして樹脂供給部1080を有しているため、上述したように、配置スペース、コスト、メンテナンス及びスループットの点で不利となる。
図1(a)乃至図1(d)、図2(a)乃至図2(c)及び図3(a)乃至図3(c)を参照して、本発明の一側面としてのインプリント装置100について説明する。インプリント装置100は、基板上のインプリント材にモールドを用いてパターンを形成するリソグラフィ装置である。インプリント装置100は、基板上のインプリント材とモールドとを接触させた状態でインプリント材を硬化させ、硬化したインプリント材からモールドを引き離すことでインプリント材にモールドのパターンを形成するインプリント処理を行う。
本実施形態では、基板上に供給(塗布)されるインプリント材は、第1波長の光の照射で軟化し、第1波長とは異なる第2波長の光の照射で硬化する可逆性のインプリント材である。このようなインプリント材として、300nm乃至400nmの波長の光の照射で軟化(流動化)し、400nm乃至600nmの波長の光の照射で硬化(非流動化)する樹脂が特許第5561728号公報に開示されている。
インプリント装置100は、図1(c)に示すように、インプリントヘッド1と、形状補正部3と、基板ステージ5と、アライメントスコープ6と、遮光部材7と、駆動部7aと、光源部20と、処理部30とを有する。
インプリントヘッド1は、モールド2を保持する。モールド2には、基板4に転写すべきパターンが形成されている。基板ステージ5は、特定の波長の光の照射又は温度によって、可逆的に軟化と硬化とを繰り返す特徴を有する樹脂11が供給された基板4を保持する。樹脂11は、具体的には、アゾベンゼン、又は、アゾベンゼンが添加された樹脂(アゾベンゼンとインプリント処理に適した材料とを調合したもの)からなる。基板ステージ5は、不図示の位置計測系及びアクチュエータで計測及び制御されている。
モールド2のパターンが形成された領域、即ち、パターン面には、複数のチップが形成され、かかる複数のチップの周囲には、モールド側マーク(第1マーク)9が形成されている。また、基板4には、モールド側マーク9に対応する基板側マーク(第2マーク)10が形成されている。
形状補正部3は、モールド2の周囲を取り囲むように、インプリントヘッド1に配置されている。形状補正部3は、モールド2のパターンと基板4のショット領域との形状の差を補正する機能を有する。形状補正部3は、例えば、モールド2に力を与えてモールド2を変形させることで、モールド2のパターンの形状を補正する。また、形状補正部3は、モールド2に熱を与えてモールド2の温度を制御することでモールド2のパターンを変形させてもよい。
アライメントスコープ6は、モールド2に形成されたモールド側マーク9、及び、基板4に形成された基板側マーク10を光学的に検出(観察)する。アライメントスコープ6は、モールド側マーク9と基板側マーク10との相対的な位置関係が求められればよい。従って、アライメントスコープ6は、モールド側マーク9と基板側マーク10とを同時に検出する結像光学系を含むスコープでもよいし、干渉信号やモアレなどの相乗効果による信号を検知するスコープでもよい。また、アライメントスコープ6は、モールド側マーク9と基板側マーク10とを同時に検出できなくてもよく、例えば、内部の基準位置(マークやセンサー面など)に対する両者の位置から相対的な位置関係を求めてもよい。
光源部20は、樹脂11を軟化させる第1波長の光及び樹脂11を硬化させる第2波長の光を射出して、それぞれの光で基板上の樹脂11を照射する。但し、第1波長の光及び第2波長の光は、アライメントスコープ6がモールド側マーク9及び基板側マーク10に照射する光の波長とは異なる。
図4は、インプリント装置100の光源部20の構成の一例を示す図である。光源部20は、例えば、図4に示すように、構成パターン1、2、3及び4のいずれかで構成されている。光源部20は、構成パターン1、2、3及び4のいずれであっても、第1波長の光を基板上の樹脂11に導く第1光学系251と、第2波長の光を基板上の樹脂11に導く第2光学系252とを含む。第1光学系251及び第2光学系252のそれぞれは、例えば、光を通過及び遮光可能なシャッタと、光量を調整する調光フィルタと、レンズとを含む。
