CN111983895A - 图案化复合装置及其动作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供图案化复合装置。上述图案化复合装置包括:图案化模块,安装有包括与目标基板接触或分离的主图案的主板,向上述目标基板施加压力来在上述目标基板形成具有上述主图案的逆像的多个目标图案;以及穿孔模块,包括与形成有上述多个目标图案的上述目标基板接触或分离的穿孔模具,向上述目标基板施加压力来分割上述多个目标图案中的至少一个。
Description
技术领域
本发明涉及图案化复合装置及其动作方法,更详细地,涉及图案化复合装置及其动作方法,即,在目标基板形成多个目标图案,在形成的多个目标图案中分割至少一个。
背景技术
为了克服对于超过曝光装备的边际分辨率的微细图案的光刻的光学限制,使用了在形成感光膜之后,将上述感光膜图案加热至感光膜的玻璃转移温度以上并进行软熔焊接(Reflow)来形成微细感光膜图案的工序和利用化学收缩辅助抗蚀增强光刻(RELACS,Resist Enhancement Lithography Assisted by Chemical Shrink)物质的工序等。
但是,在感光膜软熔焊接或化学收缩辅助抗蚀增强光刻工序的情况下,因分辨率限界及感光膜体积减少而几乎无法形成30nm水平的微细图案。由此,正在研究开发解决上述问题的多种微细图案形成方法及装置。例如,在韩国专利授权号10-1000715(申请号码:10-2008-0086923,申请人:延世大学产学合作团)揭示了与图案化对象物的种类和厚度等无关,可通过一定的性能稳定地执行图案化的图案化装置及利用其的图案化方法。此外,持续进行着有关形成微细图案的方法及装置的技术的研究开发。
现有技术文献
专利文献
韩国专利授权号10-1000715
发明内容
本发明所要解决的一技术问题在于,提供可在多种基板轻松形成具有多种大小及形状的图案的图案化复合装置及其动作方法。
本发明所要解决的再一问题在于,提供可以轻松分割多个目标图案的图案化复合装置及其动作方法。
本发明所要解决的另一问题在于,提供轻松进行大面积工序的图案化复合装置及其动作方法。
本发明所要解决的还有一问题在于,提供工序稳定性得到提高的图案化复合装置及其动作方法。
本发明所要解决的又一问题在于,提供使目标基板与冲孔装置之间的整列变得简单的图案化复合装置及其动作方法。
本发明所要解决的技术问题并不局限于上述问题。
为了解决上述技术问题,本发明提供图案化复合装置。
根据一实施例,上述图案化复合装置可包括:图案化模块,安装有包括与目标基板接触或分离的主图案的主板,向上述目标基板施加压力来在上述目标基板形成具有上述主图案的逆像的多个目标图案;以及穿孔模块,包括与形成有上述多个目标图案的上述目标基板接触或分离的穿孔模具(punching mold),向上述目标基板施加压力来分割上述多个目标图案中的至少一个。
根据一实施例,上述目标基板及上述主图案可以多次接触,当每次接触时,使得上述主图案与上述目标基板上的不同区域相接触。
根据一实施例,形成有上述多个目标图案的上述目标基板可包括沿着第一方向延伸的第一分割区域及沿着与第一方向不同的第二方向延伸的第二分割区域,上述多个目标图案通过上述第一分割区域及上述第二分割区域形成行及列并二维排列。
根据一实施例,上述穿孔模具可包括沿着上述第一方向延伸的第一切割部及沿着上述第二方向延伸的第二切割部,包括通过上述第一切割部及第二切割部形成行及列并二维排列的多个凹陷图案。
根据一实施例,在形成有上述多个目标图案的上述目标基板与上述穿孔模具相接触的情况下,上述第一分割区域及上述第一切割部可相向,上述第二分割区域及上述第二切割部相向。
根据一实施例,上述图案化复合装置还可包括沿着第一方向及形成与上述第一方向相垂直的方向的第二方向移动并配置上述目标基板的载物台。
根据一实施例,可根据上述载物台的移动,上述目标基板沿着上述第一方向及第二方向移动。
根据一实施例,上述载物台可包括:第一载物台,为了形成上述多个目标图案而使上述目标基板移动;以及第二载物台,为了分割上述多个目标图案中的至少一个而使上述目标基板移动。
根据一实施例,上述主图案的硬度(hardness)可大于上述目标基板的硬度。
为了解决上述技术问题,本发明提供图案化复合装置的动作方法。
根据一实施例,上述图案化复合装置的动作方法可包括:在载物台上准备目标基板的步骤;以使包括主图案的主板与上述目标基板相向的步骤;使上述主板及上述目标基板相接触并施加压力来在上述目标基板上形成具有上述主图案的逆像的多个目标图案的步骤;以使形成有上述多个目标图案的上述目标基板与穿孔模具相向的方式使上述载物台移动的步骤;以及上述穿孔模具朝向上述载物台移动来使上述穿孔模具及上述目标基板相接触并通过施加压力来分割上述目标基板所包括的多个目标图案中的至少一个的步骤。
根据一实施例,形成上述多个目标图案的步骤可包括:使上述目标基板的一区域及上述主板相接触并施加压力来在上述目标基板的一区域形成具有上述主图案的逆像的上述目标图案的步骤;以及分离上述目标基板及上述主板的步骤,形成上述目标图案的步骤及分离上述基板的步骤反复执行多次,在反复执行的过程中,每次执行时,使得上述主板与上述目标基板上的不同区域相接触。
根据一实施例,上述多个目标图案可由行及列形成并二维排列。
根据一实施例,在以使形成有上述多个目标图案的上述目标基板与穿孔模具相向的方式使上述载物台移动的步骤中,上述目标基板所包括的第一目标图案及第二目标图案与上述穿孔模具所包括的第一凹陷图案与第二凹陷图案可相向,上述第一目标图案及第二目标图案之间的第一分割区域与上述第一凹陷图案与第二凹陷图案之间的第一切割部相向。
根据一实施例,在分割上述多个目标图案中的至少一个的步骤中,可通过上述第一切割部向上述第一分割区域施加压力,来分别分割上述第一目标图案及第二目标图案。
本发明实施例的图案化复合装置包括:图案化模块,安装有包括与目标基板接触或分离的主图案的主板,向上述目标基板施加压力来在上述目标基板形成具有上述主图案的逆像的多个目标图案;以及穿孔模具,与形成有上述多个目标图案的上述目标基板接触或分离,可包括向上述目标基板施加压力来分割上述多个目标图案中的至少一个的上述穿孔模块。由此,可以在多种基板大面积制作具有多种大小及形状的多个图案。并且,所制作的多个图案可通过简单工序轻松分离。
附图说明
图1为示出本发明实施例的图案化复合装置的图。
图2为本发明实施例的图案化复合装置所包括的图案化模块的侧视图。
图3为示出通过本发明实施例的图案化模块在目标基板形成目标图案的图。
图4为示出通过本发明实施例的图案化模块形成多个目标图案的目标基板的图。
图5至图7为示出通过本发明实施例的图案化模块在目标基板上的不同区域形成目标图案的工序的图。
图8为示出本发明实施例的机头所包括的标记图案的图。
图9及图10为示出通过本发明实施例的机头所包括的标记图案在目标基板上形成的对准图案的图。
图11为示出配置于第一载物台的目标基板向第二载物台移动的图。
图12为示出本发明实施例的图案化复合装置所包括的穿孔模块的图。
图13及图14为示出本发明实施例的穿孔模块所包括的穿孔模具的图。
图15至图17为示出通过本发明实施例的穿孔模块的穿孔工序的图。
图18及图19为示出执行穿孔工序的目标基板的图。
图20为示出本发明第一变形例的图案化复合装置所包括的图案化模块的图。
图21为示出本发明第二变形例的图案化复合装置所包括的图案化模块的侧视图的图。
图22为示出本发明第二变形例的图案化复合装置所包括的图案化模块的立体图的图。
图23及图24为示出本发明第五变形例的图案化复合装置所包括的穿孔模具的图。
图25为示出通过本发明第五变形例的图案化复合装置所包括的穿孔模块的穿孔工序的图。
图26至图28为示出本发明第六变形例的图案化复合装置所包括的穿孔模具的图。
图29为示出通过本发明第六变形例的图案化复合装置所包括的穿孔模块的穿孔工序的图。
图30为说明本发明第六变形例的图案化复合装置所包括的穿孔模块的动作过程中整列错误的情况的图。
图31为示出本发明第七变形例的穿孔模块所包括的穿孔模具的图。
图32为示出通过本发明第七变形例的冲孔装置穿孔的目标基板的图。
图33为示出本发明第八变形例的穿孔模块所包括的穿孔模具的图。
图34及图35为示出通过本发明第八变形例的冲孔装置穿孔的目标基板的图。
图36为示出本发明第九变形例的穿孔模块所包括的穿孔模具的图。
图37为示出通过本发明第九变形例的冲孔装置穿孔的目标基板的图。
附图标记的说明
140:第一载物台
150:第二载物台
200:目标基板准备部
310:第一目标基板移动部
320:第二目标基板移动部
400:图案化模块
410:支撑部件
420:机头
430:主板
500:穿孔模块
510:支撑部件
520:活塞
530:穿孔模具
具体实施方式
以下,参照附图,详细说明本发明的优选实施例。但是,本发明的技术思想并不局限于在此说明的实施例,而是可具体化成其他形态。反而,在此介绍的实施例为了向本发明所属技术领域的普通技术人员充分传递本发明的思想而提供,使得所揭示的内容完整。
在本说明书中,在一个结构要素存在于其他结构要素上的情况下,意味着可以直接形成于其他结构要素上或者在中间形成第三结构要素。并且,图中,膜及区域的厚度为了技术内容的有效说明而被放大。
并且,在本说明书中的多种实施例中,第一、第二、第三等的术语为了记述多种结构要素而使用,这些结构要素并不局限于这些术语。因此,在一个实施例中的第一结构要素可以是其他实施例中的第二结构要素。在此说明并例示的各个实施例包括其的补充实施例。并且,在本说明书中,“和/或”意味着包括前后罗列的结构要素中的至少一个。
并且,“包括”或“具有”等的术语用于指定在说明书上记载的特征、数字、步骤、结构要素或这些组合的存在,而并非意味着排除一个或一个以上的其他特征或数字、步骤、结构要素或这些组合的存在或附加可能性。并且,以下,在说明本发明的过程中,在判断为相关的公知功能或结构的具体说明使本发明的主旨不清楚的情况下,将省略对其的详细说明。
图1为示出本发明实施例的图案化复合装置的图。
参照图1,本发明实施例的图案化复合装置可包括第一载物台140、第二载物台150、目标基板准备部200、第一目标基板移动部310、第二目标基板移动部320、图案化模块400及穿孔模块500。根据一实施例上述图案化复合装置配置于腔室(未图示)内并可以在真空环境下动作。以下,具体说明各个结构。
在上述目标基板准备部200可形成目标(target)基板(TG)。根据一实施例,上述目标基板(TG)可以为金属、硅、聚合物、皮革、生物的毛、皮或可伸缩(stretchable)材质等。
上述第一目标基板移动部310可以移动在上述目标基板准备部200准备的上述目标基板TG。具体地,上述第一目标基板移动部310可从上述目标基板准备部200向后述的第一载物台140使上述目标基板移动TG。相反,上述第二目标基板移动部320可从后述的第一载物台140向后述的第二载物台150使上述目标基板移动TG。根据一实施例,上述载物台130可通过服马达(Servo motor)、空气(air)、液压、电方法等多种动力源移动。移动上述载物台130的动力的种类并未受限。
上述第一载物台140可从上述第一目标基板移动部310接收上述目标基板TG。即,上述目标基板TG可配置于上述第一载物台140。上述第一载物台140可向第一方向X轴、第二方向Y轴移动。在上述第一载物台140向上述第一方向及第二方向移动的情况下,上述目标基板TG也可以向上述第一方向及第二方向移动。
配置于上述第一载物台140上的上述目标基板TG通过上述第一载物台140移动,可通过后述的图案化模块400形成多个目标图案。形成有上述多个目标图案的上述目标基板TG可向上述第二载物台150移动。配置于上述第二载物台150的上述目标基板TG通过上述第二载物台150移动,可通过后述的穿孔模块500分割上述多个目标图案中的至少一个的图案。以下,更加具体说明图案化模块400及穿孔模块500。
图2为本发明实施例的图案化复合装置所包括的图案化模块的侧视图。图3为示出通过本发明实施例的图案化模块在目标基板形成目标图案的图。图4为示出通过本发明实施例的图案化模块形成多个目标图案的目标基板的图。图5至图7为示出通过本发明实施例的图案化模块在目标基板上的不同区域形成目标图案的工序的图。
参照图2及图3,上述图案化模块400可包括支撑部件410及机头420。上述支撑部件410可支撑上述机头420。上述机头420可以向第三方向Z轴进行直线往复移动。上述第三方向可以为与上述第一方向及第二方向垂直的方向。
在上述机头420的一端可安装主板430。具体地,上述主板430可通过碳(carbon)胶带安装于上述机头420的一端。与此不同,上述主板146可通过物理、化学方法等多种方法安装于上述机头144的一端。上述主板146的安装方法并不局限于此。根据一实施例,上述主板430的硬度(hardness)可以大于上述目标基板TG的硬度。
上述主板430可包括主图案430P。上述主图案430P可以为具有凹陷部及凸出部的凹凸形态。上述主图案430P的形态并不局限于此。根据一实施例,上述主板430可包括多个上述主图案430P。多个上述主图案430P的形状分别不同。与此不同,多个上述主图案430P的形状可以相同。
根据一实施例,上述主板430可以为由金属、聚合物、高分子自组装(self-assemble)形成的SiOx(X>0)。根据一实施例,上述主板430可呈多种形状。例如,上述主板430可呈三角形、四角形、五角星、圆形等的形状。上述主板430的形状并不局限于此。
根据一实施例,上述主板430可以被涂敷。例如,上述主板430可通过阳极氧化法(anodizing)涂敷。根据另一实施例,上述主板430在热处理之后可以被淬火(quenching)。由此,上述主板430的硬度可以得到提高。在此情况下,可轻松形成后述的目标图案TGP。并且,上述主板430的耐久性得到提高,从而,后述的目标图案TGP形成工序的可靠性得到提高。
上述机头420的一端可以与上述目标基板TG相向。由此,上述主板420可以与上述目标基板TG相向。并且,上述主图案430P也可以与上述目标基板TG相向。如上所述,上述图案化模块400所包括的上述机头420可以向上述第三方向(Z轴方向)进行直线往复运动。由此,上述主图案430P及上述目标基板TG可以接触或分离。
根据一实施例,在上述主图案430P及上述目标基板TG接触之前,可以向上述机头420及上述目标基板TG施加电压。在向上述机头420施加电压的情况下,配置于上述机头420的一端的上述主板430可以被带电(charged)。并且,上述目标基板TG也可以被带电。在上述主板430及上述目标基板TG带电的情况下,在上述主板430及上述目标基板TG可以轻松附着周围的灰尘。附着在上述主板430及上述目标基板TG的灰尘可以被去除。由此,可以预防在后述的目标图案TGP形成工序中介入灰尘而导致无法轻松形成目标图案TGP的情况。
在上述主板430所包括的上述主图案430P与上述目标基板TG相接触的情况下,上述图案化模块400可向上述目标基板TG施加压力。由此,在上述目标基板TG可形成目标图案TGP。根据一实施例,向上述目标基板TG施加的压力可以根据上述目标基板TG的物质种类进行控制。
上述目标图案TGP可具有上述主图案430P的逆像。具体地,上述目标图案TGP可包括凹陷部TGP1及凸出部TGP2,上述目标图案TGP的凹陷部TGP1可以与上述主图案430的凸出部430P2相对应。并且,上述目标图案TGP的凸出部TGP2可以与上述主图案430的凹陷部430P1相对应。根据一实施例,上述目标基板TG及上述主图案430P可以多次接触。在此情况下,当每次接触时,上述主图案430P可以与上述目标基板TG上的不同区域相接触。以下,参照图4至图7,说明在上述目标基板TG的不同区域形成上述目标图案TGP的工序。
参照图4至图7,上述目标基板TG可被分割成多个区域。例如,如图4所示,上述目标基板TG可被分割为第一区域TG1至第十二分割区域TG12。所区分的上述目标基板TG区域的形状及大小并未受到限制。
在上述第一区域TG1至第十二区域TG12可分别形成上述目标图案(未图示)。为此,上述主图案(未图示)与上述第一区域TG1至第十二区域TG12相接触。根据一实施例,为使上述主图案(未图示)与上述目标基板TG上的不同区域相接触,可以控制上述第一载物台140的移动。由此,可以控制向上述目标基板TG的上述第一方向及第二方向的移动。例如,如图6所示,在上述第一区域TG1形成上述目标图案(未图示)之后,上述目标基板TG向上述第一方向移动来与上述主图案(未图示)相接触。反复进行上述方法,可以在上述第二区域TG2至第四区域TG4形成上述目标图案(未图示)。在上述第四区域TG4形成上述目标图案(未图示)之后,上述目标基板TG向上述第一方向及第二方向移动,从而,在上述第五区域TG5上形成上述目标图案(未图示)。反复进行上述方法,如图7所示,在上述第一区域TG1至第十二区域TG12可形成上述目标图案(未图示)。
根据一实施例,在形成上述目标图案(未图示)之后,在上述目标基板TG移动之前,上述机头420可以旋转。由此,上述主图案(未图示)也可以旋转。由此,在上述第一区域TG1至上述第十二区域TG12可形成不同形状的目标图案。例如,在上述第一区域TG1可形成具有上述主图案的逆像的目标图案。与此不同,在上述第二区域TG2可形成旋转90°的上述主图案的逆像。
根据一实施例,如图4所示,上述目标基板TG可被区分为上述第一分割区域A1至第五分割区域A5。即,上述目标基板TG可包括通过上述第一分割区域A1至第五分割区域A5形成行及列并二维排列的第一目标图案至第十二目标图案(未图示)。
图8为示出本发明实施例的机头所包括的标记图案的图。图9及图10为示出通过本发明实施例的机头所包括的标记图案在目标基板上形成的对准图案的图。
参照图8至图11,上述实施例的机头420还可包括标记图案(marking pattern,MP)。上述标记图案MP可配置于上述机头420的一端并可包围上述主图案430。例如,如图8所示,在上述机头420一端的中心部分配置上述主图案430,在上述机头420一端的外围部分可配置上述标记图案MP。
在上述主图案(未图示)及上述目标基板TG相接触的情况下,上述标记图案MP也可以与上述目标基板TG相接触。在上述标记图案(未图示)与上述目标基板TG相接触的情况下,在上述目标基板TG可形成对准图案(align pattern,AP)。上述对准图案AP可区分上述目标基板TG所包括的上述第一区域TG1至第十二区域TG12。结果,可通过上述对准图案AP轻松区分在上述第一区域TG1至第十二区域TG12分别形成的上述目标图案。
根据一实施例,上述对准图案AP的等级L2可以低于上述目标图案的等级L1。即,如图9所示,从上述目标基板TG的下部面至上述对准图案AP的高度可以小于从上述目标基板TG的下部面至第一目标图案TGP1的高度。并且,上述对准图案AP可以包围上述目标图案的周围。由此,如图10所示,目标基板TG可以在相邻的目标区域之间形成基于上述对准图案AP的槽GV(groove)。结果,在上述第一分割区域A1至第五分割区域A5可形成基于上述对准图案AP的槽GV。
图11为示出配置于第一载物台的目标基板向第二载物台移动的图。图12为示出本发明实施例的图案化复合装置所包括的穿孔模块的图。图13及图14为示出本发明实施例的穿孔模块所包括的穿孔模具的图。图15至图17为示出通过本发明实施例的穿孔模块的穿孔工序的图。图18及图19为示出执行穿孔工序的目标基板的图。
参照图11,通过上述图案化模块400形成上述多个目标图案的上述目标基板TG可通过上述第二目标基板移动部320从上述第一载物台140向上述第二载物台150移动。上述第二载物台140可以向上述第一方向及第二方向移动。由此,配置于上述第二载物台150的上述目标基板TG可通过上述穿孔模块500分割上述多个目标图案中的至少一个图案。以下,更加具体说明基于上述穿孔模块500及上述穿孔模块500的图案分割工序。
参照图12,上述穿孔模块500可包括支撑部件510、活塞520及穿孔模具530。上述支撑部件510及上述活塞520可以向上述第三方向延伸。上述活塞520与上述支撑部件510的一端相结合并被上述支撑部件510支撑。并且,上述活塞520可以向上述第三方向进行直线往复运动。上述穿孔模具530可以与上述活塞520的一端相结合。由此,在上述活塞520向上述第三方向进行直线往复运动的情况下,上述穿孔模具530也可以向上述第三方向进行直线往复运动。以下,参照图13及图14,更加具体说明上述穿孔模具530。
上述穿孔模具530可包括多个凹陷图案(sink pattern)。例如,如图13所示,上述穿孔模具530可包括第一凹陷图案SP1至第十二凹陷图案SP12。根据一实施例,在上述多个凹陷图案中的相邻的凹陷图案可以分别隔开配置。由此,如图14所示,上述穿孔模具530可包括上述第一切割部O1至第五切割部O5。即,上述第一切割部O1至第五切割部O5为相互隔开的凹陷图案之间的区域,是相比于上述第一凹陷图案SP1至第十二凹陷图案SP12突出的区域。结果,上述穿孔模具530可包括通过上述第一切割部O1至第五切割部O5形成行及列并二维排列的第一凹陷图案SP1至第十二凹陷图案SP12。
根据一实施例,上述第一切割部O1至第五切割部O5及上述第一凹陷图案SP1至第十二凹陷图案SP12可配置于上述穿孔模具530的一面。上述穿孔模具530的一面可以与上述第二载物台150相向。由此,在上述目标图案TG通过上述第二载物台150移动的情况下,上述穿孔模具530的一面与上述目标基板TG可以相向。
参照图15至图19,上述目标基板TG可通过上述第二载物台150移动来与上述穿孔模具530相向。在此情况下,上述穿孔模具530所包括的上述第一凹陷图案SP1至上述第十二凹陷图案SP12分别与上述目标基板TG所包括的第一目标区域TG1至第十二目标区域TG12相向。
在以使上述目标基板TG及上述穿孔模具530相向的方式配置之后,上述穿孔模具530可向上述第三方向移动。由此,上述穿孔模具530及上述目标基板TG可以接触。在上述穿孔模具530及上述目标基板TG接触之后,上述穿孔模具530可向上述目标基板TG施加压力。向上述目标基板TG施加的压力可根据上述目标基板TG的物质种类控制。
根据一实施例,在上述穿孔模具530及上述目标基板TG相接触的情况下,如图17所示,上述第一切割部O1至第五切割部O5分别可以与上述第一分割区域A1至第五分割区域A5相接触。由此,上述第一切割部O1至第五切割部O5可分别向上述第一分割区域A1至第五分割区域A5施加压力。在此情况下,向上述第一分割区域A1至第五分割区域A5施加的压力的大小可以相同。
在通过上述穿孔模具530向上述目标基板TG施加压力的情况下,可以分割上述目标基板TG所包括的多个目标区域中的至少一个区域。例如,如上所述,在通过上述第一切割部O1至第五切割部O5向上述第一分割区域A1至第五分割区域A5施加压力的情况下,如图18所示,上述目标基板TG可分别分割成上述第一目标区域TG1至第十二目标区域TG12。结果,配置于第一目标区域TG1至第十二目标区域TG12的上述第一目标图案至第十二目标图案(未图示)可以个别分割。
根据一实施例,可以控制通过上述穿孔模具530向上述目标基板TG提供的压力的大小。具体地,向上述目标基板TG提供小于上述多个目标区域分割的必要基准压力的压力。在此情况下,上述多个目标区域可以不被分割。只是,在上述多个目标区域之间可形成槽GV。例如,如图11所示,在上述第一目标区域TG1及上述第二目标区域TG2可形成槽GV。
本发明实施例的图案化复合装置包括:上述图案化模块400,安装包括与上述目标基板TG接触或分离的上述主图案TGP的上述主板430,向上述目标基板TG施加压力来在上述目标基板TG形成具有上述主图案TGP的逆像的上述多个目标图案TGP;以及上述穿孔模块500,包括上述穿孔模具530,上述穿孔模具530与形成有上述多个目标图案TGP的上述目标基板TG接触或分离,向上述目标基板TG施加压力来分割上述多个目标图案TGP中的至少一个。由此,可以在多种基板形成具有多种大小及形状的多个图案。并且,所制作的多个图案可通过简单的工序轻松分离。
并且,在说明本发明实施例的图案化复合装置的过程中,首先通过上述图案化模块400形成图案之后,分割通过上述穿孔模块500形成的图案。但是,与此不同,先通过上述穿孔模块500分割上述目标基板TG之后,可在通过上述图案化模块400分离的目标基板TG形成图案。即,上述图案形成工序和穿孔工序的顺序并不局限于此。
以上,说明本发明实施例的图案化复合装置。以下,说明上述实施例的图案化复合装置所包括的图案化模块400及穿孔模块500的多种变形例。
第一变形例的图案化复合装置
图20为示出本发明的第一变形例的图案化复合装置所包括的图案化模块的图。
参照图20,与上述实施例的图案化复合装置相比,除上述图案化模块400之外,本发明第一实施例的图案化复合装置可以相同。由此,将省略对于相同结构的具体说明。
上述第一变形例的图案化复合装置所包括的上述图案化模块400可包括支撑部件(未图示)、机头420及光源L。并且,如图20所示,上述机头420可包括凹陷区域SA。具体地,上述凹陷区域SA可配置于上述机头420中直径变窄的倾斜区间。
根据一实施例,上述光源L可配置于上述凹陷区域SA的内部。例如,上述光源L可以为紫外线UV照射装置。从上述光源L照射的紫外线UV可向上述目标基板TG提供。在此情况下,上述凹陷区域SA起到限制紫外线所照射的目标基板TG的区域的引导件(guide)的作用。即,从上述光源L照射的紫外线可以被上述凹陷区域SA引导并向上述目标基板TG上的特定区域提供。具体地,通过上述凹陷区域SA引导的紫外线可向与上述主板430相接触的上述目标基板TG的一区域提供。
具体地,如参照图5至图7说明,在上述主板430与上述目标基板TG上的上述第一区域TG1至第十二区域TG12依次接触的情况下,上述紫外线也可以依次向上述第一区域TG1至第十二区域TG12提供。上述紫外线可以使上述目标基板TG硬化。结果,形成于上述第一区域TG1至第十二区域TG12的上述目标图案TGP可以依次硬化。
在形成于上述第一区域TG1至第十二区域TG12的上述目标图案TGP依次硬化的情况下,上述目标图案TGP的形成可靠性将可以提高。具体地,在形成于上述第一区域TG1的上述目标图案TGP硬化的状态下,在上述第二区域TG2形成上述目标图案TGP的情况下,随着形成于上述第一区域TG1的上述目标图案TGP具有高的硬度,可以轻松承受向与上述第一区域TG1相邻的上述第二区域TG2施加的压力。
即,基于上述第一变形例的图案化模块400在上述目标基板TG上的特定区域形成上述目标图案TGP之后,通过紫外线使所形成的目标图案TGP硬化。由此,在上述目标基板TG形成多个目标图案TGP的期间内,防止预先形成的目标图案TGP的损伤来提高目标图案形成的可靠性。
第二变形例的图案化复合装置
图21为示出本发明第二变形例的图案化复合装置所包括的图案化模块的侧视图的图。图22为示出本发明第二变形例的图案化复合装置所包括的图案化模块的立体图的图。
参照图21及图22,与上述实施例的图案化复合装置相比,除上述图案化模块400之外,本发明第二变形例的图案化复合装置可以相同。由此,将省略对于相同结构的具体说明。
上述第二变形例的图案化模块400可包括支撑部件410、机头420、桥接器B及光源L。根据一实施例,上述桥接器B可以与上述机头420的一侧相连接。上述光源L可配置于上述桥接器B的一端。即,在上述桥接器B的一端配置上述光源L,上述桥接器B的另一端可以与上述机头420的一侧相连接。上述光源L可以为激光照射装置。
