JP2012504336A - インプリント・リソグラフィ用の粒子削減 - Google Patents
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Abstract
ナノリソグラフィックインプリント・時に、粒子が基板および/またはテンプレート上に存在する場合がある。粒子は、上記のような局所的な除去技術および/またはインプリント・技術を使って削減および/または除去が可能である。
Description
(関連出願の相互参照)
本出願は、2008年9月30日に提出の米国特許仮出願第61/101,491号; 2008年10月2日に提出の米国特許仮出願第61/102,072号; 2008年10月30日に提出の米国特許仮出願第61/109,529号; および、2009年9月29日に提出の米国特許出願第12/268,730号について、U.S.Cの§119(e)(1)に基づいて利益を請求するものであり、これらの内容を本明細書に援用する。
本出願は、2008年9月30日に提出の米国特許仮出願第61/101,491号; 2008年10月2日に提出の米国特許仮出願第61/102,072号; 2008年10月30日に提出の米国特許仮出願第61/109,529号; および、2009年9月29日に提出の米国特許出願第12/268,730号について、U.S.Cの§119(e)(1)に基づいて利益を請求するものであり、これらの内容を本明細書に援用する。
ナノ加工には、100ナノメートル以下程度の特徴を有する極小構造の加工を含む。ナノ加工が相当の大きさの衝撃を与える、ある適用方法としては、集積回路の処理がある。半導体処理業界は、製品歩留まりを上げるために懸命の努力を続けており、一方、基板上に形成されるユニット領域毎の回路の数が増えている。よって、ナノ加工の必要性が次第に高くなってきているのである。ナノ加工によれば、形成した構造体の最小特徴寸法を減少させ続けながら、よりよい加工制御が実現する。ナノ加工を採用した開発の他の分野としては、バイオテクノロジー、光学技術、機械システムなどが挙げられる。
今日利用されているナノ加工技術の一例は、一般的にインプリント・リソグラフィと呼ばれている。例示しているインプリント・リソグラフィの工程については、その内容を本明細書に援用している米国特許公報第2004/0065976号、米国特許公報第2004/0065252号、米国特許第6,936,194号など、数多くの公報に詳細に説明されている。
上記米国特許公報および特許のそれぞれに開示されたインプリント・リソグラフィ技術は、重合可能な層におけるレリーフ・パターンの形成や、レリーフ・パターンに対応するパターンの基礎基板への転写を含む。基板を移動ステージに連結することにより、所望の位置に位置決めをし、パターンニング工程を容易にすることができる。さらに、基板は基板チャックに連結してもよい。パターンニング工程は、基板から間隔をあけて位置するテンプレートと、テンプレートと基板との間に塗布した成形可能な液体を使用して行う。成形可能な液体は、固化して形成可能な液体に接触するテンプレートの表面形状に合ったパターンを有する剛性の層を形成する。固化の後、テンプレートを、テンプレートと基板とが互いに間隔を開けるように剛性層から離れて位置させる。その後、基板と固化層に対しては、固化層のパターンに対応するレリーフ画像を基板に転写するための別の工程が実施される。
本発明の特徴および利点が詳細に理解できるように、添付の図面に示した実施形態を参照しながら本発明の実施形態をより詳細に説明する。しかしながら、注意すべきは、添付の図面は、本発明の典型的な実施形態を示すだけものであり、よってその範囲を限定するものではなく、本発明は他の同様な効果的な実施形態も含むものである。
図面、特に図1を参照する。基板12上にレリーフ・パターンを形成するために使用するリソグラフィック装置10が示されている。基板12は、基板チャック14と結合することができる。図示のように、基板チャック14は、真空チャックである。しかし、基板チャック14は、真空、ピン型、溝型、電磁式などを限定することなく包含する、いかなるチャックであってもよい。例示したチャックは、本明細書に援用する米国特許第6,873,087号に説明している。
基板12および基板チャック14は、さらにステージ16によって支持することができる。ステージ16は、x、y、z軸に沿って移動するように構成することができる。ステージ16、基板12、および基板チャック14は、基台(図示せず)上に位置させてもよい。
テンプレート18が図12から離れて位置する。テンプレート18は、一般に、そこから基板12に向かって延在するメサ型20を有し、メサ型20はその上にパターニング面22を有する。さらに、メサ型20は、型20と称すことができる。テンプレート18および/または型20は、融解石英、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサン・ポリマー、ホウケイ酸ガラス、過フッ化ポリマー、金属、硬化サファイア等を限定することなく包含する材料から形成すればよい。図示のごとく、パターニング面22は、複数の間隔をあけた凹部24および/または凸部26によって形成される形状部を有する。パターニング面22は、基板12上に形成するパターンの基礎を形成するいかなるオリジナルパターンをも形成することができる。
テンプレート18は、チャック28と結合することができる。チャック28は、限定するものではないが、真空、ピン型、溝型、電磁式および/または他の同様のチャック型として構成することができる。これらのチャックは、本明細書に援用している米国特許第6,873,087号にさらに詳しく説明している。さらに、チャック28をインプリント・ヘッド30に結合することにより、チャック28および/またはインプリント・ヘッド30によってテンプレート18を動きやすくするように構成することができる。
装置10は、さらに、流体分配システム32を備える。流体分配システム32は、成形可能材料34(例えば、重合可能材料)を基板12上に置くために使用することができる。成形可能材料34は、液滴吐出、スピンコート、ディップコート、化学蒸着(CDV)、物理蒸着法(PVD)、薄膜蒸着、厚膜蒸着などのような技術を使って基板12上に位置させることができる。成形可能材料34は、設計の検討内容により、所望の量が型22と基板12の間に形成される前および/または後に、基板12上に設ければよい。成形可能材料34は、バイオの分野、太陽電池業界、電池業界、および/または機能的ナノ粒子を必要とする他の業界で使用される機能的ナノ粒子でもよい。例えば、成形可能材料34は、本明細書に援用している米国特許第7,157,036号および米国特許公報第2005/0187339号に記載のモノマー混合物からなるものでもよい。あるいは、成形可能材料34は、バイオ材料(例えばPEG)、太陽電池材料(例えばN型、P型材料)などを限定されることなく含むものでもよい。
図1および2を参照する。装置10は、さらに、通路42に沿って直接エネルギー40と結合されたエネルギー供給源38を含んでいてもよい。インプリント・ヘッド30およびステージ16は、通路42と重ねてテンプレート18と基板12を位置決めするように構成されていてもよい。装置10は、ステージ16、インプリント・ヘッド30、流体分配システム32、および/または供給源38と通信するプロセッサー54によって調整され、メモリ56に保存されたコンピュータで読み取り可能なプログラム上で操作してもよい。