光源部20は、構成パターン1では、光源211と、分離部212と、反射ミラー213とを含む。光源211は、第1波長の光と第2波長の光とを含む光を射出する。分離部212は、光源211からの光を第1波長の光と第2波長の光とに分離する機能を有し、特定波長の光を透過又は反射可能な光学素子(ダイクロイックミラー)を含む。分離部212は、例えば、第1波長の光を透過し、第2波長の光を反射して第2光学系252に入射させる。反射ミラー213は、分離部212を透過した第1波長の光を反射して第1光学系251に入射させる。第1光学系251は、分離部212によって分離され、反射ミラー213を介して入射した第1波長の光を基板上の樹脂11に導く。また、第2光学系252は、分離部212によって分離されて入射した第2波長の光を基板上の樹脂11に導く。
光源部20は、構成パターン2では、第1波長の光のみを射出する第1光源221と、第2波長の光を含む複数波長の光を射出する第2光源222と、反射ミラー223と、分離部224とを含む。反射ミラー223は、第1光源221からの第1波長の光を反射して第1光学系251に入射させる。分離部224は、第2光源222からの光から第2波長の光を分離する機能を有し、特定波長の光を透過又は反射可能な光学素子(ダイクロイックミラー)を含む。分離部224は、例えば、第2光源222からの光のうち第2波長の光を反射して第2光学系252に入射させる。第1光学系251は、反射ミラー223を介して入射した第1波長の光を基板上の樹脂11に導く。また、第2光学系252は、分離部224によって分離されて入射した第2波長の光を基板上の樹脂11に導く。
光源部20は、構成パターン3では、第1波長の光を含む複数波長の光を射出する第1光源231と、第2波長の光のみを射出する第2光源232と、分離部233と、反射ミラー234とを含む。分離部233は、第1光源231からの光から第1波長の光を分離する機能を有し、特定波長の光を透過又は反射可能な光学素子(ダイクロイックミラー)を含む。分離部233は、例えば、第1光源231からの光のうち第1波長の光を反射して第1光学系251に入射させる。反射ミラー234は、第2光源232からの第2波長の光を反射して第2光学系252に入射させる。第1光学系251は、分離部233によって分離されて入射した第1波長の光を基板上の樹脂11に導く。また、第2光学系252は、反射ミラー234を介して入射した第2波長の光を基板上の樹脂11に導く。
光源部20は、構成パターン4では、第1波長の光のみを射出する第1光源241と、第2波長の光のみを射出する第2光源242と、反射ミラー243及び244とを含む。反射ミラー243は、第1光源241からの第1波長の光を反射して第1光学系251に入射させる。反射ミラー244は、第2光源242からの第2波長の光を反射して第2光学系252に入射させる。第1光学系251は、反射ミラー243を介して入射した第1波長の光を基板上の樹脂11に導く。また、第2光学系252は、反射ミラー244を介して入射した第2波長の光を基板上の樹脂11に導く。
遮光部材7は、光源部20とモールド2との間に配置され、光源部20から基板上の樹脂11に照射される第1波長の光及び第2波長の光の照射領域を規定する。また、遮光部材7には、遮光部材7を駆動する駆動部7aが設けられている。
処理部30は、例えば、CPUやメモリなどを含み、インプリント装置100の各部を制御してインプリント処理を行う。処理部30は、本実施形態では、基板ステージ5に保持された基板上の樹脂11に光源部20から第1波長の光を照射して軟化させ、基板上の軟化した樹脂11とモールド2とを接触させる。そして、処理部30は、基板上の軟化した樹脂11とモールド2とを接触させた状態で樹脂11に光源部20から第2波長の光を照射して硬化させ、硬化した樹脂11からモールド2を引き離すことで樹脂11にモールド2のパターンを形成する。
以下、図1(a)乃至図1(d)、図2(a)乃至図2(c)、図3(a)乃至図3(c)及び図5を参照して、インプリント装置100におけるインプリント処理について具体的に説明する。
S602において、基板4に樹脂11を供給(塗布)する。インプリント装置100は、インプリント装置100を構成するユニットとして、基板4に樹脂11を供給する樹脂供給部を有していない。従って、図1(a)に示すように、インプリント装置100の外部装置である樹脂供給装置500において、基板4に樹脂11を供給する。樹脂供給装置500において、基板支持台502は、基板4を支持し、ディスペンサ504は、基板支持台502に支持された基板4に対して樹脂11を吐出する。基板支持台502は、基板4を回転させる回転機構を含み、樹脂11が供給された基板4を回転させることで、基板上の樹脂11の膜厚を均一化させることが可能である。また、樹脂供給装置500では、基板4の全面、又は、モールド2のパターン面に対応するサイズの領域を複数含む領域に樹脂11を供給する。
