JP2010080630A - 押印装置および物品の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 押印装置に含まれるＸ−ＹステージのＸ−Ｙ面におけるストロークの低減。
【解決手段】 基板のショットに配された液状樹脂にモールドをＺ軸方向において押し付けた状態で液状樹脂を硬化させてショットに樹脂のパターンを形成する押印装置であって、モールドチャックに保持されたモールドに形成されたモールドマークと基板チャックに保持された基板に形成された基板マークとの間のＸ−Ｙ平面における位置ずれを計測するためのスコープと、ショットに液状樹脂を配するディスペンサと、Ｘ−Ｙステージ上に設けられた基準マークと、を有し、Ｘ−Ｙステージは、それにより保持された基板の全ショットにディスペンサが液状樹脂を配することができるように、その移動範囲を有し、基準マークは、Ｘ−Ｙステージの移動範囲内においてモールドマークとの位置ずれをスコープにより計測できるＸ−Ｙステージ上の位置に設けられている、ものとする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、モールドチャックを含むモールドステージと、基板チャックを含むＸ−Ｙステージとを有する押印装置に関する。特に、基板チャックに保持された基板のショットに配された液状樹脂にモールドチャックに保持されたモールドをＺ軸方向において押し付けた状態で液状樹脂を硬化させてショットに樹脂のパターンを形成する押印装置に関する。

紫外線、Ｘ線あるいは電子ビームによるフォトリソグラフィーを用いた半導体デバイスやＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）などの微細パターンの形成方法に代わる技術としてナノインプリントが既に知られている。ナノインプリントは、電子ビーム露光等によって、微細なパターンを形成したモールド（雛型または原版ともいう）を、樹脂材料を塗布したウエハ等の基板に押し付ける（押印する）ことによって、樹脂上にパターンを転写する技術である。

ナノインプリントには幾つかの種類があり、その一方法として光硬化法が従来から提案されている（特許文献１）。光硬化法は、紫外線硬化型の樹脂に透明なモールドで押し付けた状態で感光、硬化させてからモールドを剥離する（離型する）方法である。この光硬化法によるナノインプリントは、温度制御が比較的容易に行なえる点や透明なモールド越しに基板上のアライメントマークの観察が出来る点から半導体集積回路の製造に適していると言える。

また、異なるパターンの重ね合せを考慮すると、基板全面を一括転写する方式もあるが、製造するデバイスのチップの大きさに合せたモールドを製作し、基板上のショットに逐次転写するステップ＆リピート方式の適用が好ましい。

更に、ショットごとにアライメントを行なうダイバイダイ方式と、グローバル方式によるアライメントとを、ショットの配列精度やスループットに応じて使い分けることが望ましい。
米国特許第７，０２７，１５６号公報 特許第０３５４８４２８号公報

このようなナノインプリント装置では、紫外線硬化樹脂（以下、樹脂と呼ぶ）の吐出手段であるディスペンサヘッドを使用して被転写基板への樹脂の塗布を行なう。

この場合、ディスペンサヘッドにはショット幅以上の長さに直線状に吐出ノズルを並べ、基板上のショットごとに基板を載置した基板ステージを走査しながら樹脂を吐出して塗布を行なう。

もしくは必要とされる樹脂をショット全体に一度に吐出することが可能な、吐出ノズルをマトリクス状に配置したディスペンサヘッドを用いて、基板を搭置した基板ステージを目的のショットがディスペンサヘッドの下に来るように移動させた後に塗布を行なう。

従って、基板上の全てのショットへの樹脂の塗布を行なうには、基板ステージ（Ｘ−Ｙステージ）には少なくもと基板の外径分のストロークを必要とする。

一方、グローバルアライメント方式によるパターン転写を行なう場合、モールドをモールド保持手段であるモールドチャックに設置した後に、基板ステージの走り方向（直交する２軸）とモールドの転写パターン面の基準となる直交する２軸との向きを合わせる。

