JP2009070544A - 磁気記録媒体の製造方法、及び磁気記録媒体 - Google Patents
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Abstract
【課題】磁性層間に埋設された非磁性材料が剥離しにくく、磁性層腐蝕を防止可能な磁気記録媒体の製造方法、及び媒体の提供。
【解決手段】強磁性材料及び第１の非磁性材料を含有する磁性層を基板上に有してなる磁気記録媒体における該磁性層上に、インプリントレジスト層を形成しインプリント用モールド構造体を押圧して凹凸パターンに対応した磁性パターン部をエッチングにより形成する工程であって、前記エッチングが、該磁性層に含まれる前記強磁性材料は除去し、かつ前記第１の非磁性材料が、一の前記磁性パターン部が形成される部分以外の凹部に含まれる該第１の非磁性材料の全質量に対して５質量％以上残存するようにして行われる磁性パターン部形成工程と、前記磁性層における、前記磁性パターン部が形成された部分以外の凹部に、第２の非磁性材料を埋め込む非磁性パターン部形成工程とを含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法等である。
【選択図】図６
【解決手段】強磁性材料及び第１の非磁性材料を含有する磁性層を基板上に有してなる磁気記録媒体における該磁性層上に、インプリントレジスト層を形成しインプリント用モールド構造体を押圧して凹凸パターンに対応した磁性パターン部をエッチングにより形成する工程であって、前記エッチングが、該磁性層に含まれる前記強磁性材料は除去し、かつ前記第１の非磁性材料が、一の前記磁性パターン部が形成される部分以外の凹部に含まれる該第１の非磁性材料の全質量に対して５質量％以上残存するようにして行われる磁性パターン部形成工程と、前記磁性層における、前記磁性パターン部が形成された部分以外の凹部に、第２の非磁性材料を埋め込む非磁性パターン部形成工程とを含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法等である。
【選択図】図６
Description
本発明は、インプリント用モールド構造体を用いた磁気記録媒体の製造方法、及び該製造方法によって製造された磁気記録媒体に関する。
近年、高速性やコストパフォーマンス性に優れたハードディスクドライブが、ストレージ機器の主力として、携帯電話、小型音響機器や、ビデオカメラなどのポータブル機器に搭載され始めている。
そして、ポータブル機器に搭載される記録デバイスとしてのシェアの拡大に伴い、より一層の小型大容量化という要求に応える必要があり、記録密度を向上させる技術が求められている。
前記ハードディスクドライブの記録密度を高めるためには、磁気記録媒体におけるデータトラック間隔の狭小化や、磁気ヘッドの幅を狭小化するという手法が従来より用いられてきた。
しかしながら、前記データトラック間隔を狭めることにより、隣接トラック間の磁気の影響（クロストーク）や、熱揺らぎの影響が無視できなくなり、記録密度に限界があった。
一方、前記磁気ヘッドの幅を狭小化することによる面記録密度の向上にも限界があった。
そして、ポータブル機器に搭載される記録デバイスとしてのシェアの拡大に伴い、より一層の小型大容量化という要求に応える必要があり、記録密度を向上させる技術が求められている。
前記ハードディスクドライブの記録密度を高めるためには、磁気記録媒体におけるデータトラック間隔の狭小化や、磁気ヘッドの幅を狭小化するという手法が従来より用いられてきた。
しかしながら、前記データトラック間隔を狭めることにより、隣接トラック間の磁気の影響（クロストーク）や、熱揺らぎの影響が無視できなくなり、記録密度に限界があった。
一方、前記磁気ヘッドの幅を狭小化することによる面記録密度の向上にも限界があった。
そこで、前記クロストークによるノイズを解決する手段として、ディスクリートトラックメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている（特許文献１〜２参照）。前記ディスクリートトラックメディアは、隣接するトラック間に非磁性のガードバンド領域を設けて個々のトラックを磁気的に分離したディスクリート構造とすることにより、隣接トラック間の磁気的干渉を低減したものである。
また、前記熱揺らぎによる減磁を解決する手段として、信号記録のための個々のビットを予め所定の形状パターンで備えたパターンドメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている。（特許文献３参照）。
また、前記熱揺らぎによる減磁を解決する手段として、信号記録のための個々のビットを予め所定の形状パターンで備えたパターンドメディアと呼ばれる形態の磁気記録媒体が提案されている。（特許文献３参照）。
上記ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアを製造する際には、レジストパターン形成用モールド（「モールド」と称されることもある。）を用いて、磁気記録媒体の表面に形成されたレジスト層に所望のパターンを転写するインプリンティング法（インプリントプロセス）が用いられる（特許文献４参照）。
このインプリンティング法は、具体的には、加工対象となる基材上に、熱可塑性の樹脂、又は光硬化性の樹脂（インプリントレジスト）を塗布し、塗布された樹脂に対して、所望の形状に加工されたモールドを密着し、押圧して、前記樹脂を加熱（パターン形成後に冷却）、又は光照射により硬化させ、前記モールドを引き剥がすことで、該モールドに形成されたパターンに対応したパターンを形成し、このパターンをマスクとして用いてドライ、あるいはウェット方式のエッチングによるパターニングを行い、所望の磁気記録媒体を得る方法である。
このインプリンティング法は、具体的には、加工対象となる基材上に、熱可塑性の樹脂、又は光硬化性の樹脂（インプリントレジスト）を塗布し、塗布された樹脂に対して、所望の形状に加工されたモールドを密着し、押圧して、前記樹脂を加熱（パターン形成後に冷却）、又は光照射により硬化させ、前記モールドを引き剥がすことで、該モールドに形成されたパターンに対応したパターンを形成し、このパターンをマスクとして用いてドライ、あるいはウェット方式のエッチングによるパターニングを行い、所望の磁気記録媒体を得る方法である。
具体的には、インプリントによる転写工程によって、基板上のレジストに形成されたレジストの凹凸パターンをマスクにして、前記基板の表面に形成された磁性層をエッチングし、磁性材料を凸部として該基板の表面上に残した凹凸パターンを形成し、凹部に非磁性材料を埋設して前記磁性材料を隔絶する構造を形成していた。
しかしながら、上記磁性層をエッチングする工程においては、前記磁気記録媒体の基板上に残存させる磁性材料間に形成される凹部の底面（前記基板と磁性層との界面）、及び側壁面を平坦化するように削ることにより、前記凹部に埋設された非磁性材料と、前記底面、及び側壁面との密着性が低下するため、前記非磁性材料が前記凹部から剥離する可能性があった。
加えて、磁性層の未加工部(凸部）と、非磁性層（凹部）との間には微小なクラック、隙間が存在しており、長時間磁気記録媒体を使用していると、このクラック部分から水分の浸入や化学的コンタミネーションが起こり、前記磁性層の未加工部(凸部）の腐蝕が発生した。腐蝕が発生すると、磁気記録媒体の表面に突起が発生する。そして、磁気ヘッドが腐蝕部分に接触、破損し、ドライブとして機能しないという致命的な状況が発生した。
加えて、磁性層の未加工部(凸部）と、非磁性層（凹部）との間には微小なクラック、隙間が存在しており、長時間磁気記録媒体を使用していると、このクラック部分から水分の浸入や化学的コンタミネーションが起こり、前記磁性層の未加工部(凸部）の腐蝕が発生した。腐蝕が発生すると、磁気記録媒体の表面に突起が発生する。そして、磁気ヘッドが腐蝕部分に接触、破損し、ドライブとして機能しないという致命的な状況が発生した。
したがって、磁気記録媒体の基板上に形成された磁性層をエッチングすることによって形成された凹部に埋設された非磁性材料が剥離しにくく、且つ、磁性層パターニングによる磁性層腐蝕を防止可能な磁気記録媒体の製造方法、及び該製造方法によって製造された磁気記録媒体が望まれていた。
本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、磁性層間に埋設された非磁性材料が剥離しにくく、磁性層腐蝕を防止可能な磁気記録媒体の製造方法、及び該製造方法によって製造された磁気記録媒体を提供することを目的とする。
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 強磁性材料及び第１の非磁性材料を含有する磁性層を基板上に有してなる磁気記録媒体における該磁性層上に、インプリントレジスト層を形成し、該インプリントレジスト層に、円板状の基板上に複数の凸部が配列された凹凸部を有してなるインプリント用モールド構造体を押圧して、前記凹凸部に対応した凹凸パターンを転写する転写工程と、前記凹凸パターンが形成された前記インプリントレジスト層をマスクとして、前記磁気記録媒体における前記磁性層に対しエッチングを行って、前記凹凸パターンに対応した磁性パターン部を形成する工程であって、前記エッチングが、該磁性層に含まれる前記強磁性材料は除去し、かつ前記第１の非磁性材料が、一の前記磁性パターン部が形成される部分以外の凹部に含まれる該第１の非磁性材料の全質量に対して５質量％以上残存するようにして行われる磁性パターン部形成工程と、前記磁性層における、前記磁性パターン部が形成された部分以外の凹部に、第２の非磁性材料を埋め込み、非磁性パターン部を形成する非磁性パターン部形成工程とを含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