从上述光源L照射的激光可向上述目标基板TG上的特定区域提供。具体地,如参照图20说明的上述第一变形例的图案化模块所包括的光源L,可以向形成有上述目标图案TGP的特定区域提供激光。上述激光也可以使上述目标图案TGP硬化。
结果,上述第二变形例的图案化装置也在上述目标基板TG上的特定区域形成上述目标图案TGP之后,可通过激光使所形成的目标图案TGP硬化。由此,在上述目标基板TG形成多个目标图案TGP的期间内,防止预先形成的目标图案TGP的损伤来提高目标图案形成的可靠性。
根据一实施例,上述桥接器B可以控制角度。并且,上述机头420的旋转也可以被控制。由此,通过上述光源照射的上述激光可以轻松照射上述目标图案TGP的特定区域。
根据一实施例,从上述光源L照射的激光可向上述多个目标区域的边界面提供。由此,上述目标基板TG可以分割。即,通过上述图案化模块400形成目标图案的上述目标基板不经过上述穿孔模块500,而是可通过上述光源L分割。
第三变形例的图案化复合装置
与上述实施例的图案化复合装置相比,除上述图案化模块400之外,本发明第三变形例的图案化复合装置可以相同。由此,将省略对于相同结构的具体说明。
上述第三变形例的图案化模块可包括支撑部件(未图示)、机头(未图示)及线圈(coil,未图示)。即,与上述实施例的图案化模块相比,还可包括线圈。
根据一实施例,上述线圈可配置于上述机头外周面的一区域。具体地,在配置上述主板的上述机头的一端周围可配置上述线圈。根据另一实施例,上述线圈可配置于上述机头内部的一区域。具体地,在配置上述主板的上述机头的一端内部附近的区域可配置上述线圈。
上述线圈可对上述机头的一端进行热处理。在上述机头的一端被热处理的情况下,配置于上述机头的一端的上述主板也将被热处理。哟次,在主板被热处理的状态下,可形成上述目标图案。在此情况下,与对上述主板不进行热处理的状态下形成上述目标图案的情况相比,上述目标图案的形成效果将可以提供。
第四变形例的图案化复合装置
本发明第四变形例的图案化复合装置可以与与上述实施例的图案化复合装置的各个结构相同。由此,将省略对相同结构的具体说明。
在上述第四变形例的图案化复合装置所包括的图案化模块中,在上述主板(未图示)及上述目标基板(未图示)相接触的状态下,可以在上述主板及上述目标基板形成电位差。具体地,例如,在上述主板及上述目标基板相接触的状态下,可向上述主板施加+电压。在此情况下,在与施加+电压的上述主板相接触的上述目标基板可发生极化(polarization)现象。具体地,与上述主板相接触的目标图案部分可以带-电,与上述目标图案相向的上述目标基板的下部部分带+电。
结果,可制作包括上述目标图案且被极化处理的上述目标基板。包括上述目标图案且被极化处理的上述目标基板可被用于压电材料。即,上述第四变形例的图案化模块可通过在上述主板及上述目标基板相接触的状态下,向上述主板施加电压来在上述主板及上述目标基板发生电位差的简单方法轻松制作被用成压电材料的目标基板。
第五变形例的图案化复合装置
图23及图24为示出本发明第五变形例的图案化复合装置所包括的穿孔模具的图。图25为示出通过本发明第五变形例的图案化复合装置所包括的穿孔模块的穿孔工序的图。
参照图23至图25,与上述实施例的图案化复合装置相比,除上述穿孔模块500之外,本发明第五变形例的图案化复合装置可以相同。由此,将省略对于相同结构的具体说明。并且,上述第五变形例的穿孔模块500还可包括与上述目标基板TG相连接的电压计V及与上述穿孔模具530相连接的传感器S。上述传感器S可以检测电流的流动。以下,以目标基板及穿孔模为中心,具体说明上述第五变形例的冲孔装置。
上述穿孔模具530还可包含绝缘物质(insulation material,IM)。根据一实施例,上述绝缘物质IM可配置于在上述穿孔模具530中除上述多个凹陷图案之外的区域。即,上述绝缘物质IM可配置于上述第一切割部O1至第五切割部O5及上述穿孔模具530的外围区域。
在上述穿孔模具530及上述目标基板TG相接触的情况下,上述第一切割部O1至第五切割部O5可向形成于上述第一分割区域A1至第五分割区域A5的槽内插入。以下,举例说明上述第一切割部O1至第三切割部O3向形成于上述第一分割区域A1至第三分割区域A3的槽内插入的情况。
根据一实施例,形成于上述第一分割区域A1至第三分割区域A3的槽的宽度W1可以大于上述第一切割部O1至第三切割部O3的宽度W2。由此,在上述第一切割部O1至第三切割部O3向形成于上述第一分割区域A1至第三分割区域A3的槽内插入的情况下,上述第一切割部O1至第三切割部O3的侧壁不与上述目标基板相接触。
并且,从上述凹陷图案至上述绝缘物质IM的距离d1可以大于从上述对准图案AP的下部面至上述目标基板TG的上部面的距离d2。由此,在上述第一切割部O1至第三切割部O3向形成于上述第一分割区域A1至第三分割区域A3的槽GV内插入的情况下,上述凹陷图案不会与上述目标基板TG相接触。结果,上述目标基板TG可通过上述绝缘物质IM与上述穿孔模具530相接触。
如上所述,在上述目标基板TG通过上述绝缘物质IM与上述穿孔模具530相接触的情况下,在上述目标基板TG及上述绝缘物质IM之间不会导电。由此,在上述目标基板TG及上述穿孔模具530相接触的状态下,在通过上述电压计V施加电压的情况下,上述传感器S不会检测到电流的流动。结果,在上述目标基板TG及上述穿孔模具530相接触的状态下,向上述目标基板TG施加电压之后,在上述传感器S中无法检测到电流的流动的情况下,可以判断为上述目标基板TG及上述穿孔模具530的整列正确。
与此不同,在上述目标基板TG及上述穿孔模具530的整列不正确的情况下,在上述第一切割部O1至第三切割部O3向形成于上述第一分割区域A1至第三分割区域A3的槽GV内插入的情况下,上述第一切割部O1至第三切割部O3侧壁可以与上述目标基板TG相接触。由此,在上述目标基板TG及上述穿孔模具530之间可以导电。结果,在上述目标基板TG及上述穿孔模具530相接触的状态下,向上述目标基板TG施加电压之后,在上述传感器S检测到电流的流动的情况下,可以判断为上述目标基板TG及上述穿孔模具530的整列并不正确。在此情况下,在上述目标基板TG及上述穿孔模具530之间以并未检测到电流的流动的状态再次进行整列之后,可以执行目标图案分割工序。
即,本发明的第五变形例的冲孔装置中,在上述目标基板TG及上述穿孔模具530接触之后,向上述目标基板TG或上述穿孔模具530中的一个施加电压,测定上述目标基板TG及上述穿孔模具530之间流动的电流来确认上述目标基板TG及上述穿孔模具530之间的整列。由此,在上述目标图案分割过程中,上述目标图案的损伤率可以减少。
第六变形例的图案化复合装置
图26至图28为示出本发明第六变形例的图案化复合装置所包括的穿孔模具的图。图29为示出通过本发明第六变形例的图案化复合装置所包括的穿孔模块的穿孔工序的图。图30为说明本发明第六变形例的图案化复合装置所包括的穿孔模块的动作过程中整列错误的情况的图。
参照图26至图29,与上述实施例的图案化复合装置相比,除上述穿孔模块500之外,本发明第六变形例的图案化复合装置可以相同。由此,将省略对相同结构的具体说明。并且,上述第六变形例的冲孔装置还包括的与上述目标基板TG相连接的电压计V。以下,以穿孔模具为中心,具体说明上述第二变形例的冲孔装置。
上述穿孔模具530可包括多个框架。根据一实施例,上述穿孔模具530可包括第1-1框架530a1、第1-2框架530a2、第2-1框架530b1、第2-2框架530b2、第2-3框架530b3及外围框架530c。上述第1-1框架530a1及上述第1-2框架530a2可以沿着第一方向X轴延伸。上述第1-1框架530a1及上述第1-2框架530a2相互隔开来与上述外围框架530c相结合。
上述第1-1框架530a1及上述第1-2框架530a2可分别包括多个结合区域CA。例如,上述第1-1框架530a1可包括第1-1结合区域CA1、第1-2结合区域CA2及第1-3结合区域CA3。在上述第1-1框架530a1中,第1-1结合区域CA1、第1-2结合区域CA2及第1-3结合区域CA3可以相互隔开配置。上述第1-2框架530a2可包括第2-1结合区域CA4、第2-2结合区域CA5及第2-3结合区域CA6。上述第2-1结合区域CA4、第2-2结合区域CA5及第2-3结合区域CA6可以相互隔开配置。
上述第2-1框架530b1、上述第2-2框架530b2及上述第2-3框架530b3可以沿着第二Y轴延伸。上述第二方向可以为与上述第一方向相垂直的方向。上述第2-1框架530b1、上述第2-2框架530b2及上述第2-3框架530b3可分别与上述第1-1框架530a1所包括的上述多个结合区域CA1、CA2、CA3相结合。并且,上述第2-1框架530b1、上述第2-2框架530b2及上述第2-3框架530b3可分别与上述第1-2框架530a2所包括的上述多个结合区域CA4、CA5、CA6相结合。
具体地,上述第2-1框架530b1可通过上述第1-1结合区域CA1及上述第2-1结合区域CA4与上述第1-1框架530a1及第1-2框架530a2相结合。上述第2-3框架530b3可通过上述第1-3结合区域CA3及上述第2-3结合区域CA6与上述第1-1框架530a1及第1-2框架530a2相结合。
根据一实施例,在上述第1-1结合区域CA1至第1-3结合区域CA3及上述第2-1结合区域CA4至第2-3结合区域CA6的内部可配置绝缘物质。由此,上述第2-1框架530b1至第2-3框架530b3及上述第1-1框架530a1、第1-2框架530a2可以相互绝缘。并且,上述第2-1框架530b1至第2-3框架530b3可以分别绝缘。并且,上述第1-1框架530a1及上述第1-2框架530a2可以相互绝缘。即,上述第1-1框架530a1、上述第1-2框架530a2、上述第2-1框架530b1、上述第2-2框架530b2及上述第2-3框架530b3可以分别导电。
根据一实施例,上述第1-1框架530a1,、上述第1-2框架530a2、上述第2-1框架530b1、上述第2-2框架530b2及上述第2-3框架530b3可以分别与第一传感器S1至第五传感器S5相连接。上述第一传感器S1至第五传感器S5可以检测在上述第1-2框架530a2、上述第2-1框架530b1、上述第2-2框架530b2及上述第2-3框架530b3流动的电流。
在上述目标基板TG及上述穿孔模具530相接触的情况下,向形成于上述第一分割区域A1至第五分割区域A5的才GV内可分别插入上述第2-1框架530b1、上述第2-2框架530b2、上述第2-3框架530b3、上述第1-1框架530a1及上述第1-2框架530a2。以下,举例说明向形成于上述第一分割区域A1至第三分割区域A3的槽GV插入上述第2-1框架530b1、上述第2-2框架530b2及上述第2-3框架530b3的情况。
根据一实施例,形成于上述第一分割区域A1至第三分割区域A3的槽的宽度W1可以大于上述第2-1框架530b1、上述第2-2框架530b2、及上述第2-3框架530b3的宽度W2。由此,在上述第2-1框架530b1、上述第2-2框架530b2及上述第2-3框架530b3向形成于上述第一分割区域A1至第三分割区域A3的槽的内部插入的情况下,上述第2-1框架530b1、上述第2-2框架530b2及上述第2-3框架530b3的侧壁不会与上述目标基板TG相接触。
根据一实施例,在上述目标基板TG及上述穿孔模具530接触之前,可执行上述目标基板TG及上述穿孔模具530之间的整列确认工序。具体地,在上述目标基板TG及上述穿孔模具530接触之前,可向形成于上述第一分割区域A1至第三分割区域A3的槽GV插入上述第2-1框架530b1、上述第2-2框架530b2及上述第2-3框架530b3的一部分。即,可插入至上述第2-1框架530b1、上述第2-2框架530b2及上述第2-3框架530b3的一端与在上述第一分割区域A1至第三分割区域A3形成的槽GV的下部面相接触之前的状态。
在此状态下,在通过上述电压计V向上述目标基板TG施加电压的情况下,随着上述目标基板TG与上述穿孔模具530并不接触,上述第一传感器S1至第三传感器S3无法检测到电流的流动。结果,在形成于上述第一分割区域A1至第三分割区域A3的槽GV的内部插入上述第2-1框架530b1、上述第2-2框架530b2及上述第2-3框架530b3的一部分的状态下,向上述目标基板TG施加电压之后,在上述第一传感器S1至第三传感器S3无法检测到电流的流动的情况下,可以判断为上述目标基板TG及上述穿孔模具530的整列正确。
与此不同,参照图30,上述目标基板TG所包括的上述目标图案及上述对准图案可形成于与上述目标图案及对准图案不同的区域。例如,如图30所示,与图29所示的上述第一目标图案TGP1及上述第一目标图案TGP1周围的对准图案AP相比,上述第一目标图案TGP1及上述第一目标图案TGP1周围的对准图案AP可形成于不同的区域。具体地,上述第一目标图案TGP1及上述第一目标图案TGP1可向上述第二目标图案TGP2方向移动。
在此情况下,在上述第2-1框架530b1、上述第2-2框架530b2及上述第2-3框架530b3的一部分向形成于上述第一分割区域A1至第三分割区域A3的槽GV内插入的过程中,上述第2-1框架530b1的侧壁可以与上述目标基板TG相接触。由此,在上述目标基板TG及上述第2-1框架530b1之间可以导电。结果,在上述第2-1框架530b1的向形成于上述第一分割区域A1的槽GV内插入的状态下,向上述目标基板TG施加电压之后,在通过上述第一传感器S1检测到电流的流动的情况下,可以判断为上述目标基板TG与上述第2-1框架530b1之间的整列并不正确。并且,在上述第2-1框架530b1周边的目标图案中的一个目标图案的形成过程中,可以判断为发生错误。