S604において、基板上の樹脂11を硬化させる。具体的には、図1(b)に示すように、樹脂供給装置500において、S602で供給された基板上の樹脂11に対して、不図示の光源から第2波長の光L2を照射して樹脂11を硬化させる。
S606において、樹脂供給装置500で樹脂11が供給された基板4をインプリント装置100に搬入して、かかる基板4を基板ステージ5に保持させる。このように、基板ステージ5は、樹脂供給装置500で樹脂11が供給され、かかる樹脂11が硬化した状態で搬入された基板4を保持する。
S608において、基板上の対象ショット領域(これからインプリント処理を行うショット領域)がモールド2の下、即ち、インプリント位置に位置するように、基板ステージ5を移動させる。
S610において、基板上の樹脂11を軟化させる。具体的には、図1(c)に示すように、基板ステージ5に保持された基板上の樹脂11に光源部20から第1波長の光L1を照射して樹脂11を軟化させる。この際、モールド2のパターンが形成された領域、即ち、パターン面のサイズに応じて、駆動部7aによる遮光部材7の駆動を制御することで照射領域を制限し、光源部20からの第1波長の光L1が対象ショット領域上の樹脂11に照射されるようにする。
S612において、図1(d)に示すように、基板上の軟化した樹脂11とインプリントヘッド1に保持されたモールド2とを接触させる。
S614において、モールド2に形成されたモールド側マーク9及び基板4に形成された基板側マーク10を用いて、モールド2と基板4との位置合わせを行う。具体的には、モールド側マーク9及び基板側マーク10をアライメントスコープ6に検出させ、かかるアライメントスコープ6の検出結果に基づいて、モールド2と基板4との位置合わせを行う。モールド2と基板4との位置合わせは、基板上の樹脂11に第1波長の光L1を照射して軟化させてから、基板上の軟化した樹脂11とモールド2とを接触させた状態で樹脂11に第2波長の光L2を照射して硬化させるまでに行う。
モールド2と基板4との位置合わせにおいては、必要に応じて、形状補正部3によって、モールド2のパターンを変形させてもよい。この際、モールド2のパターンを変形させるのではなく、レーザ光の照射、流体温調、外力などを基板4に与えて基板4を変形させてもよい。また、モールド2のパターン及び基板4の両方を変形させてもよい。
S616において、モールド2と基板4との位置合わせが規格内であるかどうか、即ち、モールド側マーク9と基板側マーク10との位置の差が許容範囲内であるかどうかを判定する。モールド2と基板4との位置合わせが規格内でない場合には、S614に移行して、モールド2と基板4との位置合わせを行う(継続する)。モールド2と基板4との位置合わせが規格内である場合には、S618に移行する。
S618において、基板上の樹脂11を硬化させる。具体的には、図2(a)に示すように、基板ステージ5に保持された基板上の軟化した樹脂11に光源部20から第2波長の光L2を照射して樹脂11を硬化させる。この際、モールド2のパターン面のサイズに応じて、駆動部7aによる遮光部材7の駆動を制御することで照射領域を制限し、光源部20からの第2波長の光L2が対象ショット領域上の樹脂11に照射されるようにする。
S620において、基板上の樹脂11からモールド2を引き離す。図2(b)に示すように、基板上の硬化した樹脂11から、インプリントヘッド1に保持されたモールド2を引き離すことで樹脂11にモールド2のパターンを形成する。
S622において、基板上のインプリント処理が行われていないショット領域(インプリント未処理領域)がインプリント位置に位置するように基板ステージ5を移動させて、かかるインプリント未処理領域にインプリント処理を繰り返す。具体的には、インプリント未処理領域に対して、S608乃至S620と同様に、図2(c)、図3(a)乃至図3(c)に対応する処理を行う。かかる処理は、インプリント未処理領域がなくなるまで行う。
S624において、全てのショット領域に対するインプリント処理が完了した基板4をインプリント装置100から搬出する。
このように、本実施形態では、第1波長の光の照射で軟化し、第2波長の光の照射で硬化する可逆性の樹脂11が供給され、かかる樹脂11が硬化した状態で基板4をインプリント装置100に搬入する。そして、インプリント装置100において、対象ショット領域上の樹脂11に第1波長の光を照射して軟化させ、軟化した樹脂11とモールド2とを接触させた状態で樹脂11に第2波長の光を照射して硬化させる。これにより、インプリント装置100では、基板4に樹脂11を供給する樹脂供給部が不要となるため、樹脂供給部が要する配置スペース、コスト及びメンテナンスなどが不要となる。また、インプリント装置100において、基板4に樹脂11を供給することが不要となるため、単位時間当たりの処理能力、即ち、スループットを向上させることができる。従って、インプリント装置100は、配置スペースの削減、コストの削減、メンテナンスの容易性、スループットの向上の点で有利である。