該＜１＞に記載の磁気記録媒体の製造方法においては、インプリント用モールド構造体に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして磁性層をエッチングする際に、凹部に第１の非磁性材料を所定量残存させることにより、該第１の非磁性材料と、前記凹部に埋設される第２の非磁性材料との密着性がアンカー効果によって高くなり、第２の非磁性材料を埋設することによって形成された非磁性パターン部の剥離を低減することができる。
＜２＞ 磁性パターン部は、強磁性を示す結晶粒が第１の非磁性材料によって画成されたグラニュラ構造をなす前記＜１＞に記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜３＞ 第１の非磁性材料が、磁性パターン部近傍に偏在して残存するように、磁性層に対しエッチングを行う前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜４＞ 第１の非磁性材料の量が、一の前記磁性パターン部が形成される部分以外の凹部における第１の非磁性材料に対して５質量％以上残存するように、磁性層に対しエッチングを行う前記＜３＞に記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜５＞ 第１の非磁性材料が、前記凹部の壁部に残存するように、エッチングを行う前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜６＞ 第１の非磁性材料、及び第２の非磁性材料が、Ｐｔ、Ｓｉ、及びＴｉのいずれかを含む前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜７＞ 第１の非磁性材料、及び第２の非磁性材料が、Ｐｔ、Ｓｉ、及びＴｉのいずれかの酸化物を含む前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜８＞ 前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法によって製造されたことを特徴とする磁気記録媒体である。
＜１＞ 強磁性材料及び第１の非磁性材料を含有する磁性層を基板上に有してなる磁気記録媒体における該磁性層上に、インプリントレジスト層を形成し、該インプリントレジスト層に、円板状の基板上に複数の凸部が配列された凹凸部を有してなるインプリント用モールド構造体を押圧して、前記凹凸部に対応した凹凸パターンを転写する転写工程と、前記凹凸パターンが形成された前記インプリントレジスト層をマスクとして、前記磁気記録媒体における前記磁性層に対しエッチングを行って、前記凹凸パターンに対応した磁性パターン部を形成する工程であって、前記エッチングが、該磁性層に含まれる前記強磁性材料は除去し、かつ前記第１の非磁性材料が、一の前記磁性パターン部が形成される部分以外の凹部に含まれる該第１の非磁性材料の全質量に対して５質量％以上残存するようにして行われる磁性パターン部形成工程と、前記磁性層における、前記磁性パターン部が形成された部分以外の凹部に、第２の非磁性材料を埋め込み、非磁性パターン部を形成する非磁性パターン部形成工程とを含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
該＜１＞に記載の磁気記録媒体の製造方法においては、インプリント用モールド構造体に形成された凹凸部に基づく凹凸パターンが転写されたインプリントレジスト層をマスクにして磁性層をエッチングする際に、凹部に第１の非磁性材料を所定量残存させることにより、該第１の非磁性材料と、前記凹部に埋設される第２の非磁性材料との密着性がアンカー効果によって高くなり、第２の非磁性材料を埋設することによって形成された非磁性パターン部の剥離を低減することができる。
＜２＞ 磁性パターン部は、強磁性を示す結晶粒が第１の非磁性材料によって画成されたグラニュラ構造をなす前記＜１＞に記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜３＞ 第１の非磁性材料が、磁性パターン部近傍に偏在して残存するように、磁性層に対しエッチングを行う前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜４＞ 第１の非磁性材料の量が、一の前記磁性パターン部が形成される部分以外の凹部における第１の非磁性材料に対して５質量％以上残存するように、磁性層に対しエッチングを行う前記＜３＞に記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜５＞ 第１の非磁性材料が、前記凹部の壁部に残存するように、エッチングを行う前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜６＞ 第１の非磁性材料、及び第２の非磁性材料が、Ｐｔ、Ｓｉ、及びＴｉのいずれかを含む前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜７＞ 第１の非磁性材料、及び第２の非磁性材料が、Ｐｔ、Ｓｉ、及びＴｉのいずれかの酸化物を含む前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法である。
＜８＞ 前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法によって製造されたことを特徴とする磁気記録媒体である。
本発明によると、磁性層間に埋設された非磁性材料が剥離しにくく、磁性層腐蝕を防止可能な磁気記録媒体の製造方法、及び該製造方法によって製造された磁気記録媒体を提供することができる。
以下、本発明の磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体について図面を参照して説明する。
＜インプリント用モールド構造体＞
図１は、本発明の磁気記録媒体の製造方法に用いられるインプリント用モールド構造体の概略構成を示す斜視図であり、図２は、図１におけるＡ−Ａ断面図である。
図１に示すように、インプリント用モールド構造体１は、加工対象物（例えば、後述する図３Ｂにおけるインプリントレジスト２４）を押圧するものであり、円板状の基板２と、基板２の一の表面２ａ上に、該表面２ａを基準として所定の間隔で複数の凸部５が配列されることによって凹部４と共に形成された凹凸部３を少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を備える。
＜インプリント用モールド構造体＞
図１は、本発明の磁気記録媒体の製造方法に用いられるインプリント用モールド構造体の概略構成を示す斜視図であり、図２は、図１におけるＡ−Ａ断面図である。
図１に示すように、インプリント用モールド構造体１は、加工対象物（例えば、後述する図３Ｂにおけるインプリントレジスト２４）を押圧するものであり、円板状の基板２と、基板２の一の表面２ａ上に、該表面２ａを基準として所定の間隔で複数の凸部５が配列されることによって凹部４と共に形成された凹凸部３を少なくとも有し、更に必要に応じて、その他の部材を備える。
なお、図示はしないが、前述の凹凸部３は、同心円状に凸部が配列されたデータパターン用の凹凸部と、放射状に凸部が配列されたサーボパターン用の凹凸部とに分けて形成され、前記データパターン用の凹凸部が形成された領域を分断するように、前記サーボパターン用の凹凸部が形成された領域が円周方向において略等間隔で複数形成されていることが好ましい。
ここで、凹凸部３が配列されている方向に直交する面における凸部の断面形状は、図２に示すように、表面２ａから離れるに従って、その頂部の断面寸法が小さくなる略台形状をなしていることが好ましい。
以下、本実施形態の説明において、「断面（形状）」とは、特に断りがない限り、前記基板２の円周方向（凹凸部３が配列されている方向に直交する面）における断面（形状）を指す。
以下、本実施形態の説明において、「断面（形状）」とは、特に断りがない限り、前記基板２の円周方向（凹凸部３が配列されている方向に直交する面）における断面（形状）を指す。
−その他の部材−
前記その他の部材としては、本発明の効果を害しない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、基板２上に層状に形成され、インプリントレジスト層に対して剥離機能を備えたモールド表層等が挙げられる。
前記その他の部材としては、本発明の効果を害しない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、基板２上に層状に形成され、インプリントレジスト層に対して剥離機能を備えたモールド表層等が挙げられる。
