JP5891814B2 - パターン構造体の製造方法とこれに使用するパターン形成用基材 - Google Patents
パターン構造体の製造方法とこれに使用するパターン形成用基材 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5891814B2 JP5891814B2 JP2012013488A JP2012013488A JP5891814B2 JP 5891814 B2 JP5891814 B2 JP 5891814B2 JP 2012013488 A JP2012013488 A JP 2012013488A JP 2012013488 A JP2012013488 A JP 2012013488A JP 5891814 B2 JP5891814 B2 JP 5891814B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- group
- organic
- pattern
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
一方、基板上の感光性の有機レジストをフォトリソグラフィー法でパターニングしてレジストパターン形成し、このレジストパターンをマスクとして基板をエッチングしてパターン構造体を製造する方法が従来から用いられている。このようなパターン構造体の製造方法にてナノオーダーの微細なパターンを形成するためには、感光性の有機レジストの露光に使用するエネルギー線を、例えば、波長200nm以下のエネルギー線とする必要がある。しかし、このようなエネルギー線の波長域に感光域を有する有機レジストは、ドライエッチング耐性が劣るため、レジストパターンを直接ドライエッチング用のマスクとして使用し基板をパターニングすることは困難であった。このため、微細なパターンを形成する場合、基板の表面にハードマスク用の材料層を配設しておき、この上に形成したレジストパターンをマスクとして材料層をドライエッチングしてハードマスクを形成し、このハードマスクを介して基板をドライエッチングしてパターンを形成することが行われている。このようなハードマスクを用いたドライエッチング方法は、ハードマスクと基板のエッチング選択性を利用して高精度なパターン形成を可能とするものであり、種々のパターン構造体の製造に用いられている。
上記のようなパターン構造体の製造では、パターンが形成される樹脂層と基板との密着性、あるいは、ハードマスク用の材料層とレジストとの密着性が重要である。この密着性が不十分であると、パターン構造体を構成する基板から、パターンが形成されている樹脂層が剥離したり、パターンの倒れやスライドを生じることがある。また、フォトリソグラフィー法で形成したレジストパターンの倒れやスライドが生じたり、インプリントリソグラフィー法でのレジストパターンの形成段階で、硬化した有機レジストからモールドを引き離す際に、有機レジストがモールドに付着して、レジストパターンの欠陥、破損、あるいは、モールドの破損等を生じるという問題がある。
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、微細なパターンを有するパターン構造体を高い精度で製造可能な製造方法と、このような製造方法に使用できるパターン形成用基材を提供することを目的とする。
本発明の他の態様として、前記有機化合物は、下記構造式(1)で表される有機化合物であるような構成とした。
本発明の他の態様として、下記構造式(2−A)〜(2−H)で表されるピロール類のいずれかを前記有機化合物として使用するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記パターニング工程では、エネルギー線感応性の有機レジスト層を形成し、該有機レジスト層にエネルギー線を照射し、その後、現像してパターニングするような構成とした。
本発明の他の態様として、前記密着層形成工程では、前記基板上にハードマスク材料層を介して前記密着層を形成するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記ハードマスク材料層は、クロム、金、アルミニウム、モリブデン、チタン、タンタル、ジルコニウム、タングステン、銅、スズ、ニッケル、ベリリウム、これらの金属の合金、酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群から選択される1種または2種以上の材料からなるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記パターニング工程でパターニングされた有機レジスト層をマスクとして前記基板をエッチングするエッチング工程を更に有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記パターニング工程でパターニングされた有機レジスト層をマスクとして前記ハードマスク材料層をエッチングしてハードマスクを形成するハードマスク形成工程と、該ハードマスクを介して前記基板をエッチングするエッチング工程を更に有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記有機化合物は、前記複素環がトリアジン環であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記有機化合物は、下記構造式(1)で表される有機化合物であるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記有機化合物は、下記構造式(2−A)〜(2−H)で表されるピロール類のいずれかであるような構成とした。
本発明の他の態様として、前記ハードマスク材料層は、クロム、金、アルミニウム、モリブデン、チタン、タンタル、ジルコニウム、タングステン、銅、スズ、ニッケル、ベリリウム、これらの金属の合金、酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群から選択される1種または2種以上の材料からなるような構成とした。