不仅如此,如上所述,上述第1-1框架530a1、上述第1-2框架530a2、上述第2-1框架530b1、上述第2-2框架530b2及上述第2-3框架530b3可以分别导电。由此,通过上述第一传感器S1至第五传感器S5,分别在上述第1-1框架530a1、上述第1-2框架530a2、上述第2-1框架530b1、上述第2-2框架530b2及上述第2-3框架530b3检测到电流的流动。结果,可以确认上述第1-1框架530a1、上述第1-2框架530a2、上述第2-1框架530b1、上述第2-2框架530b2及上述第2-3框架530b3中的整列及周围目标图案的错误。由此,在图案分割过程中,可以更加准确地把握整列错误的位置。
第七变形例的图案化复合装置
图31为示出本发明第七变形例的穿孔模块所包括的穿孔模具的图。图32为示出通过本发明第七变形例的冲孔装置穿孔的目标基板的图。
参照图31及图32,与上述实施例的图案化复合装置相比,除上述穿孔模块500之外,本发明第七变形例的图案化复合装置可以相同。由此,将省略对于相同结构的具体说明。
上述穿孔模具530包括多个凹陷图案,在各个凹陷团之间可形成槽。例如,如图31所示,在第一凹陷图案SP1及第二凹陷图案SP2之间可形成槽。并且,在上述第一凹陷图案SP1及第五凹陷图案SP5之间可形成槽。
由此,在通过上述穿孔模具530对目标基板TG进行穿孔的情况下,上述目标基板TG所包括的多个目标区域TG1-TG12被分割,且在各个目标区域之间可形成桥接器b。即,多个目标区域TG1-TG12被分割,且相邻的目标区域可通过上述桥接器b相连接。
第八变形例的图案化复合装置
图33为示出本发明第八变形例的穿孔模块所包括的穿孔模具的图。图34及图35为示出通过本发明第八变形例的冲孔装置穿孔的目标基板的图。
参照图33至图35,上述穿孔模具530包括多个凹陷图案,形成于凹陷图案之间的切割部(未图示)的等级可以不相同。例如,如图33所示,第一凹陷图案SP1、第二凹陷图案SP2、第三凹陷图案SP3、第五凹陷图案SP5、第六凹陷图案SP6及第七凹陷图案SP7周围的切割部等级有可能低于第四凹陷图案SP4、第八凹陷图案SP8、第九凹陷图案SP9、第十凹陷图案SP10、第十一凹陷图案SP11及第十二凹陷图案SP12的等级。
由此,在通过上述穿孔模具530对上述目标基板TG进行穿孔的情况下,上述目标基板TG所包括的多个目标区域TG1~TG12中的一个区域被分割,除一区域之外的其他区域未被分割。例如,如图34所示,第一目标区域TG1、第二目标区域TG3、第五目标区域TG5、第六目标区域TG6及第七目标区域TG7未被分割。相反,第四目标区域TG4、第八目标区域TG8、第九目标区域TG9、第十目标区域TG10、第十一目标区域TG11及第十二目标区域TG12被分割。
根据一实施例,上述穿孔模具可以旋转。例如,在图32中说明的穿孔模具旋转180°的状态下,在对上述目标基板TG进行穿孔的情况下,如图35所示,第六目标区域TG6至第八目标区域TG8及第十目标区域TG10至第十二目标区域TG12不会分割。相反,第一目标区域TG1至第四目标区域TG4、第五目标区域目标区域TG5及第九目标区域TG9可以分割。
第九变形例的图案化复合装置
图36为示出本发明第九变形例的穿孔模块所包括的穿孔模具的图。图37为示出通过本发明第九变形例的冲孔装置穿孔的目标基板的图。
参照图36及图37,上述穿孔模具530可包括多个凹陷图案,各个凹陷图案可包括子桥接器(未图示)。在上述穿孔模具530及上述目标图案TG接触的情况下,上述子桥接器(未图示)也可以与上述目标图案TG相接触。由此,上述子桥接器(未图示)可向多个目标区域TG1~TG12提供压力。由此,各个目标区域TG1~TG12可以再次分割。例如,如图37所示,上述目标基板TG可通过上述穿孔模具530的切割部分割成第一目标区域TG1至第十二目标区域TG12之后,各个目标区域TG1~TG12可通过上述子桥接器(未图示)再次分割。
以上,通过优选地实施例详细说明了本发明,本发明的范围并不局限于特定实施例,而是通过附加的发明要求保护范围解释。并且,只要是本发明所属技术领域的普通技术人员,在不超出本发明的范围的情况下,可以进行多种修改及变形。
Claims (14)
1.一种图案化复合装置,其特征在于,包括:
图案化模块,安装有包括与目标基板接触或分离的主图案的主板,向上述目标基板施加压力来在上述目标基板上形成具有上述主图案的逆像的多个目标图案;以及
穿孔模块,包括与形成有上述多个目标图案的上述目标基板接触或分离的穿孔模具,向上述目标基板施加压力来分割上述多个目标图案中的至少一个。
2.根据权利要求1所述的图案化复合装置,其特征在于,
上述目标基板及上述主图案多次接触,
当每次接触时,使得上述主图案与上述目标基板上的不同区域相接触。
3.根据权利要求1所述的图案化复合装置,其特征在于,
形成有上述多个目标图案的上述目标基板包括沿着第一方向延伸的第一分割区域及沿着与第一方向不同的第二方向延伸的第二分割区域,
上述多个目标图案通过上述第一分割区域及上述第二分割区域形成行及列并二维排列。
4.根据权利要求3所述的图案化复合装置,其特征在于,
上述穿孔模具包括沿着上述第一方向延伸的第一切割部及沿着上述第二方向延伸的第二切割部,
包括通过上述第一切割部及第二切割部形成行及列并二维排列的多个凹陷图案。
5.根据权利要求4所述的图案化复合装置,其特征在于,在形成有上述多个目标图案的上述目标基板与上述穿孔模具相接触的情况下,上述第一分割区域及上述第一切割部相向,上述第二分割区域及上述第二切割部相向。
6.根据权利要求1所述的图案化复合装置,其特征在于,还包括沿着第一方向及形成与上述第一方向相垂直的方向的第二方向移动并配置上述目标基板的载物台。
7.根据权利要求6所述的图案化复合装置,其特征在于,根据上述载物台的移动,上述目标基板沿着上述第一方向及第二方向移动。
8.根据权利要求6所述的图案化复合装置,其特征在于,上述载物台包括:
第一载物台,为了形成上述多个目标图案而使上述目标基板移动;以及
第二载物台,为了分割上述多个目标图案中的至少一个而使上述目标基板移动。
9.根据权利要求1所述的图案化复合装置,其特征在于,上述主图案的硬度大于上述目标基板的硬度。
10.一种图案化复合装置的动作方法,其特征在于,包括:
在载物台上准备目标基板的步骤;
以使包括主图案的主板与上述目标基板相向的方式使上述载物台移动的步骤;
使上述主板及上述目标基板相接触并施加压力来在上述目标基板上形成具有上述主图案的逆像的多个目标图案的步骤;
以使形成有上述多个目标图案的上述目标基板与穿孔模具相向的方式使上述载物台移动的步骤;以及
上述穿孔模具朝向上述载物台移动来使上述穿孔模具及上述目标基板相接触并通过施加压力来分割上述目标基板所包括的多个目标图案中的至少一个的步骤。
11.根据权利要求10所述的图案化复合装置的动作方法,其特征在于,
形成上述多个目标图案的步骤包括:
使上述目标基板的一区域及上述主板相接触并施加压力来在上述目标基板的一区域形成具有上述主图案的逆像的上述目标图案的步骤;以及
分离上述目标基板及上述主板的步骤,