本実施形態においては、基板上の樹脂11に第2波長の光を照射して硬化させた後であっても、モールド2と基板4との位置合わせが規格内でない場合には、かかるショット領域に対するインプリント処理を再び行うことができる。
具体的には、基板上の軟化した樹脂11とモールド2とを接触させた状態で樹脂11に第2波長の光を照射した硬化させた後(S618、図2(a))で、モールド側マーク9及び基板側マーク10をアライメントスコープ6に検出させる。例えば、アライメントスコープ6は、図6(a)に示すように、モールド側マーク9a、9b、9c及び9dと、それぞれに対応する基板側マーク10a、10b、9c及び9dを検出し、それらの位置関係を求める。モールド側マーク9a乃至9dと基板側マーク10a乃至10dとの位置の差が許容範囲内である場合には、上述したように、基板上の硬化した樹脂11からモールド2を引き離す(S620、図2(b))。
一方、モールド側マーク9a乃至9dと基板側マーク10a乃至10dとの位置の差が許容範囲内でない場合には、図6(b)に示すように、基板上の樹脂11とモールド2とを接触させた状態で樹脂11に光源部20から第1波長の光L1を照射して軟化させる。次いで、図6(c)に示すように、モールド側マーク9及び基板側マーク10をアライメントスコープ6に検出させ、アライメントスコープ6の検出結果に基づいて、モールド2と基板4との位置合わせを再び行う。この際、必要に応じて、形状補正部3によって、モールド2のパターンを変形させてもよい。そして、基板上の軟化した樹脂11に光源部20から第2波長の光を照射して再び硬化させ、基板上の硬化した樹脂11からモールド2を引き離すことで樹脂11にモールド2のパターンを形成する。
図7(a)及び図7(b)は、基板上における樹脂11を軟化させる領域と樹脂11を硬化させる領域とを説明するための図である。図7(a)は、基板4の第1ショット領域FSに対してインプリント処理を行う際の状態を示している。図7(a)を参照するに、遮光部材7によって規定される照射領域に、第1ショット領域FSが収まっている状態において、第1ショット領域FS(に供給された樹脂11)に第1波長の光を照射して樹脂11を軟化させる。この際、遮光部材7は、モールド2が樹脂11に接触する領域よりも広い領域に第1波長の光が照射されるように、照射領域を規定してもよい。次に、上述したように、第1ショット領域上の軟化した樹脂11とモールド2とを接触させて、モールド2と基板4との位置合わせを行い、かかる樹脂11に第2波長の光を照射して硬化させ、硬化した樹脂11からモールド2を引き離すことでパターンを形成する。
図7(b)は、インプリント処理が行われた第1ショット領域FSの隣の第2ショット領域SSに対してインプリント処理を行う際の状態を示している。第1ショット領域FSに対するインプリント処理が行われた後、基板ステージ5を移動させて、第2ショット領域SSをインプリント位置に位置させる。そして、図7(b)に示すように、遮光部材7によって規定される照射領域に、第2ショット領域SSが収まっている状態において、第2ショット領域SS(に供給された樹脂11)に第1波長の光を照射して樹脂11を軟化させる。この際、遮光部材7は、モールド2が樹脂11に接触する領域よりも広い領域に第1波長の光が照射されるように、照射領域を規定してもよい。但し、第1ショット領域FSに対するインプリント処理が完了しているため、遮光部材7は、第1波長の光が第1ショット領域FSの実パターン領域PRに照射されないように(スクライブラインには照射されてもよい)、照射領域を規定する。このように、基板上の樹脂11に第1波長の光を照射するときと第2波長の光を照射するときとで、照射領域のサイズが変更されるように、駆動部7bによる遮光部材7の駆動を制御するとよい。次に、上述したように、第2ショット領域上の軟化した樹脂11とモールド2とを接触させて、モールド2と基板4との位置合わせを行い、かかる樹脂11に第2波長の光を照射して硬化させ、硬化した樹脂11からモールド2を引き離すことでパターンを形成する。