[パターン形成用基材]
図1は、本発明のパターン形成用基材の一実施形態を示す部分断面図である。図1において、パターン形成用基材11は、基板12と、この基板12の一方の面12aに位置する密着層13とを備えている。
パターン形成用基材11を構成する基板12は、例えば、石英ガラスやソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス等のガラス、シリコンや酸化シリコン、窒化シリコン、ガリウム砒素、窒化ガリウム等の半導体、クロム、タンタル、アルミニウム、ニッケル、チタン、銅、鉄、コバルト、スズ、ベリリウム、金、銀、白金、パラジウム、アマルガム等の金属基板、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂基板、あるいは、これらの材料の任意の組み合わせからなる複合体等を使用することができる。これらの中で、金属基板、あるいは、表面に金属もしくは合金を有する基板が好ましい。これは、後述する密着層13のチオール基との共有結合が形成されやすいからである。また、例えば、半導体やディスプレイ等に用いられる微細配線や、フォトニック結晶構造、光導波路、ホログラフィのような光学的構造等の所望のパターン構造物が形成されたものを基板12としてもよい。
尚、密着層13は、基板12の一方の面12aの全面に位置してもよく、また、所望の部位に位置してもよく、さらに、基板12の他方の面にも、その全面、あるいは、所望の部位に位置してもよい。
上記の有機化合物の一例として、複素環がトリアジン環である有機化合物が挙げられ、例えば、下記構造式(1)で表される有機化合物を挙げることができる。
上記の構造式(1)で表される有機化合物の具体例としては、下記構造式(1〜A)〜(1−P)で表される化合物が挙げられる。尚、nは1〜9の整数を示す。
パターン形成用基材21を構成する基板22は、上述のパターン形成用基材11を構成する基板12と同様とすることができる。また、パターン形成用基材21を構成する密着層23も、上述のパターン形成用基材11を構成する密着層13と同様とすることができる。尚、密着層23は、ハードマスク材料層24の全面に位置してもよく、また、所望の部位に位置してもよく、さらに、ハードマスク材料層24が形成されていない基板22の面22aにも位置してもよい。
上述のパターン形成用基材の実施形態は例示であり、本発明はこれに限定されるものではない。
次に、本発明のパターン構造体の製造方法について説明する。尚、本発明においてパターン構造体とは、基板に所望のパターンを有する有機樹脂層を備えた構造体、あるいは、基板に所望の凹凸構造パターンが形成された構造体であり、また、このパターン構造体を構成する基板は、特に限定されず、種々の材質の基板、あるいは、2種以上の材質からなる複合基板、あるいは、所望のパターン構造物を表面や内部に備えている基板等であってよい。
本実施形態では、まず、密着層形成工程において、基板32上に密着層33を形成する(図3(A))。これにより、上述の本発明のパターン形成用基材11と同じ層構成のパターン形成用基材31が作製される。
この基板32は、上述の本発明のパターン形成用基材11を構成する基板12として挙げたものと同様のものを使用することができ、例えば、石英ガラスやソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス等のガラス、シリコンや酸化シリコン、窒化シリコン、ガリウム砒素、窒化ガリウム等の半導体、クロム、タンタル、アルミニウム、ニッケル、チタン、銅、鉄、コバルト、スズ、ベリリウム、金、銀、白金、パラジウム、アマルガム等の金属基板、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂基板、あるいは、これらの材料の任意の組み合わせからなる複合体等を使用することができる。これらの中で、金属基板、あるいは、表面に金属もしくは合金を有する基板が好ましい。これは、後工程で形成される密着層33のチオール基との共有結合が形成されやすいからである。また、例えば、半導体やディスプレイ等に用いられる微細配線や、フォトニック結晶構造、光導波路、ホログラフィのような光学的構造等の所望のパターン構造物が形成されたものを基板32として使用することができる。
有機レジスト層35は、光硬化性、熱硬化性、あるいは、熱可塑性の樹脂材料を用いて形成することができ、例えば、密着層33上に樹脂材料の液滴を供給し、パターン形成用基材31とモールド100を近接させて樹脂材料の液滴を押し広げることにより有機レジスト層35を形成することができる。
上記のモールド100と硬化後の有機レジスト層35との引き剥がしでは、有機レジスト層35が密着層33を介して基板32に確実に保持されているので、モールド100への有機レジスト層35の付着による転写欠陥が防止され、パターン36aが形成された有機樹脂層36を高い精度で形成することが可能である。
本実施形態では、まず、密着層形成工程において、基板42上に密着層43を形成する(図4(A))。これにより、上述の本発明のパターン形成用基材11と同じ層構成のパターン形成用基材41が作製される。この密着層形成工程は、図3を参照して説明した実施形態の密着層形成工程と同様とすることができる。
上記の例ではポジ型のエネルギー線感応性の樹脂材料を使用しているが、使用するエネルギー線感応性の樹脂材料は、ポジ型、ネガ型いずれであってもよい。また、有機レジスト層45の形成は、スピンコート法、浸漬コート法、ディッピング法等の方法を用いて成膜してもよく、また、エネルギー線感応性の樹脂材料からなるフィルムをラミネートしてもよい。
この実施形態では、まず、図3を参照して説明した実施形態と同様にして、有機レジスト層35をパターニングして、パターン36aが形成された有機樹脂層36を密着層33上に形成する(図5(A))。
次に、この有機樹脂層36をマスクとして、基板32をエッチングする(図5(B))。この基板32のエッチングは、基板32の材質、有機樹脂層36の材質を考慮して、例えば、フッ素系ガス、塩素系ガス等を使用したドライエッチングとすることができる。
