JP2006224293A - ナノ板を用いたナノ部品、その製造方法及びナノ機械の製作方法 - Google Patents
ナノ板を用いたナノ部品、その製造方法及びナノ機械の製作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006224293A JP2006224293A JP2005309882A JP2005309882A JP2006224293A JP 2006224293 A JP2006224293 A JP 2006224293A JP 2005309882 A JP2005309882 A JP 2005309882A JP 2005309882 A JP2005309882 A JP 2005309882A JP 2006224293 A JP2006224293 A JP 2006224293A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nanoplate
- nano
- manufacturing
- nanocomponent
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
- B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
- B81C99/0075—Manufacture of substrate-free structures
- B81C99/0095—Aspects relating to the manufacture of substrate-free structures, not covered by groups B81C99/008 - B81C99/009
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/03—Microengines and actuators
- B81B2201/035—Microgears
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
- B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
- B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
- B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
- B81C2201/0128—Processes for removing material
- B81C2201/0143—Focussed beam, i.e. laser, ion or e-beam
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y5/00—Nanobiotechnology or nanomedicine, e.g. protein engineering or drug delivery
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/882—Assembling of separate components, e.g. by attaching
- Y10S977/883—Fluidic self-assembly, FSA
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/888—Shaping or removal of materials, e.g. etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
【課題】本発明はナノ部品及びそれによるナノ部品、並びにナノ機械などの製作方法に関するものである。
【解決手段】より詳細にはフォトリソグラフィーまたは電子ビームリソグラフィーを用いて基板上にグリッドを印刷し、グリッドの部位にナノ板水溶液を噴射してナノ板を位置させ、基板及びその基板上に位置したナノ板の上部に一定の厚さの保護膜を蒸着し、集束イオンビームまたは電子ビームリソグラフィーを用いて保護膜が蒸着されたナノ板を食刻した後、保護膜除去剤を使用して残余保護膜を除去することにより、ナノ部品を製造する方法及び、さらにこのようなナノ部品をナノ探針により移動及び組立てることにより、ナノ機械またはナノ構造体などを製作する方法に関するものである。本発明は優れた材質のナノ部品を安価で比較的簡単に製造する方法及びこのようなナノ部品や生体分子などを結合してナノ機械などを具現する方法を提供する。
【選択図】 図1
【解決手段】より詳細にはフォトリソグラフィーまたは電子ビームリソグラフィーを用いて基板上にグリッドを印刷し、グリッドの部位にナノ板水溶液を噴射してナノ板を位置させ、基板及びその基板上に位置したナノ板の上部に一定の厚さの保護膜を蒸着し、集束イオンビームまたは電子ビームリソグラフィーを用いて保護膜が蒸着されたナノ板を食刻した後、保護膜除去剤を使用して残余保護膜を除去することにより、ナノ部品を製造する方法及び、さらにこのようなナノ部品をナノ探針により移動及び組立てることにより、ナノ機械またはナノ構造体などを製作する方法に関するものである。本発明は優れた材質のナノ部品を安価で比較的簡単に製造する方法及びこのようなナノ部品や生体分子などを結合してナノ機械などを具現する方法を提供する。
