JP2006511969A - 液体の小滴でのマイクロメートル寸法の電子物体の操作 - Google Patents

液体の小滴でのマイクロメートル寸法の電子物体の操作 Download PDF

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Abstract

小さい物体を受ける基板と、基板上で小さい物体を担持する液体の小滴と、小さい物体の配置位置の近傍の基板の前処理された面とを有する、小さい物体の操作システムである。100から1マイクロメートルの範囲のシリコン・ダイといった小さい物体は、蒸発する小滴によって微細に配置される。ダイは、広い面積のディスプレイ中のアクティブ電子素子及び他の用途として動作する。

Description

小さい物体の操作は、半導体装置の製造に特に関連がある。小さい電子部品は、基板上に正確に位置決めされねばならない。しばしば、結晶Siウェーハが基板として用いられる。半導体装置の費用は、基板の寸法に大きく依存し、従って基板上により多くの半導体装置が形成されればされるほど、半導体装置毎の製造費用は低くなる。基板の面の寸法が与えられているとき、基板に収容されうる半導体装置の数は、より小さい寸法の部品が使用されるにつれて増加する。これらの部品は、例えば、これらがピックアップされ、基板上の所定の位置に正確に位置決めされねばならないため、操作される必要がある。小さい電子物体の配置は、電子産業では重要な工程である。現時点では、これらの物体の位置決めは、いわゆるピック・アンド・プレースという機械的な配置によって行われる。物体の寸法は典型的には200μmであり、10μmのオーダの配置精度であり、この機械的配置技術は、100μmを下回る寸法のダイには適していない。
本発明は、液体の小滴を用いた特に電子物体といった小さい物体を操作するシステムに関連する。
小さい物体を操作するためのシステムは、特許文献1から公知である。公知のシステムは、特に、カプセル封入されたパケットの操作に関連する。これは、パケットが、常に他の材料層に浸浸されねばならないことを意味する。パケットは、ソリッド・パケットであってもよく、ソリッド・パケットは、細胞の粒子又は任意の材料でありうる。公知のシステムは、カプセル封入されたパケット用の相互作用場所を与えるよう構成された反応面を有する。更に、カプセル封入されたパケットを反応面上に導入するよう反応面に結合された入口ポートが設けられる。プログラマブルな操作力は、任意に選択された経路により反応面に対してパケットを動かすよう発生される。操作力は、電場又は光源によって発生される。操作力は、誘電電気泳動力(dielectrophoretic force)、電気泳動力(electrophoretic force)、光学力、又は機械力を含みうる。
米国特許第6,294,063号明細書
公知のシステムの不利点は、操作されうるパケットを得るためには物体がまず浸漬されねばならないが、前面、左、右、上、下が区別されうる成形されたソリッド物体があることである。更に、物体を浸漬しないことがしばしば有利である。公知のシステムの更なる利点は、カプセル封入されたパケットは反応面の上を動かされうるのみであるため、反応面上により多くのカプセル封入されたパケットが配置されるにつれて、操作及び正確な位置決めがより煩わしくなることである。物体の向き及び回転の制御は、小さい物体の電気泳動力の範囲内である。
本発明は、高い配置精度、速度、及び信頼性と、低いコストでの、大きい基板上の約1μm乃至100マイクロメートルの範囲のシリコン・ダイ等の小さい物体の配置及び相互接続用のシステムを提供することを目的とする。
かかる目的は、小さい物体を受ける基板と、基板上で小さい物体を担持する、蒸発する液体の小滴と、
小さい物体の配置位置の近傍の基板の前処理された表面構造とを有し、
小さい物体は、小滴の蒸発により、明確に画成された配置位置へ移動される、
小さい物体を操作するシステムによって達成される。
液体の小滴を用いて小さい物体を操作する本発明による方法は、表面濡れの物理的現象に基づき動作する。液体の濡れ性は、水平面上で熱的に均衡しているときに液体の小滴との間の接触角として定義される。面と液体の種類に依存して、小滴は様々な形をとりうる。濡れ角度は、小滴と水平面の境界の角度によって与えられる。液体は、90°乃至180°の角度で濡れているように見え、0°と90°の間で濡れていないように見える。180°の濡れ角度は、完全な濡れに対応し、小滴は面上に広がり、膜を形成する。