その後、密着層33および有機樹脂層36を除去することにより、基板32に所望の凹凸構造パターン37を備えたパターン構造体31″が製造される(図5(C))。
また、図4を参照して説明した実施形態と同様にして、有機レジスト層45をパターニングして、パターン46aが形成された有機樹脂層46を密着層43上に形成し、この有機樹脂層46をマスクとして、基板42をエッチングすることにより、基板42に所望の凹凸構造を備えたパターン構造体(図示せず)を製造することができる。
本実施形態では、まず、密着層形成工程において、基板52上にハードマスク材料層54を介して密着層53を形成する(図6(A))。これにより、上述の本発明のパターン形成用基材21と同じ層構成のパターン形成用基材51が作製される。
この基板52は、上述の本発明のパターン形成用基材11,21を構成する基板12,22として挙げたものと同様のものを使用することができる。
ハードマスク材料層54は、上述の本発明のパターン形成用基材21を構成するハードマスク材料層24で挙げた材料を用いてスパッタリング法等により形成することができ、その厚みは、基板52の材質、基板52のエッチング条件、基板52とのエッチング選択比(基板のエッチング速度/ハードマスク材料層のエッチング速度)を考慮して適宜選定することができ、例えば、1〜500nmの範囲で適宜設定することができる。
また、密着層53は、上述の図3を参照して説明した実施形態における密着層33の形成と同様とすることができる。この密着層53の形成においても、後工程であるパターニング工程で使用する有機レジスト層の有機成分に適した反応性官能基を具備した有機化合物を含有する密着剤を適宜選択することが好ましい。
有機レジスト層55、モールド110は、上述の図3を参照して説明した実施形態における有機レジスト層35、モールド100と同様とすることができ、また、有機レジスト層55の硬化も、上述の図3を参照して説明した実施形態における有機レジスト層35の硬化と同様とすることができる。このモールド110と硬化後の有機レジスト層55との引き剥がしでは、有機レジスト層55が密着層53を介してハードマスク材料層54に確実に保持されているので、モールド110への有機レジスト層55の付着による転写欠陥が防止され、パターン56aが形成された有機樹脂層56を高い精度で形成することが可能である。
次に、ハードマスク54′を介して基板52をエッチングすることにより、基板52に所望の凹凸構造パターン57を備えたパターン構造体51′が製造される(図6(E))。この基板52のエッチングは、エッチング選択比(基板のエッチング速度/ハードマスクのエッチング速度)を考慮して、例えば、フッ素系ガス、塩素系ガス等を使用したドライエッチングとすることができる。
本実施形態では、まず、密着層形成工程において、基板62上にハードマスク材料層64を介して密着層63を形成する(図7(A))。これにより、上述の本発明のパターン形成用基材21と同じ層構成のパターン形成用基材61が作製される。この密着層形成工程は、図6を参照して説明した実施形態の密着層形成工程と同様とすることができる。
次に、パターニング工程にて、密着層63上に、例えば、ポジ型のエネルギー線感応性の樹脂材料を用いて有機レジスト層65を形成し、この有機レジスト層65の所望の部位に電子線描画装置、レーザ描画装置、ステッパー、スキャナー等の装置を用いて電子線、紫外線等のエネルギー線を照射する(図7(B))。その後、現像することにより有機レジスト層65がパターニングされて、パターン66aが形成された有機樹脂層66が密着層63上に形成される(図7(C))。
エネルギー線を用いた有機レジスト層65のパターニングは、上述の図4を参照して説明した実施形態における有機レジスト層45のパターニングと同様とすることができる。このパターニングでは、有機レジスト層65が密着層63を介してハードマスク材料層64に確実に保持されているので、パターン66aが形成された有機樹脂層66を高い精度で形成することが可能である。
次に、ハードマスク64′を介して基板62をエッチングすることにより、基板62に所望の凹凸構造パターン67を備えたパターン構造体61′が製造される(図7(E))。この基板62のエッチングは、エッチング選択比(基板のエッチング速度/ハードマスクのエッチング速度)を考慮して、例えば、フッ素系ガス、塩素系ガス等を使用したドライエッチングとすることができる。
上述のパターン構造体の製造方法の実施形態は例示であり、本発明はこれに限定されるものではない。
12,22,32,42,52,62…基板
13,23,33,43,53,63…密着層
24,54,64…ハードマスク材料層
100,110…モールド
Claims (22)
- 基板上に密着層を形成する密着層形成工程と、
該密着層上に有機レジスト層を形成するとともに、該有機レジスト層をパターニングするパターニング工程と、有し
前記密着層形成工程では、窒素を含むとともに不飽和結合を有する複素環と、該複素環に結合したチオール基と、前記複素環に結合し有機物と化学結合を形成し得る反応性官能基と、を1分子中に具備する有機化合物を含有する密着剤を用いて密着層を形成することを特徴とするパターン構造体の製造方法。 - 前記有機化合物として、前記複素環がトリアジン環である有機化合物を使用することを特徴とする請求項1に記載のパターン構造体の製造方法。
- 前記パターニング工程では、基体の表面に凹凸構造を形成したモールドと前記有機レジスト層とを押し当て、その状態で前記有機レジスト層を硬化させ、次いでモールドを引き剥がしてパターニングすることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載のパターン構造体の製造方法。
- 前記パターニング工程では、エネルギー線感応性の有機レジスト層を形成し、該有機レジスト層にエネルギー線を照射し、その後、現像してパターニングすることを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれかに記載のパターン構造体の製造方法。