＜＜インプリントレジスト層＞＞
また、インプリントレジスト層２４は、例えば、熱可塑性樹脂、及び光硬化性樹脂の少なくともいずれかを含有するインプリントレジスト組成物（以下、インプリントレジスト液ということがある。）を磁気記録媒体の基板に塗布することによって形成される層である。
また、インプリントレジスト層２４は、例えば、熱可塑性樹脂、及び光硬化性樹脂の少なくともいずれかを含有するインプリントレジスト組成物（以下、インプリントレジスト液ということがある。）を磁気記録媒体の基板に塗布することによって形成される層である。
インプリントレジスト層２４の厚さとしては、２０ｎｍ〜３００ｎｍが好ましい。更に好ましい厚みは５０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲である。
前記インプリントレジスト層は、スピンコート法、スプレーコート、ディップコート法などを用いることができる。なお、磁気記録媒体は、ドーナッツ形状をしているため、スピンコート法が好ましい。
インプリントレジスト層２４の厚さは、例えば、エリプソ分光装置（ＤＨＡ−ＦＸ、（株）溝尻光学工業所製）を用いて測定される。
また、前記インプリントレジスト組成物としては、ノボラック系樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、無機シリコン樹脂、有機シリコン樹脂などを使用することができる。
前記ノボラック系樹脂としては、マイクロレジスト社製、ｍｒ−Ｉ ７０００Ｅなどが挙げられる。
また、前記エポキシ系樹脂としては、化薬マイクロケム（株）製、ＳＵ−８−２などが挙げられる。
前記インプリントレジスト層は、スピンコート法、スプレーコート、ディップコート法などを用いることができる。なお、磁気記録媒体は、ドーナッツ形状をしているため、スピンコート法が好ましい。
インプリントレジスト層２４の厚さは、例えば、エリプソ分光装置（ＤＨＡ−ＦＸ、（株）溝尻光学工業所製）を用いて測定される。
また、前記インプリントレジスト組成物としては、ノボラック系樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、無機シリコン樹脂、有機シリコン樹脂などを使用することができる。
前記ノボラック系樹脂としては、マイクロレジスト社製、ｍｒ−Ｉ ７０００Ｅなどが挙げられる。
また、前記エポキシ系樹脂としては、化薬マイクロケム（株）製、ＳＵ−８−２などが挙げられる。
＜インプリント用モールド構造体の作製方法＞
以下、本発明に用いられるインプリント用モールド構造体の作製方法の例について図面を参照して説明する。なお、本発明に用いられるインプリント用モールド構造体は、下記の作製方法以外の作製方法により作製されたものであってもよい。
以下、本発明に用いられるインプリント用モールド構造体の作製方法の例について図面を参照して説明する。なお、本発明に用いられるインプリント用モールド構造体は、下記の作製方法以外の作製方法により作製されたものであってもよい。
―原盤の作製―
図３Ａ〜Ｂは、インプリント用モールド構造体の作製方法を示す。図３Ａに示すように、まず、Ｓｉ基板１０上に、スピンコータを用いて、電子線レジスト液を１００ｎｍの厚さで塗布し、フォトレジスト層２１を形成する（フォトレジスト層形成工程）。
その後、Ｓｉ基板１０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射する（描画工程）。
その後、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターン（サーボパターン）を円周上の各フレームに対応する部分に露光する（露光工程）。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥ（反応性イオンエッチング）などの選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤１１を得る。
図３Ａ〜Ｂは、インプリント用モールド構造体の作製方法を示す。図３Ａに示すように、まず、Ｓｉ基板１０上に、スピンコータを用いて、電子線レジスト液を１００ｎｍの厚さで塗布し、フォトレジスト層２１を形成する（フォトレジスト層形成工程）。
その後、Ｓｉ基板１０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調したレーザー光（又は電子ビーム）を照射する（描画工程）。
その後、フォトレジスト全面に所定のパターン、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターン（サーボパターン）を円周上の各フレームに対応する部分に露光する（露光工程）。
その後、フォトレジスト層２１を現像処理し、露光部分を除去して、除去後のフォトレジスト層２１のパターンをマスクにしてＲＩＥ（反応性イオンエッチング）などの選択エッチングを行い、凹凸形状を有する原盤１１を得る。
原盤１１からのモールドの作製方法としてはメッキ法、ナノインプリント法などを用いることができる。
メッキ法でのモールド作製方法は以下の通りである。
まず、原盤１１の表面に導電層を形成する。
前記導電層の形成手段としては、一般的に真空製膜方法（スパッタリング、蒸着など）、無電解メッキ法などを用いることができる。
前記導電層の材料としては、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏのうち、少なくとも一種類の元素を含有する金属、合金を用いることができ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ合金などが好ましい。また、導電性を示すＴｉＯなどの非金属材質も前記導電層として使用可能である。
前記導電層の膜厚は、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲が好ましく、１０ｎｍ〜２５ｎｍの範囲がより好ましい。
上記導電層を形成した原盤を用い、メッキ法にて金属、及び合金素材を積層して、所定の厚みとなるまで形成した後に、原盤１１よりメッキ基体を剥離することでモールドを形成する。
ここで、前記モールドを構成するメッキ素材としては、Ｎｉ、Ｃｒ、ＦｅＣｏ合金などを使用することができ、Ｎｉ素材を用いたものが特に好ましい。
また、引き剥がし後のモールド１の厚みは、５０μｍ〜３００μｍの範囲が好ましく、７５μｍから１７５μｍの範囲がより好ましい。
メッキ法でのモールド作製方法は以下の通りである。
まず、原盤１１の表面に導電層を形成する。
前記導電層の形成手段としては、一般的に真空製膜方法（スパッタリング、蒸着など）、無電解メッキ法などを用いることができる。
前記導電層の材料としては、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｆｅ、Ｃｏのうち、少なくとも一種類の元素を含有する金属、合金を用いることができ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＦｅＣｏ合金などが好ましい。また、導電性を示すＴｉＯなどの非金属材質も前記導電層として使用可能である。
前記導電層の膜厚は、５ｎｍ〜３０ｎｍの範囲が好ましく、１０ｎｍ〜２５ｎｍの範囲がより好ましい。
上記導電層を形成した原盤を用い、メッキ法にて金属、及び合金素材を積層して、所定の厚みとなるまで形成した後に、原盤１１よりメッキ基体を剥離することでモールドを形成する。
ここで、前記モールドを構成するメッキ素材としては、Ｎｉ、Ｃｒ、ＦｅＣｏ合金などを使用することができ、Ｎｉ素材を用いたものが特に好ましい。
また、引き剥がし後のモールド１の厚みは、５０μｍ〜３００μｍの範囲が好ましく、７５μｍから１７５μｍの範囲がより好ましい。
また、上記モールドを原盤１１として用いて、ナノインプリント法によりモールドを作製してもよい。
ナノインプリント法を用いたモールドの複製法は以下の通りである。
ナノインプリント法を用いたモールドの複製法は以下の通りである。
―転写工程―
図３Ｂに示すように、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２４が一方の面に形成された被加工基板３０に対して、原盤１１を押し当て、原盤１１上に形成された凹凸部のパターンがインプリントレジスト層２４に転写される。
図３Ｂに示すように、光硬化性樹脂を含有するインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２４が一方の面に形成された被加工基板３０に対して、原盤１１を押し当て、原盤１１上に形成された凹凸部のパターンがインプリントレジスト層２４に転写される。
ここで、前記被加工基板３０の材料としては、光透過性を有し、インプリント用モールド構造体１として機能する強度を有する材料であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、石英（ＳｉＯ２）等が挙げられる。
また、前記「光透過性を有する」とは、具体的には、被加工基板３０にインプリントレジスト層が形成される一の面から出射するように、被加工基板３０の他の面から光を入射させた場合に、インプリントレジスト液が十分に硬化することを意味しており、少なくとも、前記他の面から前記一の面への波長２００ｎｍ以上における光透過率が５０％以上であることを意味する。
また、前記「インプリント用モールド構造体として機能する強度を有する」とは、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト層に対して、平均面圧力が４ｋｇｆ／ｃｍ２という条件下で押し当て、加圧しても、剥離可能に破損しない強度を意味する。
また、前記「光透過性を有する」とは、具体的には、被加工基板３０にインプリントレジスト層が形成される一の面から出射するように、被加工基板３０の他の面から光を入射させた場合に、インプリントレジスト液が十分に硬化することを意味しており、少なくとも、前記他の面から前記一の面への波長２００ｎｍ以上における光透過率が５０％以上であることを意味する。
また、前記「インプリント用モールド構造体として機能する強度を有する」とは、磁気記録媒体の基板上に形成されたインプリントレジスト層に対して、平均面圧力が４ｋｇｆ／ｃｍ２という条件下で押し当て、加圧しても、剥離可能に破損しない強度を意味する。
――硬化工程――
転写工程後、インプリントレジスト層２４の冷却、又はインプリントレジスト層２４に対して電子線や紫外線などの照射を行うことによって、転写されたパターンを硬化させる。なお、電子線や紫外線などを用いて硬化する場合は、パターニング後に、モールドと被加工基板を剥離した後に、照射し、硬化してもよい。
転写工程後、インプリントレジスト層２４の冷却、又はインプリントレジスト層２４に対して電子線や紫外線などの照射を行うことによって、転写されたパターンを硬化させる。なお、電子線や紫外線などを用いて硬化する場合は、パターニング後に、モールドと被加工基板を剥離した後に、照射し、硬化してもよい。
――パターン形成工程――
硬化工程後、転写された凹凸パターンをマスクにしてＲＩＥなどの選択エッチングを行い、図１に示すような凹凸形状を有するモールド構造体１を得る。
また、基材の表面に無機系材質を形成し、レジストマスクを元に無機系材質マスクを形成し、この無機系マスクを用いて基材をエッチングし、インプリント用モールド構造体１を形成してもよい。
硬化工程後、転写された凹凸パターンをマスクにしてＲＩＥなどの選択エッチングを行い、図１に示すような凹凸形状を有するモールド構造体１を得る。
また、基材の表面に無機系材質を形成し、レジストマスクを元に無機系材質マスクを形成し、この無機系マスクを用いて基材をエッチングし、インプリント用モールド構造体１を形成してもよい。
（磁気記録媒体）
以下、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアなど、本発明に係る磁気記録媒体の製造方法を、図面を参照して説明する。但し、本発明に係る磁気記録媒体は、前記インプリント用モールド構造体を用いて製造されることが好ましいが、その他の製造方法により作製されたものであってもよい。
以下、ディスクリートトラックメディアや、パターンドメディアなど、本発明に係る磁気記録媒体の製造方法を、図面を参照して説明する。但し、本発明に係る磁気記録媒体は、前記インプリント用モールド構造体を用いて製造されることが好ましいが、その他の製造方法により作製されたものであってもよい。
［転写工程］
図４に示すように、磁性層５０と、該磁性層上にインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２５とが形成された磁気記録媒体の基板４０に対して、モールド構造体１を押し当て、加圧することにより、モールド構造体１上に形成された凹凸部３のパターンがインプリントレジスト層２５に転写される。
図４に示すように、磁性層５０と、該磁性層上にインプリントレジスト液を塗布してなるインプリントレジスト層２５とが形成された磁気記録媒体の基板４０に対して、モールド構造体１を押し当て、加圧することにより、モールド構造体１上に形成された凹凸部３のパターンがインプリントレジスト層２５に転写される。
＜＜インプリントレジスト層＞＞
磁気記録媒体の作製における、インプリントレジスト層２５は、例えば、熱可塑性樹脂、及び光硬化性樹脂の少なくともいずれかを含有するインプリントレジスト組成物（以下、インプリントレジスト液ということがある。）を磁気記録媒体の基板に塗布することによって形成される層である。
磁気記録媒体の作製における、インプリントレジスト層２５は、例えば、熱可塑性樹脂、及び光硬化性樹脂の少なくともいずれかを含有するインプリントレジスト組成物（以下、インプリントレジスト液ということがある。）を磁気記録媒体の基板に塗布することによって形成される層である。
インプリントレジスト層２５は、磁気記録媒体の作製における転写工程における転写精度を損なわない限り、インプリント用モールド構造体の作製におけるインプリントレジスト層２４と同じインプリントレジスト組成物を採用してもよい。
以下、特に断らない限り、インプリントレジスト層、及びインプリントレジスト組成物は、磁気記録媒体の作製におけるインプリントレジスト層２５、及び該インプリントレジスト層２５を形成するインプリントレジスト組成物を指すものとする。
以下、特に断らない限り、インプリントレジスト層、及びインプリントレジスト組成物は、磁気記録媒体の作製におけるインプリントレジスト層２５、及び該インプリントレジスト層２５を形成するインプリントレジスト組成物を指すものとする。
インプリントレジスト層２５の厚さとしては、２０ｎｍ〜３００ｎｍが好ましく、５０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲がより好ましい。
インプリントレジスト層２５は、スピンコート法、スプレーコート、ディップコート法などを用いることができる。磁気記録媒体はドーナッツ形状をしているため、スピンコート法が好ましい。
インプリントレジスト層２５の厚さは、例えば、エリプソ分光装置（ＤＨＡ−ＦＸ、（株）溝尻光学工業所製）を用いて測定される。
インプリントレジスト層２５は、スピンコート法、スプレーコート、ディップコート法などを用いることができる。磁気記録媒体はドーナッツ形状をしているため、スピンコート法が好ましい。
インプリントレジスト層２５の厚さは、例えば、エリプソ分光装置（ＤＨＡ−ＦＸ、（株）溝尻光学工業所製）を用いて測定される。
―磁性層―
磁性層５０は、強磁性材料５１と、第１の非磁性材料５２とを少なくとも含むことが好ましく、図５に示すように、粒状の強磁性材料５１が第１の非磁性材料５２によって画成されたグラニュラ構造をなすことがより好ましい。
グラニュラ構造については、特開２００５−３５３１４０号公報に記載されており、本実施形態においても、このようなグラニュラ構造の磁性層を採用することが好ましい。
また、第１の非磁性材料５２としては、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｔｉを少なくとも含むことが好ましく、ＰｔＯ、ＳｉＯ２、ＴｉＯを少なくとも含むことがより好ましく、ＰｔＯを含むことが特に好ましい。
更に、強磁性材料５１としては、ＣｏＣｒ合金を含むことが特に好ましい。
磁性層５０は、強磁性材料５１と、第１の非磁性材料５２とを少なくとも含むことが好ましく、図５に示すように、粒状の強磁性材料５１が第１の非磁性材料５２によって画成されたグラニュラ構造をなすことがより好ましい。
グラニュラ構造については、特開２００５−３５３１４０号公報に記載されており、本実施形態においても、このようなグラニュラ構造の磁性層を採用することが好ましい。
また、第１の非磁性材料５２としては、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｔｉを少なくとも含むことが好ましく、ＰｔＯ、ＳｉＯ２、ＴｉＯを少なくとも含むことがより好ましく、ＰｔＯを含むことが特に好ましい。
更に、強磁性材料５１としては、ＣｏＣｒ合金を含むことが特に好ましい。
［磁性パターン部形成工程］
その後、凹凸部３のパターンが転写されたインプリントレジスト層２５をマスクにして、エッチングを行い、モールド構造体１上に形成されたパターン形状に基づく凹凸形状を磁性層５０に形成する。このとき、凸形状に残存した部分が磁性パターン部５４である。
その後、凹凸部３のパターンが転写されたインプリントレジスト層２５をマスクにして、エッチングを行い、モールド構造体１上に形成されたパターン形状に基づく凹凸形状を磁性層５０に形成する。このとき、凸形状に残存した部分が磁性パターン部５４である。
―エッチング工程―
本発明におけるエッチング工程は、例えば、以下のようにして行われる。
前記エッチング方法としては、ドライエッチング、及びウェットエッチングのいずれの方式を使用することができる。
前記ドライエッチングを用いる場合、イオンビームエッチング、反応性化学エッチング（ＲＩＥ）を用いることができる。
前記イオンビームエッチングでは、プロセスガスとして、Ａｒを用いることが好ましい。
また、前記反応性イオンエッチングでは、Ｃｏ＋ＮＨ３、又は塩素系ガスを使用することが好ましい。
前記ウェットエッチングでは、電解エッチングや、無電解エッチングの両方式を採用することができ、これらの中でも、電解エッチングが特に好ましい。
印加する電界としては、パルス信号にて印加することが好ましい。