インプリント・ヘッド30、ステージ16のいずれか、または両方は、型20と基板12の間の距離を変更して、それらの間の容積を、成形可能材料34で充填する所望の容積とすることができる。例えば、インプリント・ヘッド30は、テンプレート18に力を加えて、型20を成形可能材料34に接触させてもよい。所望の容積が成形可能材料34で充填された後、供給源38は、例えば、紫外線などのようなエネルギー40を生成し、成形可能材料34を固化させ、そして/または基板12の表面44とパターンニング面22の形状に沿いながら相互結合させ、基板12上にパターン形成層46を形成する。パターン形成層46は残留層48と、凸部50および凹部52のような複数の形状部を備え、凸部50の厚みはt1であり、残留層の厚みはt2である。
上記の装置および工程は、さらに、本明細書にその全体を援用する米国特許第6,932,934号、米国特許第7,077,992号、米国特許第7,179,396号米国特許第7,396,475号に記載のインプリント・リソグラフィ工程と装置に採用することができる。
図1〜図3を参照する。上記のパターンニング工程の間、粒子60は、基板12と型20の間に位置する場合がある。例えば、粒子60は、基板12の表面44上に位置する場合があり、さらに別の例では、パターン形成層46内に位置する場合もある。さらに別の実施形態では、複数の粒子60が、表面12と型20の間に位置する場合もある。粒子60は厚みがt3である。以後、粒子60とは、複数の粒子60も含むものとする。
粒子60は、基板12のパターンニングの間、有害および/又は他の悪影響を及ぼす場合があるため、粒子60の削減および/または除去のための装置および方法を説明する。ここで、粒子60とは、汚染物質60と置き換えてもよい。
図4〜8を参照する。局所的なエネルギーおよび/または作動力により、基板12および/またはパターン形成層46から粒子60を削減するおよび/または除去することができる。注目すべきは、上記した局所的な粒子60の除去方法のいずれも、粒子60の削減および/または除去をさらに高めるために互いに、あるいは、ここでさらに論じる他の技術(例えば、インプリント・パターンニング除去、複製形成)と組み合わせることができることである。
図2、3、および4を参照する。局所的な粒子60の除去には、フィルム62による粒子60および/または粒子の一部の除去が含まれていてもよい。フィルムは、第1の面64と第2の面65とを有していてもよい。第1の面64および/または第2の面65は、一種類以上の接着剤を含んでいてもよい。例えば、フィルム62の第1の面64は、一種類の接着剤を含んでいてもよい。フィルム62の第1の面64の接着剤は、例えば、テープ、粘着フィルム、および/または粒子60の少なくとも一部に接着することが可能なその他の材料でよい。
接着剤を有するフィルム62の第1の面64は、基板12の面44に面して位置させればよい。フィルム62の寸法は、基板12の長さおよび/または粒子60の寸法に比例した長さでよい。例えば、フィルム62の寸法は、粒子60より数ナノメートルだけ大きい寸法でありさえすればよい。フィルム62の第1の面64は、粒子60と接触して配置すればよい。フィルムの第1の面64上の接着剤は、フィルム60に付着すればよい。フィルム62の除去時、粒子60も、基板12および/またはパターン形成層46から取り除くことができる。粒子60とフィルム62の間のファンデルワールス力は、基板12および/またはパターン形成層46からの粒子60の除去および/または削減に対するフィルム62の接着面64の代わりまたはそれに加えて使用することもできる。
図2、3、および5を参照する。粒子60の局所的な除去は、基板12上に位置するレジスト層66の除去と、粒子60の実質的な封じ込めを含んでいてもよい。レジスト層66は、液滴吐出、スピンコート、ディップコート、化学蒸着(CDV)、物理蒸着法(PVD)、薄膜蒸着、厚膜蒸着などを限定することなく包含する工程によって基板12上に塗布することができる。一例では、レジスト層66は、図1および2において説明したように、基板12上に置いて固化した液滴でよい。
レジスト層66は、粒子60の実質的な部分に付着および/または実質的に浸せばよい。そしてレジスト層66を除去すればよく、レジスト66の除去時に、粒子60または粒子の実質的な部分を基板12および/またはパターン形成層46から除去することができる。
別の例では、液滴吐出、スピンコート、ディップコート、化学蒸着(CDV)、物理蒸着法(PVD)、薄膜蒸着、厚膜蒸着などを限定することなく包含する工程によって、レジスト層66は基板12上の粒子60に隣接して位置させることができる。レジスト層66は、図1および2において説明した装置と方法で、非パターン形成テンプレート18を使ってパターンを形成してもよい。レジスト層66は、粒子60の一部に付着および/または実質的に浸せばよい。そしてレジスト層66を除去すればよく、レジスト66の除去時に、粒子60は、基板12および/またはパターン形成層46から除去することができる。
図1〜3、および6を参照する。粒子60の局所的な除去は、真空発生手段68によって加えられた吸引力70を粒子60にかけることを含んでいてもよい。真空発生手段68は、パターンニング工程の各種段階で真空を生じさせることができる。吸引力70は、基板12に実質的な損傷を与えることなく、粒子60を除去させるだけの所定の大きさの力を与えることができる。真空の制御および/または力は、メモリ56に保存したプログラムの中のアルゴリズムの制御下におき、プロセッサ54内で実行することができる。
図6は、粒子60に隣接した真空発生手段68の一つ以上のノズル67の位置決めを示す。ノズル67は、粒子60に隣接して位置させてもよく、さらに/またはチャック14の周囲に位置させてもよい。単純化させるために、図6は、ノズル67を1つだけ図示しているが、本発明の実施形態においては、ノズル67はいくつあってもよい。さらに、同様の機能を得るために、力70を粒子60に送る他の手段を利用してもよい。
図1〜3、および7を参照する。粒子60の局所的な除去には、ノズル74を介して極低温に冷却された材料72を粒子60に塗布することによって、粒子60を基板12から取り除き、さらに/または断片化することが含まれていてもよい。さらに、粒子60は、(図6で説明したような)真空力によって、および/または、吹きつけ力を加えることによって(例えば、その上、中または通り抜けて気流を吹き付ける)基板12から除去してもよい。1つの例では、極低温に冷却された材料72は、粒子60に塗布している間は液状でも、および/または固体状でもよい。超低温に冷却された材料72は、それが温まるにつれ、位相が実質的に気体の状態に遷移し、基板12から拡散して粒子60を工程内で運び去ることができる。
図1〜3、および8を参照する。粒子60の局所的な除去には、静電力(吸着または反発)および/または粒子60に向けて電子アークを装置76で付与することが含まれていてもよい。静電力および/または電子アークを付与することによって、基板12から粒子60を取り除き、そして/または断片化することができる。その後粒子60は、基板12および/またはパターン形成層46から(図6に説明したような)真空力により、そして/または吹きつけ力を加えることによって(例えば、その上、中または通り抜けて気流を吹き付ける)取り除くことができる。
一例では、粒子60と装置76との間の吸着静電力を使って粒子60を除去してもよい。粒子60は、吸着静電力を引き起こす反対電荷を有する、および/または生成する装置76によって帯電させてもよい。すると、粒子60は、装置76に付着して、基板12から取り除くことができる。また、別の例では、反発静電力を利用して、粒子60を基板12から取り除く、および/または叩き落してもよい。粒子60は、粒子60と装置76の間に反発静電力を引き起こす反対電荷を有する、および/または生成する装置76によって帯電させてもよい。反発静電力を加えることによって、粒子60を基板12から叩き落す、および/または取り除くことができる。