形成上述目标图案的步骤及分离上述基板的步骤反复执行多次,
在反复执行的过程中,每次执行时,使得上述主板与上述目标基板上的不同区域相接触。
12.根据权利要求11所述的图案化复合装置的动作方法,其特征在于,上述多个目标图案由行及列形成并二维排列。
13.根据权利要求10所述的图案化复合装置的动作方法,其特征在于,在以使形成有上述多个目标图案的上述目标基板与穿孔模具相向的方式使上述载物台移动的步骤中,
上述目标基板所包括的第一目标图案及第二目标图案与上述穿孔模具所包括的第一凹陷图案与第二凹陷图案相向,
上述第一目标图案及第二目标图案之间的第一分割区域与上述第一凹陷图案与第二凹陷图案之间的第一切割部相向。
14.根据权利要求13所述的图案化复合装置的动作方法,其特征在于,在分割上述多个目标图案中的至少一个的步骤中,通过上述第一切割部向上述第一分割区域施加压力,来分别分割上述第一目标图案及第二目标图案。
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110120282A1 (en) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | John Benker | Thermoforming Apparatus And Method |
US20110272382A1 (en) * | 2008-06-18 | 2011-11-10 | Nikon Corporation | Template manufacturing method, template inspecting method and inspecting apparatus, nanoimprint apparatus, nanoimprint system, and device manufacturing method |
JP2016018824A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-01 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP2017022243A (ja) * | 2015-07-09 | 2017-01-26 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
JP2017213654A (ja) * | 2016-06-01 | 2017-12-07 | 株式会社黒岩 | 打ち抜き型 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS54138162A (en) | 1978-04-17 | 1979-10-26 | Fuji System | Direct freeze dried coffee |
JP2003080514A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-19 | Noritake Co Ltd | プレス金型およびセラミック基板製造方法 |
FI20055022A (fi) * | 2005-01-17 | 2006-07-18 | Avantone Oy | Menetelmä ja laitteisto stanssauksessa sekä stanssauskone |
US20070138699A1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-06-21 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
JP5427389B2 (ja) * | 2007-10-19 | 2014-02-26 | 昭和電工株式会社 | 樹脂スタンパの製造方法及び製造装置とインプリント方法 |
KR101000715B1 (ko) | 2008-09-03 | 2010-12-10 | 연세대학교 산학협력단 | 전기수력학적 분무방식의 미세 전도성라인 패터닝 장치 및이를 이용한 패터닝 방법 |
JP5456290B2 (ja) * | 2008-09-18 | 2014-03-26 | スタンレー電気株式会社 | 結像素子の作成方法 |
TW201410428A (zh) | 2012-03-30 | 2014-03-16 | Konica Minolta Advanced Layers | 捲筒狀模具、以及捲筒狀模具及其元件的製造方法 |
-
2019
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- 2019-07-18 US US16/515,658 patent/US11073759B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110272382A1 (en) * | 2008-06-18 | 2011-11-10 | Nikon Corporation | Template manufacturing method, template inspecting method and inspecting apparatus, nanoimprint apparatus, nanoimprint system, and device manufacturing method |
US20110120282A1 (en) * | 2009-11-20 | 2011-05-26 | John Benker | Thermoforming Apparatus And Method |
JP2016018824A (ja) * | 2014-07-04 | 2016-02-01 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP2017022243A (ja) * | 2015-07-09 | 2017-01-26 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法及び物品の製造方法 |
JP2017213654A (ja) * | 2016-06-01 | 2017-12-07 | 株式会社黒岩 | 打ち抜き型 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200371433A1 (en) | 2020-11-26 |
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KR102291288B1 (ko) | 2021-08-20 |
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