【選択図】 図1
Description
本発明はナノ部品、その製造方法及びナノ機械(nanomachine)またはナノシステムなどの製作方法に関するものであって、特にナノ板を集束イオンビーム(FIB)又はイオンミリングのようなイオン食刻方法で加工し、さらにナノ探針で移動及び組み立ててナノ部品、ナノ機械又はナノシステムなどを容易に製造する技術に関するものである。
現在、限界寸法(critical dimension)がナノメーターの大きさを有するナノ部品、及びこのようなナノ部品などを組立、結合して作るナノ機械(以下、ナノ機械はナノマシン、ナノシステム、ナノ構造体などを含む意味として使用する)は、病気の診断及び治療、環境工学などの多様な分野においてその必要性が要求されている。このようなナノ部品などを製造する方法としては、半導体技術或いはMEMS技術のような加工方式を用いて製造するトップダウン(top−down)方式と、このようなナノ部品と生体分子または合成分子を組み立てて構造体などを製作するボトムアップ(bottom−up)方式などとが研究されている。
1980年代中盤以降、半導体技術を機械工学に組み合わせたMEMS技術を用いて、機械部品又はその限界寸法の大きさが数μm〜数mmである超小型機械部品が開発されてきた。しかし、このような通常的なMEMS技術を用いて数μm以下の大きさを有するナノ部品などを加工するためには、高価の製造装備及び工程などによって製造単価が増加する経済的な困難がある。
一方、生体分子または合成有機分子を希望する位置に移動、組み立ててモーターなどのナノ機械を製造する方法が報告されているが、工程の再現性が乏しく、多量生産が困難であるというデメリットがある。
本発明は、上記した従来技術の問題点を解決及び補完するために、集束されたイオンビームを用いた加工技術、または電子ビームを用いたパータン技術として、基板上に形成されたナノ板をナノギア、ナノ活字、ナノ輪、ナノ鋸歯などのような多様な形態のナノ部品で加工する方法を採用する。さらに、このように加工されたナノ部品をナノ探針を用いて移動し、他のナノ部品または微小有機体などと結合して、ナノ機械を製作する方法を採用する。これによって漸次に重要性が報告されているナノ部品及びナノ機械を工程再現性に優れた方法により、安価で比較的に手軽く供給できる方法を提供しようとすることが本発明の目的である。
本発明のその他の目的、特定なメリット及び新規な特徴などは、添付された図面などと連関される以下の詳細な説明と、好ましい実施例などからもっと明確になるでしょう。
上記した目的を達成するために本発明は、多様な形態のナノ部品を製造する方法として、保護膜がコーティングされたナノ板をイオン食刻して加工し、より複雑な構造のナノ機械の製作のために、ナノ探針を用いてナノ部品などを移動及び組み立てることを技術的な特徴とする。
以下で説明するように、本発明は簡単な化学的合成法から製造された単結晶ナノ板を用いたナノ部品及びその製造方法、さらに、ナノ探針によってナノ部品を移動、組み立ててナノ機械などを製作する方法に関するものである。特に、イオン食刻法で単結晶ナノ板を直接加工するため、材質的な面(強度、耐摩耗性など)で優秀であり、他の方法などと比較して作業が単純であり、低費用で高品質のナノ部品を製造できるだけでなく、大きさがもっと小さく、応用性が豊かな多様の形態のナノ部品などを提供できる。そして、化学的合成法では製造できない形態のナノ構造も実現できるので、ナノ構造体の材質や模様の変化による電気的・光学的特性の変化のようなナノ構造体の特性研究、及びその他の様々な目的に合うようにナノ板を加工して使用することができる。
本発明はナノ技術の多様な分野で単独に、且つ、組み合わせて応用され得る多様性を提供でき、ナノ部品を製造し、それらを移動して組み立てることのようなボトムアップ方式とトップダウン方式とを混用すれば、ナノシステムを具現できるので、MEMS技術とNEMS技術との新しい方向への接近も期待することができる。特に、金で製造されたナノ部品の場合には、シリコンや他の材料などとは異なり、生体物質との結合が容易であるだけでなく、生体親和的であるため、機能性ナノ物質の代表的物質として注目を浴びている生体分子などと組み合わせて、新しい概念のナノ機械を開発するのに用いることができる。
従って、本発明によって製造されたナノ部品は、ナノ技術のうち、特にナノ機械分野の発展に大きい寄与をすることと予想され、薬物伝達物質やその他にも特殊な形態のナノ構造体を必要とする多様の分野で有用に用いられることができる。
本発明は下記に言及される好ましい実施例と関連して説明されるものであるが、本明細書及び図面に記載された事項の範囲からはずれることなく、多様な修正や変形をすることが可能である。従って、添付した特許請求の範囲は、本明細書及び図面に記載された事項の範囲内でこのような修正や変形を含む。
以下、添付した図面を参照しながら本発明の構成、及び好ましい実施例などを詳細に説明することにする。図1及び図2は、本発明の実施例によるナノ板を用いたナノ部品の製造段階を示すフローチャートであり、図3a及び図3b、図4a乃至図4dは、イオン食刻段階の二つの場合を各々細分化した工程図であり、図5乃至図8は、多様な形態のナノ板とナノ部品などの斜視図であり、図9及び図10は、ナノ板と製造されたナノ部品などの電界効果走査電子顕微鏡写真であり、図11a及び図11bは、ナノ部品などの組立により製作されるナノモーターの平面図及び縦断面図である。