インプリント工程(例えば、ナノインプリント・リソグラフィ)を使っても、基板12および/またはパターン形成層46から粒子60を削減および/または取り除くことが可能である。注目すべきは、粒子60を削減および/または取り除く上記のインプリント法は、いずれも、他の方法やここで説明した技術と組み合わせて、粒子60の削減および/または除去の効果をさらに高めることができることである。
図9を参照する。粒子60のインプリント法は、テンプレート18をダミー・テンプレート78に置き換えて(図1に示す)、粒子60を有する基板12(例えば分野)の領域にインプリントすることができる。図1および9を参照すると、ダミー・テンプレート78は解像度が低く、テンプレート18と実質的に同様のパターン密度を有する低コストのテンプレートである。例えば、ダミー・テンプレート78は、そこから基板12に向かって延在するメサ型80を有していてもよい。メサ型20と同様に、メサ型80は、その上にパターンニング面82を有する。ダミー・テンプレート78のパターンニング面82は、テンプレート18のパターンニング面22に実質的に類似しているが、ダミー・テンプレート78のパターンニング面22は、低解像度であり、弾力に欠けていてもよい。メサ型80は、結果を生み出すことを目的としているものではないため、粒子60によるダミー・テンプレート78への損傷は、結果として概ね取るに足らないことである。このように、粒子60が図1および2において説明したようにパターンニング中に基板12上で確認された場合、テンプレート18を装置10から取り除き、ダミー・テンプレート78と交換して、基板12の粒子を有する領域にインプリントすることにより、テンプレート18を損傷から守ることができる。
図10を参照する。テンプレート18は、軟性マスク層84を組み込むように変更することができる。軟性マスク層84は、粒子60の周りに適合可能な材料から形成することができ、よって、除外領域の寸法を減らすことができる。マスク20は、軟性マスク層84から形成してもよく、さらに/または別のマスク層84は、軟性マスク層84に隣接して位置させることができる。例えば、軟性マスク層84は、マスク20と、基板12に対向するテンプレート18の表面の間に位置させることができる。図1および2に関連して説明したように、インプリント用パターンは、軟性マスク層84および/またはメサ型20のパターン形成層22上のいずれかに形成することができる。あるいは、ソフトマスク層84は、マスク20上に位置させて、業界内で周知の所定の最適な結果を生みだすインプリント基板12用のパターンを提供することができる。軟性マスク層84は、ポリマー、スピンオンガラス等を限定することなく包含する材料から形成することができる。例えば、軟性マスク層84は、シリコン系ポリマーで形成することができる。
図11および12は、粒子の損傷を最小限におさえ、さらに/または除去するインプリント技術の別の例を示す。一般的に、残留層48は、凸部50および/または凹部52を含まなくてもよく、さらに/または凸部60および/または凹部52は実行不可能であってもよく、また、このように、粒子を有する基板12の領域は硬質なものでもよい。粒子60を有する基板12の領域は硬質なものでもよいが、隣接する領域は、最低限の衝撃を受けるものであってもよい。
図11を参照する。成形可能材料34を、粒子60がその上に位置する基板12の領域に塗布することができる。成形可能材料34は、粒子60および/または基板の表面44の形状に沿って固化して、基板12および/またはパターン形成層46から粒子60を削減することができる。粒子60を有する基板12の領域は硬質なものでもよいが、隣接する領域は、最低限の衝撃を受けるものであってもよい。
成形可能材料34は、図1および2に関連して説明した技術を使って、その上に粒子60を有する基板12上の領域に位置させればよい。例えば、成形可能材料34は、液滴吐出、スピンコート、ディップコート、化学蒸着(CDV)、物理蒸着法(PVD)、薄膜蒸着、厚膜蒸着などのような技術を使って位置させことができる。テンプレート18を使って、基板12の表面44に亘って成形可能材料34を薄く塗ることができる。例えば、テンプレート18は、実質的に平坦であり、毛細管作用を使うことにより、テンプレート18と基板12の間に位置する成形可能材料34を基板12の表面44に亘って流すことができる。あるいは、成形可能材料34は、テンプレート18を使用せずに基板12の表面44上に位置させることができる。
図1、11、および12を参照する。供給源38は、例えば、紫外線などのようなエネルギー40を供給し、成形可能材料34を硬化させる、そして/または基板12の表面44の形状に沿いながら相互結合させ、さらに粒子60を含む残留層48を形成する。残留層48は凸部50および/または凹部52を含まなくてもよく、あるいは、凸部60および/または凹部52は実行不可能であってもよいので、粒子を有する基板12の領域は、硬質でもよい。粒子60を有する基板12の領域は硬質でもよいが、隣接する領域は、最低限の衝撃を受けるものであってもよい。
パターンニングの間、図1および2に関連して説明するように、テンプレート18への粒子60の接触は、テンプレート18への損傷および/またはパターン形成層46の形状部50および/または52への損傷を引き起こす可能性がある。例えば、テンプレート18の粒子60との接触により、パターン形成層46の形状部50および/または52、および/またはテンプレート18の形状部24および26のクリティカルな寸法を損なう可能性がある。
テンプレート18の製造はコストが高いため、テンプレート18の複製(すなわち、複製テンプレート18a)は製造コストの低減に貢献する。図13は、複数のパターン形成基板19を製造するために、このような複製テンプレート18aを供給するためのフロー図を示すものである。一般的に、複数の複製テンプレート18aを形成するためには、テンプレート18(すなわちマスターテンプレート)を複製すればよい。複製テンプレート18aは、任意で作業テンプレート18bを形成することができる。作業テンプレート18bを使ってパターン形成基板19を形成してもよい。パターン形成基板19は、ハードディスクドライブ業界(図13に示す)、半導体業界、太陽電池業界、生物医学的業界、光電子業界、または機能材料(例えば、成形可能材料34)を使用するあらゆる業界内で使用することができる。例えば、図13に示した作業テンプレート18bを使って、図1および2に関連して説明した工程と方法で、さらに、その全体を本明細書に援用する米国特許出願番号11/565,350および米国特許出願番号11/565,082に説明するものを限定することなく包含する工程と方法を使って、基板19の両面パターンニング用の200,000,000工程ものリソグラフィ工程を採用することによって、約100,000,000枚のパターン形成基板19を形成することができる。
図14から20は、粒子60による損傷を最低限および/または皆無としながら、マスターテンプレート18を使って複製テンプレート18aを形成する方法を例示する略側面図である。この方法を使って、クリティカルな寸法の均一性の問題と、追加のエッチング工程によって引き起こされる不良を減らす処理からパターン転写工程を除去することができる。
図1および2に関連して説明した装置と方法を使ってテンプレート18を複製してテンプレート18aを形成する際、パターン形成層46の厚みt2は、粒子60を実質的に覆うように予め決定し、テンプレート18が粒子60によって損傷を受けないように保護する安全係数厚d1を規定することができる。パターン形成層46の厚みt2および/または成形可能材料34の付着は、メモリ56に保存したプログラムの中のアルゴリズムの制御下におき、プロセッサ54内で実行することができる。
図14および15を参照する。成形可能材料34を固化し、テンプレート18は、形状部50および52を有するパターン形成層46から分離することができる。パターン形成層46の厚みt2は、パターンニング工程における粒子60とテンプレート18の接触を最小限とすることができ、そして/または制限することができる。パターン形成層46は、粒子60を実質的に覆うように決定した厚みt2を有する残留層48を有し、テンプレート18を粒子60による損傷から守る安全係数厚d1を規定することができる。安全係数厚d1は、約2〜2000nmである。例えば、安全係数厚d1は、10〜200nmの範囲内であればよい。
図16から19を参照する。任意で材料層90をパターン形成層46の上に位置させて、パターン形成層の形状部50および52を充填することができる。材料層90の形状部50aおよび52aは、パターン形成層46の形状部50および52の充填により形成することができる。複製基板94を材料層90に接着させて、形状部50aおよび52aを有する複製テンプレート18aを形成するパターン形成層46から材料層90を分離させればよい。
図16を参照する。材料層90は、二酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンなどを限定することなく包含する材料から形成することができる。材料層90は、液滴吐出、スピンコート、ディップコート、化学蒸着(CDV)、物理蒸着法(PVD)、薄膜蒸着、厚膜蒸着などを限定することなく包含する工程を使って位置させる。例えば、材料層90はCVDを使ってパターン形成層46上に蒸着させることができる。CVD工程は、一般的に、材料層90の材料部分を、パターン形成層46の外側の領域92まで延在させることができる。
図17を参照する。パターン形成層46の外側の領域92の材料は、除去することができる。パターン形成層46の外側の領域92の材料を除去することにより、基板12のパターン形成形状部50および52に対応する凸部50aおよび凹部52aを有する材料層90が形成される。例えば、材料層90の凸部50aは、基板12のパターン形成凹部50に対応し、材料層90の凹部52aは、基板12のパターン形成凸部52に対応する。さらに、研磨工程(例えば、CMP研磨)を任意で採用して材料層90を略平坦にしてもよい。
図18および19を参照する。複製基板94を材料層90に接着して、業界内では周知の技術および工程を使って複製テンプレート18aを形成する。例えば、接着層95を材料層90と複製基板94の間に蒸着して複製テンプレート18aを形成する。接着層95は、その全体を本明細書に援用している米国特許出願番号11/187,407にさらに記載した材料を限定することなく包含する材料で形成してもよい。あるいは、接着層95を、酸化物で形成してもよく、および/または複製基板94に接着して複製テンプレート18aを形成することができる。接着技術は、伝熱接着、陽極接着などを限定することなく包含するものでよい。
複製テンプレート18aは、パターン形成層46から剥離することができる。例えば、パターン形成層46を形成する成形可能材料34は、本明細書に全体的に援用される、米国特許出願番号09/905,718; 米国特許出願番号10/784,911; 米国特許出願番号11/560,266; 米国特許出願番号11/734,542; 米国特許出願番号12/105,704; 米国特許出願番号12/364,979に、さらに記載の選択的接着特性を有するものでもよい。一般的に、形状部50aおよび52a、および/または形状部50および52へかかる応力を最低限に抑えながら、複製テンプレート18aをパターン形成層46から分離することができる。そして、複製テンプレート18aを使って図13に関連して説明したように、作業テンプレート18bを作成することができる。
図20を参照する。複製テンプレート18aは、パターン形成層46と基板12との間に位置する可溶性材料96を使用することによってもパターン形成層46から分離させることができる。上記の方法同様、クリティカルな寸法の均一性の問題と、追加のエッチング工程によって引き起こされる不良を減らす処理からパターン転写工程を除去することができる。さらに、パターン形成層46と基板12の間に位置する可溶性材料96に対して選択的にエッチングを施してもよい。例えば、酸化洗浄工程を使って、無機材料を残して可溶性材料96の有機材料に対してのみ選択的にエッチングすることによって複製テンプレート18aを形成してもよい。
可溶性材料96は、ポリメチルグルタルイミド(PMGI)を限定することなく包含するものでもよい。PMGIは、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)を使って剥離可能である。さらに、接着層98を可溶性材料96とパターン形成層46の間に位置させることも可能である。接着層98は、その全体を本明細書に援用する米国特許公報第2007/0021520号に記載のBT20を限定することなく包含するものでもよい。
複製テンプレート18aをパターン形成層46から分離するには、可溶性材料96を洗い流して基板12からの接続を破断する。パターン形成層46は有機材料から形成することもできる。酸化洗浄工程(例えば酸素プラズマ)を使って、限定的にシリコン系を有し、結果的に複製テンプレート18aを形成するパターン形成層46を取り除くこともできる。注目すべきは、紫外線オゾン、VUV,オゾン処理水、硫酸/過酸化水素(SPM)などを限定することなく包含する他の洗浄工程も利用することができるということである。
図21〜24は、粒子60による損傷を最低限および/または皆無としながら、マスター・テンプレート18を使って複製テンプレート18aを形成する別の方法を例示する略側面図である。
図21を参照する。マスター・テンプレート18には、図1および2に関連して説明した装置および工程を使って基板12上にパターン形成層46をインプリントすることができる。基板12は、融解石英、石英、シリコン、有機ポリマー、シロキサンポリマー、ホウケイ酸ガラス、過フッ化ポリマー、金属、硬化サファイア等を限定することなく包含する材料から形成すればよい。
パターン形成層46は、残留層48と、凸部50および凹部52として示す複数の形状部とを有していてもよい。凸部50の厚みはt1であり、残留層48の厚みはt2である。残留層48の厚みt2は、粒子60を捕らえられるように増加させることができる。例えば、残留層48の厚みt2は、残留層48が粒子60を完全に覆ってしまうよう、約150nmより大きくすることができる。
図22を参照する。表面処理100をパターン形成層46に対して行なってもよい。表面処理100は、成形可能材料34の固化、および/または成形可能材料34の相互結合に先立って、成形可能材料34を薄く塗りやすくし、さらに/または材料を剥離しやすい(すなわち、パターン形成層46の剥離性を高める)特徴を有するものであればよい。例えば、表面処理100は、パターン形成層46の表面上に蒸気処理(例えばヘキサメチルジシロキサン(HMDS))によって作成した酸化層を含んでいてもよい。別の例では、表面処理100は、パターン形成層46の少なくとも一部を酸化物に変換するためのプラズマ処理を含んでいてもよい。また、別の例では、表面処理100は、パターン形成層46の表面上に蒸着された(例えばCVD)酸化物を含むものでもよい。さらに、パターン形成層46は、本明細書に全体的に援用される、米国特許出願番号09/905,718; 米国特許出願番号10/784,911; 米国特許出願番号11/560,266; 米国特許出願番号11/734,542; 米国特許出願番号12/105,704; 米国特許出願番号12/364,979に、さらに詳しく説明するように選択的接着特性を持たせるように処理することができる。