また、前記ウェットエッチングに用いられるエッチャントとしては、塩化第二鉄水溶液、硝酸、などを用いることができる。
本発明におけるエッチング工程は、例えば、以下のようにして行われる。
前記エッチング方法としては、ドライエッチング、及びウェットエッチングのいずれの方式を使用することができる。
前記ドライエッチングを用いる場合、イオンビームエッチング、反応性化学エッチング（ＲＩＥ）を用いることができる。
前記イオンビームエッチングでは、プロセスガスとして、Ａｒを用いることが好ましい。
また、前記反応性イオンエッチングでは、Ｃｏ＋ＮＨ３、又は塩素系ガスを使用することが好ましい。
前記ウェットエッチングでは、電解エッチングや、無電解エッチングの両方式を採用することができ、これらの中でも、電解エッチングが特に好ましい。
印加する電界としては、パルス信号にて印加することが好ましい。
また、前記ウェットエッチングに用いられるエッチャントとしては、塩化第二鉄水溶液、硝酸、などを用いることができる。
このウェットエッチング工程によって、インプリントレジスト層２５をマスクにして、エッチングが行われる領域（加工部分）に残存する第１の非磁性材料の量は、単位体積あたりの磁性パターン部（未加工部分）の第１の非磁性材料の含有量に対して５質量％以上とされることが好ましく、１０〜４０質量％の範囲に設定することが特に好ましい。
また、前記エッチングは、第１の非磁性材料が、磁性層の加工部分（凹部）と磁性パターン部（凸部）との境界に残存するように行われることが好ましい。
磁性層の加工部分と磁性パターン部との境界における第１の非磁性材料量を変化させる方法としては、ドライエッチング、イオンビームエッチングではビームの入射角を変更させる方法を採用することが好ましい。特に、ＲＩＥでは、基板に印加するバイアス電圧を変更することで対応することができる。
ウェットエッチングでは、エッチング実行時の電界パルスのパルス幅、及び振幅を変更することで変更可能である。
磁性層の加工部分と磁性パターン部との境界における第１の非磁性材料量を変化させる方法としては、ドライエッチング、イオンビームエッチングではビームの入射角を変更させる方法を採用することが好ましい。特に、ＲＩＥでは、基板に印加するバイアス電圧を変更することで対応することができる。
ウェットエッチングでは、エッチング実行時の電界パルスのパルス幅、及び振幅を変更することで変更可能である。
即ち、磁性層の加工部分と磁性パターン部との境界における第１の非磁性材料の含有量は、磁性パターン部をなす磁性層の単位体積においてにおける第１の非磁性材料の含有量の５質量％以上となるようにエッチングを行うことが好ましく、１０〜４０質量％となるようにエッチングを行うことが特に好ましい。即ち、加工部分（凹部）に含まれる第１の非磁性材料の含有量が、加工部分（凹部）の形成部分に含まれる第１の非磁性材料の含有量の５％以上となるようにエッチングするのが好ましい。
ここで、前記領域における第１の非磁性材料の残存状態は、マイクロオージェ装置（ＴＲＩＦＴ ＩＶ，ＰＨＩ７００，アルバックファイ（株）製）を用いて、ＴＯＦ−ＳＩＭにより、磁性層の加工部分、磁性パターン部に対してスペクトル解析、マッピングを実施することによって測定される。
なお、第１の非磁性材料を特徴づけるスペクトルの強度に対して、磁性層の加工部分／磁性パターン部の比を算出することが好ましい。
また、加工部分における第１の非磁性材料の単位体積あたりの含有量は、「磁性パターン部における第１の非磁性材料の前記単位体積あたりの含有量に対する相対量」として定義する。
ここで、前記単位体積とは、前記第１の非磁性材料の量を測定する前記マイクロオージェ装置の測定領域（例えば、１μｍ角）を「同一表面積（あるいは単位面積）」として、この測定領域と、前記マイクロオージェ装置の検出ビームの測定対象の表面からの深さ（数ｎｍ〜数十ｎｍ）とから算出される体積である。即ち、加工部分における第１の非磁性材料の上面視での前記単位面積あたりの露出量に基づく含有量が、磁性パターン部における第１の非磁性材料の前記単位面積あたりの含有量に対して５質量％以上とされることが好ましい。
ここで、前記領域における第１の非磁性材料の残存状態は、マイクロオージェ装置（ＴＲＩＦＴ ＩＶ，ＰＨＩ７００，アルバックファイ（株）製）を用いて、ＴＯＦ−ＳＩＭにより、磁性層の加工部分、磁性パターン部に対してスペクトル解析、マッピングを実施することによって測定される。
なお、第１の非磁性材料を特徴づけるスペクトルの強度に対して、磁性層の加工部分／磁性パターン部の比を算出することが好ましい。
また、加工部分における第１の非磁性材料の単位体積あたりの含有量は、「磁性パターン部における第１の非磁性材料の前記単位体積あたりの含有量に対する相対量」として定義する。
ここで、前記単位体積とは、前記第１の非磁性材料の量を測定する前記マイクロオージェ装置の測定領域（例えば、１μｍ角）を「同一表面積（あるいは単位面積）」として、この測定領域と、前記マイクロオージェ装置の検出ビームの測定対象の表面からの深さ（数ｎｍ〜数十ｎｍ）とから算出される体積である。即ち、加工部分における第１の非磁性材料の上面視での前記単位面積あたりの露出量に基づく含有量が、磁性パターン部における第１の非磁性材料の前記単位面積あたりの含有量に対して５質量％以上とされることが好ましい。
［非磁性パターン部形成工程］
その後、磁性パターン部形成工程において磁性層５０に形成された凹凸形状の凹部に、第２の非磁性材料７０を埋め込み、表面、即ち凸部形状の磁性パターン部５１の露出面、及び第２の非磁性材料７０が埋設されることによって形成された非磁性パターン部５３の露出面とを平坦化した後、必要に応じて、保護膜などを前記表面上に形成して磁気記録媒体１００を得る。
このとき、第２の非磁性材料７０としては、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｔｉを少なくとも含むことが好ましく、ＰｔＯ、ＳｉＯ２、ＴｉＯを少なくとも含むことがより好ましい。そして、第２の非磁性材料７０と、第１の非磁性材料５２とが同じ材料であることが好ましい。第１の非磁性材料５２と、第２の非磁性材料７０とが同じ材料であることによって、前述のアンカー効果に加えて、第１の非磁性材料５２が含まれる前記加工部分に対する非磁性材料７０の親和性が高くなり、結果として、前記加工部分に対する第２の非磁性材料の密着性がより強固となる。
その後、磁性パターン部形成工程において磁性層５０に形成された凹凸形状の凹部に、第２の非磁性材料７０を埋め込み、表面、即ち凸部形状の磁性パターン部５１の露出面、及び第２の非磁性材料７０が埋設されることによって形成された非磁性パターン部５３の露出面とを平坦化した後、必要に応じて、保護膜などを前記表面上に形成して磁気記録媒体１００を得る。
このとき、第２の非磁性材料７０としては、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｔｉを少なくとも含むことが好ましく、ＰｔＯ、ＳｉＯ２、ＴｉＯを少なくとも含むことがより好ましい。そして、第２の非磁性材料７０と、第１の非磁性材料５２とが同じ材料であることが好ましい。第１の非磁性材料５２と、第２の非磁性材料７０とが同じ材料であることによって、前述のアンカー効果に加えて、第１の非磁性材料５２が含まれる前記加工部分に対する非磁性材料７０の親和性が高くなり、結果として、前記加工部分に対する第２の非磁性材料の密着性がより強固となる。
図６は、上記のようにして得られた本発明の磁気記録媒体の構成を示す断面図であり、該断面図は、磁気記録媒体の半径方向における断面図である。
図６に示すように、本発明の磁気記録媒体は、基板４０上に所定間隔をもって形成された磁性パターン部６０と、該磁性パターン部６０，６０間に形成された非磁性パターン部８０とが形成されている。
非磁性パターン部８０には、磁性層５０（図示せず）をウェットエッチングすることによって形成された磁性パターン６０に含まれる第１の非磁性材料５２と、第２の非磁性材料７０とが含まれており、非磁性パターン部８０における第１の非磁性材料５２の平均含有率は、未加工部分の第１の非磁性材料に対して５質量％以上であることが好ましい。
図６に示すように、本発明の磁気記録媒体は、基板４０上に所定間隔をもって形成された磁性パターン部６０と、該磁性パターン部６０，６０間に形成された非磁性パターン部８０とが形成されている。
非磁性パターン部８０には、磁性層５０（図示せず）をウェットエッチングすることによって形成された磁性パターン６０に含まれる第１の非磁性材料５２と、第２の非磁性材料７０とが含まれており、非磁性パターン部８０における第１の非磁性材料５２の平均含有率は、未加工部分の第１の非磁性材料に対して５質量％以上であることが好ましい。
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
（実施例１）
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
（ａ）原盤の作製
直径８インチの円板状のＳｉ基板上に電子線レジストを、スピンコート法を用いて１００ｎｍの厚さに塗布した。
回転式電子線露光装置にて所望のパターンを露光、現像することで、凹凸パターンを有する前記電子線レジストをＳｉ基板上に形成する。
凹凸パターンを有する前記電子線レジストをマスクとして、前記Ｓｉ基板に対して反応性イオンエッチング処理を行い、Ｓｉ基板上に凹凸形状を形成する。
残存した前記電子線レジストを、可溶溶剤にて洗浄することで除去し、乾燥した後に原盤を得た。
＜インプリント用モールド構造体の作製＞
（ａ）原盤の作製
直径８インチの円板状のＳｉ基板上に電子線レジストを、スピンコート法を用いて１００ｎｍの厚さに塗布した。
回転式電子線露光装置にて所望のパターンを露光、現像することで、凹凸パターンを有する前記電子線レジストをＳｉ基板上に形成する。
凹凸パターンを有する前記電子線レジストをマスクとして、前記Ｓｉ基板に対して反応性イオンエッチング処理を行い、Ｓｉ基板上に凹凸形状を形成する。
残存した前記電子線レジストを、可溶溶剤にて洗浄することで除去し、乾燥した後に原盤を得た。
ここで、前記凹凸パターンは、データ部における凹凸パターンと、サーボ部における凹凸パターンとに大別される。
データ部は、凸部の巾：２００ｎｍ、凹部の巾：２００ｎｍ（トラックピッチ＝４００ｎｍ）の凹凸パターンとした。
サーボ部に関しては、基準信号長を８０ｎｍとし、総セクタ数を１２０とし、プリアンブル部（４０ｂｉｔ）、ＳＡＭ部（６ｂｉｔ）、ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ部（８ｂｉｔ）、ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ部（３２ｂｉｔ）、及びＢｕｒｓｔ部で構成されている。
前記ＳＡＭ部は、“００１０１０”であり、前記ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ部における凹凸パターンは、Ｂｉｎａｒｙ変換を用いて形成され、ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ部における凹凸パターンは、Ｇｒａｙ変換を用いて形成され、最終的にマンチェスター変換を用いて形成される。
また、前記Ｂｕｒｓｔ部における凹凸パターンは、一般的な４バースト（各バーストは１６ｂｉｔ）である。
データ部は、凸部の巾：２００ｎｍ、凹部の巾：２００ｎｍ（トラックピッチ＝４００ｎｍ）の凹凸パターンとした。
サーボ部に関しては、基準信号長を８０ｎｍとし、総セクタ数を１２０とし、プリアンブル部（４０ｂｉｔ）、ＳＡＭ部（６ｂｉｔ）、ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ部（８ｂｉｔ）、ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ部（３２ｂｉｔ）、及びＢｕｒｓｔ部で構成されている。
前記ＳＡＭ部は、“００１０１０”であり、前記ＳｅｃｔｏｒＣｏｄｅ部における凹凸パターンは、Ｂｉｎａｒｙ変換を用いて形成され、ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ部における凹凸パターンは、Ｇｒａｙ変換を用いて形成され、最終的にマンチェスター変換を用いて形成される。
また、前記Ｂｕｒｓｔ部における凹凸パターンは、一般的な４バースト（各バーストは１６ｂｉｔ）である。
（ｂ）メッキ法によるインプリント用モールド構造体の作製
上記原盤上にスパッタ法により、Ｎｉ導電性膜を２０ｎｍの厚さで形成した。
導電性膜形成後の原盤を、スルファミン酸Ｎｉ浴に浸漬し、電界メッキ法により、２００μｍ厚のＮｉ層を形成後、Ｓｉ原盤より前記Ｎｉ層を引き剥がし、洗浄を行うことでメッキ法によるインプリント用モールド構造体１を得た。
上記原盤上にスパッタ法により、Ｎｉ導電性膜を２０ｎｍの厚さで形成した。
導電性膜形成後の原盤を、スルファミン酸Ｎｉ浴に浸漬し、電界メッキ法により、２００μｍ厚のＮｉ層を形成後、Ｓｉ原盤より前記Ｎｉ層を引き剥がし、洗浄を行うことでメッキ法によるインプリント用モールド構造体１を得た。
＜磁気記録媒体の作製＞
２．５インチガラス基板上に、以下の手順で各層を形成し、磁気記録媒体を作製した。
作製した磁気記録媒体は、軟磁性層、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁性層（「磁気記録層」ということがある。）、保護層、及び潤滑剤層が順次形成されている。
なお、軟磁性膜、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁気記録層、及び保護層はスパッタリング法で形成し、潤滑剤層はディップ法で形成した。
２．５インチガラス基板上に、以下の手順で各層を形成し、磁気記録媒体を作製した。
作製した磁気記録媒体は、軟磁性層、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁性層（「磁気記録層」ということがある。）、保護層、及び潤滑剤層が順次形成されている。
なお、軟磁性膜、第１の非磁性配向層、第２の非磁性配向層、磁気記録層、及び保護層はスパッタリング法で形成し、潤滑剤層はディップ法で形成した。
＜軟磁性層の形成＞
軟磁性層として、ＣｏＺｒＮｂよりなる層を１００ｎｍの厚さで形成した。
具体的には、前記ガラス基板を、ＣｏＺｒＮｂターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．６Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ １，５００Ｗで成膜した。
軟磁性層として、ＣｏＺｒＮｂよりなる層を１００ｎｍの厚さで形成した。
具体的には、前記ガラス基板を、ＣｏＺｒＮｂターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．６Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ １，５００Ｗで成膜した。
＜第１の非磁性配向層の形成＞
第１の非磁性配向層として、５ｎｍの厚さのＴｉ層を形成した。
具体的に、第１の非磁性配向層は、Ｔｉターゲットと対向設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ １，０００Ｗで放電し、５ｎｍの厚さになるようにＴｉシード層を成膜した。
第１の非磁性配向層として、５ｎｍの厚さのＴｉ層を形成した。
具体的に、第１の非磁性配向層は、Ｔｉターゲットと対向設置し、Ａｒガスを０．５Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ １，０００Ｗで放電し、５ｎｍの厚さになるようにＴｉシード層を成膜した。
＜第２の非磁性配向層の形成＞
その後、第２の非磁性配向層として、６ｎｍの厚さのＲｕ層を形成した。
第１の非磁性配向層形成後に、Ｒｕターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．８Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ ９００Ｗで放電し、６ｎｍの厚さになるように第２の非磁性配向層としてＲｕ層を成膜した。
その後、第２の非磁性配向層として、６ｎｍの厚さのＲｕ層を形成した。
第１の非磁性配向層形成後に、Ｒｕターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを０．８Ｐａの圧になるように流入させ、ＤＣ ９００Ｗで放電し、６ｎｍの厚さになるように第２の非磁性配向層としてＲｕ層を成膜した。
＜磁気記録層の形成＞
その後、磁気記録層として、ＣｏＣｒＰｔＯ層を１８ｎｍの厚さで形成した。
具体的には、ＣｏＰｔＣｒターゲットと対向させて設置し、Ｏ２ ０．０６％を含むＡｒガスを、圧力が１４Ｐａとなるようにして流入させ、ＤＣ ２９０Ｗで放電し、磁気記録層を形成した。
その後、磁気記録層として、ＣｏＣｒＰｔＯ層を１８ｎｍの厚さで形成した。
具体的には、ＣｏＰｔＣｒターゲットと対向させて設置し、Ｏ２ ０．０６％を含むＡｒガスを、圧力が１４Ｐａとなるようにして流入させ、ＤＣ ２９０Ｗで放電し、磁気記録層を形成した。
＜保護層の形成＞
磁性層形成後に、Ｃターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを、圧力が０．５Ｐａになるように流入させ、ＤＣ １，０００Ｗで放電し、Ｃ保護層を４ｎｍの厚さで形成した。
なお、磁気記録媒体の保磁力は、３３４ｋＡ／ｍ（４．２ｋＯｅ）とした。
また、本実施例における磁気記録媒体の第１の非磁性材料は、ＰｔＯである。
磁性層形成後に、Ｃターゲットと対向させて設置し、Ａｒガスを、圧力が０．５Ｐａになるように流入させ、ＤＣ １，０００Ｗで放電し、Ｃ保護層を４ｎｍの厚さで形成した。
なお、磁気記録媒体の保磁力は、３３４ｋＡ／ｍ（４．２ｋＯｅ）とした。
また、本実施例における磁気記録媒体の第１の非磁性材料は、ＰｔＯである。
＜インプリントレジスト層の形成＞
前記保護層上に、ノボラック系レジスト（ｍｒ−Ｉ ７０００Ｅ、マイクロレジスト社製）を１００ｎｍの厚さになるように、スピンコート法（３，６００ｒｐｍ）により、第１のインプリントレジスト層を形成した。
前記保護層上に、ノボラック系レジスト（ｍｒ−Ｉ ７０００Ｅ、マイクロレジスト社製）を１００ｎｍの厚さになるように、スピンコート法（３，６００ｒｐｍ）により、第１のインプリントレジスト層を形成した。
＜転写工程＞
インプリントレジスト層が形成された基板に対して、上記モールドの凹凸部が形成された側の面を対向させて配置し、インプリントレジスト層が形成された基板を１１０℃に加熱後、圧力を１．５ＭＰａとして、前記インプリントレジスト層に、前記モールドを３０秒間密着させた。
以上の工程を終了した後、インプリントレジスト層が形成された基板から前記モールドを剥離した。
その後、前記モールドの凹凸部に基づく凹凸パターンをインプリントレジスト層に転写することによって、該インプリントレジスト層に形成された凹凸パターンのうち、凹部に残存したインプリントレジスト層を、Ｏ２反応性化学エッチングにて除去した。このＯ２反応性化学エッチングは、前記凹部において前記磁性層が露出するように行われる。
インプリントレジスト層が形成された基板に対して、上記モールドの凹凸部が形成された側の面を対向させて配置し、インプリントレジスト層が形成された基板を１１０℃に加熱後、圧力を１．５ＭＰａとして、前記インプリントレジスト層に、前記モールドを３０秒間密着させた。
以上の工程を終了した後、インプリントレジスト層が形成された基板から前記モールドを剥離した。
その後、前記モールドの凹凸部に基づく凹凸パターンをインプリントレジスト層に転写することによって、該インプリントレジスト層に形成された凹凸パターンのうち、凹部に残存したインプリントレジスト層を、Ｏ２反応性化学エッチングにて除去した。このＯ２反応性化学エッチングは、前記凹部において前記磁性層が露出するように行われる。
＜磁性パターン部形成工程＞
前記凹部に残存したインプリントレジスト層を除去した後に、磁性層の凹凸形状の加工を実施した。
磁性層の加工としては、イオンビームエッチング法を用いた。
具体的には、Ａｒガスを用い、イオン加速エネルギーは５００ｅＶとし、磁性層に対して垂直方向よりイオンビームを入射した。
このようにして磁性層を加工した後、Ｏ２反応性化学エッチングにて、磁性層（未加工部分）上に残存したレジストを除去する。
前記凹部に残存したインプリントレジスト層を除去した後に、磁性層の凹凸形状の加工を実施した。
磁性層の加工としては、イオンビームエッチング法を用いた。
具体的には、Ａｒガスを用い、イオン加速エネルギーは５００ｅＶとし、磁性層に対して垂直方向よりイオンビームを入射した。
このようにして磁性層を加工した後、Ｏ２反応性化学エッチングにて、磁性層（未加工部分）上に残存したレジストを除去する。
＜非磁性パターン部形成工程（第２の非磁性材料を含む層の形成工程）＞
上記磁性層を加工した後に、第２の非磁性材料を含む層として、厚さが５０ｎｍとなるように、スパッタリングを実施してＳｉＯ２層を形成し、イオンビームエッチングにて磁性層と、非磁性層とが面一になるように、ＳｉＯ２層を除去した。
上記磁性層を加工した後に、第２の非磁性材料を含む層として、厚さが５０ｎｍとなるように、スパッタリングを実施してＳｉＯ２層を形成し、イオンビームエッチングにて磁性層と、非磁性層とが面一になるように、ＳｉＯ２層を除去した。
＜磁気記録媒体の評価＞
＜＜第１の非磁性材料の残存量の測定＞＞
磁性層を加工した後の磁気記録媒体の中間体に対して、以下の方法より第１の非磁性材料の残存量を評価した。
具体的には、マイクロオージェ装置（ＰＨＩ７００，アルバックファイ（株）製）を用いて磁性層における加工部分及び磁性パターン部に対してスペクトル解析を行い、残存量を測定した。１μｍ角（縦１μｍ、横１μｍ）の観測領域内から、０．２μｍ角領域を選択し、０．２μｍ角内の第１の非磁性材料の平均の量を算出した。これにより、加工部分（凹部）の形成部分に含まれる第１の非磁性材料と加工部分（凹部）に含まれる第１の非磁性材料との比を算出した。
＜＜第１の非磁性材料の残存量の測定＞＞
磁性層を加工した後の磁気記録媒体の中間体に対して、以下の方法より第１の非磁性材料の残存量を評価した。
具体的には、マイクロオージェ装置（ＰＨＩ７００，アルバックファイ（株）製）を用いて磁性層における加工部分及び磁性パターン部に対してスペクトル解析を行い、残存量を測定した。１μｍ角（縦１μｍ、横１μｍ）の観測領域内から、０．２μｍ角領域を選択し、０．２μｍ角内の第１の非磁性材料の平均の量を算出した。これにより、加工部分（凹部）の形成部分に含まれる第１の非磁性材料と加工部分（凹部）に含まれる第１の非磁性材料との比を算出した。
（ａ）磁性層加工部分における第１の非磁性材料の残存量の測定
観測領域内（１μｍ角領域）において、磁性層加工部分及び磁性パターン部に対して、第１の非磁性材料に特徴的な元素スペクトル強度を検出し、全体の残存量を測定した。
即ち、第１の非磁性材料がＳｉＯ２であれば、Ｓｉ、及びＯが検出され、第１の非磁性材料がＴｉＯであれば、Ｔｉ、及びＯが検出され、第１の非磁性材料がＰｔＯであれば、Ｐｔ、及びＯが検出される。
加工部分（０．２μｍ角）における第１の非磁性材料に特徴的な元素スペクトル強度をＩ（Ｅ）とし、磁性パターン部（０．２μｍ角）における第１の非磁性材料に特徴的な元素スペクトル強度をＩ（ＵＥ）としたとき、下記評価基準に基づき評価した。なお、下記評価において、使用可能な範囲は“△”、及び“○”である。
観測領域内（１μｍ角領域）において、磁性層加工部分及び磁性パターン部に対して、第１の非磁性材料に特徴的な元素スペクトル強度を検出し、全体の残存量を測定した。
即ち、第１の非磁性材料がＳｉＯ２であれば、Ｓｉ、及びＯが検出され、第１の非磁性材料がＴｉＯであれば、Ｔｉ、及びＯが検出され、第１の非磁性材料がＰｔＯであれば、Ｐｔ、及びＯが検出される。
加工部分（０．２μｍ角）における第１の非磁性材料に特徴的な元素スペクトル強度をＩ（Ｅ）とし、磁性パターン部（０．２μｍ角）における第１の非磁性材料に特徴的な元素スペクトル強度をＩ（ＵＥ）としたとき、下記評価基準に基づき評価した。なお、下記評価において、使用可能な範囲は“△”、及び“○”である。
［評価基準］
○：Ｉ（Ｅ）／Ｉ（ＵＥ）が２０質量％以上
△：Ｉ（Ｅ）／Ｉ（ＵＥ）が５質量％以上２０質量％未満
×：Ｉ（Ｅ）／Ｉ（ＵＥ）が５質量％未満
○：Ｉ（Ｅ）／Ｉ（ＵＥ）が２０質量％以上
△：Ｉ（Ｅ）／Ｉ（ＵＥ）が５質量％以上２０質量％未満
×：Ｉ（Ｅ）／Ｉ（ＵＥ）が５質量％未満
（ｂ）磁性層の加工部分（凹部）と磁性パターン部（凸部）との境界部における非磁性材料量の残存量の測定
１μｍ角領域で上記同評価を実施した。前述のように、０．２μｍ角領域の中央部に磁性層の加工部分／磁性パターン部の境界が位置するような領域を選択した。具体的には０．２μｍ角の第１の非磁性材料の量が（Ｉ（Ｅ）＋Ｉ（ＵＥ））／２となるような位置を設定する。この条件下で、０．２μｍ角領域の中央位置を境界部と設定し、磁性層の加工部分及び磁性パターン部において０．１μｍ角の領域を設定し、Ｉ（Ｅ）／Ｉ（ＵＥ）を算出した。下記評価基準に基づき、評価した。
１μｍ角領域で上記同評価を実施した。前述のように、０．２μｍ角領域の中央部に磁性層の加工部分／磁性パターン部の境界が位置するような領域を選択した。具体的には０．２μｍ角の第１の非磁性材料の量が（Ｉ（Ｅ）＋Ｉ（ＵＥ））／２となるような位置を設定する。この条件下で、０．２μｍ角領域の中央位置を境界部と設定し、磁性層の加工部分及び磁性パターン部において０．１μｍ角の領域を設定し、Ｉ（Ｅ）／Ｉ（ＵＥ）を算出した。下記評価基準に基づき、評価した。
［評価基準］
○：Ｉ（Ｅ）／Ｉ（ＵＥ）が５質量％以上
△：Ｉ（Ｅ）／Ｉ（ＵＥ）が２質量％以上５質量％未満
×：Ｉ（Ｅ）／Ｉ（ＵＥ）が２質量％未満
○：Ｉ（Ｅ）／Ｉ（ＵＥ）が５質量％以上
△：Ｉ（Ｅ）／Ｉ（ＵＥ）が２質量％以上５質量％未満
×：Ｉ（Ｅ）／Ｉ（ＵＥ）が２質量％未満
＜＜耐久性の評価＞＞
第２の非磁性材料を埋め込み、及び研磨後にインプリントレジスト組成物（ＳＵ−８−２、化薬マイクロケム（株）製）を塗布し、パターン形成していないモールドを密着、剥離、レジスト洗浄を実施する。処理後の媒体を高温高湿環境（７０℃、８０ＲＨ％）に４８時間曝し、評価サンプルを得た。
磁気記録媒体の中間体の表面を、日立ハイテク社製「ＲＳ−１３５０」を用いて観察し、下記評価基準に基づき、第２の非磁性材料の付着の耐久性を評価した。なお、下記評価において、使用可能な範囲は、“△”、及び“○”である。
第２の非磁性材料を埋め込み、及び研磨後にインプリントレジスト組成物（ＳＵ−８−２、化薬マイクロケム（株）製）を塗布し、パターン形成していないモールドを密着、剥離、レジスト洗浄を実施する。処理後の媒体を高温高湿環境（７０℃、８０ＲＨ％）に４８時間曝し、評価サンプルを得た。
磁気記録媒体の中間体の表面を、日立ハイテク社製「ＲＳ−１３５０」を用いて観察し、下記評価基準に基づき、第２の非磁性材料の付着の耐久性を評価した。なお、下記評価において、使用可能な範囲は、“△”、及び“○”である。
［評価基準］
○：ディスク面内の異常個所数が１０箇所未満
△：ディスク面内の異常個所数が１０〜２０箇所
×：ディスク面内の異常個所数が２０箇所超
○：ディスク面内の異常個所数が１０箇所未満
△：ディスク面内の異常個所数が１０〜２０箇所
×：ディスク面内の異常個所数が２０箇所超
＜＜腐蝕耐久性の評価＞＞
保護層形成、潤滑剤塗布完了済み媒体を高温高湿環境（７０℃、８０ＲＨ％）に４８時間曝し、評価サンプルを得た。