図1に図示したように、本発明の一実施例によるナノ部品の製造方法は、基板上に数字と点とからなったグリッド(grid)を印刷する段階s10、ナノ板が分散されている水溶液を上記グリッド部位に噴射してナノ板を位置させる段階s20、上記ナノ板が位置する基板上にアルミニウム保護膜を蒸着する段階s30、集束イオンビーム(Dual Beam Secondary Electron Microscope/Focused Ion Beam,DBSEM/FIB)を用いるか、または電子ビームリソグラフィー(E−beam lithography)を用いて上記保護膜が蒸着されたナノ板をイオン食刻する段階s40、アルミニウム除去剤で食刻後の残余アルミニウム保護膜を除去する段階s50を含み、ナノ探針を用いて基板でナノ部品を移動及び組み立てる段階s60を追加することができる。
グリッド印刷段階s10ではフォトリソグラフィー(Photolithography)と電子ビームリソグラフィーとを用いてシリコン基板上に数字と点の形態でグリッドを印刷する。その後、ナノ板を位置させる段階s20では、1μl〜20μl容量のマイクロピペットを用いてナノ板が分散されている水溶液ほぼ1μl〜2μlをグリッド部位に噴射する。ナノ板は板形態を帯びる全ての材質(金属、半導体、絶縁体など)として構成することができる。
保護膜蒸着段階s30はナノ板が位置する基板の上部にアルミニウムを蒸着する段階として、基板上にナノ板を加工する前の作業であり、イオンビーム集束時、または電界効果走査電子顕微鏡で観察の時、ナノ板が損傷されるとか、カーボンによって汚染されることを防止するためである。この時、アルミニウム薄膜の蒸着厚さは20nm〜60nmであることが望ましい。保護膜の材質はアルミニウムに限らず、ナノ部品に損傷を与えなく、食刻後に安全に除去できれば、保護膜形成に使用することができる。イオン食刻段階s40は図2などの説明で扱うこととする。
保護膜除去段階s50は、アルミニウム除去剤を使用してナノ板食刻が終わった後、残余アルミニウム薄膜を除去する段階として、アルミニウム除去剤(AL−12、Cyantek Corporation Inc. CA)を使用し、温度を50℃に維持し、30秒間除去し、そしてアルミニウム膜を除去した後の洗浄は蒸留水を使用することが望ましい。
ナノ部品の移動及び組立段階s60はナノ探針(Micromanipulator MM3A,Kleindiek nanotechnik,Germany)でナノ部品を基板で移動及び組み立てる段階として、完成されたナノ部品を基板で分離するか、希望する位置に移動して他の部品と組み立てるためである。ナノ探針は集束イオンビーム装備または電界効果走査電子顕微鏡の内部に装着してナノ部品を製作することに用いられ、探針の直径が100nm〜500nmであることが最も望ましい。
図2に図示したように、図1のイオン食刻段階s40のうちで電子ビームを用いた場合のイオン食刻段階は、食刻用電子ビームレジストを保護膜の上部に一定の厚さでコーティングするレジストコーティング段階s41、電子ビームで被食刻部200のレジストを露光及び現像する被食刻部露光及び現像段階s42、レジストの露光及び現像された部分に該当する保護膜及びナノ板を食刻するミリング段階s43、レジスト除去剤を使用して保護膜上部の残余レジストを除去するレジスト除去段階s44からなる。
図3a及び図3bは、イオン食刻段階s40のうちで集束イオンビームを用いる場合を説明するための工程図である。図3aは集束イオンビーム装備に入れる前の試料の状態として、基板100の中央上部にナノ板110が位置しており、その上部全体に保護膜120が形成された状態を示す。図3bは、集束イオンビームにより保護膜120及びナノ板110の被食刻部200が食刻された後の状態を示す。ここで被食刻部200とは、製造しようとするナノ部品の形状によってナノ板で食刻されなければならない部分を意味する。作業の時、イオンビームの電流は1pA〜10pAであることが最も望ましい。
図4a乃至図4dは、図1の電子ビームリソグラフィーを用いたイオン食刻段階s40を詳細に説明するための工程図である。この過程では電子ビームリソグラフィーを用いてナノギアやナノ活字などのナノ部品の形態でレジストをパータニングした後、イオンミリングでナノ板を食刻する。図4aは作業前に準備された試料の状態であり、図4bは電子ビームリソグラフィーのために食刻用電子ビームレジスト(ZEP−520A)140を表面に略150nmの厚さでコーティングした後、電子ビームを用いて被食刻部200に該当するレジストを露光及び現像してパータニングする過程である。露光後に現像液で略10秒間現像する。図4cは、電子ビームリソグラフィー作業が終わった試料をイオンミリングでレジストがパータニングされた部分に該当する被食刻部200のみを削る作業である。イオンミリング作業をする時には、基板ホルダー部分を冷却水や液体窒素で冷却しなければならず、加速電圧は250V、ビーム電流は20mA、食刻時間は2分〜4分とすることが望ましい。図4dはイオンミリング後、不必要な残余電子ビームレジスト140を除去する段階であって、電子ビームレジストをきれいに除去するためには、専用電子ビームレジスト除去剤(ZDMAC)を使用しなければならず、除去剤の温度は60℃を維持することが望ましい。レジスト除去時間は少なくとも4時間以上である。
