JP4388138B2 - 2種類の物質を基板の表面に選択的に配置する方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 275
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 139
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims description 115
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 48
- 239000003021 water soluble solvent Substances 0.000 claims description 34
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 29
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical group FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 27
- RHQDFWAXVIIEBN-UHFFFAOYSA-N Trifluoroethanol Chemical compound OCC(F)(F)F RHQDFWAXVIIEBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 claims description 10
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 9
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 119
- 239000010408 film Substances 0.000 description 86
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 63
- DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N hexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC DCAYPVUWAIABOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 56
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 54
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 45
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 41
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 30
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 30
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 30
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 description 22
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 21
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 17
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 12
- -1 polydimethylsiloxane Polymers 0.000 description 12
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 9
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 9
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004205 dimethyl polysiloxane Substances 0.000 description 6
- 229920000435 poly(dimethylsiloxane) Polymers 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 5
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 5
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 4
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011356 non-aqueous organic solvent Substances 0.000 description 4
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 3
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 3
- YVBBRRALBYAZBM-UHFFFAOYSA-N perfluorooctane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YVBBRRALBYAZBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920013716 polyethylene resin Polymers 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- LFXJGGDONSCPOF-UHFFFAOYSA-N trichloro(hexyl)silane Chemical compound CCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl LFXJGGDONSCPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N tetradecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC BGHCVCJVXZWKCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DEUJSGDXBNTQMY-UHFFFAOYSA-N 1,2,2-trifluoroethanol Chemical compound OC(F)C(F)F DEUJSGDXBNTQMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GGDYAKVUZMZKRV-UHFFFAOYSA-N 2-fluoroethanol Chemical compound OCCF GGDYAKVUZMZKRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000742 Cotton Polymers 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001293 FEMA 3089 Substances 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910008051 Si-OH Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006358 Si—OH Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 238000012733 comparative method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 150000003138 primary alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- AHUIGPLWCRWOGD-UHFFFAOYSA-N trichloro(1,1,1,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,10-henicosafluorodecan-2-yl)silane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(C(F)(F)F)[Si](Cl)(Cl)Cl AHUIGPLWCRWOGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFUVZJADECZZMS-UHFFFAOYSA-N trichloro(3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-henicosafluorododecyl)silane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CC[Si](Cl)(Cl)Cl ZFUVZJADECZZMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
(1)前記基板に、前記第1の物質と水溶性溶媒とを含む溶液を塗布する工程、
(2)前記基板の表面から前記水溶性溶媒を除去することによって、前記第1の物質を、前記第1の領域の表面に配置する工程、
(3)分子中にフッ素を有するアルコールを含む液体に前記基板を浸漬する工程、
(4)前記液体に前記基板を浸漬しながら、前記第2の物質と有機溶媒とを含む溶液を前記基板の表面に塗布する工程、
(5)前記液体から前記基板を取り出す工程、および
(6)前記基板の表面から前記有機溶媒を除去することによって、前記第2の物質を、前記第2の領域の表面に配置する工程。
(1)分子中にフッ素を有するアルコールを含む液体に前記基板を浸漬する工程、
(2)前記液体に前記基板を浸漬しながら、前記第2の物質と有機溶媒とを含む溶液を、前記基板の表面に塗布する工程、
(3)前記液体から前記基板を取り出す工程、
(4)前記基板の表面から前記有機溶媒を除去することによって、前記第2の物質を前記第2の領域の表面に配置する工程、
(5)前記基板に、前記第1の物質と水溶性溶媒とを含む溶液を塗布する工程、および
(6)前記基板の表面から前記水溶性溶媒を除去することによって、前記第1の物質を、前記第1の領域の表面に配置する工程。
本発明に係る方法の実施の形態について、図1A〜図1Hおよび図2A〜図2Gの模式図を参照しながら説明する。なお、図2A〜図2Gは、それぞれ、図1B〜図1Hに示された模式図に対応する断面模式図である。
第1の物質と第2の物質とを配置するための基板として、図1Aに示すような、表面に第1の領域102と、第2の領域103と、第3の領域104とが形成されている基板101を準備する。第1の領域102は、親水性の表面を有する第1の物質を配置する領域である。第2の領域103は、炭化水素基によって表面が被覆されている第2の物質を配置する領域である。
第1の物質を水溶性溶媒に分散させた、第1の物質と水溶性溶媒とを含む溶液(図1B、図1C、図2Aおよび図2Bに示された溶液105に相当。本実施の形態では、溶液(A)と記載する場合がある)を準備する。本発明における水溶性溶媒とは、水を含む液体のことをいう。水溶性溶媒は、40vol%以上の水を含む液体であることが好ましい。より好ましくは、水溶性溶媒が水であること、すなわち、溶液(A)が第1の物質の水溶液であることである。
第2の物質を有機溶媒に分散させた、第2の物質と有機溶媒とを含む溶液(図1E、図1F、図2Dおよび図2Eに示された溶液110に相当。本実施の形態では、溶液(B)と記載する場合がある)を準備する。本発明における有機溶媒とは、水への溶解度(水100gに溶解する重量)が10g以下の、炭化水素基を有する液体をいう。これらの液体としては、炭素数が6〜16のアルカン、シクロヘキサン、テレビン油等が含まれる。
第1の物質を第1の領域102に配置するために、図1B、図1C、図2Aおよび図2Bに示すように、第1の物質が分散した溶液105を基板101の表面に塗布する。
第2の物質を第2の領域103に配置するために、図1E、図1F、図2Dおよび図2Eに示すように、分子中にフッ素(F)を有するアルコールを含む液体201を保持した容器202内部に基板101を浸漬し、この状態で第2の物質を含む溶液110を塗布する。
本発明者は、図1E、図1F、図2Dおよび図2Eに示される工程において、炭化水素基を含む溶液110が第2の領域103のみに配置される原理を、以下のように推測している。アルコール中では、フッ化炭素基を有する分子と炭化水素基を有する分子との間にはほとんど接着力が働かないことが分かっている(Nakagawa T. et al.: Journal of Vacuum Science of Technology B1994年12号P2215〜2218)。
実施の形態2における2種類の物質の基板への配置方法は、まず先の工程で第2の物質を基板の第2の領域に配置し、その後の工程において第1の物質を第1の領域に配置する点が実施の形態1の配置方法とは異なるものの、それ以外は実施の形態1の配置方法と同じである。本実施の形態の方法を、図9A〜図9Gの断面模式図を参照しながら以下に説明する。なお、実施の形態1で説明した構成と同じ構成については、同一の符号を付して重複する説明を省略する。
本参考実施例では、本発明の方法の原理を確認することを目的に実験を行った。
第1の物質が水溶性溶媒に分散している溶液として、粒径が50nm程度のシリコン粒子をアルコールに分散させた溶液を用いた。この溶液は以下の方法で作製された。
実施の形態1において、図3A〜図3Eを参照しながら説明した方法を用いて、基板を作製した。ここでは、図3A〜図3Eを参照しながら、本参考実施例での基板の作製方法について説明する。
溶液(A)の塗布方法の概略を、図6Aに示す。幅30mm、高さ20mm、厚み1mmのガラス板602を基板601に対して垂直に、0.2mmの間隔を開けて配置した。基板601は、上記の方法で作製した、第1〜第3の領域を表面に有する基板である。
