JP6139646B2 - 密着補助層付きフォトマスク用基板および密着補助層付きフォトマスク用基板の製造方法 - Google Patents
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Description
一方、上記コピーモールド作製用基板の表面(即ち、凹凸パターンを転写複製する面)には密着補助剤組成物からなる密着補助層を予め塗布形成する。その後、当該密着補助層上にナノインプリント用レジスト(例えば、UV硬化性樹脂)を回転塗布法あるいはインクジェット法により塗布して、レジスト層を形成する。
これによって、モールドとコピーモールド作製用基板との離型を円滑かつ低い離型圧で行うことが出来る。
その結果、離型不良あるいは密着不良に起因する転写形成されたレジストパターンの損傷(剥がれ、消失等)、モールド上のパターンの損傷、または、モールドの汚染(剥がれたレジストパターンの移着等)、あるいはまた、モールドあるいはインプリント装置への損傷を抑制低減できる。
また、マスターモールドに生じたパターン不良はコピーモールドに転写複製される。さらに、元のモールドに存在し転写複製されたパターン欠陥に加えて、コピーモールド作製時に新たにパターン不良が生じて、順次複製されるコピーモールドの凹凸パターンの欠陥はさらに増化し、また、パターンの精度はますます劣化して行く。
さらには、インプリント法により製造される最終製品(例えば磁気メディア)の品質および精度が劣化する、あるいは製造歩留に関わる問題となる。
従って、シランカップリング剤あるいはHMDSからなる密着補助層を用いることで十分な密着力が得られているレジスト層と基板との組み合わせであっても、上記のレジストパターンと下地層(基板)との接触面積の激減に起因する密着力低下が、レジストパターンの剥離や倒れ、変形などのパターン不良を引き起こし、最終製品の精度と品質あるいは製造歩留に限界を与えるおそれがある。
基板上に密着補助層が設けられており、前記密着補助層を介して有機化合物層が設けられるべき密着補助層付き基板において、
前記密着補助層に含まれる化合物一分子中には吸着官能基と密着促進官能基とが含まれ、
前記吸着官能基は、主として基板に対して結合している変性シラン基からなり、
前記密着促進官能基は、主として前記有機化合物層に対する密着を促進向上させることを特徴とする密着補助層付き基板である。
本発明の第2の態様は、第1の態様に記載の発明において、
前記有機化合物層はレジスト層であり、
前記密着促進官能基は、前記レジスト層に対して光ラジカル反応を行う官能基であることを特徴とする。
本発明の第3の態様は、第1の態様に記載の発明において、前記密着促進官能基は、前記有機化合物層の元となる薬剤を前記密着補助層上に塗布した際、前記薬剤の接触角が30°以下となる官能基であることを特徴とする。
本発明の第4の態様は、第1又は第2の態様に記載の発明において、
前記密着促進官能基はメルカプト基であることを特徴とする。
本発明の第5の態様は、第1又は第3の態様に記載の発明において、
前記密着促進官能基はメタクリル基又はエポキシ基であることを特徴とする。
本発明の第6の態様は、第1ないし第5のいずれかの態様に記載の発明において、前記密着促進官能基は分子鎖の少なくとも一方の末端に設けられていることを特徴とする。
本発明の第7の態様は、第1ないし第6のいずれかの態様に記載の発明において、前記変性シラン基は分子鎖の少なくとも一方の末端に設けられていることを特徴とする。
本発明の第8の態様は、第1ないし第7のいずれかの態様に記載の発明において、前記変性シラン基はアルコキシシラン基であることを特徴とする。
本発明の第9の態様は、第8の態様に記載の発明において、前記アルコキシシラン基はトリメトキシシラン基であることを特徴とする。
本発明の第10の態様は、第1ないし第9のいずれかの態様に記載の発明において、前記有機化合物層はレジスト層であり、前記レジスト層は光硬化性樹脂からなることを特徴とする。
本発明の第11の態様は、第1ないし第9のいずれかの態様に記載の発明において、前記有機化合物層はレジスト層であり、前記レジスト層は紫外線域に実質的な感度を持たない電子線描画露光用レジストからなることを特徴とする。
本発明の第12の態様は、
基板上に密着補助層が設けられており、前記密着補助層を介してレジスト層が設けられるべき密着補助層付き基板において、
前記密着補助層に含まれる化合物一分子中の分子鎖の一方の末端にはトリメトキシシラン基が設けられており、もう一方の末端にはメルカプト基、メタクリル基又はエポキシ基が設けられていることを特徴とする密着補助層付き基板である。