図23から24を参照する。基板12上に位置するパターン形成層46を使用して、図1および2に関連して説明した装置および方法で、第2のパターン形成層46bを第2の基板12b上にインプリントして複製テンプレート18aを形成することができる。複製テンプレート18aの第2のパターン形成層46bは、第2の残留層48bと、凸部50bと凹部52bとして示す複数の形状部を含むものでもよい。凸部50bの厚みはt1Bであり、第2の残留層48bの厚みはt2Bである。第2の残留層の厚みt2Bは、パターン形成層46の残留層の厚みt2より少ない。さらに、第2のパターン形成層46bは、実質的に粒子60および/または不良を有さないものでもよい。注目すべきは、複製テンプレート18aの形成には、その全体がここに援用されている米国特許出願番号10/946,570に記載のような処理を含んでいてもよい。
図25〜29は、粒子60による損傷を最低限および/または皆無としながら、マスター・テンプレート18を使って複製テンプレート18aを形成するための別の方法を例示する略側面図である。
図25を参照する。テンプレート18は、軟質層102でコーティングした、パターン形成基板12を含んでいてもよい。軟質層102は、インプリント中に粒子60の周りに沿い、テンプレート18への損傷を最低限に抑えるものであればよい。軟質層102の厚みは約150nmから200μmの間のt3であればよく、実質的に紫外線の光を透過させるものであればよい。さらに、軟性層82は、ヤング係数が実質的に融解石英より小さいものでよい。例えば、ガラスの係数は約70GPaである。軟性層82の係数は、およそ0.50GPaから10GPaであればよい。
図26を参照する。酸化層104を任意で軟質層102上に蒸着してもよい。酸化層104は、二酸化シリコンを限定することなく包含する材料で形成することができる。酸化層104は、CVD、PECVD,スパッタ蒸着、スピンオン技術などで蒸着してもよい。
図27を参照する。成形可能材料34は、酸化層104および/または軟質層102上に蒸着させ、パターン形成してパターン形成層46aを形成してもよい。成形可能材料34は、図1および2に関連して説明した装置および工程を使ってテンプレート18によってインプリントして、パターン形成層46aを形成することができる。
図28を参照する。テンプレート18は、複製テンプレート18aを形成するパターン形成層46aから分離させてもよい。粒子60は、複製テンプレート18aの軟質層102および/または酸化層104内に残留していてもよい。このように、粒子60によるテンプレート18および/または複製テンプレート18aへの損傷を制約することができる。例えば、軟質層102の係数が低いので、軟質層102が粒子60の周りに沿い、インプリント中のテンプレート18および/または複製テンプレート18aへの損傷を和らげ、および/または制約することができる。
図30〜34は、粒子60による損傷を最低限および/または皆無としながら、マスター・テンプレート18を使って複製テンプレート18aを生成するための別の方法を例示する略側面図である。
図30を参照する。テンプレート18は、図1および2に関連して説明した置および工程を使ってパターン形成層46をインプリントしてもよい。パターン形成層46は、残留層48と、凸部50aと凹部52として示す複数の形状部を備えていてもよく、凸部50の厚みはt1であり、残留層48の厚みはt2である。残留層48の厚みt2は、粒子60を捕らえられるように増加させることができる。例えば、残留層の厚みt2Aは、粒子60が覆われてしまうよう、約150nmより大きくすることができる。
図31を参照する。選択層106をパターン形成層46上に蒸着させてもよい。選択層106は、シリコンの重量%が8〜40%のシリコン系レジスト、シロキサンポリマーなどを限定することなく包含する材料から形成することができる。
選択層106は、スピンオン工程、インプリント工程、CVD工程などのような工程を使って蒸着させてもよい。図32を参照する。選択層90の少なくとも一部は、エッチングしてパターン形成層46を露出することができる。例えば、選択層106の少なくとも一部に対してエッチングして、パターン形成層46の凸部50を露出させる。
図33を参照する。パターン形成層46に対し、マスクとしての選択層106を使って選択的にエッチング(例えばレジストエッチング)して複製テンプレート18aを形成することができる。マスクとしての選択層106を使って選択的にエッチングして複製テンプレート18aを形成することにより、さらなるパターン転写ステップの必要がなくなる。
図33および34を参照する。別の実施形態では、パターン形成層46を選択的にエッチングし、別の処理工程を経て複製テンプレート18aを形成することができる。例えば、図34に示すように、形状部50aおよび52aを基板12にエッチングして、複製テンプレート18aを形成することができる。凸部50aは、パターン形成層46の凸部50とは異なる寸法を有していてもよい。
注目すべきは、図14から34に関連して説明した工程で、他のインプリント・リソグラフィ技術を使って複製テンプレート18aを形成することができる点である。例えば、その全体を本明細書に援用した米国特許出願番号10/789,319、米国特許出願番号11/508,765、米国特許出願番号11/560,928、米国特許出願番号11/611,287に説明したような他のインプリント・リソグラフィ技術である。
38 供給源; 30 インプリント・ヘッド; 32 流体分配装置;
54 プロセッサ; 56 メモリ。
54 プロセッサ; 56 メモリ。
Claims (20)
- 第1の基板上に位置する複数の粒子からマスター・インプリント・リソグラフィ・テンプレートおよび複製インプリント・リソグラフィ・テンプレートへと与えられる損傷を最低限に抑えて前記複製インプリント・リソグラフィ・テンプレートを形成する方法であって、
前記マスター・インプリント・リソグラフィ・テンプレートを用いて、前記第1の基板上に、第1の厚みを有するとともに第1の寸法と第1の外形を有する形状部を備えた第1の残留層を有する第1のパターン形成層を形成する工程と、
前記第1のパターン形成層を用いて、第2の基板上に、第2の厚みと第2の寸法と第2の外形を有する形状部を備えた第2の残留層を有する第2のパターン形成層を形成する工程とを含み、
前記第2の厚みは第1の厚みより小さく、第2のパターン形成層は、実質的に粒子がない、
ことを特徴とする方法。 - 前記残留層の前記第1の厚みは、前記第1の残留層が前記第1の基板上に位置する前記粒子を覆うように、前記粒子の寸法より大きい、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第2の寸法と前記第2の外形は、前記第1の寸法と前記第1の外形に実質的に類似している、ことを特徴とする請求項1または2に記載の方法。
- 前記マスター・テンプレートは前記軟質マスク層を含む、ことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の方法。
- 前記第1のパターン形成層を形成する工程はさらに、
前記第1の基板上に第1の成形可能材料を薄く塗る工程と、
前記第1の成形可能材料を固化する工程と、
前記第1のパターン形成層からマスター・テンプレートを分離する工程と
を含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の方法。 - さらに、前記第1のパターン形成層に表面処理を施す工程を含む請求項5に記載の方法。
- 前記表面処理は、第1の形成可能材料を薄く広げやすくすることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- 前記表面処理は、前記第1のパターン形成層から前記マスター・テンプレートを分離する際に、前記第1のパターン形成層の剥離特性を容易にすることを特徴とする請求項6に記載の方法。
- さらに、少なくとも1つの局所的な除去工程を使って、少なくとも1つの粒子を除去する工程を含む請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