本発明は特に、液体の小滴の方向を基板上の小さい物体でどのように制御するかに焦点を与える。このために、高い濡れ性の場所が導入され、高い濡れ性の場所の形状は、液体が蒸発によって除去されるときに小さい物体の向きの制御を向上させる。
本発明の上述の及び他の面について、添付の特許請求の範囲と、添付の図面を参照して本発明の典型的な実施例について説明する。
液体の小滴によりシリコン・ダイのような小さい電子物体を操作するときの1つの可能性は、物体の配置位置の近くで基板上の濡れ性に対照性(コントラスト)を与えることである。この対照性により、物体の自己整合がなされる。
図1aは、基板の表面の可能な構造を示し、図1aでは物体の位置は正方形である。物体の最終的な位置の周りの基板の領域2では、表面は濡れ性が低くなるよう変更されている。この部分は、灰色で示されている。白い正方形で示される物体の最終的な配置位置の近傍1では、基板との液体の濡れ性は良い。以下実施例により更に詳述するように、液体は、物体の配置位置の近傍(灰色の部分)では基板に対して非ゼロの後退接触角度を有することが特に重要である。例えば図1bに示すように、他の構造もまた可能である。濡れ性の対照性は、例えば適当な分子の単層をマイクロ接触印刷することによってなされうる。この技術では、サブミクロンの分解が可能であることが示され、ウェーブ印刷では、約1ミクロンのオーダの非常によい配置精度で大きい基板が印刷されうることが示される。
他の可能性は、流体メニスカスの縁を所望の位置へ案内するよう、溝及びリッジといった物理的な構造を作成することである。
実施例1
本発明の第1の実施例は、まず、例えばレーザ・ダイ移送法といった粗い配置方法又は機械的な配置により、物体を配置する。この配置により、物体は、濡れ性が低くなるよう変更されている面2上の物体の最終位置の周りのどこかに配置されている。
インクジェットプリンタでは、15乃至50μmの範囲の直径を有する非常に小さい小滴が形成されうる。工業用インクジェットプリンタを用いたときの小滴の配置の精度は、10乃至15ミクロンのオーダであり、これは小滴4を基板の非濡れ部分2に配置するのに十分である。次の面は、物体3を液体に解かすことである。これは、基板と接触する物体の側面5を例えば単層により親水性にするといった、物体3の前処理によってなされうる。物体3が液体と接触しているとき、物体3は、望ましくは液体の中へ移動し、基板2には接着しない。物体3が小滴4の一部となることを達成する他の方法は、基板と接触している物体の側面5に溶解可能な層を配置することである。物体3と液体の接触により、物体の側面5の層は溶解し、物体3は小滴4内を自由に浮動しうる。物体3が液体の小滴4の中を浮動しているとき、液体は蒸発する。上述のように、基板と一緒のときの液体の性質は、接触線が固定するのではなく、非濡れ領域から後退するものである。物体3が配置されねばならない位置においてのみ、液体は基板に対して低い接触角を有し、固定される。蒸発中、物体3は小滴4内で浮動し続け、溶媒の蒸発中に配置位置へ移動する。親水性の層5により、物体3が基板の親水性の部分に接着することが物体3にとっては非常に望ましい。最後に、全ての溶媒は蒸発し、物体3は場所1に位置決めされる。単一の溶媒には制限はないが、望ましいMarangoni力を有するよう、即ち物体3を所定の位置に位置決めするのを助けうる小滴4の界面の表面張力の差による力を有するよう、溶媒の混合物が使用されうる。移送液体は、埃の粒子がないべきであり、最も望ましくは、工程はクリーンルーム環境で行われるべきである。
プリントされた液体の小滴4による物体3の微細配置の完全な手順について図2に示す。まず、物体3は、物体3の最終位置1(図2a)の周りのどこかに、領域2内で基板上に異なる技術で物体3の粗い配置により配置される。次に小滴4が配置され(図2b)、小滴4内に物体3を解かすことにより、物体3は液体内を自由に浮動しうる(図2c)。表面エネルギーの対照性により、蒸発する小滴4は低い接触角で領域内を移動し、物体3は正しい位置1へ操作される。図示の細い線は、良い濡れ性を示し、太い線は、基板の濡れ性が低い領域を示す(図2d乃至図2f)。物体3上の層5は、親水性の単層である。蒸発中、溶媒は高い接触角度の領域から後退するが、表面エネルギーの対照性により、低い接触角度領域にくっつく。
