KR20140101497A - 다공성 구조를 가지는 전사 물질의 패턴 형성 방법 - Google Patents

다공성 구조를 가지는 전사 물질의 패턴 형성 방법 Download PDF

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KR20140101497A
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Abstract

본원은 다공성 구조를 가지는 전사 물질의 패턴 형성 방법에 관한 것으로써,
몰드에 전사 물질을 흡착하는 단계; 기재에 용액을 도포하는 단계; 상기 몰드에 흡착된 전사 물질과 상기 기재에 도포된 용액을 접촉시켜 상기 용액이 상기 몰드에 흡수됨으로써 상기 몰드의 팽창이 일어나는 단계; 및, 상기 몰드의 전사 물질이 상기 기재에 흡착하는 단계를 포함한다.

Description

다공성 구조를 가지는 전사 물질의 패턴 형성 방법 {PATTERNING METHOD OF TRANSFERRING MATERIAL HAVING POROUS STRUCTURE}
본원은, 다공성 구조를 가지는 전사 물질의 선택적 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
일반적으로 전기, 전자, 디스플레이, 광학 소자 등을 제조할 때 기재 상에 미세 패턴을 형성하는 공정을 수행하게 되는데, 이와 같이 기재 상에 미세 패턴을 형성하는 대표적인 기법으로는 빛을 이용하여 미세 패턴을 형성하는 포토리소그라피(photolithography) 방법이 있다.
상기한 포토리소그라피 방법에서는, 포토레지스트와 같은 빛에 대한 반응성을 갖는 고분자 물질을 패턴을 형성하고자 하는 물질이 증착된 기재 상에 도포하고, 목표로 하는 임의의 패턴으로 설계된 레티클을 통해 고분자 물질 상에 빛을 투과시켜 노광하며, 현상 공정을 통해 노광된 고분자 물질을 제거함으로써, 패턴을 형성하고자 하는 물질 위에 목표로 하는 패턴을 갖는 패턴 마스크를 형성한다. 이후, 패턴 마스크를 이용하는 식각 공정을 수행함으로써, 기재 상에 적층된 물질을 원하는 패턴으로 형성한다. 그러나, 포토리소그라피 기술은 패턴 형성 공정 이외에도 식각, 세척, 증착 등과 같은 복잡한 공정이 필연적으로 수반되며, 회로의 미세화가 진행됨에 따라 노광장비의 초기 투자 비용이 증가하는 등의 문제점이 발생되고, 사용되는 빛의 파장과 유사한 해상도를 갖는 마스크의 가격이 급등하는 등 문제가 발생되고 있다.
최근 들어, 상기와 같이 복잡하고 고비용적인 포토리소그라피 기술을 대체하기 위한 다양한 종류의 기술들이 제시되고 있으며, 이러한 대체 기술로서 임프린팅 (Imprinting) 방법, 미세 접촉 프린팅 방법 (micro-contact printing) 방법 등이 있다.
상기한 다양한 대체 기술들 중 임프린팅 방법은 원하는 패턴을 가지고 있는 경도가 큰 패턴 주형을 물리적인 힘으로 가압하여 고분자 위에 미세 패턴을 형성하여 전자빔 등의 방법을 이용하여 이를 기재에 전사하는 방법이다. 대한민국 공개 특허 제 10-2012-0111288은 임프린트용 몰드와 포토 마스크를 동시에 이용한 미세 패턴 형성 방법에 관한 것이다. 그러나, 상기한 임프린팅 방법은 가압시, 높은 압력을 이용하기 때문에 고분자 박막 및 기재가 변형되거나 파손되는 현상이 야기된다는 단점이 있다.
본원은 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로써, 고분자 주형과 모세관 효과를 이용하는 간단한 공정을 통해 목표로 하는 패턴을 형성할 수 있는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본원의 일 측면은, 몰드에 전사 물질을 흡착하는 단계; 기재에 용액을 도포하는 단계; 상기 몰드에 흡착된 전사 물질과 상기 기재에 도포된 용액을 접촉시켜 상기 용액이 상기 몰드에 흡수됨으로써 상기 몰드의 팽창이 일어나는 단계; 및, 상기 몰드의 전사 물질이 상기 기재에 흡착하는 단계를 포함하는, 선택적 패턴 형성 방법을 제공한다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 기재는 실리콘 웨이퍼, 유리, 세라믹, 유리-세라믹, 금속, 금속 산화물 또는 폴리머일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 몰드는 고분자 몰드 또는 강성 기재의 표면을 플렉서블한 고분자 물질로 코팅한 몰드를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 고분자는 PDMS (polydimethylsiloxane), 폴리우레탄 (polyurethane), 폴리이미드 (polyimides) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 전사 물질은 다공성 구조를 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 전사 물질은 금속 또는 세라믹 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 전사 물질은 박막, 분말, 나노튜브, 나노파티클 및 콜로이드 형태인 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 전사 물질의 흡착은 스핀코팅법, 딥핑코팅법, PVD (physical vapor deposition) 또는 CVD (chemical vapor depositon) 방식을 이용하여 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 용액은 용매와 탈산화제를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 용매는 에틸알코올, 메틸알코올, 물 또는 톨루엔 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 용매를 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 탈산화제는 N2H5, Na2SO3, 탄닌산 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 용액의 도포는 스핀 코팅법, 롤 코팅법, 딥핑 코팅법 또는 플로우 코팅법에 의해 수행되는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따르면, 상기 용액이 상기 몰드에 흡수되는 것은 모세관 현상을 이용하여 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
전술한 본원의 과제 해결 수단에 의하면, 다공성 구조를 가지는 전사 물질을 이용하여 패턴을 선택적으로 전사함으로써 기존의 포토리소그라피 방식에서 필요로 하는 식각, 세척, 증착 등과 같은 복잡한 공정을 저감할 수 있어 패턴 형성 공정을 단순화 및 저비용화 할 수 있다.
또한, 페이스트 레이어를 이용하여 패턴을 전사하는 종래 방식에 비해 다른 완충층(buffer layer) 없이 패턴을 전사할 수 있다.
도 1a 내지 도 1d 는 본원의 일 구현예에 따른 다공성 구조를 가지는 전사 물질의 선택적 패턴 형성 과정을 나타낸 단면도이다.
도 2a 는 전사 물질이 흡착된 하부 기재의 표면 사진이고, 도 2b 는 선택적 전사가 완료된 몰드의 표면 사진이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참조하여 본원이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 본원의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나 본원은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본원을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 다른 부분과 "연결"되어 있다고 할 때, 이는 "직접적으로 연결"되어 있는 경우뿐 아니라, 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 "전기적으로 연결"되어 있는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부재가 다른 부재 “상에” 위치하고 있다고 할 때, 이는 어떤 부재가 다른 부재에 접해 있는 경우뿐 아니라 두 부재 사이에 또 다른 부재가 존재하는 경우도 포함한다.
본원 명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함" 한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "약", "실질적으로" 등은 언급된 의미에 고유한 제조 및 물질 허용오차가 제시될 때 그 수치에서 또는 그 수치에 근접한 의미로 사용되고, 본원의 이해를 돕기 위해 정확하거나 절대적인 수치가 언급된 개시 내용을 비양심적인 침해자가 부당하게 이용하는 것을 방지하기 위해 사용된다. 본원 명세서 전체에서 사용되는 정도의 용어 "~(하는) 단계" 또는 "~의 단계"는 "~ 를 위한 단계"를 의미하지 않는다.
본원 명세서 전체에서, 마쿠시 형식의 표현에 포함된 “이들의 조합”의 용어는 마쿠시 형식의 표현에 기재된 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 혼합 또는 조합을 의미하는 것으로서, 상기 구성 요소들로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 것을 의미한다.
도 1a 내지 도 1d 는 본원의 일 구현예에 따른 다공성 구조를 가지는 전사 물질의 선택적 패턴 형성 과정을 나타낸 단면도이다.
도 1a 에 도시된 바와 같이, 전사 물질(104)이 흡착된 몰드(103)와 용액(102)이 도포된 기재(101)를 준비한다.
상기 기재(101)는 실리콘 웨이퍼, 유리, 세라믹, 유리-세라믹, 금속, 금속 산화물 또는 폴리머일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 본원의 일 구현예 에서는 유리 기재 또는 산화물 기재를 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 용액(102)은 용매와 탈산화제의 혼합 용액일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 용매는, 예를 들어, 에틸알코올, 메틸알코올, 물 또는 톨루엔일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 탈산화제는, 예를 들어, N2H5, Na2SO3 또는 탄닌산일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
먼저, 통상적인 방법에 따라, 상기 기재(101)를 세척하여 불순물을 제거한 후, 상기 혼합 용액(102)을 도포한다. 이렇게 상기 기재(101)를 세척한 후, 상기 혼합 용액(102)을 도포하는 것은 상기 기재(101)상에 존재하는 유기물을 제거하기 위한 것이다. 상기 기재(101)상에 유기물이 존재하는 경우에는, 후속하는 상기 혼합 용액(102) 도포 과정에서 균일한 혼합 용액(102)층을 얻을 수 없는 문제가 있기 때문이다. 또한, 상기 용액을 균일하게 도포하기 위해서 상기 기재(101)는 친수성 표면이 요구된다. 친수성 표면의 형성 방법은 예를 들어, 깨끗이 세정된 기재에 184 nm, 254 nm 파장의 자외선을 조사하는 공정을 수행하면, 상기 기재의 표면에 하이드록실기 (OH-)가 형성되어 친수성 표면을 형성할 수 있다.
이어서, 친수화된 상기 기재(101)의 표면에 상기 혼합 용액(102)을 도포한다. 상기 용액의 도포는 스핀 코팅법, 롤투롤 코팅법, 스프레이 코팅법, 딥핑 코팅법 또는 플로우 코팅법에 의해 수행될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 스핀 코팅법을 이용하여 상기 혼합 용액(102)을 도포하면, 스프레이 코팅법에 비해 상기 기재(101)상에 상기 혼합 용액(102)을 균일하게 도포할 수 있다.
이어서, 상기 몰드(103)에 상기 전사 물질(104)을 흡착한다. 상기 몰드(103)는 고분자 몰드 또는 강성 기재의 표면에 플렉서블한 고분자 물질을 코팅한 몰드를 포함하는 것으로 예를 들어, PDMS, 폴리우레탄, 폴리이미드 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 일 구현예에 따라 상기 몰드(103)는 PDMS 몰드를 사용한다. PDMS는 기재상의 넓은 영역에 안정적으로 점착할 수 있어 평탄하지 않은 표면에 대해서도 균일하게 도포될 수 있고, 내구성이 강하기 때문에 몰드로 제작시 오래 사용할 수 있으며, 표면 장력이 낮아 PDMS로 다른 폴리머를 몰딩할 때, 접착이 잘 일어나지 않음으로 인해 성형 가공성이 좋은 장점이 있다.
상기 몰드(103)의 형성은 예를 들어, 기재에 포토레지스트 막을 도포한 후, 전자빔 리소그라피 방법으로 패턴을 형성한다. 이어서, 패턴된 상기 기재에 PDMS 혼합물을 도포한 후, 경화하여 제작할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 전사 물질(104)은 다공성 구조를 가진 물질로, 예를 들어, 금속 또는 세라믹 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 금속은 예를 들어, Li, Al, Sn, Sb, Ni, Cu, Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Zn, Mo, W, Au, Ag, Pt, Ir 또는 Ru일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 전사 물질(104)은 박막, 분말, 나노튜브, 나노파티클 및 콜로이드 형태일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 전사 물질(104)의 격자 사이즈는 특별히 제한되지 않는다. 상기 박막은 예를 들어, 격자 간격이 큰 보이드가 형성된 금속 또는 세라믹 박막일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 분말, 나노튜브, 나노파티클 및 콜로이드는 예를 들어, 입자 사이즈가 수 nm 내지 수십 ㎛ 인 형태의 재료를 이용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
본원의 실시예에서는 상기 전사 물질(104)로 금속을 사용하였으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 몰드(103)에 상기 전사 물질(104)을 흡착하는 방법은 스핀코팅법, 딥핑코팅법, PVD (physical vapor deposition) 또는 CVD (chemical vapor depositon) 방법일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. PVD 방법은 예를 들어, 스퍼터링(sputtering), 전자빔 증착법(E-beam evaporation), 열증착법(thermal evaporation), 레이저 분자빔 증착법(laser molecular beam epitaxy, L-MBE), 및 펄스레이 증착법(pulsed laser deposition, PLD) 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. CVD 방법은 예를 들어, 고온 화학 기상 증착 (Rapid thermal chemical vapor deposition; RTCVD), 금속 유기 화학 기상 증착 (Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD), 유도 결합 플라즈마 화학 기상 증착(inductively coupled plasma-chemical vapor deposition; ICP-CVD), 저압 화학 기상 증착(low pressure chemical vapor deposition; LPCVD), 상압 화학 기상 증착 (atmospheric pressure chemical vapor deposition; APCVD), 플라즈마 강화 화학 기상 증착 (plasma-enhanced chemical vapor deposition; PECVD), 및 수소 기상 증착 (Hydride Vapor Phase Deposition; HVPE) 일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 1b 에 도시된 바와 같이, 전사 물질(104)이 흡착된 상기 몰드(103)와 혼합 용액(102)이 도포된 상기 기재(101)를 접촉시킨다.
상기 몰드(103)와 상기 기재(101)를 접촉시키면, 상기 몰드(103)의 양각 부분에 형성된 전사 물질(104)은 상기 기재(101) 표면과 접촉하여 상기 기재(101)에 도포된 혼합 용액(102)과 접촉한다. 그러나 상기 몰드(103)의 음각 부분에 형성된 전사 물질(104)은 상기 기재(101)의 표면과 접촉하지 못한다.
이 때, 모세관 효과로 인해, 상기 기재(101)의 표면에 도포된 상기 혼합 용액(102)이 상기 전사 물질(104)과 상기 몰드(103)로 흡수된다. 모세관 현상은, 액체 속에 모세관을 세우면 관내의 액면이 관 외부의 자유 표면보다 높아지거나 낮아지는 현상을 뜻하는 것으로, 액체가 모세관을 적실 때, 낮은 자유 에너지를 갖게 되며, 그 젖음 현상은 액체의 모세관 오름 현상을 일으키는 것이다.
도 1c 에 도시된 바와 같이, 일정 시간이 경과하면, 상기 혼합 용액(102)은 상기 몰드(103) 및 상기 전사 물질(104)에 흡수되어 용액이 흡수된 PDMS 몰드(103')와 용액이 흡수된 전사 물질(104')을 형성한다. 상기 전사 물질(104)이 다공성의 구조를 형성하였기 때문에, 이러한 다공성 공간으로 상기 혼합 용액(102)이 상기 몰드(103)까지 흡수될 수 있다.
상기 혼합 용액(102)은 용매와 탈산화제의 혼합 용액으로, 용매는 상기 몰드(103)에 흡수되어, 상기 용액이 흡수된 PDMS 몰드(103')에 팽윤(swelling) 현상을 일으킨다. PDMS몰드의 유연성 때문에 경화 후, 용매에 의한 팽윤 현상이 일어난다. 예를 들어, 상기 용매는 에틸알코올, 메틸알코올, 물 또는 톨루엔일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 탈산화제는 금속의 저항을 높여, 금속과 상기 용매가 반응하여 산화되는 것을 억제하는 역할을 한다. 예를 들어, 상기 탈산화제는 N2H5, Na2SO3 또는 탄닌산일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 몰드(103)에 흡수된 상기 혼합 용액(102)으로 인해, 상기 용액이 흡수된 PDMS 몰드(103')는 팽윤한다. 상기 몰드(103)의 내부는 미세 크기의 다공성 구조로 되어 있으며, 상기 몰드와 상기 혼합 용액(102)이 접촉 시, 상기 몰드(103)의 다공성 홀 내부로 삼투압 현상에 의한 용매의 선택적 흡수가 일어난다. 이렇듯 상기 혼합 용액(102)이 상기 몰드(103)로 흡수됨에 따라 상기 몰드(103)의 부피가 팽창되는 현상이 일어나며, 표면에 흡착된 전사 물질(104)은 상기 몰드(103)의 팽윤으로 인하여 분리가 된다. 이와 같은 현상으로 인해, 도 1d 에 도시된 바와 같이 상기 용액이 흡수된 전사 물질(104')이 상기 용액이 흡수된 PDMS 몰드(103')에서 탈착하여 상기 기재(101)에 흡착되는 것이다.
도 2a 및 도 2b 는 본원의 일 실시예에 따른, 전사 물질이 흡착된 하부 기재와 선택적 전사가 완료된 몰드의 광학 현미경 사진이다.
도 2a 에 도시된 바와 같이, 전사 물질이 흡착된 하부 기재의 표면은 선택적으로 전사가 완료 되었으며, 도 2b 에 도시된 몰드의 표면 사진에서는 선택적 전사가 이루어진 면과 반대 영역에서만 전사 물질이 잔존하는 것을 확인할 수 있다.
이와 같이, 몰드 표면에 다공성 구조를 가지는 전사 물질을 형성하여 접촉 인쇄 시킬 경우, 용매가 모세관력을 이용하여 막질 내부로 침투하는 방식을 이용하므로 기존의 선택적 패턴 형성 공정을 단순화 할 수 있으며, 다른 완충층(buffer layer) 없이 패턴을 전사할 수 있으므로 패턴 제작시, 시간과 비용을 절감할 수 있다.
전술한 본원의 설명은 예시를 위한 것이며, 본원이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 자는 본원의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 쉽게 변형이 가능하다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 예를 들어, 단일형으로 설명되어 있는 각 구성 요소는 분산되어 실시될 수도 있으며, 마찬가지로 분산된 것으로 설명되어 있는 구성 요소들도 결합된 형태로 실시될 수 있다.
본원의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 균등 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본원의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
101 : 기재
102 : 혼합 용액
103 : 몰드
103': 용액이 흡수된 몰드
104 : 전사 물질
104': 용액이 흡수된 전사 물질

Claims (13)

  1. 몰드에 전사 물질을 흡착하는 단계;
    기재에 용액을 도포하는 단계;
    상기 몰드에 흡착된 전사 물질과 상기 기재에 도포된 용액을 접촉시켜 상기 용액이 상기 몰드에 흡수됨으로써 상기 몰드의 팽창이 일어나는 단계; 및
    상기 몰드의 전사 물질이 상기 기재에 흡착하는 단계
    를 포함하는, 선택적 패턴 형성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기재는 실리콘 웨이퍼, 유리, 세라믹, 유리-세라믹, 금속, 금속 산화물, 폴리머 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는, 선택적 패턴 형성 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 몰드는 고분자 몰드 또는 강성 기재의 표면을 플렉서블한 고분자 물질로 코팅한 몰드를 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 고분자는 PDMS (polydimethylsiloxane), 폴리우레탄 (polyurethane), 폴리이미드 (polyimides) 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 전사 물질은 다공성 구조를 형성하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 전사 물질은 금속 또는 세라믹 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 전사물질은 박막, 분말, 나노튜브, 나노파티클 및 콜로이드 형태인 것을 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 전사 물질의 흡착은 스핀코팅법, 딥핑코팅법, PVD (physical vapor deposition) 또는 CVD (chemical vapor depositon) 방식을 이용하여 수행되는 것인, 선택적 패턴 형성 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 용액은 용매와 탈산화제를 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 용매는 에틸알코올, 메틸알코올, 물 또는 톨루엔 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 용매를 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 탈산화제는 N2H5, Na2SO3, 탄닌산 및 이들의 조합들로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 선택적 패턴 형성 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 용액의 도포는 스핀 코팅법, 롤 코팅법, 딥핑 코팅법 또는 플로우 코팅법에 의해 수행되는 것인, 선택적 패턴 형성 방법.
  13. 제 1항에 있어서,
    상기 용액이 상기 몰드에 흡수되는 현상은 모세관 현상을 이용하여 수행되는 것인, 선택적 패턴 형성 방법.

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