この際、基板ステージ上の基準マークとモールドのアライメントマークとを使用して、モールドの方向（上記２軸の方向）を調整する。

従って、基板ステージ上の基準マークをモールドの複数のアライメントマークの下に移動させるために基板ステージを駆動するストロークも考慮する必要がある。

これらのストロークは、ディスペンサの配置およびＸ−Ｙステージ上の基準マークの配置によっては過大となり、押印装置のフットプリントの増大につながりうる。

上述の課題を考慮してなされた本発明の第１の側面としての押印装置は、モールドチャックを含むモールドステージと、基板チャックを含むＸ−Ｙステージとを有し、前記基板チャックに保持された基板のショットに配された液状樹脂に前記モールドチャックに保持されたモールドをＺ軸方向において押し付けた状態で前記液状樹脂を硬化させて前記ショットに樹脂のパターンを形成する押印装置であって、
前記モールドチャックに保持されたモールドに形成されたモールドマークと前記基板チャックに保持された基板に形成された基板マークとの間のＸ−Ｙ平面における位置ずれを計測するためのスコープと、
前記ショットに液状樹脂を配するディスペンサと、
前記Ｘ−Ｙステージ上に設けられた基準マークと、
を有し、
前記Ｘ−Ｙステージは、それにより保持された基板の全ショットに前記ディスペンサが液状樹脂を配することができるように、その移動範囲を有し、
前記基準マークは、前記Ｘ−Ｙステージの前記移動範囲内において前記モールドマークとの位置ずれを前記スコープにより計測できる前記Ｘ−Ｙステージ上の位置に設けられている、
ことを特徴とする押印装置である。

また、本発明の第２の側面としての押印装置は、モールドチャックを含むモールドステージと、基板チャックを含むＸ−Ｙステージとを有し、前記基板チャックに保持された基板のショットに配された液状樹脂に前記モールドチャックに保持されたモールドをＺ軸方向において押し付けた状態で前記液状樹脂を硬化させて前記ショットに樹脂のパターンを形成する押印装置であって、
前記モールドチャックに保持されたモールドに形成されたモールドマークと前記基板チャックに保持された基板に形成された基板マークとの間のＸ−Ｙ平面における位置ずれを計測するためのスコープと、
前記ショットに液状樹脂を配するディスペンサと、
前記Ｘ−Ｙステージ上に設けられた基準マークと、
を有し、
Ｘ−Ｙ平面において、前記ディスペンサの中心は、前記モールドチャックの中心に対して第１の距離（＞０）だけある方向にずれた位置に配置され、前記基準マークの中心は、前記基板チャックの中心に対して前記第１の距離だけ前記方向にずれた位置より前記方向とは逆の方向にずれた位置に設けられている、
ことを特徴とする押印装置である。

本発明の他の側面は、『特許請求の範囲』や、『発明を実施するための最良の形態』、添付した図面等に記載したとおりである。

本発明は、押印装置に含まれるＸ−ＹステージのＸ−Ｙ面におけるストロークの低減の点で有利である。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態である光硬化法を用いたナノインプリント装置（押印装置）について説明する。

［実施形態１］
図１は、本発明の実施形態１に係るナノインプリント装置の構成図で、図２は、本発明の実施形態１に係るナノインプリント装置の制御ブロック図である。また、図１１は、本発明の実施形態１に係るアライメントマークの配置を示すモールドチャック周辺の断面図である。

図１、図２及び図１１において、１は基板であるウエハ、２はウエハ１を保持するためのウエハチャック（基板チャックともいう）である。３はウエハ１のθ（ｚ軸回りの回転）方向位置の補正機能、ウエハ１のｚ位置の調整機能、及びウエハ１の傾きを補正するためのチルト機能を有する微動ステージで、ウエハ１を所定の位置に位置決めするためのＸＹステージ４上に配置される。以下、微動ステージ３とＸＹステージ４とを合せて、基板ステージ、ウエハステージまたはＸ−Ｙステージと総称する。

５はＸＹステージ４が載置されるベース定盤、６は微動ステージ３上に取り付けられ、微動ステージ３のｘ及びｙ方向（ｙ方向は不図示）の位置を計測するためにレーザ干渉計７からの光を反射する参照ミラーである。８及び８’はベース定盤５上に屹立し、天板９を支える支柱である。

１０はウエハ１に転写される凹凸のパターンＰ２がその表面に形成されたモールドで、図示しない機械的保持手段によって、モールドチャック１１に固定される。モールドチャック１１は同じく図示しない機械的保持手段によって、モールドステージ１２に載置される。１１Ｐはモールド１０をモールドチャック１１に設置する際にモールド１０のモールドチャック１１上の位置を規制する複数の位置決めピンである。

モールドステージ１２にはモールド１０（モールドチャック１１）のθ（ｚ軸回りの回転）方向位置の補正機能及びモールド１０の傾きを補正するためのチルト機能を有する。また、そのｘ及びｙ方向の位置を計測するためにレーザ干渉計７’からの光を反射する反射面を有する（ｙ方向は不図示）。モールドチャック１１及びモールドステージ１２には、ＵＶ光源１６からコリメータレンズ１７を通して照射されるＵＶ光をモールド１０へと通過させる開口１１Ｈ及び１２Ｈをそれぞれ有する。

１３は、その一端がモールドステージ１２に固定され且つ天板９を貫通するガイドバー１４及び１４’の他端を固定するガイドバープレートである。１５及び１５’はエアシリンダまたはリニアモータからなるモールド昇降用リニアアクチュエータで、ガイドバー１４及び１４’を図１のＺ軸方向に駆動し、モールドチャック１１に保持されたモールド１０をウエハ１に押し付けたり、引き離したりする。

１８は天板９に支柱１９及び１９’により懸架されたアライメント棚で、ガイドバー１４及び１４’が貫通している。２０は静電容量センサなどのギャップセンサで、ウエハチャック２上のウエハ１の高さ（平坦度）を計測する。２１（図１に図示せず）はモールドチャック１１またはモールドステージ１２に取り付けられた複数のロードセルで、モールド１０の押し付け力を計測する。

３０及び３０’はアライメント計測用のＴＴＭ（スルー・ザ・モールド）アライメントスコープである。当該スコープは、ウエハ１に形成されたアライメントマーク（基板マークともいう）とモールド１０に設けられたアライメントマーク（モールドマークともいう）との位置ずれを計測するための光学系および撮像系または受光素子を有する。ＴＴＭアライメントスコープ３０及び３０’により、ウエハ１とモールド１０との間のｘ及びｙ方向の位置ずれを計測する。

３２はウエハ１の表面に液状の樹脂（液状樹脂）を滴下する樹脂滴下ノズルを備えたディスペンサヘッド（樹脂吐出手段）である。なお、液状樹脂は光硬化樹脂が好ましい。

５０は微動ステージ３上（Ｘ−Ｙステージ上）に配置された基準マーク台上の基準マークである。

１００は以上のアクチュエータやセンサ類を統括して、装置に所定の動作をさせるＣＰＵ（中央制御装置）である。

ここで図１及び図８から図１２を用いて、半導体デバイス作成時のナノインプリント装置の動作について説明する。図８は複数枚のウエハに同じモールドを使用して、あるレイヤのパターンの転写を行なう場合のフローチャートである。

図８において、ステップＳ１では、図示しないモールド搬送手段により、モールドチャック１１にモールド１０が供給される。

ステップＳ２では、ＴＴＭアライメントスコープ３０、３１により、図１１に示すモールド１０のアライメントマークＭ１、Ｍ２と微動ステージ３上の基準マーク５０とを同時に観察するなどして、それらの間の位置ずれを計測する。

そして、この計測結果を使用して、モールドステージ１２により主にモールド１０のθ（ｚ軸回りの回転）方向の位置を合わせる。

次に、ステップＳ３で図示しないウエハ搬送手段により、ウエハチャック２にウエハ１が供給される。

続くステップＳ４ではＸＹステージ４を駆動して、ギャップセンサ２０によりウエハ１全面の高さ（平坦度）を計測する。この計測データは後述するように、モールド押印時にウエハ１の転写ショット面を図示しない装置の基準平面に合せる際に使用される。

次にステップＳ５では、ウエハ１上に先行して転写された複数のプリアライメントマーク（図示せず）をプリアライメント計測手段（図示せず）により撮像する。そして、画像処理により複数のプリアライメントマークの装置に対するｘ、ｙ方向のずれを計測し、その結果を元にウエハ１のθ（ｚ軸回りの回転）方向の位置補正を行なう。

続くステップＳ６では、ＴＴＭアライメントスコープ３０、３０’を使用した計測を行う。すなわち、サンプル計測ショットにおいて、モールド１０上のアライメントマークＭ１、Ｍ２（モールドマーク）とウエハ１上のアライメントマークＷ１、Ｗ２（基板マーク）とのｘ、ｙ方向の相対的位置ずれ量（Ｘ−Ｙ平面における位置ずれ）を計測する。図１０において、斜線を施した特定のショット２、９、１３、２０がサンプル計測ショットである。