小滴4の向きは、配置位置の形状との良い一致のために重要である。従って、物体3に磁性層が設けられているとき、物体3は磁場により溶媒の蒸発中に方向付けられ得る。磁石により、物体3は、小滴4の中にある間に、方位(azimuthal)方向へ回転されうる。図3は、物体3を位置決めする他の方法を示す。この物体3を位置決めする方法は、物体3の特別な形状によるものであり、例として蒸発中の液体の動きと組み合わせた基板上の最終的な位置1は、図3a中に側面図として示されている。方位平面中の物体3の回転の他のオプションは、図3b中に平面図として示すように物体3の形状を適合させ、基板の領域1を濡らすことにより行われうる。
実施例2
第1の実施例では、物体3は、基板上に「粗い」位置決め方法で配置される。第2の実施例では、物体3は、インクジェット印刷中に液体の中に既に解かされている。5乃至10ミクロン又はそれ以下のオーダの非常に小さい寸法の物体3は、小滴4内に解かされ、基板上に配置されうる。小滴の配置の手順は、図2に示されるものと同様である。
物体3の方向付けは、上述の実施例と同様になされうる。物体をひっくり返すことは、磁場を印加することによっても可能である。図示の図面では、1つの物体3が小滴4内に図示されている。これは、重要な面である。単一の物体3を伴う小滴4を基板上の載せるには幾つかの方法がある。まず、これは、インクジェットプリンタの内部の液体の流れを操作することによって行われうる。他のオプションは、飛んでいる間に小滴4を調べ、物体3を含む小滴4のみを通過させることである。他の小滴は偏向される。小滴の偏向は、連続インクジェット印刷における標準技術である。更なるオプションは、小滴4を印刷し、印刷後に基板を調べることである。新しい小滴4は、物体がないところに印刷される。マルチノズル・プリンタでは、1秒間当たり約100個の小滴を容易に印刷することができる。光学的に調べることにより、1よりも多い物体3を有する小滴4を除去することも可能である。或いは、1つよりも多い物体を有する小滴が基板上に見つけることができ、くっつかない物体が後に除去される。
基板へ物体3を配置するときの重要な問題は、物体3を外界と互いに接続することである。これについては、標準的である幾つかのオプションがある。まず、これは標準的なリソグラフィーによってなされうる。これを図4に示す。図4a中、接続線6の近くに物体3を置いた後の物体を示す。物体3の上には、導電部7がある。標準リソグラフィーにより、ビア8が作られ、物体3が接続される。
図1に示すように、単層はマイクロ接触印刷によって作られる。単層は、小さい物体の体積の後、且つ、例えばUVオゾン又はプラズマ処理での相互接続の前に除去されうる。このようにして、相互接続は、単層によって妨げられる。
相互接続の他のオプションは、基板上で物体を加熱すること、及び、接続を形成するよう物体及び基板の両方で低い融解温度の層を融解させることによるものである。
上述のシステムは、高い配置精度、速度、及び信頼性を低い費用で、大きい基板上で約1μm乃至100μmの範囲で小さい物体を操作することを可能とする。この組立体システムを利用しうる幾つかの用途がある。この組立体は、大きい基板上の上述の範囲のダイの配置及び相互接続される「メソ組立体」と称される。最も顕著な用途は、アクティブ・マトリックス・ディスプレイである。例えば、ポリ・LED−TV及びアクティブ・ポリ・LED−移動電話器は、高い電子移動性及び高い信頼性を有する電子スイッチを必要とする。「メソ組立体」は、潜在的には、低温ポリシリコンの代替物である。アクティブ・マトリックス・ディスプレイのほかに、直接変換を行う広い面積のX線検出器、チップカード、及びタグ、シリコンサブマウント上のLEDチップ等の他の用途が「メソ組立体」技術を利用しうる。
物体の最終的な配置位置の周りの濡れ性の差を有する面の可能な構造を示す図である。 小滴の蒸発による物体の配置を示す図である。 物体及び基板の特別な形状による物体を位置決めする他の方法を示す図である。 標準的なリソグラフィー方法の配置の小さい物体の相互接続を示す図である。

Claims (9)

  1. 小さい物体を受ける基板と、前記基板上で前記小さい物体を担持する、蒸発する液体の小滴と、
    前記小さい物体の配置位置の近傍の前記基板の前処理された表面構造とを有し、
    前記小さい物体は、前記小滴の蒸発により、明確に画成された配置位置へ移動される、
    小さい物体を操作するシステム。
  2. 前記基板の表面構造は、前記物体の最終的な配置位置を良い濡れ性を有するよう変更されるよう、及び、前記小さい物体の配置位置の近傍の基板の濡れ性に対照性を与えるべく前記小さい物体の配置位置の近傍は濡れ性が低いよう、化学的に前処理される、請求項1記載の小さい物体を操作するシステム。
  3. 前記基板の濡れ性の対照性は、マイクロ接触印刷によって作られる適切な分子の単層によって与えられる、請求項2記載の小さい物体を操作するシステム。
  4. 前記小さい物体は、前記基板と接触する前記物体の側面を親水性とするよう単層によって前処理される、請求項1乃至3のうちいずれか一項記載の小さい物体を操作するシステム。
  5. 前記小さい物体は、溶解可能な層によって前処理される、請求項1乃至3のうちいずれか一項記載の小さい物体を操作するシステム。
  6. 前記基板の表面構造は、液体メニスカスの縁が、物理的に前処理された構造の溝及びリッジにより前記小さい物体の最終的な配置位置へ案内されるよう、物理的に前処理される、請求項1記載の小さい物体を操作するシステム。
  7. 前記物体は、磁場により前記配置位置に一致するよう整列される、請求項1乃至6のうちいずれか一項記載の小さい物体を操作するシステム。
  8. 前記基板上の配置位置は、前記物体が前記小滴の蒸発中に前記最終的な配置位置と一致するよう、前記小さい物体の形状に対応する形状を有する、請求項1乃至7のうちいずれか一項記載の小さい物体を操作するシステム。
  9. 小さい物体を受けるよう前処理された表面構造を有する基板を有し、前記物体は前記基板と接触する前記物体の側面を親水性とするよう単層により前処理され、
    前記小さい物体を、前記物体の最終位置の周りのどこかに前記基板上に前記物体の粗い配置により配置し、
    前記基板上の前記小さい物体の前記最終位置の近傍に小滴を配置し、
    前記物体が前記液体中を自由に浮動しうるよう前記液体の小滴中に前記物体を溶解し、
    前記小滴を濡れ性の低い領域から濡れ性の高い領域へ移動させ、
    前記小滴を蒸発させることにより前記物体を正しい位置に位置決めし、
    前記物体を標準的なリソグラフィー方法で相互接続する、
    小さい物体を操作する方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007311748A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 National Tsing-Hua Univ マイクロチップを基板上に位置決める装置及びその方法
KR101402378B1 (ko) 2009-12-28 2014-06-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 실장 방법 및 실장 장치
JP2019016794A (ja) * 2017-07-10 2019-01-31 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 支持体に構成素子を実装する方法、支持体に構成素子を実装するための顔料および顔料の製造方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006123686A1 (ja) 2005-05-20 2006-11-23 Jsr Corporation 担体ポリマー粒子およびその製造方法ならびに特異捕捉用磁性粒子およびその製造方法
US8056222B2 (en) * 2008-02-20 2011-11-15 The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Laser-based technique for the transfer and embedding of electronic components and devices
WO2010066366A1 (en) * 2008-12-13 2010-06-17 Muehlbauer Ag Method and apparatus for manufacturing an electronic assembly, electronic assembly manufactured with the method or in the apparatus
KR102702898B1 (ko) 2019-05-21 2024-09-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN113436776A (zh) * 2021-05-24 2021-09-24 广东工业大学 一种液滴载体式微小物体定向移动方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05304306A (ja) * 1992-04-27 1993-11-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電気・光モジュール及びその製造方法
JPH09506742A (ja) * 1993-12-17 1997-06-30 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア セルフアセンブル型微細構造の組み付け方法
JP2003209397A (ja) * 2002-01-16 2003-07-25 Sony Corp 物品の配置方法
JP2003223626A (ja) * 2002-01-31 2003-08-08 Dainippon Printing Co Ltd Rfidタグの製造方法、及びrfidタグ
JP2003242472A (ja) * 2002-02-14 2003-08-29 Dainippon Printing Co Ltd ウェブに実装されたicチップへのアンテナパターン形成方法と印刷回路形成方法、およびicタグ付き包装体
JP2005166736A (ja) * 2003-11-28 2005-06-23 Toppan Forms Co Ltd 半導体素子の実装方法
JP2005174979A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Sony Corp 素子配列方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5355577A (en) * 1992-06-23 1994-10-18 Cohn Michael B Method and apparatus for the assembly of microfabricated devices
US6294063B1 (en) * 1999-02-12 2001-09-25 Board Of Regents, The University Of Texas System Method and apparatus for programmable fluidic processing
US6527964B1 (en) * 1999-11-02 2003-03-04 Alien Technology Corporation Methods and apparatuses for improved flow in performing fluidic self assembly
GB2373095A (en) * 2001-03-09 2002-09-11 Seiko Epson Corp Patterning substrates with evaporation residues
US6581217B2 (en) * 2001-07-25 2003-06-24 Sam M. Marcos Directional air vents for spas and jetted bathtubs
GB2379414A (en) * 2001-09-10 2003-03-12 Seiko Epson Corp Method of forming a large flexible electronic display on a substrate using an inkjet head(s) disposed about a vacuum roller holding the substrate
US20030190278A1 (en) * 2002-04-08 2003-10-09 Yan Mei Wang Controlled deposition of nanotubes