本発明の第13の態様は、
所定のパターンに対応する凹凸が設けられたインプリント用のモールドから別のコピーモールドを製造する方法であって、
前記別モールド用の基板上にハードマスク層を形成し、前記ハードマスク層上に密着補助層を形成し、前記密着補助層の上にパターン形成用のインプリント用レジスト層(以降、レジスト層ともいう)を形成する工程と、
インプリントにより、前記モールドが有するパターンを前記レジスト層に転写する工程と、
前記レジスト層から前記モールドを離型した後、所定のパターンが転写された前記レジスト層をマスクとして、前記ハードマスク層に対してエッチングを行う工程と、
を有し、
前記密着補助層に含まれる化合物一分子中には吸着官能基と密着促進官能基とが含まれ、
前記密着補助層を形成する際にベークを行うことにより、
変性シラン基からなる前記吸着官能基が、主として基板に対して結合し、
前記密着促進官能基が、主として前記レジスト層に対する密着を促進向上させることを特徴とするモールドの製造方法である。
本発明の第14の態様は、第13の態様に記載の発明において、
光インプリント法により、前記モールドが有する凹凸パターンを前記レジスト層に転写する工程において、
前記光インプリント法において用いられる照射光によって、前記レジスト層に対して前記密着促進官能基を光ラジカル反応させることを特徴とする。
本発明の第15の態様は、
インプリント用のマスターモールドを製造する方法であって、
基板上にハードマスク層を形成し、前記ハードマスク層上に密着補助層を形成し、前記密着補助層の上にパターン形成用の電子線描画露光用レジスト層(電子線レジスト層ともいう)を形成する工程と、
光照射装置により、前記のハードマスク層、密着補助層、電子線レジスト層を順に形成した基板を光照射する工程と、
電子線描画(露光)装置により、前記電子線レジスト層に所定のパターンを描画露光し、その後現像して、所定のレジストパターンを形成する工程と、
所定のパターンが形成された前記電子線レジスト層(レジストパターン)をマスクとして、前記ハードマスク層に対してエッチングを行う工程と、
を有し、
前記密着補助層に含まれる化合物一分子中には吸着官能基と密着促進官能基とが含まれ、
前記密着補助層を形成する際にベークを行うことにより、
前記吸着官能基が変性シラン基からなり、主として基板に対して結合し、
前記密着促進官能基が、主として前記レジスト層に対する密着を促進向上させることを特徴とするマスターモールドの製造方法である。
本発明の第16の態様は、
第15の態様に記載の発明において、
少なくとも前記電子線レジスト層の現像より前に、前記光照射によって前記電子線レジスト層に対して密着促進官能基を光ラジカル反応させることを特徴とする。
以下、本発明の実施形態を、インプリント用モールドの製造工程、特にコピーモールドの製造方法を説明するための断面概略図である図1に基づいて説明する。
本実施形態においては、コピーモールドを作製するためにブランクスを用いる。このブランクスの概要としては、図1(b)に示すように、基板1の上にハードマスク層7を設けたものがある。
まず、コピーモールド20の製造のための基板1を用意する(図1(a))。
この基板1は、コピーモールド20として用いることができるのならば構わない。一例を挙げるとすれば、シリコンウエハ、石英基板などのガラス基板などが挙げられる。なお、後述するように、基板材料とのエッチング選択比の高い材料からなるハードマスク層7を基板上に設けても良い。
本実施形態においては、円盤形状(ウェハ形状)の石英基板1を用いて説明する。以降、この石英基板1を単に基板1ともいう。
次に、図1(b)に示すように、前記石英基板1をスパッタリング装置に導入する。そして本実施形態においては、タンタル(Ta)とハフニウム(Hf)の合金からなるターゲットをアルゴンガスでスパッタリングし、タンタル−ハフニウム合金からなる導電層2を成膜し、さらにクロム(Cr)からなるターゲットをアルゴンガス及び窒素ガスでスパッタリングすることで、窒化クロム層3を成膜した。
このように、基板上にハードマスク層7を設けたものを、本実施形態においてはコピーモールド作製用ブランクス(又は単にブランクス)という。
そして本実施形態においては、ブランクスにおけるハードマスク層7に対して適宜洗浄・ベーク処理を行った後、図1(c)に示すように、ハードマスク層7上に密着補助剤を塗布することにより密着補助層5を設ける。