図5は本発明に使用される三角板、五角板及び六角板の形態のナノ板などを図示したものである。図6、図7及び図8は各々図5のナノ板を用いて製作できるナノ部品であるナノ活字、ナノ輪、ナノ鋸歯及びナノギアの形状を図示したものとして、上記ナノ部品などはナノ技術の各分野で代表的な部品などである。ナノギアはナノ機械の核心部品であり、ナノ輪とナノ活字はナノシステム、そしてナノ鋸歯はナノファクトリーなどに緊要に使用されるであろう。
このようなナノ部品は厚さが1nm〜500nmであり、ナノ部品平面状の一側長さが10nm〜2,000nm、好ましくは10nm〜1,000nmの大きさを有する。
図9の電界効果走査電子顕微鏡写真を参照すれば、本発明に使用されるナノ板は厚さ410が1nm〜500nmであり、平面状の一側長さ420が10nm〜2,000nmである板状形態であることが分かる。
図10は本発明の実施例によるナノギア510及びナノ活字520の電界効果走査電子顕微鏡写真である。ナノギア510は集束イオンビームを用いて製造したが、加速電圧は30kV、ビーム電流は1pA、食刻時間は2分30秒である。上記ナノ活字520は電子ビームリソグラフィーとイオンミリングとを用いて製造し、加速電圧は250V、ビーム電流は20mA、食刻時間は3分である。
図11a及び図11bは本発明によるナノ機械の一実施例であるナノモーター600を図示したものである。ナノモーター600は大きく固定子611及び軸612を含むモーター台610、ナノギアからなった回転子620、軸カバー630などから構成される。本実施例の場合は、モーター台がナノギアからなった回転子より厚いナノ板を用いて製造される。ナノ探針は、集束イオンビームや電界効果走査電子顕微鏡の内部に装着して、上記ナノ部品などを製作することに用いられ、探針の直径が100nm〜500nmであることが最も望ましい。ナノモーターはナノ板の一定の位置に軸612などを製造するトップダウン技術であるMEMS技術と、他のナノ部品などをナノ探針によって移動及び組み立てるボトムアップ技術を組み合わせて製作する。
s10…グリッド印刷段階、s20…ナノ板を位置させる段階、
s30…保護膜蒸着段階、s40…イオン食刻段階、
s41…レジストコーティング段階、s42…露光及び現像段階、
s43…イオンミリング段階、s44…レジスト除去段階、
s50…保護膜除去段階、s60…ナノ部品の移動及び組立段階、
100…基板、110…ナノ板、120…保護膜、130…集束イオンビーム、
140…電子ビームレジスト、150…電子ビーム、160…イオンビーム、
200…被食刻部、410…ナノ板の厚さ、420…ナノ板の平面状の一側長さ、
510…ナノギア、520…ナノ活字、
600…ナノモーター、610…モーター台、611…固定子、612…軸、
613…SiO2層、614…Si層、620…回転子、630…軸カバー。
s30…保護膜蒸着段階、s40…イオン食刻段階、
s41…レジストコーティング段階、s42…露光及び現像段階、
s43…イオンミリング段階、s44…レジスト除去段階、
s50…保護膜除去段階、s60…ナノ部品の移動及び組立段階、
100…基板、110…ナノ板、120…保護膜、130…集束イオンビーム、
140…電子ビームレジスト、150…電子ビーム、160…イオンビーム、
200…被食刻部、410…ナノ板の厚さ、420…ナノ板の平面状の一側長さ、
510…ナノギア、520…ナノ活字、
600…ナノモーター、610…モーター台、611…固定子、612…軸、
613…SiO2層、614…Si層、620…回転子、630…軸カバー。
Claims (13)
- グリッドが印刷された基板上にナノ板が分散されている水溶液を噴射してナノ板を位置させる段階s20;
前記ナノ板が位置する前記基板の上部に一定の厚さの保護膜を蒸着する段階s30;
前記保護膜が蒸着された前記ナノ板の被食刻部を食刻するイオン食刻段階s40;及び
保護膜除去剤を使用して食刻後の残余保護膜をナノ部品から除去する保護膜除去段階s50;
を含むことを特徴とするナノ板を用いたナノ部品の製造方法。 - 前記イオン食刻段階s40は、集束イオンビーム又は電子ビームリソグラフィーを用いることを特徴とする請求項1に記載のナノ板を用いたナノ部品の製造方法。
- 前記イオン食刻段階s40は電子ビームリソグラフィーを用い、
前記電子ビームリソグラフィーを用いたイオン食刻段階は:
食刻用電子ビームレジストを前記保護膜の上部に一定の厚さでコーティングするレジストコーティング段階s41;
電子ビームによる被食刻部に該当するレジストの露光及び現像段階s42;
前記レジストの露光及び現像された部分に該当する被食刻部に沿って前記保護膜が蒸着されたナノ板を食刻するイオンミリング段階s43;及び
レジスト除去剤を使用して保護膜上部の残余レジストを除去するレジスト除去段階s44;
を含むことを特徴とする請求項1に記載のナノ板を用いたナノ部品の製造方法。 - 前記ナノ板は金で形成されることを特徴とする請求項1に記載のナノ板を用いたナノ部品の製造方法。
- 前記保護膜はアルミニウムで形成され、厚さが20nm〜60nmであることを特徴とする請求項1に記載のナノ板を用いたナノ部品の製造方法。
- 請求項1に記載のナノ部品の製造方法によって製造されたナノ板を用いたナノ部品。
- 前記ナノ部品は金で形成されたことを特徴とする請求項6に記載のナノ板を用いたナノ部品。
- 前記ナノ部品はナノ活字、ナノ輪、ナノ鋸歯及びナノギアのうち、いずれか一つの形状を有することを特徴とする請求項6に記載のナノ板を用いたナノ部品。