図6Bおよび図6Cは、基板601の表面に、2、2、2−トリフルオロエタノール614中でn−ヘキサデカンを塗布している様子を示した模式図である。なお、図6Bでは、2、2、2−トリフルオロエタノール614は省略されている。図6Bおよび図6Cを参照しながら、本実施例におけるn−ヘキサデカンの塗布方法を示す。
図7Aは、本参考実施例および上記比較例で使用した基板の平面模式図である。図7B〜図7Dは、本参考実施例および上記比較例において基板に溶液(A)を塗布した後の基板表面の様子を示す顕微鏡写真である。なお、図7B〜図7Dにおける基板表面の各領域の位置は、図7Aの平面模式図に示された基板表面の各領域とそれぞれ対応している。
参考実施例におけるn−ヘキサデカンの代わりに、表面がヘキシル基(−(CH2)5−CH3)によって被覆された酸化シリコン粒子(平均粒径:300nm)をヘキサンに分散させた溶液を用い、それ以外は参考実施例と同様の実験を行った。すなわち、実施例1では、第2の物質が、表面がヘキシル基(−(CH2)5−CH3)によって被覆されている酸化シリコン粒子であり、有機溶媒がヘキサンであった。
実施例1と同様の方法で、溶液(A)と溶液(B)を塗布した。但し、溶液(A)と溶液(B)を塗布する順番を逆にした。
Claims (4)
- 親水性の表面を有する第1の物質および炭化水素基によって表面が被覆されている第2の物質を、基板の表面に選択的に配置する方法であって、
前記基板は、第1の領域、第2の領域および第3の領域を表面に有しており、
前記第1の領域は親水性であり、
前記第2の領域は、炭化水素基によって被覆されており、
前記第3の領域は、フッ化炭素基によって被覆されており、
前記方法は、以下の工程を包含する:
(1)前記基板に、前記第1の物質と水溶性溶媒とを含む溶液を塗布する工程、
(2)前記基板の表面から前記水溶性溶媒を除去することによって、前記第1の物質を、前記第1の領域の表面に配置する工程、
(3)分子中にフッ素を有するアルコールを含む液体に前記基板を浸漬する工程、
(4)前記液体に前記基板を浸漬しながら、前記第2の物質と有機溶媒とを含む溶液を前記基板の表面に塗布する工程、
(5)前記液体から前記基板を取り出す工程、および
(6)前記基板の表面から前記有機溶媒を除去することによって、前記第2の物質を、前記第2の領域の表面に配置する工程。 - 前記液体が2、2、2−トリフルオロエタノールである、請求項1に記載の方法。
- 親水性の表面を有する第1の物質および炭化水素基によって表面が被覆されている第2の物質を、基板の表面に選択的に配置する方法であって、
前記基板は、第1の領域、第2の領域および第3の領域を表面に有しており、
前記第1の領域は親水性であり、
前記第2の領域は、炭化水素基によって被覆されており、
前記第3の領域は、フッ化炭素基によって被覆されており、
前記方法は、以下の工程を包含する:
(1)分子中にフッ素を有するアルコールを含む液体に前記基板を浸漬する工程、
(2)前記液体に前記基板を浸漬しながら、前記第2の物質と有機溶媒とを含む溶液を、前記基板の表面に塗布する工程、
(3)前記液体から前記基板を取り出す工程、
(4)前記基板の表面から前記有機溶媒を除去することによって、前記第2の物質を前記第2の領域の表面に配置する工程、
(5)前記基板に、前記第1の物質と水溶性溶媒とを含む溶液を塗布する工程、および
(6)前記基板の表面から前記水溶性溶媒を除去することによって、前記第1の物質を、前記第1の領域の表面に配置する工程。 - 前記液体が2、2、2−トリフルオロエタノールである、請求項3に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008091076 | 2008-03-31 | ||
JP2008091076 | 2008-03-31 | ||
PCT/JP2009/001179 WO2009122660A1 (ja) | 2008-03-31 | 2009-03-17 | 2種類の物質を基板の表面に選択的に配置する方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4388138B2 true JP4388138B2 (ja) | 2009-12-24 |
JPWO2009122660A1 JPWO2009122660A1 (ja) | 2011-07-28 |
Family
ID=41135069
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009528539A Expired - Fee Related JP4388138B2 (ja) | 2008-03-31 | 2009-03-17 | 2種類の物質を基板の表面に選択的に配置する方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7709291B2 (ja) |
JP (1) | JP4388138B2 (ja) |
CN (1) | CN101884255B (ja) |
WO (1) | WO2009122660A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011043019A1 (ja) * | 2009-10-06 | 2011-04-14 | パナソニック株式会社 | 部材をマウントする方法 |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8178154B2 (en) | 2010-03-15 | 2012-05-15 | Panasonic Corporation | Method for disposing a component |
CN102365723B (zh) * | 2010-03-15 | 2014-07-09 | 松下电器产业株式会社 | 部件的布置方法 |
US8187667B2 (en) | 2010-03-18 | 2012-05-29 | Panasonic Corporation | Method for disposing a component |
CN102365724B (zh) * | 2010-03-18 | 2014-07-02 | 松下电器产业株式会社 | 部件的布置方法 |
JP5678492B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2015-03-04 | 日産化学工業株式会社 | パターン画像の形成方法 |
JP5467957B2 (ja) * | 2010-07-15 | 2014-04-09 | 富士フイルム株式会社 | 線描画方法及び装置 |
JP6099304B2 (ja) * | 2010-12-10 | 2017-03-22 | 帝人株式会社 | 半導体積層体、半導体デバイス、及びそれらの製造方法 |
JP2013105991A (ja) * | 2011-11-16 | 2013-05-30 | Teijin Ltd | 半導体積層体、半導体デバイス、及びそれらの製造方法 |
EP2650908A4 (en) * | 2010-12-10 | 2016-04-20 | Teijin Ltd | SEMICONDUCTOR LAMINATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LAMINATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE |
JP5711585B2 (ja) * | 2011-03-30 | 2015-05-07 | 株式会社アドテックエンジニアリング | 薄膜トランジスタの製造装置およびその製造方法、ならびにプログラム |
FR2988517B1 (fr) * | 2012-03-22 | 2014-04-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication de plots d'assemblage sur un support pour l'auto-assemblage d'une puce de circuit integre sur le support |
JP5868757B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2016-02-24 | 株式会社東芝 | 薄膜トランジスタとその製造方法及び表示装置 |
JP6145895B2 (ja) * | 2012-08-03 | 2017-06-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 窒化物半導体装置および窒化物半導体装置の製造方法 |
JP6264860B2 (ja) * | 2013-11-27 | 2018-01-24 | セイコーエプソン株式会社 | 記録装置 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63147105A (ja) * | 1986-12-11 | 1988-06-20 | Toshiba Corp | カラ−フイルタの製造方法 |
EP0524529B1 (en) * | 1991-07-23 | 1996-02-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Hydrophylic substrate and method of manufacturing the same |
US5716104A (en) * | 1992-08-03 | 1998-02-10 | Nagl Manufacturing Co. | Flow-through brush liquid applicator and method of making it |
JP3858809B2 (ja) | 1996-09-19 | 2006-12-20 | セイコーエプソン株式会社 | 発光素子の製造方法 |
JP3541625B2 (ja) | 1997-07-02 | 2004-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及びアクティブマトリクス基板 |
US6893966B2 (en) * | 2002-11-27 | 2005-05-17 | International Business Machines Corporation | Method of patterning the surface of an article using positive microcontact printing |
GB0316926D0 (en) | 2003-07-18 | 2003-08-27 | Eastman Kodak Co | Method of coating |
JP2006140376A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Konica Minolta Holdings Inc | 導電性パターンの形成方法 |
JP4984433B2 (ja) | 2005-05-16 | 2012-07-25 | 大日本印刷株式会社 | 発光層の形成方法およびそれを用いた有機発光デバイスの製造方法 |
CN101310373B (zh) | 2005-09-29 | 2012-01-25 | 松下电器产业株式会社 | 电子电路构成部件的装配方法 |
GB2432044A (en) | 2005-11-04 | 2007-05-09 | Seiko Epson Corp | Patterning of electronic devices by brush painting onto surface energy modified substrates |
US20070269883A1 (en) * | 2006-05-16 | 2007-11-22 | Kathryn Uhrich | Micropatterning surfaces |
-
2009
- 2009-03-17 CN CN2009801011903A patent/CN101884255B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-17 WO PCT/JP2009/001179 patent/WO2009122660A1/ja active Application Filing
- 2009-03-17 JP JP2009528539A patent/JP4388138B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-11-30 US US12/627,801 patent/US7709291B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011043019A1 (ja) * | 2009-10-06 | 2011-04-14 | パナソニック株式会社 | 部材をマウントする方法 |
JP4733786B2 (ja) * | 2009-10-06 | 2011-07-27 | パナソニック株式会社 | 部材をマウントする方法 |
US8163329B2 (en) | 2009-10-06 | 2012-04-24 | Panasonic Corporation | Method for mounting a component |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101884255A (zh) | 2010-11-10 |
WO2009122660A1 (ja) | 2009-10-08 |
JPWO2009122660A1 (ja) | 2011-07-28 |
CN101884255B (zh) | 2012-06-27 |
US7709291B2 (en) | 2010-05-04 |
US20100073452A1 (en) | 2010-03-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090908 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131009 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |