JP5053140B2 - インプリント用モールド構造体、及び該インプリント用モールド構造体を用いたインプリント方法、並びに、磁気記録媒体、及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、インプリント用モールド構造体、及び該インプリント用モールド構造体を用いたインプリント方法、並びに、磁気記録媒体、及びその製造方法に関する。
近年、高速性やコストパフォーマンス性に優れたハードディスクドライブが、ストレージ機器の主力として、携帯電話、小型音響機器や、ビデオカメラなどのポータブル機器に搭載され始めている。
そして、ポータブル機器に搭載される記録デバイスとしてのシェアの拡大に伴い、より一層の小型大容量化という要求に応える必要があり、記録密度を向上させる技術が求められている。
前記ハードディスクドライブの記録密度を高めるためには、磁気記録媒体におけるデータトラック間隔の狭小化や、磁気ヘッドの幅を狭小化するという手法が従来より用いられてきた。
しかしながら、前記データトラック間隔を狭めることにより、隣接トラック間の磁気の影響（クロストーク）や、熱揺らぎの影響が無視できなくなり、記録密度に限界があった。
一方、前記磁気ヘッドの幅を狭小化することによる面記録密度の向上にも限界があった。
そして、ポータブル機器に搭載される記録デバイスとしてのシェアの拡大に伴い、より一層の小型大容量化という要求に応える必要があり、記録密度を向上させる技術が求められている。
前記ハードディスクドライブの記録密度を高めるためには、磁気記録媒体におけるデータトラック間隔の狭小化や、磁気ヘッドの幅を狭小化するという手法が従来より用いられてきた。
しかしながら、前記データトラック間隔を狭めることにより、隣接トラック間の磁気の影響（クロストーク）や、熱揺らぎの影響が無視できなくなり、記録密度に限界があった。
一方、前記磁気ヘッドの幅を狭小化することによる面記録密度の向上にも限界があった。
そこで、前記クロストークによるノイズを解決する手段として、ディスクリートトラックメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている（特許文献１〜２参照）。前記ディスクリートトラックメディアは、隣接するトラック間に非磁性のガードバンド領域を設けて個々のトラックを磁気的に分離したディスクリート構造とすることにより、隣接トラック間の磁気的干渉を低減したものである。
また、前記熱揺らぎによる減磁を解決する手段として、信号記録のための個々のビットを予め所定の形状パターンで備えたパターンドメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている（特許文献３参照）。
また、前記熱揺らぎによる減磁を解決する手段として、信号記録のための個々のビットを予め所定の形状パターンで備えたパターンドメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている（特許文献３参照）。
上記ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアを製造する際には、レジストパターン形成用モールド（以下、「モールド」ということがある。）を用いて、磁気記録媒体の表面に形成されたレジスト層に所望のパターンを転写するインプリンティング法（インプリントプロセス）が用いられる（特許文献４参照）。
このインプリンティング法は、具体的には、加工対象となる基材上に、インプリントレジストとして、熱可塑性の樹脂、又は光硬化性の樹脂を塗布し、塗布された樹脂に対して、所望の形状に加工されたモールドを密着し、押圧して、前記樹脂を加熱、又は光照射により硬化させ、前記モールドを引き剥がすことで、該モールドに形成されたパターンに対応したパターンを形成し、このパターンをマスク（以下、レジストマスクということがある。）として用いてドライ、あるいはウェット方式のエッチングによるパターニングを行い、所望の磁気記録媒体を得る方法である。
このインプリンティング法は、具体的には、加工対象となる基材上に、インプリントレジストとして、熱可塑性の樹脂、又は光硬化性の樹脂を塗布し、塗布された樹脂に対して、所望の形状に加工されたモールドを密着し、押圧して、前記樹脂を加熱、又は光照射により硬化させ、前記モールドを引き剥がすことで、該モールドに形成されたパターンに対応したパターンを形成し、このパターンをマスク（以下、レジストマスクということがある。）として用いてドライ、あるいはウェット方式のエッチングによるパターニングを行い、所望の磁気記録媒体を得る方法である。
このインプリンティング法では、コストダウンの観点から、多数回の転写プロセスを必要とするため、少なくとも数百〜数万回の転写耐久性がインプリント用モールド構造体に要求される。
そこで、転写耐久性を向上させるために、シリコン基板等の剛体をインプリント用モールド構造体に採用する技術が開示されている（特許文献５、及び非特許文献１参照。）。これらの文献によれば、非常に高いパターン精度が得られ、サブミクロン、数十ナノメートルオーダーまでの微細パターンの転写が実現できると記載されている。
一方、インプリント用モールド構造体の凹凸部（凹凸パターン）に剥離層を形成して、インプリントレジストから剥離しやすいようにして、転写耐久性を向上させる技術が開示されている（特許文献６及び特許文献７参照）。また、剥離機能を有するインプリントレジストを用いて、該インプリントレジストと、インプリント用モールド構造体との剥離性を向上させる技術が提案されている（特許文献８参照）。
本発明者らは、フッ素修飾された剥離機能材料（以下、剥離剤ということがある。）を表面に吸着させて剥離層を形成したモールドを用いて、レジストマスクを形成したところ、インプリントプロセス後において、モールドと、インプリントレジスト層との剥離性が格段に改善されたことを確認した。
しかし、その後、形成された前記レジストマスクを用いて、多数の磁気記録媒体の基板に対し、磁性層及び非磁性層のパターニングを行う際、非磁性層を埋設するためにエッチング加工する領域に磁性材料が残存することがあり、転写性が低下する問題があった。
本発明者らは、フッ素修飾された剥離機能材料（以下、剥離剤ということがある。）を表面に吸着させて剥離層を形成したモールドを用いて、レジストマスクを形成したところ、インプリントプロセス後において、モールドと、インプリントレジスト層との剥離性が格段に改善されたことを確認した。
しかし、その後、形成された前記レジストマスクを用いて、多数の磁気記録媒体の基板に対し、磁性層及び非磁性層のパターニングを行う際、非磁性層を埋設するためにエッチング加工する領域に磁性材料が残存することがあり、転写性が低下する問題があった。
したがって、インプリントレジスト層に対する剥離性及び転写耐久性が高いだけでなく、転写性も高いインプリント用モールド構造体、及び該インプリント用モールド構造体を用いることによって転写精度を向上させたインプリント方法、並びに、記録特性と再生特性とを向上させた磁気記録媒体及びその製造方法は未だ実現されておらず、その提供が望まれているのが現状である。
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、インプリントレジスト層に対する剥離性及び転写耐久性が高いだけでなく、転写性も高いインプリント用モールド構造体、及び該インプリント用モールド構造体を用いることによって転写精度を向上させたインプリント方法、並びに、記録特性、及び再生特性を向上させた磁気記録媒体、及びその製造方法を提供することを目的とする。
前記課題を解決するため、本発明者らは鋭意検討した結果、以下のような知見を得た。即ち、磁性層加工工程において、磁性層の加工領域の状態を確認したところ、インプリントプロセス後におけるレジストマスクのパターンの凹部の残膜厚が、特に凸部との境界部分において、厚くなっており、このレジストマスクのパターン不良が磁性層の加工に影響を与えていることがわかった。
そして更に、このレジストマスクのパターン不良を引き起こしたモールドを詳細に解析した結果、モールド上の凸部の端部が特徴的に破損し、その角部に丸まりが生じていることが確認された。
このような現象の検証を行ったところ、硬化時におけるレジストの体積収縮が大きな要因であることがわかった。具体的には、モールドの凹凸パターン内に流入したレジストは、硬化する際に、等方的に収縮する。特に、凹凸部（凹凸パターン）のうち、凸部の平坦面、凹部の平坦面、及び凹凸間傾斜面ではパターン平坦面にほぼ垂直方向に体積収縮による力が働く。一方、前記凸部の端部では、前記凸部の平坦面及び前記傾斜面の双方の収縮力が働き、前記凸部の端部に剪断力が働き、該凸部の端部に特徴的にパターン劣化が発生すると推定した。
したがって、モールドの表面に形成された凸部、特に、該凸部の端部における剥離機能を強固にすることにより、インプリントレジスト層に対する剥離性が高いだけでなく、転写性、及び転写耐久性が高いインプリント用モールド構造体を提供することができるという知見である。
なお、前記凹凸間傾斜面とは、以下のように定義される凹凸境界端２、及び凹凸境界端３で形成される部分である。
前記凹凸境界端２とは、モールド構造体の凹凸部のＳＥＭ像において、最大輝度の９５％を閾値として画像を二値化した際の１／０境界である。
前記凹凸境界端３とは、同じく、モールド構造体の凹凸部のＳＥＭ像において、最大輝度の５％を閾値として画像を二値化した際の１／０境界である。
そして更に、このレジストマスクのパターン不良を引き起こしたモールドを詳細に解析した結果、モールド上の凸部の端部が特徴的に破損し、その角部に丸まりが生じていることが確認された。
このような現象の検証を行ったところ、硬化時におけるレジストの体積収縮が大きな要因であることがわかった。具体的には、モールドの凹凸パターン内に流入したレジストは、硬化する際に、等方的に収縮する。特に、凹凸部（凹凸パターン）のうち、凸部の平坦面、凹部の平坦面、及び凹凸間傾斜面ではパターン平坦面にほぼ垂直方向に体積収縮による力が働く。一方、前記凸部の端部では、前記凸部の平坦面及び前記傾斜面の双方の収縮力が働き、前記凸部の端部に剪断力が働き、該凸部の端部に特徴的にパターン劣化が発生すると推定した。
したがって、モールドの表面に形成された凸部、特に、該凸部の端部における剥離機能を強固にすることにより、インプリントレジスト層に対する剥離性が高いだけでなく、転写性、及び転写耐久性が高いインプリント用モールド構造体を提供することができるという知見である。
なお、前記凹凸間傾斜面とは、以下のように定義される凹凸境界端２、及び凹凸境界端３で形成される部分である。
前記凹凸境界端２とは、モールド構造体の凹凸部のＳＥＭ像において、最大輝度の９５％を閾値として画像を二値化した際の１／０境界である。
前記凹凸境界端３とは、同じく、モールド構造体の凹凸部のＳＥＭ像において、最大輝度の５％を閾値として画像を二値化した際の１／０境界である。
本発明は、本発明者らによる前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を有し、該凹凸部上に剥離層が形成され、前記凸部上に形成された剥離層に含まれる剥離剤の量（ＭＴ）と、前記凸部間に形成された凹部上に形成された剥離層に含まれる剥離剤の量（ＭＢ）とが、下記数式（１）を満たすことを特徴とするインプリント用モールド構造体である。
ＭＴ＞ＭＢ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（１）
該＜１＞に記載のインプリント用モールド構造体においては、凸部上に形成された剥離層に含まれる剥離剤の量が、凹部上に形成された剥離層に含まれる剥離剤の量よりも大であることにより、インプリントレジストから剥離する際に比較的負荷がかかりやすい前記凸部の端部における剪断力に対する転写耐久性が向上すると共に、前記凹部に対応するインプリントレジスト（凸部）への転写性が向上する。
＜２＞ 凸部の端部における剥離剤の量をＭＴＥとし、凸部の中央部における剥離剤の量をＭＴＯとしたとき、下記数式（２）及び数式（３）を満たす前記＜１＞に記載のインプリント用モールド構造体である。
ＭＴＥ＞ＭＴＯ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（２）
ＭＴ＝αＭＴＥ＋（１−α）ＭＴＯ・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（３）
ただし、上記数式（３）において、０．０１≦α≦０．１２である。
＜３＞ ＭＴＥ／ＭＴＯが、下記数式（４）を満たす前記＜２＞に記載のインプリント用モールド構造体である。
１．０５＜ＭＴＥ／ＭＴＯ＜１．３・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（４）
＜４＞ 前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載のインプリント用のモールド構造体の製造方法であって、インプリント用モールド構造体の凹凸部上に剥離層を形成する剥離層形成工程と、前記剥離層に紫外線を照射して、該剥離層に含まれる剥離剤の量を制御する剥離剤量制御工程とを含むことを特徴とするインプリント用モールド構造体の製造方法である。
＜５＞ 前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧して前記インプリント用モールド構造体に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法である。
＜６＞ インプリントレジスト層の体積収縮率が、２１％以下である前記＜５＞に記載のインプリント方法である。
＜７＞ 前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト層に押圧して前記インプリント用モールド構造体に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程と、前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして、前記磁気記録媒体の基板の表面に形成された磁性層をエッチングして、前記凹凸パターンに基づく磁性パターン部を前記磁性層に形成する磁性パターン部形成工程と、前記磁性層に形成された凹部に非磁性材料を埋め込む非磁性パターン部形成工程と、を少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
＜８＞ インプリントレジスト層の体積収縮率が、２１％以下である前記＜７＞に記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜１＞ 基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を有し、該凹凸部上に剥離層が形成され、前記凸部上に形成された剥離層に含まれる剥離剤の量（ＭＴ）と、前記凸部間に形成された凹部上に形成された剥離層に含まれる剥離剤の量（ＭＢ）とが、下記数式（１）を満たすことを特徴とするインプリント用モールド構造体である。
ＭＴ＞ＭＢ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（１）
該＜１＞に記載のインプリント用モールド構造体においては、凸部上に形成された剥離層に含まれる剥離剤の量が、凹部上に形成された剥離層に含まれる剥離剤の量よりも大であることにより、インプリントレジストから剥離する際に比較的負荷がかかりやすい前記凸部の端部における剪断力に対する転写耐久性が向上すると共に、前記凹部に対応するインプリントレジスト（凸部）への転写性が向上する。
＜２＞ 凸部の端部における剥離剤の量をＭＴＥとし、凸部の中央部における剥離剤の量をＭＴＯとしたとき、下記数式（２）及び数式（３）を満たす前記＜１＞に記載のインプリント用モールド構造体である。
ＭＴＥ＞ＭＴＯ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（２）
ＭＴ＝αＭＴＥ＋（１−α）ＭＴＯ・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（３）
ただし、上記数式（３）において、０．０１≦α≦０．１２である。
＜３＞ ＭＴＥ／ＭＴＯが、下記数式（４）を満たす前記＜２＞に記載のインプリント用モールド構造体である。
１．０５＜ＭＴＥ／ＭＴＯ＜１．３・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（４）
＜４＞ 前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載のインプリント用のモールド構造体の製造方法であって、インプリント用モールド構造体の凹凸部上に剥離層を形成する剥離層形成工程と、前記剥離層に紫外線を照射して、該剥離層に含まれる剥離剤の量を制御する剥離剤量制御工程とを含むことを特徴とするインプリント用モールド構造体の製造方法である。
＜５＞ 前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧して前記インプリント用モールド構造体に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法である。
＜６＞ インプリントレジスト層の体積収縮率が、２１％以下である前記＜５＞に記載のインプリント方法である。
＜７＞ 前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト層に押圧して前記インプリント用モールド構造体に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程と、前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして、前記磁気記録媒体の基板の表面に形成された磁性層をエッチングして、前記凹凸パターンに基づく磁性パターン部を前記磁性層に形成する磁性パターン部形成工程と、前記磁性層に形成された凹部に非磁性材料を埋め込む非磁性パターン部形成工程と、を少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
＜８＞ インプリントレジスト層の体積収縮率が、２１％以下である前記＜７＞に記載の磁気記録媒体の製造方法である。
本発明によると、インプリントレジスト層に対する剥離性及び転写耐久性が高いだけでなく、転写性も高いインプリント用モールド構造体、及び該インプリント用モールド構造体を用いることによって転写精度を向上させたインプリント方法、並びに、記録特性、及び再生特性を向上させた磁気記録媒体、及びその製造方法を提供することができる。
以下、本発明のインプリント用モールド構造体について図面を参照して説明する。
（インプリント用モールド構造体）
図１は、本発明に係るインプリント用モールド構造体の一実施形態における構成を示す部分断面斜視図である。
図１に示すように、本実施形態のインプリント用モールド構造体１は、円板状の基板２の一の表面２ａ（以下、基準面２ａということがある。）に、凸部４が、所定の間隔で複数形成されてなる凹凸部３を有する。この凹凸部３には、剥離層６がこの順に積層されている。
ここで、凸部４は、基板２に対して略垂直に立設した面である側壁部４ａと、相互に対向する側壁部４ａを表面２ａに略平行な面で連結する頂部４ｂとから構成される。
また、凸部４が配列されている方向に直交する面における凸部４の断面形状は、矩形をなすことが好ましい。
なお、前記凸部４の断面形状は、目的に応じて、後述するエッチング工程を制御することにより、任意の形状を選択することができる。
一方、凹部５は、隣接する２つの凸部４の間に形成され、相互に離間するように対向する２つの側壁部４ａ，４ａと、表面２ａとによって構成される。
以下、本実施形態の説明において、「断面（形状）」とは、特に断りがない限り、前記同心円の半径方向（凸部４が列設されている方向）における断面（形状）を指す。
（インプリント用モールド構造体）
図１は、本発明に係るインプリント用モールド構造体の一実施形態における構成を示す部分断面斜視図である。
図１に示すように、本実施形態のインプリント用モールド構造体１は、円板状の基板２の一の表面２ａ（以下、基準面２ａということがある。）に、凸部４が、所定の間隔で複数形成されてなる凹凸部３を有する。この凹凸部３には、剥離層６がこの順に積層されている。
ここで、凸部４は、基板２に対して略垂直に立設した面である側壁部４ａと、相互に対向する側壁部４ａを表面２ａに略平行な面で連結する頂部４ｂとから構成される。
また、凸部４が配列されている方向に直交する面における凸部４の断面形状は、矩形をなすことが好ましい。
なお、前記凸部４の断面形状は、目的に応じて、後述するエッチング工程を制御することにより、任意の形状を選択することができる。
一方、凹部５は、隣接する２つの凸部４の間に形成され、相互に離間するように対向する２つの側壁部４ａ，４ａと、表面２ａとによって構成される。
以下、本実施形態の説明において、「断面（形状）」とは、特に断りがない限り、前記同心円の半径方向（凸部４が列設されている方向）における断面（形状）を指す。
また、基板２の厚みは、０．０１ｍｍ以上０．５ｍｍ未満であることが好ましい。
また、基板２の凸部４の高さ（凹部５の深さ）Ｈは、１０〜８００ｎｍの範囲が好ましく、３０〜３００ｎｍがより好ましい。
また、基板２の材料としては、ニッケルなどの金属が用いられることが好ましい。
また、基板２の凸部４の高さ（凹部５の深さ）Ｈは、１０〜８００ｎｍの範囲が好ましく、３０〜３００ｎｍがより好ましい。
また、基板２の材料としては、ニッケルなどの金属が用いられることが好ましい。
前記凸部の端部とは、凹凸境界端１、及び凹凸境界端２で形成される領域内における、面積２５ｎｍ２の領域のことである。
前記凸部の中央部とは、凸パターン両側の凹凸境界端２で形成される中間点（領域）における、面積２５ｎｍ２の領域のことである。
なお、前記凹凸境界端１、凹凸境界端２は、活性化処理／剥離層形成前に行なう、モールド構造体の凹凸部のＳＥＭ観察結果より求められる。
前記凹凸境界端１とは、観察されたＳＥＭ像において、最大輝度の８０％を閾値として画像を二値化した際の１／０境界である。
前記凹凸境界端２とは、上述の通り、モールド構造体の凹凸部のＳＥＭ像において、最大輝度の９５％を閾値として画像を二値化した際の１／０境界である。
なお、ＭＴＯ値（凸部パターンの中央部における剥離剤の量）、ＭＴＥ値（凸部パターンの端部における剥離剤の量）、ＭＢ値（凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量）及びＭＴ値（凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量）を求める際、前記凸部の端部を１０箇所、及び前記凸部の中央部を１０箇所作成し、それぞれ１０箇所の平均値を使用する。
前記凸部の中央部とは、凸パターン両側の凹凸境界端２で形成される中間点（領域）における、面積２５ｎｍ２の領域のことである。
なお、前記凹凸境界端１、凹凸境界端２は、活性化処理／剥離層形成前に行なう、モールド構造体の凹凸部のＳＥＭ観察結果より求められる。
前記凹凸境界端１とは、観察されたＳＥＭ像において、最大輝度の８０％を閾値として画像を二値化した際の１／０境界である。
前記凹凸境界端２とは、上述の通り、モールド構造体の凹凸部のＳＥＭ像において、最大輝度の９５％を閾値として画像を二値化した際の１／０境界である。
なお、ＭＴＯ値（凸部パターンの中央部における剥離剤の量）、ＭＴＥ値（凸部パターンの端部における剥離剤の量）、ＭＢ値（凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量）及びＭＴ値（凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量）を求める際、前記凸部の端部を１０箇所、及び前記凸部の中央部を１０箇所作成し、それぞれ１０箇所の平均値を使用する。
＜剥離層＞
本発明のインプリント用モールド構造体１は、凸部４上に形成された剥離層に含まれる剥離剤の量（ＭＴ）と、凸部４間に形成された凹部３上に形成された剥離層に含まれる剥離剤の量（ＭＢ）とが、下記数式（１）を満たすことが好ましい。
ＭＴ＞ＭＢ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（１）
なお、上記数式（１）は、剥離剤の条件を変更して行なった実験の結果から得たものである。上記数式（１）において、ＭＴ＜ＭＢであると、モールドパターン凹部に十分な厚みを有するレジスト層を確保できず、磁性層の加工不良が発生することがある。また、モールド凸部の剥離状態が不十分であり、モールドパターン破損を引き起こすことがある。
本発明のインプリント用モールド構造体１は、凸部４上に形成された剥離層に含まれる剥離剤の量（ＭＴ）と、凸部４間に形成された凹部３上に形成された剥離層に含まれる剥離剤の量（ＭＢ）とが、下記数式（１）を満たすことが好ましい。
ＭＴ＞ＭＢ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（１）
なお、上記数式（１）は、剥離剤の条件を変更して行なった実験の結果から得たものである。上記数式（１）において、ＭＴ＜ＭＢであると、モールドパターン凹部に十分な厚みを有するレジスト層を確保できず、磁性層の加工不良が発生することがある。また、モールド凸部の剥離状態が不十分であり、モールドパターン破損を引き起こすことがある。
また、本発明のインプリント用モールド構造体１は、凸部の端部における剥離剤の量をＭＴＥとし、凸部の中央部における剥離剤の量をＭＴＯとしたとき、下記数式（２）及び数式（３）を満たすことが好ましい。
ＭＴＥ＞ＭＴＯ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（２）
ＭＴ＝αＭＴＥ＋（１−α）ＭＴＯ・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（３）
ただし、上記数式（３）において、０．０１≦α≦０．１２である。
なお、上記数式（２）及び（３）は、剥離剤の条件を変更して行なった実験の結果から得たものである。上記数式（２）、（３）を満たさないと、モールド凸端部の剥離状態が不十分であり、パターン破損を引き起こすことがある。
ＭＴＥ＞ＭＴＯ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（２）
ＭＴ＝αＭＴＥ＋（１−α）ＭＴＯ・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（３）
ただし、上記数式（３）において、０．０１≦α≦０．１２である。
なお、上記数式（２）及び（３）は、剥離剤の条件を変更して行なった実験の結果から得たものである。上記数式（２）、（３）を満たさないと、モールド凸端部の剥離状態が不十分であり、パターン破損を引き起こすことがある。
また、本発明のインプリント用モールド構造体１は、ＭＴＥ／ＭＴＯが、下記数式（４）を満たすことが好ましい。
１．０５＜ＭＴＥ／ＭＴＯ＜１．３・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（４）
なお、上記数式（４）は、剥離剤の条件を変更して行った実験の結果から得たものである。上記数式（４）を満たさないと、モールド凸部の剥離状態が不十分でありパターン破損を引き起こすことがあり、安定したＮＩＬを達成することができない。
１．０５＜ＭＴＥ／ＭＴＯ＜１．３・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（４）
なお、上記数式（４）は、剥離剤の条件を変更して行った実験の結果から得たものである。上記数式（４）を満たさないと、モールド凸部の剥離状態が不十分でありパターン破損を引き起こすことがあり、安定したＮＩＬを達成することができない。
＜＜剥離剤の量の測定方法＞＞
ここで、前記剥離剤の量の測定方法の一例について説明する。
まず、平坦基板上（４インチ−Ｓｉウエハー）に、前記モールドに形成した剥離層に用いたのと同一の剥離剤をディップ塗布法により形成する。その後、前記剥離層を形成したときと同一の条件で塗布、形成した試料に対して、マイクロオージェ装置（ＰＨＩ７００，アルバックファイ社製）を用いてフッ素元素のスペクトル強度（Ｉ＿ＲＥＦ）を検出する。
そして、前記同一試料に対して、エリプソメーター（ＤＨＡ−ＸＡ／Ｓ４，溝尻光学工業所社製）を使用し、剥離層の厚み（ＴＨＲ）を導出する。
モールドに対しては上記と同じ評価法にて、１μｍ角の領域に対してフッ素元素スペクトル強度をマッピングする。そして、同装置に設置されている簡易ＳＥＭにて凹凸形状を観察、このＳＥＭ像とフッ素元素スペクトル強度マップを対応させ、凹凸パターン中央部、端部を決定し、所定の箇所におけるフッ素量を導出する。
具体的には、凸部パターン端部におけるフッ素量を「ＩＦ＿ＭＴＥ」とし、凸部パターン中央部におけるフッ素量を「ＩＦ＿ＭＴＯ」とし、凹部パターンの中央部におけるフッ素量を「ＩＦ＿ＭＢ」としたとき、凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量ＭＴ、凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量ＭＢ、凸部パターンの端部における剥離剤の量（ＭＴＥ）、及び凸部パターンの中央部における剥離剤の量（ＭＴＯ）は、以下の式により厚みに換算されて導出される。
ＭＴ＝ＭＴＥ＋ＭＴＯ
ＭＢ＝（ＴＨＲ／Ｉ＿ＲＥＦ）×ＩＦ＿ＭＢ
ＭＴＥ＝（ＴＨＲ／Ｉ＿ＲＥＦ）×ＩＦ＿ＭＴＥ
ＭＴＯ＝（ＴＨＲ／Ｉ＿ＲＥＦ）×ＩＦ＿ＭＴＯ
ここで、前記剥離剤の量の測定方法の一例について説明する。
まず、平坦基板上（４インチ−Ｓｉウエハー）に、前記モールドに形成した剥離層に用いたのと同一の剥離剤をディップ塗布法により形成する。その後、前記剥離層を形成したときと同一の条件で塗布、形成した試料に対して、マイクロオージェ装置（ＰＨＩ７００，アルバックファイ社製）を用いてフッ素元素のスペクトル強度（Ｉ＿ＲＥＦ）を検出する。
そして、前記同一試料に対して、エリプソメーター（ＤＨＡ−ＸＡ／Ｓ４，溝尻光学工業所社製）を使用し、剥離層の厚み（ＴＨＲ）を導出する。
モールドに対しては上記と同じ評価法にて、１μｍ角の領域に対してフッ素元素スペクトル強度をマッピングする。そして、同装置に設置されている簡易ＳＥＭにて凹凸形状を観察、このＳＥＭ像とフッ素元素スペクトル強度マップを対応させ、凹凸パターン中央部、端部を決定し、所定の箇所におけるフッ素量を導出する。
具体的には、凸部パターン端部におけるフッ素量を「ＩＦ＿ＭＴＥ」とし、凸部パターン中央部におけるフッ素量を「ＩＦ＿ＭＴＯ」とし、凹部パターンの中央部におけるフッ素量を「ＩＦ＿ＭＢ」としたとき、凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量ＭＴ、凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量ＭＢ、凸部パターンの端部における剥離剤の量（ＭＴＥ）、及び凸部パターンの中央部における剥離剤の量（ＭＴＯ）は、以下の式により厚みに換算されて導出される。
ＭＴ＝ＭＴＥ＋ＭＴＯ
ＭＢ＝（ＴＨＲ／Ｉ＿ＲＥＦ）×ＩＦ＿ＭＢ
ＭＴＥ＝（ＴＨＲ／Ｉ＿ＲＥＦ）×ＩＦ＿ＭＴＥ
ＭＴＯ＝（ＴＨＲ／Ｉ＿ＲＥＦ）×ＩＦ＿ＭＴＯ
＜＜剥離剤＞＞
前記剥離剤は、加工対象物に対して剥離機能を有する材料であることが好ましく、加工対象物に対して剥離機能を有する材料としては、公知のフッ素系樹脂、炭化水素系潤滑剤、フッ素系潤滑剤、フッ素系シランカップリング剤などを使用できる。
前記フッ素系樹脂としては、ＰＴＦＡ，ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴＦＥなどが挙げられる。
前記炭化水素系潤滑剤としては、ステアリン酸、オレイン酸等のカルボン酸類、ステアリン酸ブチル等のエステル類、オクタデシルスルホン酸等のスルホン酸類、リン酸モノオクタデシル等のリン酸エステル類、ステアリルアルコール、オレイルアルコール等のアルコール類、ステアリン酸アミド等のカルボン酸アミド類、ステアリルアミン等のアミン類などが挙げられる。
前記フッ素系潤滑剤としては、上記炭化水素系潤滑剤のアルキル基の一部または全部をフルオロアルキル基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑剤が挙げられる。
前記パーフルオロポリエーテル基としては、パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピレンオキシド重合体（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ、パーフルオロイソプロピレンオキシド重合体（ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ）ｎまたはこれらの共重合体等である。
前記フッ素系シランカップリング剤としては、分子中に少なくとも１個、好ましくは１〜１０個のアルコキシシラン基、クロロシラン基を有するものであり、分子量２００〜５００,０００のものが好ましい。
前記アルコキシシラン基の例としては、-Ｓｉ（ＯＣＨ３）３基、-Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３基、-Ｓｉ（ＯＣＨ３）３基が挙げられ、前記クロロシラン基としては、-Ｓｉ（Ｃｌ）３基などが挙げられる。具体的には、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラ-ハイドロデシルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルプロピルジメチルクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラ-ハイドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラ-ハイドロオクチルトリメトキシシランなどの素材である。
前記剥離剤は、加工対象物に対して剥離機能を有する材料であることが好ましく、加工対象物に対して剥離機能を有する材料としては、公知のフッ素系樹脂、炭化水素系潤滑剤、フッ素系潤滑剤、フッ素系シランカップリング剤などを使用できる。
前記フッ素系樹脂としては、ＰＴＦＡ，ＰＦＡ，ＦＥＰ，ＥＴＦＥなどが挙げられる。
前記炭化水素系潤滑剤としては、ステアリン酸、オレイン酸等のカルボン酸類、ステアリン酸ブチル等のエステル類、オクタデシルスルホン酸等のスルホン酸類、リン酸モノオクタデシル等のリン酸エステル類、ステアリルアルコール、オレイルアルコール等のアルコール類、ステアリン酸アミド等のカルボン酸アミド類、ステアリルアミン等のアミン類などが挙げられる。
前記フッ素系潤滑剤としては、上記炭化水素系潤滑剤のアルキル基の一部または全部をフルオロアルキル基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑剤が挙げられる。
前記パーフルオロポリエーテル基としては、パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエチレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピレンオキシド重合体（ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ）ｎ、パーフルオロイソプロピレンオキシド重合体（ＣＦ（ＣＦ３）ＣＦ２Ｏ）ｎまたはこれらの共重合体等である。
前記フッ素系シランカップリング剤としては、分子中に少なくとも１個、好ましくは１〜１０個のアルコキシシラン基、クロロシラン基を有するものであり、分子量２００〜５００,０００のものが好ましい。
前記アルコキシシラン基の例としては、-Ｓｉ（ＯＣＨ３）３基、-Ｓｉ（ＯＣＨ２ＣＨ３）３基、-Ｓｉ（ＯＣＨ３）３基が挙げられ、前記クロロシラン基としては、-Ｓｉ（Ｃｌ）３基などが挙げられる。具体的には、ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２−テトラ-ハイドロデシルトリメトキシシラン、ペンタフルオロフェニルプロピルジメチルクロロシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラ-ハイドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラ-ハイドロオクチルトリメトキシシランなどの素材である。
以上、本発明のインプリント用モールド構造体に設けられる凹凸部として、基板２の円周方向に沿って形成された凹凸部３の形態（データパターン）を示したが、前記凹凸部の他の形態として、基板２の中心部から放射状に凸部を配列させることによって凹凸部を形成した形態（サーボパターン）に適用してもよい。
（インプリント用モールド構造体の作製方法）
以下、インプリント用モールド構造体の一実施形態における作製方法について図面を参照して説明する。
以下、インプリント用モールド構造体の一実施形態における作製方法について図面を参照して説明する。
―原盤の作製―
図２Ａ〜Ｂは、第２の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図２Ａに示すように、まず、円板状のＳｉ基板１０上に、スピンコータなどでＰＭＭＡなどのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する（フォトレジスト層形成工程）。
その後、Ｓｉ基板１０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射する（描画工程）。
その後、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターン（サーボパターン）を円周上の各フレームに対応する部分に露光する（露光工程）。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥ（反応性イオンエッチング）などの選択エッチングを行い（エッチング工程）、凹凸部を有する原盤１１を得る。
図２Ａ〜Ｂは、第２の実施形態におけるモールド構造体の作製方法を示す断面図である。図２Ａに示すように、まず、円板状のＳｉ基板１０上に、スピンコータなどでＰＭＭＡなどのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する（フォトレジスト層形成工程）。
その後、Ｓｉ基板１０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射する（描画工程）。
その後、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターン（サーボパターン）を円周上の各フレームに対応する部分に露光する（露光工程）。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥ（反応性イオンエッチング）などの選択エッチングを行い（エッチング工程）、凹凸部を有する原盤１１を得る。
次に、図２Ｂに示すように、原盤１１の表面に形成された前記凹凸部に対して、ターゲットにＮｉを用いたスパッタリングを行うことによって、Ｎｉよりなる導電膜２２を形成する。
その後、導電膜２２に対して、メッキ法により、導電膜２２を所定の厚みに成膜して、ポジ状凹凸パターンを有するＮｉ基板２３を作製し、原盤１１から剥離する。
その後、導電膜２２に対して、メッキ法により、導電膜２２を所定の厚みに成膜して、ポジ状凹凸パターンを有するＮｉ基板２３を作製し、原盤１１から剥離する。
［剥離層の形成］
剥離層用組成物を調製し、該剥離層用組成物を前記ポジ状凹凸パターン上に塗布して剥離層６を形成する。
以上のようにして、インプリント用モールド構造体１が得られる。
剥離層用組成物を調製し、該剥離層用組成物を前記ポジ状凹凸パターン上に塗布して剥離層６を形成する。
以上のようにして、インプリント用モールド構造体１が得られる。
＜磁気記録媒体の製造方法＞
以下、本発明に係るインプリント用モールド構造体を用いて、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアなどの磁気記録媒体を作製する作製方法について図面を参照して説明する。
以下、本発明に係るインプリント用モールド構造体を用いて、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアなどの磁気記録媒体を作製する作製方法について図面を参照して説明する。
［転写工程］
図３に示すように、磁性層５０と、ＰＭＭＡなどのインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２４とがこの順に形成された磁気記録媒体の基板４０に対して、インプリント用モールド構造体１を押し当て、加圧することにより、インプリント用モールド構造体１上に形成された凸部４のパターンをインプリントレジスト層２４に転写する。
図３に示すように、磁性層５０と、ＰＭＭＡなどのインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２４とがこの順に形成された磁気記録媒体の基板４０に対して、インプリント用モールド構造体１を押し当て、加圧することにより、インプリント用モールド構造体１上に形成された凸部４のパターンをインプリントレジスト層２４に転写する。
＜＜インプリントレジスト層＞＞
前記インプリントレジスト層は、インプリントレジスト組成物（以下、「インプリントレジスト液」ということがある。）を磁気記録媒体の基板に塗布することによって形成される層である。
インプリントレジスト層２５としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、熱可塑性樹脂、及び光硬化性樹脂の少なくともいずれかを含有するインプリントレジスト組成物（以下、「インプリントレジスト液」ということがある。）を磁気記録媒体の基板４０に塗布することによって形成される層である。また、インプリントレジスト層１３を形成するインプリントレジスト組成物としては、例えば、ノボラック系樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、有機ガラス樹脂、無機ガラス樹脂などが用いられる。
前記インプリントレジスト層の厚みとしては、モールド１の表面２ａ上に形成される凸部の高さに対して５％以上、２００％未満であることが好ましい。５％未満ではレジスト量が不足し、所望のレジストパターンを形成することができない。
インプリントレジスト層の厚みは、例えば、レジストが塗布された磁気記録媒体の基板から一部レジストを剥離、剥離後の段差をＡＦＭ装置（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ５０００、日本ビーコ（株）製）にて測定することができる。
前記インプリントレジスト層は、インプリントレジスト組成物（以下、「インプリントレジスト液」ということがある。）を磁気記録媒体の基板に塗布することによって形成される層である。
インプリントレジスト層２５としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、熱可塑性樹脂、及び光硬化性樹脂の少なくともいずれかを含有するインプリントレジスト組成物（以下、「インプリントレジスト液」ということがある。）を磁気記録媒体の基板４０に塗布することによって形成される層である。また、インプリントレジスト層１３を形成するインプリントレジスト組成物としては、例えば、ノボラック系樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、有機ガラス樹脂、無機ガラス樹脂などが用いられる。
前記インプリントレジスト層の厚みとしては、モールド１の表面２ａ上に形成される凸部の高さに対して５％以上、２００％未満であることが好ましい。５％未満ではレジスト量が不足し、所望のレジストパターンを形成することができない。
インプリントレジスト層の厚みは、例えば、レジストが塗布された磁気記録媒体の基板から一部レジストを剥離、剥離後の段差をＡＦＭ装置（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ５０００、日本ビーコ（株）製）にて測定することができる。
［インプリントレジスト組成物の粘度］
前記インプリントレジスト組成物の粘度は、例えば、超音波式粘度計などを用いて測定される。
前記インプリントレジスト組成物の粘度は、例えば、超音波式粘度計などを用いて測定される。
＜インプリント用モールド構造体の作製方法＞
以下、本発明に係るインプリント用モールド構造体の作製方法の例について図面を参照して説明する。なお、本発明に係るインプリント用モールド構造体は、下記の作製方法以外の作製方法により作製されたものであってもよい。
以下、本発明に係るインプリント用モールド構造体の作製方法の例について図面を参照して説明する。なお、本発明に係るインプリント用モールド構造体は、下記の作製方法以外の作製方法により作製されたものであってもよい。
―原盤の作製―
図２Ａ〜Ｂは、モールド構造体１の作製方法を示す断面図である。図２Ａに示すように、まず、Ｓｉ基材１０上に、スピンコートなどでノボラック系樹脂、アクリル樹脂などのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する。
その後、Ｓｉ基材１０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤１１を得る。
図２Ａ〜Ｂは、モールド構造体１の作製方法を示す断面図である。図２Ａに示すように、まず、Ｓｉ基材１０上に、スピンコートなどでノボラック系樹脂、アクリル樹脂などのフォトレジスト液を塗布し、フォトレジスト層２１を形成する。
その後、Ｓｉ基材１０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射し、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に露光する。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤１１を得る。
原盤１１からモールドを作製するモールドの作製方法としてはメッキ法、ナノインプリント法などを用いることができる。
メッキ法でのモールド作製方法は以下の通りである。
まず、原盤１１の表面に導電層（図示せず）を形成する。
前記導電膜の形成方法としては、一般的に真空製膜方法（スパッタリング、蒸着など）、無電解メッキ法などを用いることができる。
前記導電層の材料としては、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏのうち、少なくとも一種類の元素を含有する金属、合金を用いることができ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ合金などが好ましい。また、導電性を示すＴｉＯなどの非金属材質も前記導電層として使用可能である。
前記導電層の膜厚は、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲が好ましく、１０ｎｍ〜２５ｎｍの範囲がより好ましい。
上記導電層を形成した原盤を用い、メッキ法にて金属、及び合金素材を積層して、所定の厚みとなるまで形成した後に、原盤１１からメッキ基体を剥離することでモールドを形成する。
ここで、前記モールドを構成するメッキ素材としては、Ｎｉ、Ｃｒ、ＦｅＣｏ合金などを使用することができ、Ｎｉ素材を用いたものが特に好ましい。
また、引き剥がし後のモールド１の厚みは、３０μｍ〜５００μｍの範囲が好ましく、４５μｍ〜３００μｍの範囲がより好ましい。３０μｍ未満ではモールドの剛性が低下し機械特性を確保することができない。
加えて、上記転写工程（ＮＩＬ、ナノインプリントリソグラフィ）を多数回実施することで、モールド１自身が変形し、著しく実用特性が低下することがある。したがって、モールドの厚みが５００μｍ以上では剛性が高くなりすぎるため、ＮＩＬ時のモールド１と、磁気記録媒体の基板４０との間の密着を確保することができない。
密着確保のためには、密着圧力をあげる必要があるため、異物などが混入した際にはモールド１と、磁気記録媒体の基板４０との間に致命的な形状欠陥が発生する。
メッキ法でのモールド作製方法は以下の通りである。
まず、原盤１１の表面に導電層（図示せず）を形成する。
前記導電膜の形成方法としては、一般的に真空製膜方法（スパッタリング、蒸着など）、無電解メッキ法などを用いることができる。
前記導電層の材料としては、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏのうち、少なくとも一種類の元素を含有する金属、合金を用いることができ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ合金などが好ましい。また、導電性を示すＴｉＯなどの非金属材質も前記導電層として使用可能である。
前記導電層の膜厚は、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲が好ましく、１０ｎｍ〜２５ｎｍの範囲がより好ましい。
上記導電層を形成した原盤を用い、メッキ法にて金属、及び合金素材を積層して、所定の厚みとなるまで形成した後に、原盤１１からメッキ基体を剥離することでモールドを形成する。
ここで、前記モールドを構成するメッキ素材としては、Ｎｉ、Ｃｒ、ＦｅＣｏ合金などを使用することができ、Ｎｉ素材を用いたものが特に好ましい。
また、引き剥がし後のモールド１の厚みは、３０μｍ〜５００μｍの範囲が好ましく、４５μｍ〜３００μｍの範囲がより好ましい。３０μｍ未満ではモールドの剛性が低下し機械特性を確保することができない。
加えて、上記転写工程（ＮＩＬ、ナノインプリントリソグラフィ）を多数回実施することで、モールド１自身が変形し、著しく実用特性が低下することがある。したがって、モールドの厚みが５００μｍ以上では剛性が高くなりすぎるため、ＮＩＬ時のモールド１と、磁気記録媒体の基板４０との間の密着を確保することができない。
密着確保のためには、密着圧力をあげる必要があるため、異物などが混入した際にはモールド１と、磁気記録媒体の基板４０との間に致命的な形状欠陥が発生する。
なお、上記モールドを原盤１１として用いて、モールド１の複製を行ってもよい。
ナノインプリント法を用いたモールドの複製方法は以下の通りである。
図２Ｂに示すように、熱可塑性樹脂、あるいは光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２５が一方の面に形成された基板４０に対して、原盤１１を押し当て、原盤１１上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層２５に転写される。
ナノインプリント法を用いたモールドの複製方法は以下の通りである。
図２Ｂに示すように、熱可塑性樹脂、あるいは光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２５が一方の面に形成された基板４０に対して、原盤１１を押し当て、原盤１１上に形成された凸部のパターンがインプリントレジスト層２５に転写される。
ここで、基板４０の材料は、光透過性を有し、モールド構造体１として機能する強度を有する材料であれば、特に制限されることなく、目的に応じて適宜選択され、例えば、石英（ＳｉＯ２）や、有機樹脂（ＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリカーボネート、低融点フッ素樹脂）等が挙げられる。
また、前記「光透過性を有する」とは、具体的には、基板４０にインプリントレジスト層２５が形成される一方の面から出射するように、基板４０の他方の面から光を入射した場合に、インプリントレジスト液が十分に硬化することを意味しており、少なくとも、前記他方の面から前記一方の面へ波長４００ｎｍ以下の光の光透過率が５０％以上であることを意味する。
また、前記「モールド構造体として機能する強度」とは、基板４０上に形成されたインプリントレジスト層２５に対して、平均面圧力が１ｋｇｆ／ｃｍ２以上という条件下で押し当て、加圧しても剥離可能に破損しない強度を意味する。
また、前記「光透過性を有する」とは、具体的には、基板４０にインプリントレジスト層２５が形成される一方の面から出射するように、基板４０の他方の面から光を入射した場合に、インプリントレジスト液が十分に硬化することを意味しており、少なくとも、前記他方の面から前記一方の面へ波長４００ｎｍ以下の光の光透過率が５０％以上であることを意味する。
また、前記「モールド構造体として機能する強度」とは、基板４０上に形成されたインプリントレジスト層２５に対して、平均面圧力が１ｋｇｆ／ｃｍ２以上という条件下で押し当て、加圧しても剥離可能に破損しない強度を意味する。
―硬化工程―
その後、インプリントレジスト層２５に熱を印加する、あるいは、紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させる。紫外線を照射してパターンを硬化する場合は、パターニング後であってモールド構造体と磁気記録媒体とを剥離した後に紫外線を照射し硬化してもよい。
その後、インプリントレジスト層２５に熱を印加する、あるいは、紫外線などを照射して転写されたパターンを硬化させる。紫外線を照射してパターンを硬化する場合は、パターニング後であってモールド構造体と磁気記録媒体とを剥離した後に紫外線を照射し硬化してもよい。
―パターン形成工程―
その後、転写されたパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体１を得る。また基材の表面に無機系材質を形成し、レジストマスクを基として無機系材質マスクを形成し、この無機系材質マスクを用いて基材をエッチングし、モールド構造体１を形成してもよい。
その後、転写されたパターンをマスクにしてＲＩＥなどにより選択エッチングを行い、凹凸形状を有するモールド構造体１を得る。また基材の表面に無機系材質を形成し、レジストマスクを基として無機系材質マスクを形成し、この無機系材質マスクを用いて基材をエッチングし、モールド構造体１を形成してもよい。
（磁気記録媒体）
以下、本発明に係るインプリント用モールド構造体を用いて作製されたディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアなどの磁気記録媒体を、図面を参照して説明する。但し、本発明に係る磁気記録媒体は、本発明に係るインプリント用モールド構造体を用いて製造されていれば、下記の製造方法以外の製造方法により作製されたものであってもよい。
以下、本発明に係るインプリント用モールド構造体を用いて作製されたディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアなどの磁気記録媒体を、図面を参照して説明する。但し、本発明に係る磁気記録媒体は、本発明に係るインプリント用モールド構造体を用いて製造されていれば、下記の製造方法以外の製造方法により作製されたものであってもよい。
図３に示すように、磁性層５０と、インプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２５とがこの順に形成された磁気記録媒体の基板４０に対して、モールド構造体１を押し当て、加圧することにより、モールド構造体１上に形成されたデータ領域の凹凸部３、及びサーボ領域１２０の凹凸部４のパターンがインプリントレジスト層２５に転写される。
ここで、磁気記録媒体の作製におけるインプリントレジスト層２５として、インプリント用モールド構造体の作製におけるインプリントレジスト層２４と同じインプリントレジスト組成物を採用してもよい。
以下、特に断らない限り、インプリントレジスト層、及びインプリントレジスト組成物は、磁気記録媒体の作製におけるインプリントレジスト層２５、及び該インプリントレジスト層２５を形成するインプリントレジスト組成物を指すものとする。
以下、特に断らない限り、インプリントレジスト層、及びインプリントレジスト組成物は、磁気記録媒体の作製におけるインプリントレジスト層２５、及び該インプリントレジスト層２５を形成するインプリントレジスト組成物を指すものとする。
その後、データ領域の凹凸部３、及びサーボ領域１２０の凹凸部４のパターンが転写されたインプリントレジスト層２５をマスクにして、エッチング工程を行い、モールド構造体１上に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンを磁性層５０に形成し、凹部に非磁性材料を埋め込むことによって、非磁性層７０を形成し、表面を平坦化した後、必要に応じて、保護膜形成などのその他の工程を行って磁気記録媒体１００を得る。
前記エッチング工程は、データ領域におけるインプリントレジスト層２５に形成されたレジスト凹凸パターン形状に基づく凹凸形状を、データ領域の磁性層５０に形成する工程である。
前記凸凹形状の形成方法としては、イオンビームエッチング、反応性化学エッチング、ウェットエッチングなどの手法を用いることができる。
イオンビームエッチングでのプロセスガスとしては、Ａｒ、反応性化学エッチングのエッチャントとしてはＣＯ＋ＮＨ３、塩素ガスなどを用いることができる。
前記その他の工程としては、必要に応じて、前記磁性層の凹部をＳｉＯ２、カーボン、アルミナ；ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等のポリマー；潤滑油等の非磁性材料で埋める工程、表面を平坦化する工程、平坦化した表面にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等で保護膜を形成する工程、最後に潤滑剤を塗布する工程などが挙げられる。
前記エッチング工程は、データ領域におけるインプリントレジスト層２５に形成されたレジスト凹凸パターン形状に基づく凹凸形状を、データ領域の磁性層５０に形成する工程である。
前記凸凹形状の形成方法としては、イオンビームエッチング、反応性化学エッチング、ウェットエッチングなどの手法を用いることができる。
イオンビームエッチングでのプロセスガスとしては、Ａｒ、反応性化学エッチングのエッチャントとしてはＣＯ＋ＮＨ３、塩素ガスなどを用いることができる。
前記その他の工程としては、必要に応じて、前記磁性層の凹部をＳｉＯ２、カーボン、アルミナ；ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）等のポリマー；潤滑油等の非磁性材料で埋める工程、表面を平坦化する工程、平坦化した表面にＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等で保護膜を形成する工程、最後に潤滑剤を塗布する工程などが挙げられる。
図５は、本発明の磁気記録媒体の構成を示す平面図である。
上記のようにして作製された本発明の磁気記録媒体は、図５に示すように、基板４０の一の表面上に、同心円状に、所定の間隔で形成された複数のデータ領域の磁性パターン部５１と、基板２の半径方向に所定の間隔で形成された複数のサーボ領域の磁性パターン部５２とが非磁性層７０によって隔たれて形成されている。
上記のようにして作製された本発明の磁気記録媒体は、図５に示すように、基板４０の一の表面上に、同心円状に、所定の間隔で形成された複数のデータ領域の磁性パターン部５１と、基板２の半径方向に所定の間隔で形成された複数のサーボ領域の磁性パターン部５２とが非磁性層７０によって隔たれて形成されている。
また、基板４０の表面上において、データ領域の磁性パターン部５１が形成された領域はデータ領域１３０であり、前記表面上においてサーボ領域の磁性パターン部５２が形成された領域はサーボ領域１４０である。
このようなデータ領域１３０、及びサーボ領域１４０の構成において、サーボ領域１４０は、データ領域１３０を分断するように、円周方向において略等間隔で複数形成されている。
このようなデータ領域１３０、及びサーボ領域１４０の構成において、サーボ領域１４０は、データ領域１３０を分断するように、円周方向において略等間隔で複数形成されている。
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
（実施例１）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
＜＜原盤の作製＞＞
直径８インチの円板状のＳｉ基板上に電子線レジストを、スピンコート法を用いて１００ｎｍの厚みに塗布した。
回転式電子線露光装置にて所望のパターンを露光、現像することで、凹凸パターンを有する前記電子線レジストをＳｉ基板上に形成する。
凹凸パターンを有する前記電子線レジストをマスクとして、前記Ｓｉ基板に対して反応性イオンエッチング処理を行い、Ｓｉ基板上に凹凸形状を形成する。
残存した前記電子線レジストを、可溶溶剤にて洗浄することで除去し、乾燥した後に原盤を得た。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
＜＜原盤の作製＞＞
直径８インチの円板状のＳｉ基板上に電子線レジストを、スピンコート法を用いて１００ｎｍの厚みに塗布した。
回転式電子線露光装置にて所望のパターンを露光、現像することで、凹凸パターンを有する前記電子線レジストをＳｉ基板上に形成する。
凹凸パターンを有する前記電子線レジストをマスクとして、前記Ｓｉ基板に対して反応性イオンエッチング処理を行い、Ｓｉ基板上に凹凸形状を形成する。
残存した前記電子線レジストを、可溶溶剤にて洗浄することで除去し、乾燥した後に原盤を得た。
ここで、前記凹凸パターンは、データ部における凹凸パターンと、サーボ部における凹凸パターンとに大別される。
データ部は、凸部の巾：５００ｎｍ、凹部の巾：３００ｎｍ（トラックピッチ＝８００ｎｍ）の凹凸パターンとした。
サーボ部に関しては、基準信号長を２００ｎｍとし、総セクタ数を１２８とし、プリアンブル部（４５ｂｉｔ）、ＳＡＭ部（１０ｂｉｔ）、ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ部（８ｂｉｔ）、ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ部（３２ｂｉｔ）、及びＢｕｒｓｔ部で構成されている。
前記ＳＡＭ部は、“００００１０１０１１”であり、前記ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ部における凹凸パターンは、Ｂｉｎａｒｙ変換を用いて形成され、ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ部における凹凸パターンは、Ｇｒａｙ変換を用いて形成され、最終的にマンチェスター変換を用いて形成される。
また、前記Ｂｕｒｓｔ部における凹凸パターンは、一般的な位相バースト信号（１６ｂｉｔ）である。
データ部は、凸部の巾：５００ｎｍ、凹部の巾：３００ｎｍ（トラックピッチ＝８００ｎｍ）の凹凸パターンとした。
サーボ部に関しては、基準信号長を２００ｎｍとし、総セクタ数を１２８とし、プリアンブル部（４５ｂｉｔ）、ＳＡＭ部（１０ｂｉｔ）、ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ部（８ｂｉｔ）、ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ部（３２ｂｉｔ）、及びＢｕｒｓｔ部で構成されている。
前記ＳＡＭ部は、“００００１０１０１１”であり、前記ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ部における凹凸パターンは、Ｂｉｎａｒｙ変換を用いて形成され、ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ部における凹凸パターンは、Ｇｒａｙ変換を用いて形成され、最終的にマンチェスター変換を用いて形成される。
また、前記Ｂｕｒｓｔ部における凹凸パターンは、一般的な位相バースト信号（１６ｂｉｔ）である。
その後、石英基板上にノボラック系レジスト（マイクロレジスト社ｍｒ−Ｉ ７０００Ｅ）を１００ｎｍ、スピンコート法（３，６００ｒｐｍ）によって形成した。
そして、原盤をモールドとして使用し、ナノインプリントを行う。ナノインプリント後の凹凸レジストパターンを元にエッチャントとしてＣＨＦ３を用いたＲＩＥでインプリント用モールド構造体１を得た。
そして、原盤をモールドとして使用し、ナノインプリントを行う。ナノインプリント後の凹凸レジストパターンを元にエッチャントとしてＣＨＦ３を用いたＲＩＥでインプリント用モールド構造体１を得た。
作製したインプリント用モールド構造体１の表面にウェット法により剥離剤（ＥＧＣ−１７２０ 住友３Ｍ社製）を塗布し、剥離層を形成した。引き上げ速度は１ｍｍ／ｓｅｃとした。
＜凸部パターンの表面の剥離剤の量の制御＞
モールドの表面の活性化状態を変化させることにより、剥離層中の剥離剤量を制御できる。該活性化状態を変化させる方法としては、例えば、紫外線を照射する方法（紫外線照射方式）がある。該紫外線照射方式は、光源／モールド間照射距離、照射時間、光源投入パワーを調整することで、モールドの表面の活性化状態を制御できる。例えば、紫外線照射時間を長くし、投入電力を上げ、前記照射距離を短くすると、紫外線積分照射量が大きくなり、剥離剤のモールド表面に対する吸着効率が向上する。特に、前記照射距離の調整、及び紫外線の入射角度の調整が剥離剤の吸着効率の改善に有効である。
用いられる装置としては、卓上型光表面処理装置 ＰＬ１６−１１０（セン特殊光源株式会社製）が挙げられる。
具体的には、剥離剤を形成する前のインプリント用モールド構造体１の表面に対して紫外線を照射する。紫外線を照射する条件は、光源／モールド間照射距離：１０ｍｍ、照射時間：２ｍｉｎ、光源投入パワー：１８ｍＷ／ｃｍ２である。
なお、剥離層を形成した後に、該剥離層に対して酸素プラズマを照射することによっても、剥離層中の剥離剤量を制御できる。該剥離層に酸素プラズマを照射すると、該剥離層中の剥離剤が分解して、剥離剤を除去した場合と同じ効果が得られるからである。
モールドの表面の活性化状態を変化させることにより、剥離層中の剥離剤量を制御できる。該活性化状態を変化させる方法としては、例えば、紫外線を照射する方法（紫外線照射方式）がある。該紫外線照射方式は、光源／モールド間照射距離、照射時間、光源投入パワーを調整することで、モールドの表面の活性化状態を制御できる。例えば、紫外線照射時間を長くし、投入電力を上げ、前記照射距離を短くすると、紫外線積分照射量が大きくなり、剥離剤のモールド表面に対する吸着効率が向上する。特に、前記照射距離の調整、及び紫外線の入射角度の調整が剥離剤の吸着効率の改善に有効である。
用いられる装置としては、卓上型光表面処理装置 ＰＬ１６−１１０（セン特殊光源株式会社製）が挙げられる。
具体的には、剥離剤を形成する前のインプリント用モールド構造体１の表面に対して紫外線を照射する。紫外線を照射する条件は、光源／モールド間照射距離：１０ｍｍ、照射時間：２ｍｉｎ、光源投入パワー：１８ｍＷ／ｃｍ２である。
なお、剥離層を形成した後に、該剥離層に対して酸素プラズマを照射することによっても、剥離層中の剥離剤量を制御できる。該剥離層に酸素プラズマを照射すると、該剥離層中の剥離剤が分解して、剥離剤を除去した場合と同じ効果が得られるからである。
＜磁気記録媒体の作製＞
２．５インチガラス基板上に、以下の手順で各層を形成し、磁気記録媒体を作製した。
作製した磁気記録媒体は、軟磁性層、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁性層（「磁気記録層」ということがある。）、保護層、及び潤滑剤層が順次形成されている。
なお、軟磁性膜、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁気記録層、及び保護層はスパッタリング法で形成し、潤滑剤層はディップ法で形成した。
２．５インチガラス基板上に、以下の手順で各層を形成し、磁気記録媒体を作製した。
作製した磁気記録媒体は、軟磁性層、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁性層（「磁気記録層」ということがある。）、保護層、及び潤滑剤層が順次形成されている。
なお、軟磁性膜、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁気記録層、及び保護層はスパッタリング法で形成し、潤滑剤層はディップ法で形成した。
＜軟磁性層の形成＞
軟磁性層として、ＣｏＺｒＮｂよりなる層を１００ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、前記ガラス基板を、ＣｏＺｒＮｂターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．６Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ １，５００Ｗで成膜した。
軟磁性層として、ＣｏＺｒＮｂよりなる層を１００ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、前記ガラス基板を、ＣｏＺｒＮｂターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．６Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ １，５００Ｗで成膜した。
＜第１の非磁性配向層の形成＞
第１の非磁性配向層として、５ｎｍの厚みのＴｉ層を形成した。
具体的に、第１の非磁性配向層は、Ｔｉターゲットと対向設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ １，０００Ｗで放電し、５ｎｍの厚みになるようにＴｉシード層を成膜した。
第１の非磁性配向層として、５ｎｍの厚みのＴｉ層を形成した。
具体的に、第１の非磁性配向層は、Ｔｉターゲットと対向設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ １，０００Ｗで放電し、５ｎｍの厚みになるようにＴｉシード層を成膜した。
＜第２の非磁性配向層の形成＞
その後、第２の非磁性配向層として、６ｎｍの厚みのＲｕ層を形成した。
第１の非磁性配向層形成後に、Ｒｕターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ １，０００Ｗで放電し、１０ｎｍの厚みになるように第２の非磁性配向層としてＲｕ層を成膜した。
その後、第２の非磁性配向層として、６ｎｍの厚みのＲｕ層を形成した。
第１の非磁性配向層形成後に、Ｒｕターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ １，０００Ｗで放電し、１０ｎｍの厚みになるように第２の非磁性配向層としてＲｕ層を成膜した。
＜磁気記録層の形成＞
その後、磁気記録層として、ＣｏＣｒＰｔＯ層を１５ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、ＣｏＰｔＣｒターゲットと対向させて設置し、Ｏ２ ０．０４％を含むＡｒガスを、圧力が１８Ｐａとなるようにして流入させ、ＤＣ ２９０Ｗで放電し、磁気記録層を形成した。
その後、磁気記録層として、ＣｏＣｒＰｔＯ層を１５ｎｍの厚みで形成した。
具体的には、ＣｏＰｔＣｒターゲットと対向させて設置し、Ｏ２ ０．０４％を含むＡｒガスを、圧力が１８Ｐａとなるようにして流入させ、ＤＣ ２９０Ｗで放電し、磁気記録層を形成した。
＜保護層の形成＞
磁性層形成後に、Ｃターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを、圧力が０．５Ｐａになるように流入させ、ＤＣ １，０００Ｗで放電し、Ｃ保護層を４ｎｍの厚みで形成した。
なお、磁気記録媒体の保磁力は、３３４ｋＡ／ｍ（４．２ｋＯｅ）とした。
また、本実施例における磁気記録媒体の第１の非磁性材料は、ＰｔＯである。
磁性層形成後に、Ｃターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを、圧力が０．５Ｐａになるように流入させ、ＤＣ １，０００Ｗで放電し、Ｃ保護層を４ｎｍの厚みで形成した。
なお、磁気記録媒体の保磁力は、３３４ｋＡ／ｍ（４．２ｋＯｅ）とした。
また、本実施例における磁気記録媒体の第１の非磁性材料は、ＰｔＯである。
＜インプリントレジスト層の形成＞
前記保護層上に、アクリル系レジスト（ＰＡＫ−０１−５００、東洋合成工業（株）製）を１００ｎｍの厚みになるように、スピンコート法（３，６００ｒｐｍ）により、インプリントレジスト層を形成した。
前記保護層上に、アクリル系レジスト（ＰＡＫ−０１−５００、東洋合成工業（株）製）を１００ｎｍの厚みになるように、スピンコート法（３，６００ｒｐｍ）により、インプリントレジスト層を形成した。
＜転写工程＞
インプリントレジスト層が形成された基板に対して、上記モールドの凹凸部が形成された側の面を対向させて配置し、インプリントレジスト層が形成された基板を３ＭＰａの圧力にて１０秒間密着させ、紫外線を１０ｍＪ／ｃｍ２照射した。
以上の工程を終了した後、インプリントレジスト層が形成された基板から前記モールドを剥離した。
その後、前記モールドの凹凸部に基づく凹凸パターンをインプリントレジスト層に転写することによって、該インプリントレジスト層に形成された凹凸パターンのうち、凹部に残存したインプリントレジスト層を、Ｏ２反応性化学エッチングにて除去した。このＯ２反応性化学エッチングは、前記凹部において前記磁性層が露出するように行われる。
インプリントレジスト層が形成された基板に対して、上記モールドの凹凸部が形成された側の面を対向させて配置し、インプリントレジスト層が形成された基板を３ＭＰａの圧力にて１０秒間密着させ、紫外線を１０ｍＪ／ｃｍ２照射した。
以上の工程を終了した後、インプリントレジスト層が形成された基板から前記モールドを剥離した。
その後、前記モールドの凹凸部に基づく凹凸パターンをインプリントレジスト層に転写することによって、該インプリントレジスト層に形成された凹凸パターンのうち、凹部に残存したインプリントレジスト層を、Ｏ２反応性化学エッチングにて除去した。このＯ２反応性化学エッチングは、前記凹部において前記磁性層が露出するように行われる。
＜磁性パターン部形成工程＞
前記凹部に残存したインプリントレジスト層を除去した後に、磁性層の凹凸形状の加工を実施した。
磁性層の加工としては、イオンビームエッチング法を用いた。
具体的には、Ａｒガスを用い、イオン加速エネルギーは５００ｅＶとし、磁性層に対して垂直方向よりイオンビームを入射した。
このようにして磁性層を加工した後、Ｏ２反応性化学エッチングにて、磁性層（未加工部分）上に残存したレジストを除去する。
その後、ディップ法により、ＰＦＰＥ潤滑剤を２ｎｍの厚みに塗布した。
前記凹部に残存したインプリントレジスト層を除去した後に、磁性層の凹凸形状の加工を実施した。
磁性層の加工としては、イオンビームエッチング法を用いた。
具体的には、Ａｒガスを用い、イオン加速エネルギーは５００ｅＶとし、磁性層に対して垂直方向よりイオンビームを入射した。
このようにして磁性層を加工した後、Ｏ２反応性化学エッチングにて、磁性層（未加工部分）上に残存したレジストを除去する。
その後、ディップ法により、ＰＦＰＥ潤滑剤を２ｎｍの厚みに塗布した。
＜非磁性パターン部形成工程＞
上記磁性層を加工した後に、磁性材料を含む層として、厚みが５０ｎｍとなるように、スパッタリングを実施してＳｉＯ２層を形成し、イオンビームエッチングにて磁性層と、非磁性層とが面一になるように、ＳｉＯ２層を除去した。
上記磁性層を加工した後に、磁性材料を含む層として、厚みが５０ｎｍとなるように、スパッタリングを実施してＳｉＯ２層を形成し、イオンビームエッチングにて磁性層と、非磁性層とが面一になるように、ＳｉＯ２層を除去した。
（測定及び評価）
＜凸部パターンの表面の剥離剤の量の定量＞
平坦基板上（４インチ−Ｓｉウエハー）に、前記モールドに形成した剥離層に用いたのと同一の剥離剤をディップ塗布法により形成する。その後、前記剥離層を形成したときと同一の条件で塗布、形成した試料に対して、マイクロオージェ装置（ＰＨＩ７００，アルバックファイ社製）を用いてフッ素元素のスペクトル強度（Ｉ＿ＲＥＦ）を検出した。
そして、前記同一試料に対して、エリプソメーター（ＤＨＡ−ＸＡ／Ｓ４，溝尻光学工業所社製）を使用し、剥離層の厚み（ＴＨＲ）を導出した。
モールドに対しては上記と同じ評価法にて、１μｍ角の領域に対してフッ素元素スペクトル強度をマッピングする。そして、同装置に設置されている簡易ＳＥＭにて凹凸形状を観察、このＳＥＭ像とフッ素元素スペクトル強度マップを対応させ、凹凸パターン中央部、端部を決定し、所定の箇所におけるフッ素量を導出した。なお、凸部パターン端部におけるフッ素量を「ＩＦ＿ＭＴＥ」とし、凸部パターン中央部におけるフッ素量を「ＩＦ＿ＭＴＯ」とし、凹部パターン中央部におけるフッ素量を「ＩＦ＿ＭＢ」とする。
また、モールドの表面に形成した剥離層における材料の量は、以下関係式により厚みに換算したものとした。
ＭＴＯ＝（ＴＨＲ／Ｉ＿ＲＥＦ）×ＩＦ＿ＭＴＯ
ＭＴＥ＝（ＴＨＲ／Ｉ＿ＲＥＦ）×ＩＦ＿ＭＴＥ
ＭＴ＝ＭＴＯ＋ＭＴＥ
ＭＢ＝（ＴＨＲ／Ｉ＿ＲＥＦ）×ＩＦ＿ＭＢ
このようにして導出された、凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量（ＭＴ）、凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量ＭＢ、凸部パターンの端部における剥離剤の量（ＭＴＥ）、及び凸部パターンの中央部における剥離剤の量（ＭＴＯ）の結果を表１に示す。
＜凸部パターンの表面の剥離剤の量の定量＞
平坦基板上（４インチ−Ｓｉウエハー）に、前記モールドに形成した剥離層に用いたのと同一の剥離剤をディップ塗布法により形成する。その後、前記剥離層を形成したときと同一の条件で塗布、形成した試料に対して、マイクロオージェ装置（ＰＨＩ７００，アルバックファイ社製）を用いてフッ素元素のスペクトル強度（Ｉ＿ＲＥＦ）を検出した。
そして、前記同一試料に対して、エリプソメーター（ＤＨＡ−ＸＡ／Ｓ４，溝尻光学工業所社製）を使用し、剥離層の厚み（ＴＨＲ）を導出した。
モールドに対しては上記と同じ評価法にて、１μｍ角の領域に対してフッ素元素スペクトル強度をマッピングする。そして、同装置に設置されている簡易ＳＥＭにて凹凸形状を観察、このＳＥＭ像とフッ素元素スペクトル強度マップを対応させ、凹凸パターン中央部、端部を決定し、所定の箇所におけるフッ素量を導出した。なお、凸部パターン端部におけるフッ素量を「ＩＦ＿ＭＴＥ」とし、凸部パターン中央部におけるフッ素量を「ＩＦ＿ＭＴＯ」とし、凹部パターン中央部におけるフッ素量を「ＩＦ＿ＭＢ」とする。
また、モールドの表面に形成した剥離層における材料の量は、以下関係式により厚みに換算したものとした。
ＭＴＯ＝（ＴＨＲ／Ｉ＿ＲＥＦ）×ＩＦ＿ＭＴＯ
ＭＴＥ＝（ＴＨＲ／Ｉ＿ＲＥＦ）×ＩＦ＿ＭＴＥ
ＭＴ＝ＭＴＯ＋ＭＴＥ
ＭＢ＝（ＴＨＲ／Ｉ＿ＲＥＦ）×ＩＦ＿ＭＢ
このようにして導出された、凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量（ＭＴ）、凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量ＭＢ、凸部パターンの端部における剥離剤の量（ＭＴＥ）、及び凸部パターンの中央部における剥離剤の量（ＭＴＯ）の結果を表１に示す。
＜凹凸パターン形状、及び成形性の評価＞
一つのモールドにおいて、１，０００回のインプリント処理を実施した。処理後のモールドの凹凸パターン、並びに、９９０〜１，０００回目における磁気記録媒体の凹凸パターン、及びナノインプリント後のレジストの成形性について、以下の指標に基づき評価した。
一つのモールドにおいて、１，０００回のインプリント処理を実施した。処理後のモールドの凹凸パターン、並びに、９９０〜１，０００回目における磁気記録媒体の凹凸パターン、及びナノインプリント後のレジストの成形性について、以下の指標に基づき評価した。
＜＜モールドの評価＞＞
１μｍ角の評価範囲にてＡＦＭ（日本ビーコ社製Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ５０００）を用いて操作し、表面の凸凹形状のデータを取得した。パターン差の８０％に閾値を設け、この閾値で凸部形状に形成される側面部の寸法バラツキを標準偏差（１μｍ角視野）にて評価した。１ディスクに対して半径２５ｍｍ、ほぼ等間隔で１６カ所測定を行い、全測定量域内の標準偏差（σ）を算出した。３ｘσ値が１５ｎｍ以下であれば“○”、１５ｎｍより大きければ“×”とした。なお、この評価において、使用可能な評価は“○”である。評価結果を表１に示す。
１μｍ角の評価範囲にてＡＦＭ（日本ビーコ社製Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ５０００）を用いて操作し、表面の凸凹形状のデータを取得した。パターン差の８０％に閾値を設け、この閾値で凸部形状に形成される側面部の寸法バラツキを標準偏差（１μｍ角視野）にて評価した。１ディスクに対して半径２５ｍｍ、ほぼ等間隔で１６カ所測定を行い、全測定量域内の標準偏差（σ）を算出した。３ｘσ値が１５ｎｍ以下であれば“○”、１５ｎｍより大きければ“×”とした。なお、この評価において、使用可能な評価は“○”である。評価結果を表１に示す。
＜＜ナノインプリント後のレジストの評価＞＞
１μｍ角の評価範囲にてＡＦＭ（日本ビーコ社製Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ５０００）を用いて操作し、表面の凸凹形状のデータを取得する。パターン差の２０％に閾値を設け、この閾値で凹部形状に形成される側面部の寸法バラツキを標準偏差（１ｕｍ角視野）にて評価した。１ディスクに対して半径２５ｍｍ、ほぼ等間隔で１６カ所測定を行い、全測定量域内の標準偏差（σ）を算出した。３ｘσ値が１５ｎｍ以下であれば“○”、１５ｎｍより大きければ“×”とした。なお、この評価において、使用可能な評価は“○”及び“△”である。
９９０回目〜１，０００回目までの１０回中に、“×”判定が３枚以上であれば“×”と総合判定し、１〜２回であれば“△”と総合判定し、０枚であれば“○”と総合判定した。なお、この評価において、使用可能な評価は“○”及び“△”である。評価結果を表２に示す。
１μｍ角の評価範囲にてＡＦＭ（日本ビーコ社製Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ５０００）を用いて操作し、表面の凸凹形状のデータを取得する。パターン差の２０％に閾値を設け、この閾値で凹部形状に形成される側面部の寸法バラツキを標準偏差（１ｕｍ角視野）にて評価した。１ディスクに対して半径２５ｍｍ、ほぼ等間隔で１６カ所測定を行い、全測定量域内の標準偏差（σ）を算出した。３ｘσ値が１５ｎｍ以下であれば“○”、１５ｎｍより大きければ“×”とした。なお、この評価において、使用可能な評価は“○”及び“△”である。
９９０回目〜１，０００回目までの１０回中に、“×”判定が３枚以上であれば“×”と総合判定し、１〜２回であれば“△”と総合判定し、０枚であれば“○”と総合判定した。なお、この評価において、使用可能な評価は“○”及び“△”である。評価結果を表２に示す。
＜＜磁性層の凸部の評価＞＞
データ部のパターンに対して磁性層凸部幅の均一性の評価を実施した。１μｍ角の評価範囲にてＡＦＭ（日本ビーコ社製Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ５０００）を用いて操作し、表面の凸凹形状のデータを取得する。パターン差の８０％に閾値を設け、この閾値で凸部形状に形成される側面部の寸法バラツキを標準偏差（１μｍ角視野）にて評価した。１ディスクに対して半径２５ｍｍ、ほぼ等間隔で１６カ所測定を行い、全測定量域内の標準偏差（σ）を算出した。３ｘσ値が１５ｎｍ以下であれば“○”、１５ｎｍより大きければ“×”とした。なお、この評価において、使用可能な評価は“○”である。
９９０回目〜１，０００回目までの１０回中に、“×”判定が３枚以上であれば“×”と総合判定し、１〜２回であれば“△”と総合判定し、０枚であれば“○”と総合判定した。なお、この評価において、使用可能な評価は“○”及び“△”である。評価結果を表３に示す。
データ部のパターンに対して磁性層凸部幅の均一性の評価を実施した。１μｍ角の評価範囲にてＡＦＭ（日本ビーコ社製Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎ５０００）を用いて操作し、表面の凸凹形状のデータを取得する。パターン差の８０％に閾値を設け、この閾値で凸部形状に形成される側面部の寸法バラツキを標準偏差（１μｍ角視野）にて評価した。１ディスクに対して半径２５ｍｍ、ほぼ等間隔で１６カ所測定を行い、全測定量域内の標準偏差（σ）を算出した。３ｘσ値が１５ｎｍ以下であれば“○”、１５ｎｍより大きければ“×”とした。なお、この評価において、使用可能な評価は“○”である。
９９０回目〜１，０００回目までの１０回中に、“×”判定が３枚以上であれば“×”と総合判定し、１〜２回であれば“△”と総合判定し、０枚であれば“○”と総合判定した。なお、この評価において、使用可能な評価は“○”及び“△”である。評価結果を表３に示す。
（実施例２）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１において、剥離層の形成時の引き上げ速度を０．５ｍｍ／ｓｅｃとした以外は、実施例１と同様にして、実施例２のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１において、剥離層の形成時の引き上げ速度を０．５ｍｍ／ｓｅｃとした以外は、実施例１と同様にして、実施例２のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜磁気記録媒体の作製＞
本実施例２で作製したインプリント用モールド構造体を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例２の磁気記録媒体を作製した。
本実施例２で作製したインプリント用モールド構造体を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例２の磁気記録媒体を作製した。
（測定及び評価）
＜凸部パターンの表面の剥離剤の量の定量＞
実施例１と同様にして、剥離層の厚み（ＴＨＲ）を導出し、凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量（ＭＴ）、凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量ＭＢ、凸部パターンの端部における剥離剤の量（ＭＴＥ）、及び凸部パターンの中央部における剥離剤の量（ＭＴＯ）を導出した。結果を表１に示す。
＜凸部パターンの表面の剥離剤の量の定量＞
実施例１と同様にして、剥離層の厚み（ＴＨＲ）を導出し、凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量（ＭＴ）、凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量ＭＢ、凸部パターンの端部における剥離剤の量（ＭＴＥ）、及び凸部パターンの中央部における剥離剤の量（ＭＴＯ）を導出した。結果を表１に示す。
＜凹凸パターン形状、及び成形性の評価＞
実施例１と同様に、一つのモールドにおいて、１，０００回のインプリント処理を実施した。処理後のモールドの凹凸パターン、並びに、９９０〜１，０００回目における磁気記録媒体の凹凸パターン、及びナノインプリント後のレジストの成形性について実施例１と同様にして評価した。結果を表１〜３に示す。
実施例１と同様に、一つのモールドにおいて、１，０００回のインプリント処理を実施した。処理後のモールドの凹凸パターン、並びに、９９０〜１，０００回目における磁気記録媒体の凹凸パターン、及びナノインプリント後のレジストの成形性について実施例１と同様にして評価した。結果を表１〜３に示す。
（実施例３）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１における凸部パターンの表面の剥離剤の量の制御において、光源とモールドとの距離を１５ｍｍとした以外は、実施例１と同様にして、実施例３のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１における凸部パターンの表面の剥離剤の量の制御において、光源とモールドとの距離を１５ｍｍとした以外は、実施例１と同様にして、実施例３のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜磁気記録媒体の作製＞
本実施例３で作製したインプリント用モールド構造体を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例３の磁気記録媒体を作製した。
本実施例３で作製したインプリント用モールド構造体を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例３の磁気記録媒体を作製した。
（測定及び評価）
＜凸部パターンの表面の剥離剤の量の定量＞
実施例１と同様にして、剥離層の厚み（ＴＨＲ）を導出し、凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量（ＭＴ）、凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量ＭＢ、凸部パターンの端部における剥離剤の量（ＭＴＥ）、及び凸部パターンの中央部における剥離剤の量（ＭＴＯ）を導出した。結果を表１に示す。
＜凸部パターンの表面の剥離剤の量の定量＞
実施例１と同様にして、剥離層の厚み（ＴＨＲ）を導出し、凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量（ＭＴ）、凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量ＭＢ、凸部パターンの端部における剥離剤の量（ＭＴＥ）、及び凸部パターンの中央部における剥離剤の量（ＭＴＯ）を導出した。結果を表１に示す。
＜凹凸パターン形状、及び成形性の評価＞
実施例１と同様に、一つのモールドにおいて、１，０００回のインプリント処理を実施した。処理後のモールドの凹凸パターン、並びに、９９０〜１，０００回目における磁気記録媒体の凹凸パターン、及びナノインプリント後のレジストの成形性について実施例１と同様にして評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様に、一つのモールドにおいて、１，０００回のインプリント処理を実施した。処理後のモールドの凹凸パターン、並びに、９９０〜１，０００回目における磁気記録媒体の凹凸パターン、及びナノインプリント後のレジストの成形性について実施例１と同様にして評価した。結果を表１に示す。
（実施例４）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１と同様にして、インプリント用モールド構造体を作製した。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１と同様にして、インプリント用モールド構造体を作製した。
＜磁気記録媒体の作製＞
インプリントレジスト層の形成において、インプリントレジスト組成物を、アクリル系レジスト（ＰＡＫ０１−５００、東洋合成工業（株）製）と、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ＤＰＨＡ）とを９０：１０で混合したインプリントレジスト組成物に変えた以外は、実施例１と同様にして、実施例４の磁気記録媒体を作製した。
インプリントレジスト層の形成において、インプリントレジスト組成物を、アクリル系レジスト（ＰＡＫ０１−５００、東洋合成工業（株）製）と、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ＤＰＨＡ）とを９０：１０で混合したインプリントレジスト組成物に変えた以外は、実施例１と同様にして、実施例４の磁気記録媒体を作製した。
（測定及び評価）
＜凸部パターンの表面の剥離剤の量の定量＞
実施例１と同様にして、剥離層の厚み（ＴＨＲ）を導出し、凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量（ＭＴ）、凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量ＭＢ、凸部パターンの端部における剥離剤の量（ＭＴＥ）、及び凸部パターンの中央部における剥離剤の量（ＭＴＯ）を導出した。結果を表１に示す。
＜凸部パターンの表面の剥離剤の量の定量＞
実施例１と同様にして、剥離層の厚み（ＴＨＲ）を導出し、凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量（ＭＴ）、凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量ＭＢ、凸部パターンの端部における剥離剤の量（ＭＴＥ）、及び凸部パターンの中央部における剥離剤の量（ＭＴＯ）を導出した。結果を表１に示す。
＜凹凸パターン形状、及び成形性の評価＞
実施例１と同様に、一つのモールドにおいて、１，０００回のインプリント処理を実施した。処理後のモールドの凹凸パターン、並びに、９９０〜１，０００回目における磁気記録媒体の凹凸パターン、及びナノインプリント後のレジストの成形性について実施例１と同様にして評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様に、一つのモールドにおいて、１，０００回のインプリント処理を実施した。処理後のモールドの凹凸パターン、並びに、９９０〜１，０００回目における磁気記録媒体の凹凸パターン、及びナノインプリント後のレジストの成形性について実施例１と同様にして評価した。結果を表１に示す。
（比較例１）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１における凸部パターンの表面の剥離剤の量の制御（紫外線照射）を行わなかった以外は、実施例１と同様にして、比較例１のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１における凸部パターンの表面の剥離剤の量の制御（紫外線照射）を行わなかった以外は、実施例１と同様にして、比較例１のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記で作製したインプリント用モールド構造体を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例１の磁気記録媒体を作製した。
上記で作製したインプリント用モールド構造体を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例１の磁気記録媒体を作製した。
（測定及び評価）
＜凸部パターンの表面の剥離剤の量の定量＞
実施例１と同様にして、剥離層の厚み（ＴＨＲ）を導出し、凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量（ＭＴ）、凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量ＭＢ、凸部パターンの端部における剥離剤の量（ＭＴＥ）、及び凸部パターンの中央部における剥離剤の量（ＭＴＯ）を導出した。結果を表１に示す。
＜凸部パターンの表面の剥離剤の量の定量＞
実施例１と同様にして、剥離層の厚み（ＴＨＲ）を導出し、凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量（ＭＴ）、凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量ＭＢ、凸部パターンの端部における剥離剤の量（ＭＴＥ）、及び凸部パターンの中央部における剥離剤の量（ＭＴＯ）を導出した。結果を表１に示す。
＜凹凸パターン形状、及び成形性の評価＞
実施例１と同様に、一つのモールドにおいて、１，０００回のインプリント処理を実施した。処理後のモールドの凹凸パターン、並びに、９９０〜１，０００回目における磁気記録媒体の凹凸パターン、及びナノインプリント後のレジストの成形性について実施例１と同様にして評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様に、一つのモールドにおいて、１，０００回のインプリント処理を実施した。処理後のモールドの凹凸パターン、並びに、９９０〜１，０００回目における磁気記録媒体の凹凸パターン、及びナノインプリント後のレジストの成形性について実施例１と同様にして評価した。結果を表１に示す。
（比較例２）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１における凸部パターンの表面の剥離剤の量の制御において、光源とモールドとの距離を５０ｍｍとし、処理時間を２０ｍｉｎとし、更にその後、モールドを酸素プラズマに１ｍｉｎ暴露した以外は、実施例１と同様にして、比較例２のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
実施例１における凸部パターンの表面の剥離剤の量の制御において、光源とモールドとの距離を５０ｍｍとし、処理時間を２０ｍｉｎとし、更にその後、モールドを酸素プラズマに１ｍｉｎ暴露した以外は、実施例１と同様にして、比較例２のインプリント用モールド構造体を作製した。
＜磁気記録媒体の作製＞
上記で作製したインプリント用モールド構造体を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例２の磁気記録媒体を作製した。
上記で作製したインプリント用モールド構造体を用いた以外は、実施例１と同様にして、比較例２の磁気記録媒体を作製した。
（測定及び評価）
＜凸部パターンの表面の剥離剤の量の定量＞
実施例１と同様にして、剥離層の厚み（ＴＨＲ）を導出し、凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量（ＭＴ）、凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量ＭＢ、凸部パターンの端部における剥離剤の量（ＭＴＥ）、及び凸部パターンの中央部における剥離剤の量（ＭＴＯ）を導出した。結果を表１に示す。
＜凸部パターンの表面の剥離剤の量の定量＞
実施例１と同様にして、剥離層の厚み（ＴＨＲ）を導出し、凸部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量（ＭＴ）、凹部パターン上に形成された剥離層における剥離剤の量ＭＢ、凸部パターンの端部における剥離剤の量（ＭＴＥ）、及び凸部パターンの中央部における剥離剤の量（ＭＴＯ）を導出した。結果を表１に示す。
＜凹凸パターン形状、及び成形性の評価＞
実施例１と同様に、一つのモールドにおいて、１，０００回のインプリント処理を実施した。処理後のモールドの凹凸パターン、並びに、９９０〜１，０００回目における磁気記録媒体の凹凸パターン、及びナノインプリント後のレジストの成形性について実施例１と同様にして評価した。結果を表１に示す。
実施例１と同様に、一つのモールドにおいて、１，０００回のインプリント処理を実施した。処理後のモールドの凹凸パターン、並びに、９９０〜１，０００回目における磁気記録媒体の凹凸パターン、及びナノインプリント後のレジストの成形性について実施例１と同様にして評価した。結果を表１に示す。
表１に示すように、上記数式（１）を満たす実施例１〜４によれば、上記数式（１）を満たさない比較例１〜２に対して、転写性、剥離性、及び転写耐久性が高いインプリント用モールド構造体を提供することができた。
また、上記数式（１）を満たす実施例１〜４において作製されたインプリント用モールド構造体を用いることにより、上記数式（１）を満たさない比較例１〜２よりも、記録再生特性に優れた磁気記録媒体を提供することができた。
また、上記数式（１）を満たす実施例１〜４において作製されたインプリント用モールド構造体を用いることにより、上記数式（１）を満たさない比較例１〜２よりも、記録再生特性に優れた磁気記録媒体を提供することができた。
本発明のインプリント用モールド構造体は、該インプリント用モールド構造体上に形成された剥離層が、当該インプリント用モールドの凸部、及び凹部において適正な条件で形成されているため、前記凹部における脆性を損なうことなく、高い歩留まりで前記インプリントレジスト層上にパターンを形成することができ、ディスクリートメディアの作製や、パターンドメディアの作製に好適である。
１ インプリント用モールド構造体
２ 基板
２ａ 表面
３ 凹凸部
４ 凸部
５ 凹部
６ 剥離層
１０ Ｓｉ基板
１１ Ｓｉ原盤
２１ フォトレジスト層
２２ 導電膜
２３ Ｎｉ基板
２４ インプリントレジスト層
４０ 磁気記録媒体の基板
５０ 磁性層
７０ 非磁性層
１００ 磁気記録媒体
２ 基板
２ａ 表面
３ 凹凸部
４ 凸部
５ 凹部
６ 剥離層
１０ Ｓｉ基板
１１ Ｓｉ原盤
２１ フォトレジスト層
２２ 導電膜
２３ Ｎｉ基板
２４ インプリントレジスト層
４０ 磁気記録媒体の基板
５０ 磁性層
７０ 非磁性層
１００ 磁気記録媒体
Claims (8)
- 基板と、該基板の一の表面上に、該表面を基準として複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を有し、該凹凸部上に剥離層が形成され、前記凸部上に形成された剥離層に含まれる剥離剤の量（ＭＴ）と、前記凸部間に形成された凹部上に形成された剥離層に含まれる剥離剤の量（ＭＢ）とが、下記数式（１）を満たすことを特徴とするインプリント用モールド構造体。
ＭＴ＞ＭＢ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（１） - 凸部の端部における剥離剤の量をＭＴＥとし、凸部の中央部における剥離剤の量をＭＴＯとしたとき、下記数式（２）及び数式（３）を満たす請求項１に記載のインプリント用モールド構造体。
ＭＴＥ＞ＭＴＯ・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（２）
ＭＴ＝αＭＴＥ＋（１−α）ＭＴＯ・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（３）
ただし、上記数式（３）において、０．０１≦α≦０．１２である。 - ＭＴＥ／ＭＴＯが、下記数式（４）を満たす請求項２に記載のインプリント用モールド構造体。
１．０５＜ＭＴＥ／ＭＴＯ＜１．３・・・・・・・・・・・・・・・・・数式（４） - 請求項１から３のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体の製造方法であって、インプリント用モールド構造体の凹凸部上に剥離層を形成する剥離層形成工程と、前記剥離層に紫外線を照射して、該剥離層に含まれる剥離剤の量を制御する剥離剤量制御工程とを含むことを特徴とするインプリント用モールド構造体の製造方法。
- 請求項１から３のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト組成物よりなるインプリントレジスト層に押圧して前記インプリント用モールド構造体に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程を少なくとも含むことを特徴とするインプリント方法。
- インプリントレジスト層の体積収縮率が、２１％以下である請求項５に記載のインプリント方法。
- 請求項１から３のいずれかに記載のインプリント用モールド構造体を、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト層に押圧して前記インプリント用モールド構造体に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンを転写する転写工程と、
前記凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして、前記磁気記録媒体の基板の表面に形成された磁性層をエッチングして、前記凹凸パターンに基づく磁性パターン部を前記磁性層に形成する磁性パターン部形成工程と、
前記磁性層に形成された凹部に非磁性材料を埋め込む非磁性パターン部形成工程と、
を少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - インプリントレジスト層の体積収縮率が、２１％以下である請求項７に記載の磁気記録媒体の製造方法。
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