図１１において、Ｐ１はアライメントマークＷ１、Ｗ２とともに先行レイヤで転写されたパターンで、Ｐ２はモールド１０の転写パターンである。

図１２は、モールドマークおよび基板マークを同時に撮像する方式である場合のＴＴＭアライメントスコープ３０、３０’で撮像される各アライメントマークの例を示す。この場合、計測できるのはｘ方向の位置ずれのみで、ｙ方向についてはパターンＰ１、Ｐ２の周囲にそれぞれｙ方向に同様に配置されたアライメントマークを使用して計測する。また、このｙ方向の位置ずれを計測するためのＴＴＭアライメントスコープ（図示せず）が対応する位置に配置されている。

これらのｘ方向及びｙ方向の位置ずれからθ（ｚ軸回りの回転）方向の位置ずれも算出される。

そして、図１０における上記サンプル計測ショットでのＴＴＭアライメントスコープによる計測結果から、ウエハ１上の各ショットにおけるｘ、ｙ、θ方向のずれを算出して、ショットごとの転写を行なう際のウエハステージの位置決め目標位置が決定される。当該決定は、計測されたショット座標を設計上のショット座標の座標変換により近似する式の係数を、最小自乗法等を用いて算出するなどの方法で行うことができる。

これは、例えば特許文献２で開示されている、ステップ＆リピート方式の半導体投影露光装置で用いられているグローバルアライメント計測の手法と同様のものである。

次に、ステップＳ７でウエハ１上の各ショットに対して、図９に示すフローチャートによるパターン転写が行なわれる。

全ショットの転写が終了すると、ステップＳ８で（図示しない）ウエハ搬送手段によりウエハ１がウエハチャック２から回収される。

続くステップＳ９では、続いてパターン転写を行なうウエハがあるかどうかの判定が行なわれ、転写するウエハがある場合はステップＳ３に戻り、転写するウエハが無い場合はステップＳ１０に進む。

ステップＳ１０では（図示しない）モールド搬送手段によりモールドチャック１１からモールド１０の回収を行ない、複数ウエハへのパターン転写を終了する。

図９は、本発明の実施形態１のナノインプリント装置に係る、１ウエハのパターン転写時のフローチャートで、図８のステップＳ７に相当する。

以下、図９と図１、図２を用いて、本発明の実施形態１にかかわるナノインプリント装置の動作及び作用等について説明する。

図９において、まず、ステップＳ７０１でＸＹステージ４を駆動し、ウエハ１の載置されたウエハチャック２を移動させ、ウエハ１上のパターンの転写を行なう場所（ショット）をディスペンサヘッド３２の下に持って来る。

続くステップＳ７０２でディスペンサヘッド３２によってウエハ１上の目的のショットに光硬化樹脂の滴下を行なう。

この際、ディスペンサヘッドの樹脂吐出ノズルの配置が直線状である場合は、ＸＹステージ４をショットサイズに応じて駆動させながら、樹脂の吐出を行なう。

一方、樹脂吐出ノズルがショット全面を覆うマトリクスタイプの場合は、ＸＹステージ４の駆動は必要なく、一度に樹脂の吐出が可能である。

次に、ステップＳ７０３で該ショットの表面がモールド１０のパターンＰ２と対向する位置に来るようにＸＹステージ４を駆動する。この際、ウエハステージの位置は図８のステップＳ６のアライメント計測の結果によって決定され、決定された目標位置に移動する。

さらに、前述のウエハ高さ計測データに基づき、微動ステージ３によりウエハチャック２のｚ方向の高さと傾きを調整して、ウエハ１の前記ショットの表面を装置の基準平面（不図示）に合せる。

そして、ステップＳ７０４でリニアアクチュエータ１５及び１５’を駆動することによりモールドチャック１１を所定位置まで下降させる。

次に、ステップＳ７０５で、モールドチャック１１またはモールドステージ１２に取り付けられた（図示しない）複数のロードセル２１の出力によりモールド１０の押し付け力が適切な値かどうかの判定を行なう。押し付け力が所定の範囲になかった場合、ステップＳ７０５の判定をｎｏで抜け、ステップＳ７０６に進む。