本実施形態においては、このベークが重要な処理となる。本実施形態のベークの意義、ハードマスク層7に対する変性シラン基の「吸着」と「結合」との違いについて、吸着官能基及び密着促進官能基の説明を行った後、詳述する。
まず、本実施形態に係る密着補助層5に含まれる化合物一分子中には、主としてハードマスク層7に対して結合する変性シラン基からなる吸着官能基と、主としてレジスト層4に対する密着を促進向上させる密着促進官能基と、が含まれる。
この吸着官能基は、変性シラン基であれば良い。この変性シラン基としては、アルコキシシラン基が好ましい。具体的には、トリメトキシシランやトリエトキシシラン、ジメトキシシランやジエトキシシラン、メトキシシランやエトキシシランなどが挙げられる。ハードマスク層7への結合能力や密着性の高さという点から、トリメトキシシランが好ましい。以降、吸着官能基のことを変性シラン基とも呼称する。また、変性シラン基とは、基板に対して変性シラン基が結合している状態も含むこととする。
次に、密着補助層5の上に設けられるレジスト層4に対して活用される密着促進官能基について詳述する。先にも述べたように、この密着促進官能基は、密着補助層5を構成する化合物の分子内における分子鎖内に設けられている。
このメタクリル基の化合物を具体的に挙げるとするならば、下記化学式の化合物が挙げられる。
次に、図1(d)に示すように、前記密着補助層5に対して光インプリント用のレジストを塗布してレジスト層4を形成する。上述のように、レジストの塗布の段階では、密着補助層5においてレジストと接触する部分には、密着促進官能基が主として存在している。
以下、この密着補助層5付き基板1を用いて、光インプリントによりモールドを作製する工程について述べる。
以下、上記のブランクスに密着補助層5を形成し、その上にレジスト層4を形成した被転写基板(即ち、コピーモールド作製用基板)に、光インプリント法により、パターン転写するインプリント工程について述べる。
まず、図1(e)に示すように、上記のようにレジスト層4の形成まで終えたコピーモールド用作製基板に、所定の凹凸パターンが形成され、かつ離型層が形成された元型モールド30を押し当て、上記レジスト層4を上記モールドの凹凸パターンに充填させる。
次に、上記レジストパターンが形成されたコピーモールド作製用の基板1を、ドライエッチング装置に導入する。そして、そして、凹凸パターンが形成されたレジスト層4の凹部の底部に位置する残膜部、及び前記密着補助層5を、酸素、フッ素系ガス、アルゴン等のガスのプラズマを用いた第1のエッチング処理工程(アッシングともいう)により除去し、ハードマスク層7を露出させる。
次に、ハードマスク層7上にレジストパターンが形成されたコピーモールド作製用の基板1を、ドライエッチング装置に導入する。そして、塩素系ガスと酸素ガスを含む雰囲気下で上記のとおりに露出したハードマスク層7をエッチング除去する第2のエッチングを行う。なお、この時のエッチングの終点は、反射光学式等の終点検出器で判定し、その後、所定のオーバーエッチングを経て、エッチングを終える。
続いて、第2のエッチングで用いられたガスを真空排気した後、同じドライエッチング装置内で、フッ素系ガスを用いた第3のエッチングを、石英基板1に対して行う。
次に、このように作製された残存ハードマスク層除去前モールド10に対し、第1のエッチングと同様の手法で、残存ハードマスク層除去前モールド10上に残存する余剰なレジスト層4、密着補助層5及びハードマスク層7をドライエッチングガスにて除去する工程が行われ、それによりコピーモールド20が作製される(図1(j))。
以上の工程を経て、余剰なレジスト層4、密着補助層5及びハードマスク層7を除去した後、必要があれば基板1の洗浄等を行う。このようにして、図1(j)に示すようなコピーモールド20を完成させる。
まず、密着補助層5を構成する化合物として変性シラン基を有する化合物を用いることにより、ハードマスク層7に対して十分な密着性を提供することができる。
以下、前記実施の形態1に記載のコピーモールドを作製するための原盤であるナノインプリント用マスターモールドの製造工程を説明する。
実施の形態2において、マスターモールドを作製するためには、実施の形態1と同様に、モールド作製用基板を用いる。このモールド作製用基板の概要は、実施の形態1で詳述した図1(b)に示すような、基板1の上にハードマスク層7を設けたものがある。以降、実施の形態2においては、実施の形態1と同構成に対し同じ符号を付した上で更に「’」を付す。
まず、マスターモールド20’の製造のための基板1’を用意する(図1(a))。
この基板1’は、マスターモールド20’として用いることができるのならば、いずれの材料でも構わない。一例を挙げるとすれば、シリコンウエハ、または、石英基板などのガラス基板などが挙げられる。
なお、光ナノインプリント用に限定すると、レジスト層4’を硬化させるための光照射を行うために、マスターモールドは当該照射光に対して透明である必要がある。
本実施形態においては、円盤形状(ウエハ形状)の石英基板1’を用いて説明する。以降、この石英基板1’を単に基板1’ともいう。
次に、ハードマスク層7’の形成について述べるが、実施の形態1と同様である。
ただし、ハードマスク層7’は、導電性を備えているのが好ましい。当該ハードマスク層7’を電気的に接地することで、電子線で電子線レジスト層4’を描画する際のチャージアップの防止効果を得る。また、ナノインプリント工程において(転写時)、特に離型時において発生する可能性のある静電気及びそれに起因する欠陥(静電破壊)を防止することができるからである。
なお、後で、基板1’に対するエッチング選択比が十分に高い電子線レジスト層4’を用いる場合は、ハードマスク層7’を形成しなくともよい。
密着補助層5’の形成についても、実施の形態1と同様である。
また、密着補助層5’を構成する化合物の組成は、実施の形態1に記載の構成と全く同様である。即ち、本実施形態に係る密着補助層5’に含まれる化合物(即ち、密着補助剤)一分子には、主としてハードマスク層7’に対して結合する変性シラン基からなる吸着官能基と、主として電子線レジスト層4’に対する密着力を促進向上させる密着促進官能基と、が含まれる。
また、吸着官能基及び密着促進官能基の化学的な組成、及び、化学的な機能発現についても、実施の形態1に準ずる。
次に、図1(d)に示すように、前記密着補助層5’を形成した基板1’に対して、電子線レジスト層4’を構成する電子線描画用レジストを回転塗布法等によって塗布し、その後ベーク処理して、電子線レジスト層4’を形成する。
上記のとおり、基板1’に密着補助層5’を形成し、その上に電子線レジスト層4’を形成した後に、少なくとも実質的なパターン形成領域に対し、紫外光を照射する。
これによって密着補助層5’の機能が発現され、密着補助層5’と電子線レジスト層4’との間の、即ち、ハードマスク層7’と電子線レジスト層4’との間の密着力を促進向上させ得る。
また、紫外光の照射は基板1’に形成された電子線レジスト層4’側から行うのが通常であるが、ハードマスク層7’を含む基板1’が透光または半透明である場合は、基板1’の裏面側から行っても良い。
次には、前記電子線レジスト層4’に対して、例えばスポット状に成形された電子線を照射して、設計どおりの所定のパターンの描画を行う。
次には、電子線により所定のパターンの描画を経た電子線レジスト層4’を、所定の現像液で現像処理する。
特にこの現像処理において、前記の密着補助層5’の機能によるところの、ハードマスク層7とレジスト層4’との間の密着力を促進向上の効果を得ることができる。
次に、上記の電子線レジストパターンが形成された基板1’を、ドライエッチング装置に導入する。そして、凹凸パターンが形成されたレジスト層4’の凹部の底部に存在する裾引き状の残渣、及び、前記密着補助層5’を、酸素、フッ素系ガス、アルゴン等のガスのプラズマを用いた第1のエッチング処理工程(デスカム処理ともいう)により除去し、レジスト層4’の凹部に対応するハードマスク層7’を露出させる。
次に、レジストパターンが形成され、ハードマスク層7’が一部露出した基板1’を、ドライエッチング装置に導入する。
そして、実施の形態1に準ずる第2のエッチングから第4のエッチングまでを行う。
以上の第4のエッチングまでを経て、必要があれば基板1の洗浄等を行い、このようにして、図1(j)に示すようなマスターモールド20’を完成させる。
まず、密着補助層5’を構成する化合物として変性シラン基と密着促進官能基とを有する化合物を用いることにより、レジスト層4’とハードマスク層7’(あるいは基板1’)との十分な密着力を提供することができる。
また同様に、電子線リソグラフィー技術を用いて製造されるフォトマスクにも本実施形態を好適に応用することができる。
本実施例のコピーモールド20を作製するための基板1として、合成石英からなるウエハ(外径150mm、厚み0.7mm)を用いた(図1(a))。この石英ウェハ(基板1)をスパッタリング装置に導入した。
このようにして、本実施例に係る密着補助層付き基板にレジスト層を形成したコピーモールド用基板を作製した。
実施例1においては変性シラン基とメルカプト基を有する密着補助剤を用いたが、その代わりに実施例2においては変性シラン基とメタクリル基を有する密着補助剤(ダウコーニング社製 製品名:Z6030)を用いた。それ以外は、実施例1と同様にして密着補助層付き基板にレジスト層を形成したコピーモールド作製用基板を作製した。
実施例3においては、窒化クロムのみをハードマスク層7に用いた以外は、実施例1と同様にして、密着補助層付き基板にレジスト層を形成したコピーモールド作製用基板を作製した。このとき、窒化クロム層の厚さは5nmとした。
上述の実施例と比較するために、比較例1においては密着補助剤として変性シラン基のみを有する化合物(HMDS)(AZエレクトロニックマテリアルズ社製)を用いた。
比較例2においては密着補助剤としてアクリル基を有する化合物を用いた。
比較例3においては密着補助剤を用いなかった。
上記の点以外については、実施例と同様にして密着補助層付き基板にレジスト層を形成したコピーモールド作製用基板を作製した。
実施例及び比較例により得られた密着補助層付き基板にレジスト層を形成したコピーモールド作製用基板について、種々の評価を行った。
密着力の評価方法の具体例について図6に示す。図6(a)に示すように、ハードマスク層7の上に密着補助層5を設けたものに対し、カンチレバー8を接触させ、その後引き上げるという動作を行った。この際、カンチレバー8にかかる力(下方向にかかる力をy軸としたもの)と、カンチレバー8先端と密着補助層5との間の距離との関係を記載したものが図6(b)である。
カンチレバー8を再び密着補助層5に対して非接触の状態(図6(a)の(1)の状態)に戻すためには、図6(a)の(1)から(3)の時にカンチレバー8に係る力に比べて、上向きの力が余分に必要になる(図6(b)の矢印A)。
本実施例においてはこの力の値を、密着補助層5の密着力を示す値としている。なお、カンチレバー8にかかる力については、原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope:AFM)を用いて調べた。
次に、表面自由エネルギーについて、接触角測定法を用いて評価した。その結果を図3に示す。なお、参考として、基板1及びハードマスク層7の表面自由エネルギーについても評価した。
図3より、実施例1(メルカプト基)については高い表面自由エネルギーを得ることができ、有機化合物に対して良好な濡れ性を示すことが分かった。図3には示していないが、実施例3についても実施例1と同様の結果を得た。なお、実施例2(メタクリル基)においても有機化合物に対して良好な濡れ性を示すことが分かった。
次に、実施例及び比較例に係る密着補助層付き基板にレジスト層4を形成したコピーモールド作製用基板について、表面粗さを評価した。
レジスト層4として光硬化性樹脂を用いた場合、この光硬化性樹脂が光照射により硬化すると、通常、収縮する。
もしレジスト層4と密着補助層5との間の密着力が足りない場合、光照射により硬化したレジスト層4は密着補助層5から剥離してしまう。
その結果、レジスト層4の表面に粗さが発生する。
つまり、表面粗さが密着性を示す指標の一つと成りうると、本発明者らは考えた。
その中でも特に図4(b)に示す実施例2(メタクリル基)においては、表面粗さが相当小さく良好な表面を得ることができた。
一方比較例1〜3においては、各々対応する図4(c)〜(e)に示すように、粗い表面となっている。そのため、比較的密着力に劣る上、粗い表面であることを考慮すると精度の高いパターンを作製することが困難であると考えられる。
実施例1で変性シラン基とメルカプト基を有する密着補助層付き基板にレジスト層4を形成したコピーモールド作製用基板を作製した後、この密着補助層付き基板に対して、80℃で20分間、露光前ベークを行った。
そして、当該基板に対して光インプリント装置にて(明祥製UV露光装置にて120秒照射)圧力2.2MPa、紫外光照射時間120秒として、トラックピッチ120nmのディスクリートトラックレコーディング型パターンドメディアの凹凸パターンを形成した元型モールド30を用いてパターン転写を行った。なお、この元型モールド30には離型剤DDOH(松村石油研究所製)を塗布し、予め離型層を形成した。
上記のとおりにパターン転写し、レジスト層4にパターンを形成した後、光学顕微鏡による観察を行って、レジスト層4に剥がれを生じた部位の全体に占める面積を求めた。その結果、面積は全体の1%未満であり、良好な密着性を有することがわかった。
2 導電層
3 窒化クロム層
4 レジスト層
5 密着補助層
7 ハードマスク層
8 カンチレバー
10 残存ハードマスク層除去前モールド
20 コピーモールド
30 元型モールド
Claims (13)
- ハードマスク層を備えた基板の前記ハードマスク層に接して密着補助層が設けられた密着補助層付きフォトマスク用基板において、
前記ハードマスク層は、単一または複数の層からなり、
前記密着補助層に含まれる化合物一分子中には吸着官能基と密着促進官能基とが含まれ、
前記吸着官能基は、前記ハードマスク層に対して結合している変性シラン基からなり、
前記密着促進官能基は、メルカプト基であり、
前記密着促進官能基は、前記密着補助層に接して電子線描画露光用レジスト層が形成された状態で光照射を受けたときに、光ラジカル反応を起こすことにより前記電子線描画露光用レジスト層との密着を促進向上させる官能基であることを特徴とする密着補助層付きフォトマスク用基板。 - 前記ハードマスク層と結合している前記変性シラン基は、前記ハードマスク層上の水または水酸基との脱水縮合によって共有結合を形成していることを特徴とする請求項1に記載の密着補助層付きフォトマスク用基板。
- 前記密着補助層内の密着促進官能基は、前記電子線描画露光用レジスト層が形成される側の表面の方を向いていることを特徴とする請求項1または2に記載の密着補助層付きフォトマスク用基板。
- 前記密着促進官能基は分子鎖の少なくとも一方の末端に設けられていることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の密着補助層付きフォトマスク用基板。
- 前記変性シラン基は分子鎖の少なくとも一方の末端に設けられていることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の密着補助層付きフォトマスク用基板。
- 前記変性シラン基はアルコキシシラン基であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の密着補助層付きフォトマスク用基板。
- 前記アルコキシシラン基はトリメトキシシラン基であることを特徴とする請求項6に記載の密着補助層付きフォトマスク用基板。
- 前記ハードマスク層における前記密着補助層に接する層は、クロムを含有する材料からなることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の密着補助層付きフォトマスク用基板。
- 前記ハードマスク層における前記密着補助層に接する層は、クロムおよび窒素を含有する材料からなることを特徴とする請求項1から7のいずれかに記載の密着補助層付きフォトマスク用基板。
- ハードマスク層を備えた基板の前記ハードマスク層に接して密着補助層が設けられた密着補助層付きフォトマスク用基板の製造方法において、
ハードマスク層を備えた基板の前記ハードマスク層の表面に対して密着補助剤を塗布することによって密着補助層を形成する工程と、
前記密着補助層が形成された後の前記基板に対し、電子線描画露光用レジスト層が形成されていない状態でベークを行う工程と、
前記密着補助層に接して電子線描画露光用レジスト層を形成してから光照射を行う工程とを有し、
前記ハードマスク層は、単一または複数の層からなり、
前記密着補助層に含まれる化合物一分子中には吸着官能基と密着促進官能基とが含まれ、
前記吸着官能基は、変性シラン基からなり、前記ベークを行うことで、前記変性シラン基が脱水縮合を起こして前記ハードマスク層と結合し、
前記密着促進官能基は、メルカプト基であり、
前記密着促進官能基は、前記密着補助層に接して電子線描画露光用レジスト層が形成された状態で光照射を受けたときに、光ラジカル反応を起こすことにより前記電子線描画露光用レジスト層との密着を促進向上させることを特徴とする密着補助層付きフォトマスク用基板の製造方法。 - 前記ハードマスク層と結合している前記変性シラン基は、前記ハードマスク層上の水または水酸基との脱水縮合によって共有結合を形成していることを特徴とする請求項10に記載の密着補助層付きフォトマスク用基板の製造方法。
- 前記ベーク後における密着補助層内の密着促進官能基は、前記電子線描画露光用レジスト層が形成される側の表面の方を向いていることを特徴とする請求項10または11に記載の密着補助層付きフォトマスク用基板の製造方法。
- 前記密着補助層を形成する工程の前に、前記ハードマスク層の表面に対して紫外線を照射する処理を行うことを特徴とする請求項10から12のいずれかに記載の密着補助層付きフォトマスク用基板の製造方法。
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