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05304306A (ja) * 1992-04-27 1993-11-16 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 電気・光モジュール及びその製造方法
JPH09506742A (ja) * 1993-12-17 1997-06-30 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア セルフアセンブル型微細構造の組み付け方法
JP2003209397A (ja) * 2002-01-16 2003-07-25 Sony Corp 物品の配置方法
JP2003223626A (ja) * 2002-01-31 2003-08-08 Dainippon Printing Co Ltd Rfidタグの製造方法、及びrfidタグ
JP2003242472A (ja) * 2002-02-14 2003-08-29 Dainippon Printing Co Ltd ウェブに実装されたicチップへのアンテナパターン形成方法と印刷回路形成方法、およびicタグ付き包装体
JP2005166736A (ja) * 2003-11-28 2005-06-23 Toppan Forms Co Ltd 半導体素子の実装方法
JP2005174979A (ja) * 2003-12-08 2005-06-30 Sony Corp 素子配列方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007311748A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 National Tsing-Hua Univ マイクロチップを基板上に位置決める装置及びその方法
KR101402378B1 (ko) 2009-12-28 2014-06-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 실장 방법 및 실장 장치
JP2019016794A (ja) * 2017-07-10 2019-01-31 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH 支持体に構成素子を実装する方法、支持体に構成素子を実装するための顔料および顔料の製造方法
US11127890B2 (en) 2017-07-10 2021-09-21 Osram Oled Gmbh Method for assembling a carrier with components, pigment for assembling a carrier with a component and method for producing a pigment

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WO2004055887A2 (en) 2004-07-01

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