ステップＳ７０６では、リニアアクチュエータ１５及び１５’によってモールドチャック１１のｚ方向の位置を変えるか、または微動ステージ３によってウエハチャック２のｚ方向の位置を変えることにより、モールド１０の押し付け力の調整を行なう。目標とする押し付け力になるまでステップＳ７０５とステップＳ７０６のループを回り、ステップＳ７０５でモールド１０の押し付け力が適切であると判定されると、ステップＳ７０５をｙｅｓで抜け、ステップＳ７０７に進む。

ステップＳ７０７では、ＵＶ光源１６により所定時間のＵＶ光の照射を行なう。

ＵＶ光の照射が完了すると、続くステップＳ７０８でリニアアクチュエータ１５及び１５’を駆動してモールドチャック１１を上昇させ、モールド１０をウエハ１上の硬化した樹脂から引き離す。

次にステップＳ７０９で、ＸＹステージ４を駆動し、次のショットがディスペンサヘッド３２の下に来るようにウエハ１を移動させる。

続くステップＳ７１０では、ウエハ１上の全ショットのパターン転写が終了したかどうかの判定を行なう。

未転写のショットがある場合は、ステップＳ７１０の判定をｎｏで抜け、ステップＳ７０２へ戻る。

未転写のショットが無い場合は、ステップＳ７１０の判定をｙｅｓで抜け、ステップＳ７１１に進む。

ステップＳ７１１ではウエハ１の回収（図８のステップＳ８）に備えて、所定の位置にＸＹステージ４を駆動する。

以上、図９を用いて、ウエハ１へのパターン転写の動作及び作用について説明したが、グローバルアライメント方式ではなく、ダイバイダイアライメント方式で位置合わせをしてパターン転写することも可能である。例えば、配列精度の良いウエハ中心部のショットは、ダイバイダイアライメント方式を適用する。そして、アライメント誤差の大きそうなウエハ周辺部のショットは、それまでのダイバイダイアライメント方式での計測結果に基づくグローバルアライメント方式でのアライメントによりパターン転写を行なうようにしてもよい。

この場合、ダイ・バイ・バイアライメントは、図９のステップＳ７０４の前または後で、図８のステップＳ６で説明した、サンプル計測ショットに適用した方法で位置ずれ量の計測を行い、微動ステージ３によりｘ、ｙ、θ各方向の位置合わせを行なうことになる。

ここで、図１３及び図１４を用いて、前述の本発明が解決しようとする課題について再度詳しく説明する。図１３は、ＸＹステージ４に載置された微動ステージ３の平面図で、図１と同じ機能を有するものは同じ番号を付し、その説明を省略する。

図１３において、６’は微動ステージ３上に取り付けられ、微動ステージ３のｙ方向の位置を計測するためにレーザ干渉計（不図示）からの光を反射する参照ミラーである。１２０は、モールドチャック１１の中心とウエハチャック２の中心とがｘｙ平面内で等しい位置にある場合のモールドステージ１２の投影を示す。３２０は同じく、ディスペンサヘッド３２の投影である。図１３において、基準マーク５０は、ディペンサヘッド３２の投影３２０に関して、モールドチャック１１とは反対側に配置されている。

図１４は、図１３に対応する側面図で、図１と同じ機能を有するものは同じ番号を付し、その説明を省略する。図１４では、ＴＴＭアライメントスコープ３０、３０’およびモールド１０も示す。

図１４の（Ａ）及び（Ｂ）は、ディスペンサヘッド３２を用いてウエハ１上の全てのショットに樹脂の吐出を行なう場合、微動ステージ３（すなわちＸＹステージ４）のｘ方向に必要なストロークＬ１を示す。

一方、図１４の（Ｃ）及び（Ｄ）は、図８のステップＳ２で説明したモールドアライメントで、ＴＴＭアライメントスコープ３０及び３０’により微動ステージ３上の基準マーク５０を計測する際の微動ステージ３（すなわちＸＹステージ４）の位置を示す。

図１４から分かるように、図１３の配置では、微動ステージ３（すなわちＸＹステージ４）は少なくともｘ方向に、図１４に示すＬ２のストロークが必要となり、装置のフットプリントが増大し、装置全体が大型化するという問題があった。