- 前記ナノ部品は厚さが1nm〜500nmであり、ナノ部品の平面状の一側長さが10nm〜2,000nmの大きさであることを特徴とする請求項6に記載のナノ板を用いたナノ部品。
- 前記ナノ部品はナノ部品の平面状の一側長さが10nm〜1,000nmの大きさであることを特徴とする請求項9に記載のナノ板を用いたナノ部品。
- 請求項6に記載のナノ部品をナノ探針により移動してナノ機械を組み立てることを特徴とするナノ機械の製作方法。
- 前記ナノ探針は集束イオンビーム装備または電界効果走査電子顕微鏡の内部に装着され、ナノ探針の直径が100nm〜500nmであることを特徴とする請求項11に記載のナノ機械の製作方法。
- 前記ナノ機械は、固定子などが軸を中心に円周上に配列されたモーター台、及び前記軸を中心に固定子などの内部で回転可能な回転子を含むナノモーターであることを特徴とする請求項12に記載のナノ機械の製作方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020050011968A KR100724102B1 (ko) | 2005-02-14 | 2005-02-14 | 나노판을 이용한 나노부품, 그 제조방법 및 나노기계의 제작방법 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006224293A true JP2006224293A (ja) | 2006-08-31 |
Family
ID=36986088
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005309882A Pending JP2006224293A (ja) | 2005-02-14 | 2005-10-25 | ナノ板を用いたナノ部品、その製造方法及びナノ機械の製作方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7557044B2 (ja) |
JP (1) | JP2006224293A (ja) |
KR (1) | KR100724102B1 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7871933B2 (en) * | 2005-12-01 | 2011-01-18 | International Business Machines Corporation | Combined stepper and deposition tool |
KR100995407B1 (ko) * | 2008-01-28 | 2010-11-18 | 연세대학교 산학협력단 | 집속이온빔을 이용한 나노패턴 형성방법 |
KR101172859B1 (ko) * | 2010-10-04 | 2012-08-09 | 서울대학교산학협력단 | 나노 스케일 3차원 프린팅을 사용한 초정밀 가공 장치 및 방법 |
KR101231898B1 (ko) * | 2011-06-20 | 2013-02-08 | 한국과학기술원 | 나노구조 패턴이 형성된 투명전극 및 그 제조방법 |
KR101251541B1 (ko) * | 2012-02-02 | 2013-04-08 | 한국과학기술원 | 나노구조 패턴이 형성된 투명전극 및 이를 이용한 수직배향형 액정표시소자 |
CN115448251B (zh) * | 2022-09-29 | 2023-12-12 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 纳米线制备方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5225771A (en) * | 1988-05-16 | 1993-07-06 | Dri Technology Corp. | Making and testing an integrated circuit using high density probe points |
KR20040006114A (ko) * | 2002-07-09 | 2004-01-24 | 삼성전자주식회사 | 반도체기판의 건조장비 |
US7516759B2 (en) * | 2003-02-24 | 2009-04-14 | The Penn State Research Foundation | Autonomous moving microstructures |
US7611610B2 (en) * | 2003-11-18 | 2009-11-03 | Fei Company | Method and apparatus for controlling topographical variation on a milled cross-section of a structure |
US8037777B2 (en) * | 2004-10-22 | 2011-10-18 | Rochester Institute Of Technology | Structurally compliant microbearing devices and methods thereof |
US7524776B2 (en) * | 2004-11-30 | 2009-04-28 | Spire Corporation | Surface-activation of semiconductor nanostructures for biological applications |
US7306963B2 (en) * | 2004-11-30 | 2007-12-11 | Spire Corporation | Precision synthesis of quantum dot nanostructures for fluorescent and optoelectronic devices |
-
2005
- 2005-02-14 KR KR1020050011968A patent/KR100724102B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-10-25 JP JP2005309882A patent/JP2006224293A/ja active Pending
- 2005-10-31 US US11/263,476 patent/US7557044B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100724102B1 (ko) | 2007-06-04 |
US20080006888A1 (en) | 2008-01-10 |
KR20060091115A (ko) | 2006-08-18 |
US7557044B2 (en) | 2009-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI389840B (zh) | 貼花轉移微影 | |
US20100035186A1 (en) | Manufacturing a graphene device and a graphene nanostructure solution | |
EP0665590B1 (en) | Process for manufacturing a microstructure | |
JP2006224293A (ja) | ナノ板を用いたナノ部品、その製造方法及びナノ機械の製作方法 | |
US10910185B2 (en) | Method for the fabrication of electron field emission devices including carbon nanotube electron field emission devices | |
US20110200787A1 (en) | Suspended Thin Film Structures | |
CN101508419B (zh) | 一种纳米柱森林的加工方法 | |
JP4388138B2 (ja) | 2種類の物質を基板の表面に選択的に配置する方法 | |
CN102300800A (zh) | 磁构图方法和系统 | |
TW200933699A (en) | Method of creating a template employing a lift-off process | |
JP2018092144A (ja) | フォトマスク及びその製造方法 | |
JP5034804B2 (ja) | ダイヤモンド電子源及びその製造方法 | |
WO2007040283A1 (ja) | 探針及びカンチレバー | |
KR20050004446A (ko) | 나노 입자의 정전 스프레이 방식을 이용한 나노 크기구조의 패터닝 방법 | |
Clericò et al. | Electron beam lithography and its use on 2D materials | |
US20220350249A1 (en) | Micro and nano structuring of a diamond substrate | |
JP4257676B2 (ja) | めっきによる三次元微細構造体の成形法 | |
US11156914B2 (en) | Damascene template for nanoelement printing fabricated without chemomechanical planarization | |
KR102453534B1 (ko) | 미세 패턴의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 미세 패턴 | |
US20060093750A1 (en) | Method for patterning nano-sized structure | |
RU2308552C1 (ru) | Способ изготовления нано-пресс-форм для контактной пресс-литографии (варианты) | |
JP4543170B2 (ja) | 標識製造方法 | |
JP2007101532A (ja) | パターン化された有機薄膜とその製造方法 | |
Arthur | MEMS Fabrication of Silicon Microwire Targets. | |
Vazquez-Mena et al. | Stencil lithography |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080826 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090210 |