- 前記密着層形成工程では、前記基板上にハードマスク材料層を介して前記密着層を形成することを特徴とする請求項1乃至請求項9のいずれかに記載のパターン構造体の製造方法。
- 前記ハードマスク材料層は、クロム、金、アルミニウム、モリブデン、チタン、タンタル、ジルコニウム、タングステン、銅、スズ、ニッケル、ベリリウム、これらの金属の合金、酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群から選択される1種または2種以上の材料からなることを特徴とする請求項10に記載のパターン構造体の製造方法。
- 前記パターニング工程でパターニングされた有機レジスト層をマスクとして前記基板をエッチングするエッチング工程を更に有する請求項1乃至請求項9のいずれかに記載のパターン構造体の製造方法。
- 前記パターニング工程でパターニングされた有機レジスト層をマスクとして前記ハードマスク材料層をエッチングしてハードマスクを形成するハードマスク形成工程と、該ハードマスクを介して前記基板をエッチングするエッチング工程を更に有する請求項10または請求項11に記載のパターン構造体の製造方法。
- 基板と、該基板上に位置する密着層を備え、該密着層は、1分子中に、窒素を含むとともに不飽和結合を有する複素環と、該複素環に結合したチオール基と、前記複素環に結合し有機物と化学結合を形成し得る反応性官能基と、を具備する有機化合物を含有することを特徴とするパターン形成用基材。
- 前記有機化合物は、前記複素環がトリアジン環であることを特徴とする請求項14記載のパターン形成用基材。
- 前記基板と前記密着層との間にハードマスク材料層が介在することを特徴とする請求項14乃至請求項20のいずれかに記載のパターン形成用基材。
- 前記ハードマスク材料層は、クロム、金、アルミニウム、モリブデン、チタン、タンタル、ジルコニウム、タングステン、銅、スズ、ニッケル、ベリリウム、これらの金属の合金、酸化物、窒化物、酸窒化物からなる群から選択される1種または2種以上の材料からなることを特徴とする請求項21に記載のパターン形成用基材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012013488A JP5891814B2 (ja) | 2012-01-25 | 2012-01-25 | パターン構造体の製造方法とこれに使用するパターン形成用基材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012013488A JP5891814B2 (ja) | 2012-01-25 | 2012-01-25 | パターン構造体の製造方法とこれに使用するパターン形成用基材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013153084A JP2013153084A (ja) | 2013-08-08 |
JP5891814B2 true JP5891814B2 (ja) | 2016-03-23 |
Family
ID=49049217
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012013488A Expired - Fee Related JP5891814B2 (ja) | 2012-01-25 | 2012-01-25 | パターン構造体の製造方法とこれに使用するパターン形成用基材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5891814B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10073341B2 (en) * | 2014-07-08 | 2018-09-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Adhesion layer composition, method for forming film by nanoimprinting, methods for manufacturing optical component, circuit board and electronic apparatus |
JP2016058620A (ja) | 2014-09-11 | 2016-04-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
JP6704701B2 (ja) * | 2014-12-15 | 2020-06-03 | キヤノン株式会社 | 密着層形成組成物、密着層の製造方法、硬化物パターンの製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、インプリント用モールドの製造方法、およびデバイス部品 |
WO2016098314A1 (en) * | 2014-12-15 | 2016-06-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Adhesion layer composition, methods for forming adhesion layer and cured product pattern, and methods for manufacturing optical component, circuit board, imprinting mold and device component |
WO2016120944A1 (en) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Adhesion layer-forming composition, method of manufacturing cured product pattern, method of manufacturing optical component, method of manufacturing circuit board, method of manufacturing imprinting mold, and device component |