図３は、本発明の実施形態１に係る、ＸＹステージ４に載置された微動ステージ３の平面図で、図１３と同じ機能を有するものは同じ番号を付し、その説明を省略する。

図１３との違いは、モールドチャック１１の中心とウエハチャック２の中心とがｘｙ平面内で等しい位置にある場合に、基準マーク５０がディペンサヘッド３２の投影３２０に関して、モールドチャック１１と同じ側に配置されていることである。

図４は図３に対応する側面図で、図１４と同じ機能を有するものは同じ番号を付し、その説明を省略する。図４では、図１４と同じく、ＴＴＭアライメントスコープ３０、３０’およびモールド１０も示す。

図４の（Ａ）及び（Ｂ）は、ディスペンサヘッド３２を用いてウエハ１上の全てのショットに樹脂の吐出を行なう場合、微動ステージ３（すなわちＸＹステージ４）のｘ方向に必要なストロークＬ１を示す。

一方、図４の（Ｃ）と（Ｄ）は、図８のステップＳ２で説明したモールドアライメントで、ＴＴＭアライメントスコープ３０及び３０’により微動ステージ３上の基準マーク５０を計測する際の微動ステージ３（すなわちＸＹステージ４）の位置を示す。

図４から分かるように、図３の配置では、微動ステージ３（すなわちＸＹステージ４）に必要なｘ方向のストロークは、ディスペンサヘッド３２による樹脂の吐出に必要なストロークＬ１と同じであればよい。

以上のように、モールドチャックの中心とウエハチャックの中心とがｘｙ平面内で等しい位置とした場合に、ディスペンサに関してモールドチャックと同じ側になるように基準マークを微動ステージ上に配置するようにした。

なお、図３では、図４に示したように、図１４におけるストロークＬ２に対応したストロークがストロークＬ１に内包される配置となっている。すなわち、Ｘ−Ｙステージは、それにより保持された基板の全ショットにディスペンサが液状樹脂を配することができるように、その移動範囲を有するようにする。そして、基準マークは、Ｘ−Ｙステージの当該移動範囲内においてモールドマークとの位置ずれをＴＴＭアライメントスコープ（３０、３０’）により計測できるＸ−Ｙステージ上の位置に設けられている。

なお、ＸＹステージ４に必要とされるストロークを図１４のＬ２より小さくするだけでよければ、図３において、ディスペンサより少しでもモールドチャックの中心側になるように基準マークを微動ステージ上に配置するようにすればよい。より一般的には、Ｘ−Ｙ平面において、次のような配置とする。ディスペンサの中心は、モールドチャックの中心に対して第１の距離（＞０）だけある方向にずれた位置に配置する。基準マークの中心は、基板チャックの中心に対して当該第１の距離だけ当該方向にずれた位置より当該方向とは逆の方向にずれた位置に設ける。

なお、ディスペンサの中心は、基板に対向するディスペンサの樹脂吐出口の中心を意味し、当該樹脂吐出口は、例えば、多数の開口（孔）を含むライン状または矩形状の領域である。モールドチャックは、そのＸ−Ｙ平面への投影が典型的には矩形状の形状をなし、モールドチャックの中心は、当該形状の中心を意味する。基板チャックは、そのＸ−Ｙ平面への投影が典型的には円形状の形状をなし、基板チャックの中心は、当該形状の中心を意味する。基準マークは、典型的には矩形状マーク要素の集合としての形状を有し、基準マークの中心は、当該形状の中心を意味する。

以上のようにして、グローバルアライメント計測に必要なモールドアライメント計測（基準マーク計測）のためのＸ−Ｙステージのストロークの増大を抑えることができるため、フットプリントが小さく、小型のナノインプリント装置の提供が可能となる。

［実施形態２］
次に、図５を参照して、本発明の実施形態２におけるナノインプリント装置の動作及び作用等について説明する。

図５はＸＹステージ４に載置された微動ステージ３の平面図で、樹脂の吐出（塗布）のためのｙ方向におけるＸＹステージの動きを減らすために、ディスペンサヘッドがｙ方向に３つ並設された場合を示す。なお、ここで「３つ」は例示であり、ディスペンサは複数有ればよい。図３と同じ機能を有するものは同じ番号を付し、その説明を省略する。

図５において、３２０ａ〜３２０ｃはｘ方向にＸＹステージ４を走査しながら樹脂の吐出を行なうための３つのディスペンサヘッドの投影を示す。図５では、モールドチャック１１の中心とウエハチャック２の中心とがｘｙ平面内で等しい位置にある場合に、３つディスペンサヘッドの投影３２０ａ〜３２０ｃに関して、モールドチャック１１の中心側に基準マーク５０が配置されている。

図５の配置とすることで、ディスペンサヘッドがＸＹステージ４の走査方向とは垂直な方向に複数ある場合でも実施形態１と同様の効果が得られる。

［実施形態３］
続いて、図６を参照して、本発明の実施形態３におけるナノインプリント装置の動作及び作用等について説明する。

図６は、ＸＹステージ４に載置された微動ステージ３の平面図で、ディスペンサヘッドが異なる位置に２つある場合を示す。図３と同じ機能を有するものは同じ番号を付し、その説明を省略する。

図６において、３２０ａはｘ方向にＸＹステージ４を走査しながら樹脂の吐出を行なうためのディスペンサヘッド（第１のディスペンサ）の投影を示す。３２０ｂは同じくｙ方向にＸＹステージ４を走査しながら樹脂の吐出を行なうためのディスペンサヘッド（第２のディスペンサ）の投影を示す。

図６では、モールドチャック１１の中心とウエハチャック２の中心とがｘｙ平面内で等しい位置にある場合に、２つディスペンサヘッドの投影３２０ａ、３２０ｂに関して、モールドチャック１１の中心側に基準マーク５０が配置されている。すなわち、Ｘ−Ｙ平面において、次のような配置とする。第１のディスペンサの中心は、モールドチャックの中心に対して第１の距離（＞０）だけある方向にずれた位置に配置する。基準マークの中心は、基板チャックの中心に対して当該第１の距離だけ当該ある方向にずれた位置より当該ある方向とは逆の方向にずれた位置とする。さらに、第２のディスペンサの中心は、モールドチャックの中心に対して当該ある方向とは直交する第２の方向に第２の距離だけずれた位置に配置する。ここで、上述した基準マークの中心は、さらに、基板チャックの中心に対して当該第２の距離だけ当該第２の方向にずれた位置より当該第２の方向とは逆の方向にずれた位置とする。

図６の配置とすることで、ｙ方向にＸＹステージ４を駆動してモールドアライメント計測を行なう場合でも、実施形態１と同様の効果が得られる。

［実施形態４］
続いて、図７を参照して、本発明の実施形態４におけるナノインプリント装置の動作及び作用等について説明する。

図７はＸＹステージ４に載置された微動ステージ３の平面図で、微動ステージ３上に基準マークが複数配置された場合を示す。図６と同じ機能を有するものは同じ番号を付し、その説明を省略する。

図７において、５１及び５２は、５０と同じ基準マークである。また、３２０ｂは、ｙ方向にＸＹステージ４を走査しながら樹脂の吐出を行なうためのディスペンサヘッドの投影を示す。

図７のようにディスペンサヘッドが複数配置された場合でも、各ディスペンサヘッドに対して、実施形態１に記載したように複数の基準マークを適切に配置することで、実施形態３と同様に、Ｘ−Ｙステージのストロークの増大を抑える効果が得られる。

以上に説明した実施形態によれば、基板ステージ（Ｘ−Ｙステージ）に必要とされるストロークの増大を抑えた押印装置を提供することができる。また、グローバルアライメントが可能でフットプリントの小さな押印装置を提供することができる。

［物品の製造方法の実施形態］
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、前述した押印装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板等）にパターンを転写（形成）するステップを含む。さらに、パターンを転写された前記基板をエッチングするステップを含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、エッチングステップの代わりに、パターンを転写された前記基板を加工する他の加工ステップを含みうる。

以上、本発明の実施の形態を説明してきたが、本発明はこれらの実施の形態に限定されず、その要旨の範囲内において様々な変形及び変更が可能である。

半導体やＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ）などの物品を製造するための微細パターンの形成に利用可能である。

実施形態１に係るナノインプリント装置の構成図である。 実施形態１に係るナノインプリント装置の制御ブロック図である。 実施形態１に係る微動ステージの平面図である。 実施形態１に係る微動ステージの側面図である。 実施形態２に係る微動ステージの平面図である。 実施形態３に係る微動ステージの平面図である。 実施形態４に係る微動ステージの平面図である。 同一レイヤに関して複数のウエハに順次転写を行う流れを示す図である。 １つのウエハに転写を行う詳細な流れを示す図である。 グローバルアライメント計測のサンプルショットの配置を示す図である。 アライメントマークの配置を示すモールドチャック周辺の断面図である。 ＴＴＭアライメントスコープ視野内でのアライメントマークの位置関係を例示する図である。 本発明の解決しようとする課題を説明するための平面図である。 本発明の解決しようとする課題を説明するための側面図である。

符号の説明

１ ウエハ
２ ウエハチャック
３ 微動ステージ
４ ＸＹステージ
５ ベース定盤
６ 参照ミラー
７・７’ レーザ干渉計
８・８’ 支柱
９ 天板
１０ モールド
１１ モールドチャック
１２ モールドステージ
１３ ガイドバープレート
１４・１４’ ガイドバー
１５・１５’ リニアアクチュエータ
１６ ＵＶ光源
１７ コリメータレンズ
１８ アライメント棚
１９・１９’ 支柱
２０ ギャップセンサ
３０・３０’ ＴＴＭアライメントスコープ
３２ ディスペンサヘッド
５０ 基準マーク
１００ ＣＰＵ

Claims (6)

1. モールドチャックを含むモールドステージと、基板チャックを含むＸ−Ｙステージとを有し、前記基板チャックに保持された基板のショットに配された液状樹脂に前記モールドチャックに保持されたモールドをＺ軸方向において押し付けた状態で前記液状樹脂を硬化させて前記ショットに樹脂のパターンを形成する押印装置であって、
   前記モールドチャックに保持されたモールドに形成されたモールドマークと前記基板チャックに保持された基板に形成された基板マークとの間のＸ−Ｙ平面における位置ずれを計測するためのスコープと、
   前記ショットに液状樹脂を配するディスペンサと、
   前記Ｘ−Ｙステージ上に設けられた基準マークと、
   を有し、
   前記Ｘ−Ｙステージは、それにより保持された基板の全ショットに前記ディスペンサが液状樹脂を配することができるように、その移動範囲を有し、
   前記基準マークは、前記Ｘ−Ｙステージの前記移動範囲内において前記モールドマークとの位置ずれを前記スコープにより計測できる前記Ｘ−Ｙステージ上の位置に設けられている、
   ことを特徴とする押印装置。
2. モールドチャックを含むモールドステージと、基板チャックを含むＸ−Ｙステージとを有し、前記基板チャックに保持された基板のショットに配された液状樹脂に前記モールドチャックに保持されたモールドをＺ軸方向において押し付けた状態で前記液状樹脂を硬化させて前記ショットに樹脂のパターンを形成する押印装置であって、
   前記モールドチャックに保持されたモールドに形成されたモールドマークと前記基板チャックに保持された基板に形成された基板マークとの間のＸ−Ｙ平面における位置ずれを計測するためのスコープと、
   前記ショットに液状樹脂を配するディスペンサと、
   前記Ｘ−Ｙステージ上に設けられた基準マークと、
   を有し、
   Ｘ−Ｙ平面において、前記ディスペンサの中心は、前記モールドチャックの中心に対して第１の距離（＞０）だけある方向にずれた位置に配置され、前記基準マークの中心は、前記基板チャックの中心に対して前記第１の距離だけ前記方向にずれた位置より前記方向とは逆の方向にずれた位置に設けられている、
   ことを特徴とする押印装置。
3. 前記ディスペンサを複数有し、複数の前記ディスペンサは、前記方向とは直交する方向に配列されている、ことを特徴とする請求項１または２に記載の押印装置。
4. 前記ショットに液状樹脂を配する第２のディスペンサを有し、
   Ｘ−Ｙ平面において、前記第２のディスペンサの中心は、前記モールドチャックの中心に対して前記方向とは直交する第２の方向に第２の距離だけずれた位置に配置され、前記基準マークの中心は、前記基板チャックの中心に対して前記第２の距離だけ前記第２の方向にずれた位置より前記第２の方向とは逆の方向にずれた位置に設けられている、
   ことを特徴とする請求項２に記載の押印装置。
5. 前記基準マークを複数有する、ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の押印装置。
6. 請求項１乃至５のいずれかに記載の押印装置を用いて基板の各ショットに樹脂のパターンを形成する工程と、
   前記工程において前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
   を有することを特徴とする物品の製造方法。

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