磁気記録媒体の中間体の表面を、日立ハイテク社製「ＲＳ−１３５０」を用いて観察し、下記評価基準に基づき、５μｍ角の視野内に１個以上の腐蝕欠陥が観測された場合その測定は不良とし、１００の視野をランダムに観測し、不良視野数を元に評価を行った。使用可能な範囲は、“△”、及び“○”である。
保護層形成、潤滑剤塗布完了済み媒体を高温高湿環境（７０℃、８０ＲＨ％）に４８時間曝し、評価サンプルを得た。
磁気記録媒体の中間体の表面を、日立ハイテク社製「ＲＳ−１３５０」を用いて観察し、下記評価基準に基づき、５μｍ角の視野内に１個以上の腐蝕欠陥が観測された場合その測定は不良とし、１００の視野をランダムに観測し、不良視野数を元に評価を行った。使用可能な範囲は、“△”、及び“○”である。
［評価基準］
○：ディスク面内の異常個所数が０箇所
△：ディスク面内の異常個所数が１〜１０箇所
×：ディスク面内の異常個所数が１１箇所超
○：ディスク面内の異常個所数が０箇所
△：ディスク面内の異常個所数が１〜１０箇所
×：ディスク面内の異常個所数が１１箇所超
（実施例２）
＜磁気記録媒体の作製＞
実施例１において、イオン加速エネルギーを２００ｅＶとした以外は、実施例１と同様にして、実施例２の磁気記録媒体を作製した。
＜磁気記録媒体の作製＞
実施例１において、イオン加速エネルギーを２００ｅＶとした以外は、実施例１と同様にして、実施例２の磁気記録媒体を作製した。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、第１の非磁性材料の含有量を測定し、評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、第１の非磁性材料の含有量を測定し、評価した。結果を表１に示す。
（実施例３）
＜磁気記録媒体の作製＞
実施例１において、イオン加速エネルギーを７００ｅＶとした以外は、実施例１と同様にして、実施例３の磁気記録媒体を作製した。
＜磁気記録媒体の作製＞
実施例１において、イオン加速エネルギーを７００ｅＶとした以外は、実施例１と同様にして、実施例３の磁気記録媒体を作製した。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、第１の非磁性材料の含有量を測定し、評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、第１の非磁性材料の含有量を測定し、評価した。結果を表１に示す。
（実施例４）
＜磁気記録媒体の作製＞
実施例１において、イオン入射角を３０°とした以外は、実施例１と同様にして、実施例４の磁気記録媒体を作製した。
＜磁気記録媒体の作製＞
実施例１において、イオン入射角を３０°とした以外は、実施例１と同様にして、実施例４の磁気記録媒体を作製した。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、第１の非磁性材料の含有量を測定し、評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、第１の非磁性材料の含有量を測定し、評価した。結果を表１に示す。
（実施例５）
＜磁気記録媒体の作製＞
実施例１において、第１の非磁性材料をＴｉＯに変えた以外は、実施例１と同様にして、実施例５の磁気記録媒体を作製した。
＜磁気記録媒体の作製＞
実施例１において、第１の非磁性材料をＴｉＯに変えた以外は、実施例１と同様にして、実施例５の磁気記録媒体を作製した。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、第１の非磁性材料の含有量を測定し、評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、第１の非磁性材料の含有量を測定し、評価した。結果を表１に示す。
（実施例６）
＜磁気記録媒体の作製＞
実施例１において、第１の非磁性材料をＳｉＯ２に変えた以外は、実施例１と同様にして、実施例６の磁気記録媒体を作製した。
＜磁気記録媒体の作製＞
実施例１において、第１の非磁性材料をＳｉＯ２に変えた以外は、実施例１と同様にして、実施例６の磁気記録媒体を作製した。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、第１の非磁性材料の含有量を測定し、評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、第１の非磁性材料の含有量を測定し、評価した。結果を表１に示す。
（比較例１）
＜磁気記録媒体の作製＞
実施例１において、イオン加速エネルギーを９００ｅＶとし、入射角を４５°とした以外は、実施例１と同様にして、比較例１の磁気記録媒体を作製した。
＜磁気記録媒体の作製＞
実施例１において、イオン加速エネルギーを９００ｅＶとし、入射角を４５°とした以外は、実施例１と同様にして、比較例１の磁気記録媒体を作製した。
＜磁気記録媒体の評価＞
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、第１の非磁性材料の含有量を測定し、評価した。結果を表１に示す。
作製した磁気記録媒体について、実施例１と同様にして、第１の非磁性材料の含有量を測定し、評価した。結果を表１に示す。
表１に示すように、非磁性パターン部において、第１の非磁性材料が所定量以上残存した実施例１〜６は、第１の非磁性材料が所定量未満しか残存していない比較例１よりも、磁気記録媒体の剥離性、及び記録再生特性が優れており、特に、第１の非磁性材料の含有率（残存率）が３０質量％である実施例２、及び、第１の非磁性材料の含有率（残存率）が３２％である実施例６では、耐久性の効果が顕著であることが確認された。
１ モールド構造体
２ 基板
２ａ 表面
３ 凹凸部
４ 凹部
５ 凸部
１０ Ｓｉ基板
１１ Ｓｉ原盤
２１ フォトレジスト層
２４ インプリントレジスト層
２５ インプリントレジスト層
３０ 被加工基板
４０ 磁気記録媒体の基板
５０ 磁性層
５１ 磁性材料
５２ 第１の非磁性材料
６０ 磁性パターン部
７０ 第２の非磁性材料
８０ 非磁性パターン部
１００ 磁気記録媒体
２ 基板
２ａ 表面
３ 凹凸部
４ 凹部
５ 凸部
１０ Ｓｉ基板
１１ Ｓｉ原盤
２１ フォトレジスト層
２４ インプリントレジスト層
２５ インプリントレジスト層
３０ 被加工基板
４０ 磁気記録媒体の基板
５０ 磁性層
５１ 磁性材料
５２ 第１の非磁性材料
６０ 磁性パターン部
７０ 第２の非磁性材料
８０ 非磁性パターン部
１００ 磁気記録媒体
Claims (7)
- 強磁性材料及び第１の非磁性材料を含有する磁性層を基板上に有してなる磁気記録媒体における該磁性層上に、インプリントレジスト層を形成し、該インプリントレジスト層に、円板状の基板上に複数の凸部が配列された凹凸部を有してなるインプリント用モールド構造体を押圧して、前記凹凸部に対応した凹凸パターンを転写する転写工程と、
前記凹凸パターンが形成された前記インプリントレジスト層をマスクとして、前記磁気記録媒体における前記磁性層に対しエッチングを行って、前記凹凸パターンに対応した磁性パターン部を形成する工程であって、
前記エッチングが、該磁性層に含まれる前記強磁性材料は除去し、かつ前記第１の非磁性材料が、一の前記磁性パターン部が形成される部分以外の凹部に含まれる該第１の非磁性材料の全質量に対して５質量％以上残存するようにして行われる磁性パターン部形成工程と、
前記磁性層における、前記磁性パターン部が形成された部分以外の凹部に、第２の非磁性材料を埋め込み、非磁性パターン部を形成する非磁性パターン部形成工程と
を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 - 磁性パターン部は、強磁性を示す結晶粒が第１の非磁性材料によって画成されたグラニュラ構造をなす請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 第１の非磁性材料が、磁性パターン部近傍に偏在して残存するように、磁性層に対しエッチングを行う請求項１から２のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 第１の非磁性材料の量が、一の前記磁性パターン部が形成される部分以外の凹部における第１の非磁性材料の全質量に対して５質量％以上残存するように、磁性層に対しエッチングを行う請求項３に記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 第１の非磁性材料、及び第２の非磁性材料が、Ｐｔ、Ｓｉ、及びＴｉのいずれかを含む請求項１から４のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 第１の非磁性材料、及び第２の非磁性材料が、Ｐｔ、Ｓｉ、及びＴｉのいずれかの酸化物を含む請求項１から５のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法。
- 請求項１から６のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法によって製造されたことを特徴とする磁気記録媒体。
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