- 前記局所的な除去工程には、前記第1の基板に、前記粒子を実質的に覆うレジスト層を塗布する工程と、前記レジスト層を除去する際に、前記粒子が前記第1の基板から除去されるように、前記第1の基板から前記レジスト層を除去する工程を含む、
ことを特徴とする請求項9に記載の方法。 - 前記局所的な除去工程は、前記第1の基板に損傷を与えることなく、前記粒子を除去できる大きさの吸引力を前記粒子に加えることを特徴とする請求項9または10に記載の方法。
- 前記局所的な除去工程は、前記粒子に対して超低温に冷却された材料を塗布する工程を含むことを特徴とする前記請求項9、10、または11に記載の方法。
- 超低温に冷却された材料を塗布された前記粒子は、真空力を加えることによって除去されることを特徴とする前記請求項12に記載の方法。
- 前記超低温に冷却された材料は、前記第1の基板から前記粒子を拡散させることを特徴とする前記請求項12に記載の方法。
- 前記局所的な除去工程は、前記粒子に対して静電力を加える工程を含むことを特徴とする前記請求項9、10、11、12、13、または14に記載の方法。
- 第1の基板上に位置する複数の粒子から、マスター・インプリント・リソグラフィ・テンプレートおよび複製インプリント・リソグラフィ・テンプレートへと与えられる損傷を最低限に抑えて前記複製インプリント・リソグラフィ・テンプレートを形成する方法であって、
前記第1の基板上に、前記粒子のうちの少なくとも一つの周りに沿って軟質層を位置させる工程と、
前記軟質層上に成形可能材料を蒸着させて薄く塗布する工程と、
前記マスター・インプリント・リソグラフィ・テンプレートを用いて、前記第1の基板上に、第1の厚みを有するとともに第1の寸法と第1の外形を有する形状部を備えた第1の残留層を有する第1のパターン形成層を形成する工程と、
前記マスター・インプリント・リソグラフィ・テンプレートを前記第1のパターン形成層から分離させて、前記複製インプリント・リソグラフィ・テンプレートを形成する工程と
を含む方法。 - 前記軟質層が実質的に紫外線を透過可能であることを特徴とする請求項16に記載の方法。
- 前記軟質層のヤング率が、前記マスター・インプリント・リソグラフィ・テンプレートを形成する材料のヤング率より小さいことを特徴とする前記請求項16または17に記載の方法。
- さらに、前記軟質層の上に酸化層を位置させる工程を含む前記請求項16、17、または18に記載の方法。
- 第1の基板上に位置する複数の粒子から、マスター・インプリント・リソグラフィ・テンプレートおよび複製インプリント・リソグラフィ・テンプレートとへ与えられる損傷を最低限に抑えて前記複製インプリント・リソグラフィ・テンプレートを形成する方法であって、
前記マスター・インプリント・リソグラフィ・テンプレートを用いて、前記第1の基板上に、少なくとも一つの粒子の寸法より大きい第1の厚みを有するとともに第1の寸法と第1の外形を有する凸部を含む形状部を有し、前記粒子を覆うとともに略均一な第1の残留層を有する第1のパターン形成層を形成する工程と、
前記第1のパターン形成層上に選択層を蒸着する工程と、
前記選択層の部分を除去して凸部の一部を露出する工程と、
前記形状部の反転を前記第1のパターン形成層に転写する工程と、
前記形状部の反転を前記第1の基板に転写して、前記複製インプリント・リソグラフィ・テンプレートを形成する工程と
を含む方法。
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015115600A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | 株式会社東芝 | インプリント方法 |
JP2015122373A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、異物除去方法及び物品の製造方法 |
JP2015149390A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、型、および物品の製造方法 |
WO2016021223A1 (ja) * | 2013-09-19 | 2016-02-11 | 大日本印刷株式会社 | インプリント方法およびインプリントモールドの製造方法 |
JP2016034000A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-10 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品製造方法 |
JP2016514903A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-05-23 | キャノン・ナノテクノロジーズ・インコーポレーテッド | 金属又は酸化物コーティングを有する再使用可能なポリマーテンプレートによるナノインプリンティング |
JP2016105491A (ja) * | 2015-12-24 | 2016-06-09 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP2016192522A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールドの製造方法 |
JP2017092488A (ja) * | 2016-12-28 | 2017-05-25 | 大日本印刷株式会社 | インプリント装置 |
JP2017157641A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 |
JP2019179883A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | キヤノン株式会社 | 型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置、成形方法、および物品の製造方法 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050156353A1 (en) * | 2004-01-15 | 2005-07-21 | Watts Michael P. | Method to improve the flow rate of imprinting material |
JP5121549B2 (ja) * | 2008-04-21 | 2013-01-16 | 株式会社東芝 | ナノインプリント方法 |
FR2955520B1 (fr) * | 2010-01-28 | 2012-08-31 | Commissariat Energie Atomique | Moule pour la lithographie par nano-impression et procedes de realisation |
JP5576822B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2014-08-20 | 富士フイルム株式会社 | モールドに付着した異物の除去方法 |
JP2012243805A (ja) * | 2011-05-16 | 2012-12-10 | Toshiba Corp | パターン形成方法 |
JP5863286B2 (ja) * | 2011-06-16 | 2016-02-16 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP2013069920A (ja) * | 2011-09-22 | 2013-04-18 | Toshiba Corp | 成膜方法およびパターン形成方法 |
US10026609B2 (en) * | 2014-10-23 | 2018-07-17 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Nanoshape patterning techniques that allow high-speed and low-cost fabrication of nanoshape structures |
JP6661397B2 (ja) * | 2015-04-22 | 2020-03-11 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 |
WO2019086221A1 (en) | 2017-10-31 | 2019-05-09 | Asml Netherlands B.V. | Metrology apparatus, method of measuring a structure, device manufacturing method |
JP7186230B2 (ja) | 2017-12-28 | 2022-12-08 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 装置の構成要素から汚染粒子を除去する装置および方法 |
US11033930B2 (en) * | 2018-01-08 | 2021-06-15 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for cryogenic gas stream assisted SAM-based selective deposition |
US11126083B2 (en) | 2018-01-24 | 2021-09-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Superstrate and a method of using the same |
KR102527567B1 (ko) * | 2018-02-23 | 2023-05-03 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 파티클에 의한 템플레이트 손상을 억제하는 임프린트 패턴 형성 방법 |
JP7093214B2 (ja) * | 2018-04-02 | 2022-06-29 | キヤノン株式会社 | インプリント装置の管理方法、インプリント装置、平坦化層形成装置の管理方法、および、物品製造方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6921615B2 (en) * | 2000-07-16 | 2005-07-26 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High-resolution overlay alignment methods for imprint lithography |
JP4192414B2 (ja) * | 2000-09-14 | 2008-12-10 | 凸版印刷株式会社 | レンズシートの製造方法 |
CN100365507C (zh) * | 2000-10-12 | 2008-01-30 | 德克萨斯州大学系统董事会 | 用于室温下低压微刻痕和毫微刻痕光刻的模板 |
US20050064344A1 (en) * | 2003-09-18 | 2005-03-24 | University Of Texas System Board Of Regents | Imprint lithography templates having alignment marks |
US20030071016A1 (en) * | 2001-10-11 | 2003-04-17 | Wu-Sheng Shih | Patterned structure reproduction using nonsticking mold |
US7037639B2 (en) * | 2002-05-01 | 2006-05-02 | Molecular Imprints, Inc. | Methods of manufacturing a lithography template |
US7179079B2 (en) * | 2002-07-08 | 2007-02-20 | Molecular Imprints, Inc. | Conforming template for patterning liquids disposed on substrates |
US7077992B2 (en) * | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
US6900881B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-05-31 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography systems |
US7027156B2 (en) * | 2002-08-01 | 2006-04-11 | Molecular Imprints, Inc. | Scatterometry alignment for imprint lithography |
US6916584B2 (en) * | 2002-08-01 | 2005-07-12 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment methods for imprint lithography |
US7070405B2 (en) * | 2002-08-01 | 2006-07-04 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment systems for imprint lithography |
US7070406B2 (en) * | 2003-04-29 | 2006-07-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Apparatus for embossing a flexible substrate with a pattern carried by an optically transparent compliant media |
US7136150B2 (en) * | 2003-09-25 | 2006-11-14 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography template having opaque alignment marks |
US20050084804A1 (en) * | 2003-10-16 | 2005-04-21 | Molecular Imprints, Inc. | Low surface energy templates |
US20050180676A1 (en) * | 2004-02-12 | 2005-08-18 | Panorama Flat Ltd. | Faraday structured waveguide modulator |
US20050230882A1 (en) * | 2004-04-19 | 2005-10-20 | Molecular Imprints, Inc. | Method of forming a deep-featured template employed in imprint lithography |
US7785526B2 (en) * | 2004-07-20 | 2010-08-31 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint alignment method, system, and template |
US7309225B2 (en) * | 2004-08-13 | 2007-12-18 | Molecular Imprints, Inc. | Moat system for an imprint lithography template |
US7528386B2 (en) * | 2005-04-21 | 2009-05-05 | Board Of Trustees Of University Of Illinois | Submicron particle removal |
EP1959299B1 (en) * | 2005-06-10 | 2012-12-26 | Obducat AB | Pattern replication with intermediate stamp |
JP4533809B2 (ja) * | 2005-06-28 | 2010-09-01 | 株式会社東芝 | ディスクリートトラック媒体用基板の製造方法およびディスクリートトラック媒体の製造方法 |
US7862756B2 (en) * | 2006-03-30 | 2011-01-04 | Asml Netherland B.V. | Imprint lithography |
JP5306989B2 (ja) * | 2006-04-03 | 2013-10-02 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 複数のフィールド及びアライメント・マークを有する基板を同時にパターニングする方法 |
US8142850B2 (en) * | 2006-04-03 | 2012-03-27 | Molecular Imprints, Inc. | Patterning a plurality of fields on a substrate to compensate for differing evaporation times |
US20070257396A1 (en) * | 2006-05-05 | 2007-11-08 | Jian Wang | Device and method of forming nanoimprinted structures |
US20080023885A1 (en) * | 2006-06-15 | 2008-01-31 | Nanochip, Inc. | Method for forming a nano-imprint lithography template having very high feature counts |
US8012394B2 (en) * | 2007-12-28 | 2011-09-06 | Molecular Imprints, Inc. | Template pattern density doubling |
US20090212012A1 (en) * | 2008-02-27 | 2009-08-27 | Molecular Imprints, Inc. | Critical dimension control during template formation |
-
2009
- 2009-09-29 US US12/568,730 patent/US20100078846A1/en not_active Abandoned
- 2009-09-29 TW TW098132911A patent/TW201022017A/zh unknown
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Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016514903A (ja) * | 2013-03-15 | 2016-05-23 | キャノン・ナノテクノロジーズ・インコーポレーテッド | 金属又は酸化物コーティングを有する再使用可能なポリマーテンプレートによるナノインプリンティング |
US10429732B2 (en) | 2013-09-19 | 2019-10-01 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Imprint method and imprint mold manufacturing method |
WO2016021223A1 (ja) * | 2013-09-19 | 2016-02-11 | 大日本印刷株式会社 | インプリント方法およびインプリントモールドの製造方法 |
KR20170041661A (ko) | 2013-09-19 | 2017-04-17 | 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 | 임프린트 방법 및 임프린트 몰드의 제조 방법 |
US11353789B2 (en) | 2013-09-19 | 2022-06-07 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Imprint method and imprint mold manufacturing method |
JP2015115600A (ja) * | 2013-12-13 | 2015-06-22 | 株式会社東芝 | インプリント方法 |
JP2015122373A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、異物除去方法及び物品の製造方法 |
JP2015149390A (ja) * | 2014-02-06 | 2015-08-20 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、型、および物品の製造方法 |
JP2016034000A (ja) * | 2014-07-31 | 2016-03-10 | キヤノン株式会社 | インプリント装置及び物品製造方法 |
JP2016192522A (ja) * | 2015-03-31 | 2016-11-10 | 大日本印刷株式会社 | インプリントモールドの製造方法 |
JP2016105491A (ja) * | 2015-12-24 | 2016-06-09 | キヤノン株式会社 | インプリント方法、インプリント装置及び物品の製造方法 |
JP2017157641A (ja) * | 2016-02-29 | 2017-09-07 | キヤノン株式会社 | インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法 |
US10777443B2 (en) | 2016-02-29 | 2020-09-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Imprint apparatus, imprinting method, and method for manufacturing article |
JP2017092488A (ja) * | 2016-12-28 | 2017-05-25 | 大日本印刷株式会社 | インプリント装置 |
JP2019179883A (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-17 | キヤノン株式会社 | 型を用いて基板上の組成物を成形する成形装置、成形方法、および物品の製造方法 |
Also Published As
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