また、本実施形態においては、モールド2と基板4との位置合わせを行う間において、基板上の樹脂11に光源部20から第1波長の光及び第2波長の光のうちの少なくとも一方の光を照射して樹脂11の粘度を変化させてもよい。これにより、モールド2と基板4との位置合わせの精度を改善させることができる。
モールド2と基板4との位置合わせにおいては、基板ステージ5を移動させることでモールド2と基板4との相対位置が規格内になるようにしている。但し、基板4は、多数のショット領域を含み、各ショット領域の位置によって基板ステージ5の応答特性が異なるため、その制御性能に差が生じる。また、モールド2と基板4との位置合わせは、樹脂11を介して行われるため、基板ステージ5の制御系のモデル化誤差が含まれてしまう。従って、モールド2と基板4との位置合わせの過渡応答における減衰性が低下し、基板ステージ5の目標位置への収束に時間がかかる可能性がある。インプリント処理においては、モールド2と基板4との位置合わせを所定の時間内に完了させる必要があるため、基板ステージ5の目標位置への収束性の低下は、モールド2と基板4との位置合わせの精度の低下につながる。
そこで、過渡応答が振動的である場合には、基板上の樹脂11に第2波長の光を照射して樹脂11の粘度を上げることで振動を抑える。一方、即応性が低い場合には、基板上の樹脂11に第1波長の光を照射して樹脂11の粘度を下げることで振動しやすくする。このように、モールド2と基板4との位置合わせの際に、基板上の樹脂11に第1波長の光及び第2波長の光のうちの少なくとも一方の光を照射して、モールド2と基板4との位置合わせが所定の時間内に完了するように、樹脂11の粘度を制御するとよい。
物品としてのデバイス(半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等)の製造方法について説明する。かかる製造方法は、インプリント装置100を用いてパターンを基板(ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等)に形成する工程を含む。かかる製造方法は、パターンを形成された基板を処理する工程を更に含む。当該処理ステップは、当該パターンの残膜を除去するステップを含みうる。また、当該パターンをマスクとして基板をエッチングするステップなどの周知の他のステップを含みうる。本実施形態における物品の製造方法は、従来に比べて、物品の性能、品質、生産性及び生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
100:インプリント装置 2:モールド 4:基板 5:基板ステージ 11:樹脂 20:光源部 30:処理部
Claims (14)
- モールドを用いて基板上にパターンを形成するインプリント装置であって、
第1波長の光及び前記第1波長とは異なる第2波長の光を射出する光源部と、
前記第1波長の光の照射で軟化し、前記第2波長の光の照射で硬化する可逆性のインプリント材が供給された前記基板を保持するステージと、
前記ステージに保持された前記基板上の前記インプリント材に前記光源部から前記第1波長の光を照射して軟化させ、前記基板上の軟化した前記インプリント材と前記モールドとを接触させた状態で当該インプリント材に前記光源部から前記第2波長の光を照射して硬化させ、硬化した前記インプリント材から前記モールドを引き離すことで前記インプリント材にパターンを形成するインプリント処理を行う処理部と、
を有することを特徴とするインプリント装置。 - 前記光源部と前記モールドとの間に配置され、前記基板上の前記インプリント材に対する前記第1波長の光及び前記第2波長の光の照射領域を規定する遮光部材を更に有することを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。
- 前記遮光部材を駆動する駆動部を更に有し、
前記処理部は、前記モールドのパターンが形成された領域のサイズに応じて、前記駆動部による前記遮光部材の駆動を制御することを特徴とする請求項2に記載のインプリント装置。 - 前記処理部は、前記基板上の前記インプリント材に前記第1波長の光を照射するときと前記第2波長の光を照射するときとで、前記照射領域のサイズが変更されるように、前記駆動部による前記遮光部材の駆動を制御する請求項3に記載のインプリント装置。
- 前記モールドに設けられた第1マークと前記基板に設けられた第2マークとを検出するアライメントスコープを更に有し、
前記第1波長及び前記第2波長は、前記アライメントスコープが前記第1マーク及び前記第2マークに照射する光の波長とは異なることを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。 - 前記処理部は、前記インプリント処理の間のうち、前記インプリント材に前記第1波長の光を照射して軟化させてから、前記基板上の軟化した前記インプリント材と前記モールドとを接触させた状態で当該インプリント材に前記第2波長の光を照射して硬化させるまでに、前記アライメントスコープの検出結果に基づいて、前記モールドと前記基板との位置合わせを行うことを特徴とする請求項5に記載のインプリント装置。
- 前記処理部は、前記位置合わせを行う間において、前記基板上の前記インプリント材に前記光源部から前記第1波長の光及び前記第2波長の光のうちの少なくとも一方の光を照射して前記インプリント材の粘度を変化させることを特徴とする請求項6に記載のインプリント装置。
- 前記処理部は、前記基板上の軟化した前記インプリント材と前記モールドとを接触させた状態で当該インプリント材に前記第2波長の光を照射して硬化させた後で、前記第1マーク及び前記第2マークを前記アライメントスコープに検出させ、前記第1マークと前記第2マークとの位置の差が許容範囲内でない場合には、前記インプリント材と前記モールドとを接触させた状態で当該インプリント材に前記光源部から前記第1波長の光を照射して軟化させ、前記第1マーク及び前記第2マークを前記アライメントスコープに検出させ、前記アライメントスコープの検出結果に基づいて、前記モールドと前記基板との位置合わせを再び行ってから、前記基板上の軟化した前記インプリント材に前記光源部から前記第2波長の光を照射して再び硬化させ、硬化した前記インプリント材から前記モールドを引き離すことで前記インプリント材に前記モールドのパターンを形成する処理を行うことを特徴とする請求項5乃至7のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記インプリント材は、アゾベンゼン、又は、アゾベンゼンが添加された樹脂からなることを特徴とする請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記インプリント材は、前記基板の全面、又は、前記モールドのパターンが形成された領域に対応するサイズの領域を複数含む領域に供給されていることを特徴とする請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。
- 前記光源部は、
前記第1波長の光を射出する第1光源と、
前記第2波長の光を射出する第2光源と、
前記第1光源からの前記第1波長の光を前記基板上のインプリント材に導く第1光学系と、
前記第2光源からの前記第2波長の光を前記基板上のインプリント材に導く第2光学系と、
を含むことを特徴とする請求項1乃至10のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。 - 前記光源部は、
前記第1波長の光と前記第2波長の光とを含む光を射出する光源と、
前記光源からの光を前記第1波長の光と前記第2波長の光とに分離する分離部と、
前記分離部によって分離された前記第1波長の光を前記基板上のインプリント材に導く第1光学系と、
前記分離部によって分離された前記第2波長の光を前記基板上のインプリント材に導く第2光学系と、
を含むことを特徴とする請求項1乃至10のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。 - モールドを用いて基板上にパターンを形成するインプリント装置を用いたインプリント方法であって、
第1波長の光の照射で軟化し、第2波長の光の照射で硬化する可逆性のインプリント材を前記基板に供給する工程と、
前記インプリント材が供給された前記基板を前記インプリント装置に搬入する工程と、
前記インプリント装置に搬入された前記基板上の前記インプリント材に前記第1波長の光を照射して軟化させ、前記基板上の軟化した前記インプリント材と前記モールドとを接触させた状態で当該インプリント材に前記第2波長の光を照射して硬化させ、硬化した前記インプリント材から前記モールドを引き離すことで前記インプリント材にパターンを形成する工程と、
を有することを特徴とするインプリント方法。 - 請求項1乃至12のうちいずれか1項に記載のインプリント装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された前記基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
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