JP6632340B2 (ja) * | 2015-01-30 | 2020-01-22 | キヤノン株式会社 | 密着層形成組成物、硬化物パターンの製造方法、光学部品の製造方法、回路基板の製造方法、インプリント用モールドの製造方法、およびデバイス部品 |
JP6712673B2 (ja) * | 2017-02-28 | 2020-06-24 | 富士フイルム株式会社 | インプリント用密着膜形成用組成物、密着膜、積層体、硬化物パターンの製造方法および回路基板の製造方法 |
JP6569718B2 (ja) * | 2017-11-16 | 2019-09-04 | 大日本印刷株式会社 | インプリント用の転写基板 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4016078B2 (ja) * | 2000-01-18 | 2007-12-05 | 株式会社東亜電化 | プリント配線板の製造方法および多層プリント配線板 |
JP4648122B2 (ja) * | 2005-07-27 | 2011-03-09 | 富士通株式会社 | 配線基板及びその製造方法 |
JP4843538B2 (ja) * | 2007-03-22 | 2011-12-21 | 富士通株式会社 | 回路基板及びその製造方法 |
JP5871324B2 (ja) * | 2010-06-11 | 2016-03-01 | Hoya株式会社 | 密着補助層付き基板、モールドの製造方法及びマスターモールドの製造方法 |
-
2012
- 2012-01-25 JP JP2012013488A patent/JP5891814B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2013153084A (ja) | 2013-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5891814B2 (ja) | パターン構造体の製造方法とこれに使用するパターン形成用基材 | |
JP6139646B2 (ja) | 密着補助層付きフォトマスク用基板および密着補助層付きフォトマスク用基板の製造方法 | |
JP5909046B2 (ja) | 近接場露光方法 | |
JP2008137387A (ja) | 整列マークが形成された軟体テンプレート | |
JP5761320B2 (ja) | マイクロコンタクトプリンティング用スタンプの製造方法 | |
JP2004304097A (ja) | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 | |
JP2008100378A (ja) | パターン形成体の製造方法 | |
JP5899585B2 (ja) | マスクの製造方法 | |
JP5235155B2 (ja) | 微細樹脂構造体及び光電回路基板の製造方法、微細樹脂構造体及び光電回路基板 | |
KR20120067170A (ko) | 나노임프린트용 스탬프 제조방법 | |
JP5218521B2 (ja) | インプリント方法とこれに用いる転写基材および密着剤 | |
JP6965969B2 (ja) | インプリントモールド | |
JP2015115384A (ja) | パターン形成体 | |
JP2008168465A (ja) | 微細成形モールドおよびその製造方法 | |
JP2019087678A (ja) | 機能性基板及びその製造方法、並びにインプリントモールド | |
JP2011005768A (ja) | マイクロコンタクトプリント用スタンプの製造に用いるマスター版とその製造方法、マイクロコンタクトプリント用スタンプとその製造方法、および、マイクロコンタクトプリント用スタンプを用いたパターン形成方法 | |
JP6394114B2 (ja) | テンプレートの製造方法およびテンプレート | |
JP5428449B2 (ja) | マイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版の製造方法、およびマイクロコンタクトプリンティング用スタンプ作製用マスター版 | |
JP6643142B2 (ja) | マスクブランク、レジスト膜付きマスクブランク、レジストパターン付きマスクブランク、およびそれらの製造方法、ならびに転写用マスクの製造方法 | |
KR102201321B1 (ko) | 임프린트 공정을 이용하여 패턴형성영역에 정렬된 패턴을 형성하는 방법 | |
JP6996333B2 (ja) | ブランクス基材、インプリントモールド、インプリントモールドの製造方法及びインプリント方法 | |
JP2011054686A (ja) | 電磁波制御材の製造方法、及び電磁波制御材 | |
JP4858030B2 (ja) | インプリント用モールド、インプリント用モールド製造方法およびパターン形成方法 | |
JP6733163B2 (ja) | インプリントモールド及びその製造方法、並びにインプリント方法 | |
JP6014096B2 (ja) | パターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141120 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150728 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150914 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160126 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160208 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5891814 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |