JP5421380B2

JP5421380B2 - モールド

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Publication number: JP5421380B2
Application number: JP2011531657A
Authority: JP
Inventors: 裕一大沢; 順一伊藤; 智崇有賀; 義成黒崎; 沙織柏田
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Priority date: 2009-09-18
Filing date: 2009-09-18
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Description

本発明は、モールドに関する。

微細な凹凸パターンを基板表面に施すために、光硬化樹脂を含むポリマー等を基板表面に塗布し、モールドと呼ばれる凹凸のついた押し板を基板表面に押し付けて、微細な凹凸パターンを基板表面に転写するＮＩＬ（Ｎａｎｏ−ＩｍｐｒｉｎｔＬｉｔｏｇｒａｐｈｙ）と呼ばれる技術がある。

特開２００６−１６４３９３号公報には、モールドの凹凸パターンに傾きを付加し、左右対称の山形の凹凸形状を基板表面に転写する技術が開示されている。

しかしながら、特開２００６−１６４３９３号公報に開示された技術では、モールドを押し付ける力にともなってパターンサイズが変化するので、押し付ける力の制御を厳密に行わなければ、パターンサイズにバラツキが生じてしまう。

特開２００６−１６４３９３号公報

そこで、本発明はパターンサイズのバラツキが少ないモールドを提供する。

本発明のモールドは、上面及び４つの側面を有する第１及び第２の突起が対になってベース層上に複数形成され、前記第１及び第２の突起は鏡面対称的な形状であり、前記第１の突起を構成する第１の側面と前記第２の突起を構成する第２の側面は互いに面内で対向しており、前記第１及び第２の側面と前記ベース層主面とのなす角が85°以上９０°以下であり、前記第１の突起内で前記第１の側面に対して対向する第３の側面、及び前記第２の突起内で前記第２の側面に対し対向する第４の側面と前記ベース層主面とのなす角が７０°以上８８°以下であることを特徴とする。

本発明によれば、パターンサイズのバラツキが少ないモールドを提供することができる。

本発明の第１の実施形態に係るモールドを示す図。第１の実施形態を説明するための図。モールドを基板上に塗布されたポリマーに押し付けたときの位置ズレを説明するための図。モールドを基板上に塗布されたポリマーに押し付けたときのパターン幅のバラツキを説明するための図。モールドを基板上に塗布されたポリマーに押し付けたときのパターン幅のバラツキを説明するための図。パターン幅の広がりを説明するための図。第１の実施形態に係るモールドの製造工程を説明するための図。本発明の第２の実施形態に係るモールドを示す図。第２の実施形態を説明するための図。第２の実施形態に係るモールドの製造工程を説明するための図。第１の変形例を説明するための図。第１の変形例に係るモールドの製造工程を説明するための図。角度を説明するための図。第１の実施形態に係るモールドの位置ズレ量の測定結果を示す図。第２の実施形態に係るモールドの位置ズレ量の測定結果を示す図。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。また、以下説明する図面において、符号が一致するものは、同じものを示しており、重複した説明は省略する。また、本実施形態は、基板上に塗布されたポリマーにナノメートルの大きさのパターンを形成するインプリント技術を想定している。

（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係るモールド１０について説明する。

図１は、本実施形態に係るモールド１０を示す概略図である。

本実施形態に係るモールドは、図１（ａ）に示ように、対になって２つの突起２０、２１がベース層３０上に複数形成されている。これらの突起２０、２１は、上面と４つの側面を有する。また、突起２０、２１は、急峻な側面２０a、２１aを有し、さらに側面２０a、２１aに対向してなだらかな側面２０ｂ、２１ｂを有している。

突起２０、２１を構成する側面２０a、２０ｂと突起２１を構成する側面２１a、２１ｂは互いに鏡面対称的な形状を有し、急峻な側面２０aと急峻な側面２０ｂは互いに対向し、なだらかな側面２１aとなだらかな側面２１ｂは互いに対向している。つまり、側面２０aと側面２１a、並びに側面２０ｂと側面２１ｂは鏡面の関係にあり、突起２０と突起２１の中心における中心線を基準として、突起２０を反転させると突起２１の形状と重なり合う関係にある。

さらに、ある１つの方向からみると、図１（ｂ）に示すように、突起２０、２１を構成する１つの急峻な側面２０ａ、２１ａは互いに面内で対向している。ここで、突起２０、２１の側面２０ａ、２１ａが面内で対向している方向をＸ軸方向とする。

また、突起２０、２１のｘ軸方向の上面の幅Ｔは５ｎｍ、下面の幅Ｂは５．９ｎｍ、高さｈは１０ｎｍである。これらの突起２０、２１はｘ軸方向に３．２ｎｍ離間してベース層３０上に形成されている。

なお、側面２０ａ、２１ａとベース層３０の主面とのなす角は、９０°であるが、８５°以上９０°以下でも本実施形態の効果は得られる。また、突起２０、２１内で側面２０ａ、２１ａに対向する側面２０ｂ、２１ｂとベース層３０の主面とのなす角θは７０°以上８８°以下である。このとき、側面２０a、２１aとベース層３０の主面とのなす角は、側面２０ｂ、２１ｂとベース層３０の主面とのなす角よりも大きいことが好ましい。

ベース層３０には、石英ガラスを用いることができる。突起２０，２１には、シリコン、シリコン酸化物、アルミ酸化物等を用いることができる。

このような対称形状を有する突起２０、２１をベース層３０上に複数形成することで、ポリマーが塗布された基板に対してパターンサイズのバラツキを少なくすることができる。これは、図２Ａに示すように、傾きの緩やかな方向にポリマーが押し出されやすい傾向があり、押し出されるときに生じるｘ軸方向への力２０ｃ、２１ｃが互いに相殺されるからである。

また、背景技術で説明した以外にも、モールド１０を基板に塗布されたポリマーに対して押し付ける際に生じる位置ズレという問題もある。

図２Ｂは、位置ズレを説明するための図である。図２Ｂ（ａ）は、モールドを基板に塗布されたポリマーに対して押し付ける際の位置あわせを示す図である。図２Ｂ（ｂ）は、モールドを基板に塗布されたポリマーに押し付けている図である。

図２Ｂ（ａ）に示すように、初めに位置あわせをして、図２（ｂ）に示すように、モールドを基板に塗布されたポリマーに押し付ける。モールドの下降までは位置ズレは発生しないが、ポリマーを数ｔかけて押し込むので、ポリマーにモールドを押し付けた後には約１０ｎｍ以上の位置ズレが生じてしまうことがわかっている。

本実施形態に係るモールド１０では、対になった対称形状の２つの突起をモールド１０に複数形成することで、ポリマーを押し流す方向を決定できるので、位置ズレを抑制することができる。

また、本実施形態に係るモールド１０を用いることで、モールドを基板上に塗布されたポリマーに押し込んで、モールドを引き上げた際にポリマーに形成されたパターン幅のバラツキも抑制することができる。パターン幅のバラツキは、基板に塗布されたポリマーが押し付けられる圧力が、押し付けられる場所によって異なるために生じる。これは、一般的に、モールドを基板上に塗布されたポリマーに押し付ける場合、基板の面内に対して均一の圧力を加えることが難しいからである。

以下、パターン幅のバラツキについて説明する。

図２Ｃは、山型形状の突起を複数有するモールドを基板に塗布されたポリマーに押し付けたときの、パターン幅のバラツキが生じる理由を説明するための図である。

図２Ｃ（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は基板上に塗布されたポリマーをモールドで押し付けたときに、加わる圧力が大きい場合のポリマー断面を示し、図２Ｃ（ｄ）、（ｅ）、（ｆ）は基板上に塗布されたポリマーをモールドで押し付けたときに、加わる圧力が小さい場合のポリマー断面を示している。

まず、図２Ｃ（ａ）、（ｄ）に示すように、図２Ｃ（ａ）に示す状態では、ポリマーに加わる圧力が大きく、図２Ｃ（ｄ）に示す状態では、ポリマーに加わる圧力が小さい。よって、加わる圧力の大きさの違いにより、ポリマーに形成されるパターンの幅にバラツキが生じる。

次に、図２Ｃ（ｂ）、（ｅ）に示すように、ＵＶ光照射を行い、ポリマーを硬化させ、モールドを引き離す。その後、基板上に塗布されたポリマーに加わる圧力が大きい場合（図２Ｃ（ｂ））には、残渣ｄ_１が生じる。

一方で、基板上に塗布されたポリマーに加わる圧力が小さい場合（図２Ｃ（e））には、残渣ｄ_２が生じる。

この残渣ｄ_１、ｄ_２は、残渣ｄ_２の厚さの方が厚くなる。これは、残渣ｄ_２が生じる場所のほうが、基板に塗布されたポリマーに加わる圧力が小さいからである。

この後、図２Ｃ（ｃ）、（ｆ）に示すように、残渣ｄ_１、ｄ_２を酸素プラズマで除去して、基板表面の一部を露出させ、ポリマーのパターンを形成する。この場合、全ての残渣を除去しなければならないので、残渣の厚さが厚い方の残渣ｄ_２の厚さに合わせてポリマーをエッチングする。ここで、残渣を除去したあとの基板表面が露出した部分の幅（パターン幅）を、基板上に塗布されたポリマーに加わる圧力が大きい場所でｗ_１、基板上に塗布されたポリマーに加わる圧力が小さい場所でｗ_２とする。

このとき、基板に塗布されたポリマーは、残渣の厚さが厚い方の部分を削るように、設定されているので、基板上に塗布されたポリマーに加わる圧力が大きい場所はより多く削られる。このため、パターン幅ｗ_１は、パターン幅ｗ_２よりも大きくなる。

一方で、本実施形態のように、一方の側面２０a、２１aとベース層３０の主面とのなす角を９０°、他方の側面２０ｂ、２１ｂとベース層３０の主面とのなす角を７０°以上８８°以下と設定すると、パターン幅の差、すなわち、パターン幅のバラツキは減少する。

図２Ｄは、本実施形態におけるモールド１０を用いて、基板表面にパターンを形成した場合と、山型の凹凸形状を有するモールドを用いて、基板表面にパターンを形成した場合とで、パターン幅のバラツキ（ｗ_１−ｗ_２）がどれだけ変化するかを示す図である。図２Ｄに示す実線は、山型形状の凹凸を構成する突起の先端部分の幅が１０ｎｍのモールドを用いた場合を示し、破線は、本実施形態の突起の上面の幅が１０ｎｍの場合を示す。なお、本実施形態に係るモールド１０の側面２０a、２１aとベース層３０の主面とのなす角は９０°に固定し、側面２０ｂ、２１ｂとベース層の主面とのなす角７０°から９０°で変化させた。一方で、山型の場合は、モールドを構成する基板主面と凹凸とのなす角を７０°から９０°で変化させている。

図２Ｄから、例えば、角度８０°におけるパターン幅のバラツキは山型で３．５ｎｍ、本実施形態では１．８ｎｍと小さいことがわかる。

このように、本実施形態のモールドと山形のモールドとで、パターン幅のバラツキが２倍近く異なるのは、図２Ｅを用いて説明できる。

図２Ｅは、図２Ｄ（ｂ）、（e）に示す、ポリマー残渣ｄ_２とポリマー残渣ｄ_１
の差とパターン幅との関係を説明する図である。

図２Ｅに示すように、酸素プラズマで残差を除去すると、パターン幅には、以下の式１に示す幅aだけ、広がる。

よって、山型のモールドの場合、モールドを構成する突起の斜面が２つあるので、本実施形態のモールドと比較して２倍の幅aを有する。したがって、本実施形態と比較して山型のモールドでは、パターン幅のバラツキが２倍近くになる。

次に、本実施形態のモールド１０の製造方法について、図３を用いて説明する。

図３（ａ）に示すように、厚さ０．７ｍｍのベース層３０上にアモルファスＳｉ（以下、ａ−Ｓｉと呼ぶ。）３１層を２０ｎｍ、ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成する。ａ−Ｓｉ層３１上に、ＣＶＤ法を用いて厚さ５ｎｍのシリコン酸化物層３２を形成する。さらに、シリコン酸化物層３２上に電子線描画用レジスト（以下、レジストと呼ぶ。）層３３をスピンコートで塗布する。さらに、レジスト層３３に電子線描画を施して、現像を行い、約１０ｎｍ幅のスペース及び３０ｎｍのラインを作製する。

次に、図３（ｂ）に示すように、ＣＨＦ_３ガスを用いてＲＩＥ(ＲｅａｃｔｉｖｅＩｏｎＥｔｈｃｉｎｇ）を２０℃で行い、酸素アッシャーでレジスト層３３を除去する。このとき、シリコン酸化物層３２の側壁はシリコン酸化物の再付着による保護で、ベース層３０の主面に対して約８５°の傾きが形成される。

次に、図３（ｃ）に示すように、再びレジストを塗布し、シリコン酸化物層３２が形成されていない部分に約１０ｎｍのスペースを形成する。

次に、図３（ｄ）に示すように、ＣＨＦ_３ガスを用いて１２０℃でＲＩＥを行い、ａ−Ｓｉ層３１をエッチングストッパー層として、シリコン酸化物層３２をエッチングする。このとき、シリコン酸化物層３２の側壁には、シリコン酸化物が再付着しにくいので、ベース層３０の主面とのなす角度が９０°に近い溝が加工される。

最後に、図３（ｅ）に示すように、レジスト層３３を酸素アッシャーで除去することでベース層３０上に１０ｎｍのラインアンドスペースの凹凸パターンが形成され、本実施形態に係るモールド１０を製造することができる。

本実施形態のモールド１０を用いることで、ポリマーが塗布された基板に対してパターンサイズのバラツキを少なくすることができる。さらに、モールド１０を基板に塗布されたポリマーに対して押し付ける際に生じる位置ズレを抑制することができる。

また、モールドを押し込んで、モールドを引き上げた後に基板に塗布されたポリマーに形成されたパターン幅のバラツキも抑制することができる。

（第２の実施形態）
図４は、本実施形態に係るモールド１００を説明する図である。

本実施形態に係るモールド１００は、図４（ａ）に示すように、突起１２０、１２１を構成する側面１２０ｂ、１２１ｂとベース層１３０の主面とのなす角が８５°以上９０°以下である点、及び突起１２０、１２１の上面１２０ｃ、１２１ｃがベース層１３０の主面に対して傾いている点がモールド１０と相違する。

モールド１００を構成する突起１２０、１２１のｘ軸方向の上面の幅Ｔは５ｎｍ、側面１２０ａ、１２１ａのベース層１３０の主面からの高さｈは１０ｎｍであり、突起１２０と突起１２１が面内で対向する側面１２０ａ、１２１ａのベース層１３０の主面からの高さは側面１２０ａ、１２１ａにそれぞれ対向する側面１２０ｂ、１２１ｂのベース層１３０の主面からの高さよりも高く、その差ｈ１は０．４ｎｍである。また、ベース層１３０の主面と突起１２０、１２１の上面１２０ｃ、１２１ｃとのなす角θは２°以上２０°以下である。

なお、突起１２０、１２１の上面１２０ｃ、１２１ｃの形状は、図５ (ｃ)に示すように、円弧状でもよいし、図５(ｄ)に示すように側面１２０ｂ、１２１ｂ側に凹凸を有していてもよい。また、図５(ｅ)に示すように側面１２０ｂ、１２１ｂの上部にアルミ酸化物を形成してもよい。このように、アルミ酸化物を上部に形成することで、突起１２０、１２１の上部の強度を上げることができ、パターンサイズのバラツキを小さくすることができる。

次に、本実施形態のモールド１００の製造方法について、図６及び図７を用いて説明する。

図６（ａ）に示すように、厚さ０．７ｍｍのベース層１３０上にアルミ酸化物層１３１を５ｎｍ、ａ−Ｓｉ層１３２を２０ｎｍ、ＣＶＤ（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｕｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成する。さらに、スパッタ法を用いて、ａ−Ｓｉ層１３２上に、カーボン層１３３を１５ｎｍ、アルミ酸化物層１３４を３ｎｍ形成する。最後に、マスクパターンとなるレジスト層１３５を形成する。

次に、図６（ｂ）に示すように、レジスト層１３５をマスクとして、アルミ酸化物層１３４をＣＨＦ_３ガスによるＲＩＥ（ＲｅａｃｔｅｄＩｏｎＥｔｈｃｉｎｇ）法によりエッチングを行い、酸素ガスによるＲＩＥ法によりカーボン層１３３をエッチングする。このとき、レジスト層１３５は除去される。

次に、図６（ｃ）に示すように、カーボン層１３３上に残ったアルミ酸化物層１３４をＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキシド）に浸漬して除去した後、残ったカーボン層１３３上にＡＬＤ（ＡｔｏｍｉｃＬａｙｅｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法を用いてシリコン酸化物層１３６を５ｎｍ形成する。

次に、図６（ｄ）に示すように、シリコン酸化物層１３６上にアルミ酸化物層１３７を形成する。

次に、図６（ｅ）に示すように、ＣＨＦ_３ガスを用いてＲＩＥを行って、アルミ酸化物層１３７及びシリコン酸化物層１３６をエッチングする。このとき、アルミ酸化物はシリコン酸化物に比べてエッチングレートが遅いため、側壁方向に傾きが発生しにくい。そのため、垂直壁が形成されやすい。

最後に、図６（ｆ）に示すように、酸素によるＲＩＥを行うことでカーボン層１３３が除去され、モールド１００を製造することができる。

（第１の変形例）
図７は、本変形例に係るモールド２００を説明する図である。本変形例に係るモールド２００は、図７（ａ）に示すように、突起２２０、２２１が、突起２０、２１及び突起１２０、１２１の組み合わせである点である。

つまり、図７（ｂ）に示すように、突起２２０、２２１の上面２２０ｃ、２２１ｃがベース層２３０の主面に対して傾き、側面２２０ａ、２２１ａとベース層２３０の主面とのなす角が９０°、側面２２０ｂ、２２１ｂとベース層２３０の主面とのなす角が７０°以上８８°以下であるということである。

なお、突起２２０、２２１の上面の幅は５ｎｍ、側面２２０ａ、２２１ａのベース層２３０の主面からの高さは１０ｎｍ、突起２２０と突起２２１が面内で対向する側面２２０ａ、２２１ａのベース層２３０の主面からの高さは側面２２０ａ、２２１ａにそれぞれ対向する側面２２０ｂ、２２１ｂのベース層２３０の主面からの高さよりも高く、その差ｈ１は０．４ｎｍである。また、ベース層２３０の主面と突起２２０、２２１の上面２２０ｃ、２２１ｃとのなす角θ１は３°以上２０°以下であり、側面２２０ｂ、２２１ｂとベース層２３０の主面とのなす角は７０°以上８８°以下である。

次に本変形例のモールド２００の製造方法について説明する。

初めの工程は、図６（ａ）〜図６（ｃ）までの工程を行う。なお、図６（ａ）〜図６（ｃ）までの工程についての説明は省略する。

次に、図８Ａ（ａ）に示すように、ＣＨＦ_３ガスを用いたＲＩＥにてシリコン酸化物層１３６を異方性エッチングする。このとき、カーボン層１３３の上部および下部のシリコン酸化物層１３６が選択的にエッチングされ、シリコン酸化物層１３６の側壁上部は、ベース層１３０の主面に対して傾きが形成され（図中ｔ）、さらにシリコン酸化物層１３６の側壁の下部にも、ベース層１３０の主面に対して傾きが形成される（図中ｓ）。このＲＩＥにより形成されたシリコン酸化物層１３６の側壁をｕと表記する。この工程により、カーボン層１３３が露出する。

次に、図８Ａ（ｂ）に示すように、酸素ガスを用いたＲＩＥによりカーボン層１３３を除去する。これにより、カーボン層１３３上に形成されたシリコン酸化物層１３６の側壁（図中、ｖ）とベース層１３０の主面とのなす角は９０°に近くなる。

本変形例に係るモールド２００においても、バラツキの少ないパターンサイズを基板表面に塗布された光化学樹脂に形成することができる。

上記した実施形態、及び変形例は、モールドに導電性膜を形成して、Ｎｉ等のメッキを行い反転させた型を取得し、その反転させた型を用いてポリマー表面を押し付ける場合にも該当する。また、上記した実施形態及び変形例は、これに限らず、Ｎｉ等のメッキを行い反転させた型を用いて、さらに、それからＮｉ等のメッキを行い反転させた型を取得することができる。

また、上記した実施形態、及び変形例で、角度を定義するとき、その角度を構成する２つの面が尾を引くような形状を有する場合、モールドを構成する突起の高さｈの５０％の位置を実質的に側面角度として定義できる。

また、突起の上面とベース層主面との角度差に関しても、上面高さの50％における角度とベース層主面との角度差と定義できる。

（実施例１）
モールド１０を用いて、側面２０ｂ、２１ｂとベース層３０の主面とのなす角θを９０°から小さくしていくと、モールド１０を基板上に塗布されたポリマーを押し込んだときにどれくらいの位置ズレが生じるかを調べた。なお、側面２０ｂ、２１ｂに対向する側面２０a、２１aは約９０°である。

図９は、モールド１０をガラス基板上に塗布された光硬化型樹脂含有ポリマーを１ＭＰａの圧力で、１０秒間押し付けてＵＶ照射し、位置ズレの分散量をＳＥＭ（ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）で多点測定を行い、グラフ化した図である。図９の縦軸は、位置ズレ量を示し、横軸は、突起２０、２１の側面２０ｂ、２１ｂとベース層３０の主面とのなす角と、突起２０、２１を構成する側面２０a、２１aとベース層３０の主面とのなす角との角度差を示す。なお、側面２０a、２１aとベース層３０の主面とのなす角は約９０°に設定している。

一般的に、位置ズレの分散量は３σで定義され、このときの１σは１５ｎｍであった。この点を１として規格化している。

横軸の角度差が大きくなるにつれ分散が小さくなることがわかる。また、角度差が２°以上にすると、パターンサイズの位置ズレを小さくすることができることがわかる。

なお、側面２０ａ、２１ａは垂直のみに限らず、側面２０ａ、２１ａがベース層３０と傾きを有していても、側面２０ｂ、２１ｂとベース層３０の主面とに傾きがあれば位置ズレの分散量が減少する効果があった。このときの側面２０a、２１aとベース層３０の主面とのなす角は、８５°以上９０°以下であった。

また、図９中で、角度差が０°では、両側の側壁が略垂直な場合であるが、この場合、ポリマーが優先的に押し出される方向が決まっていないため、モールドの基板への押し付け時のわずかな傾きが位置ズレのバラツキの大きな要因となってしまう。その傾きはプレス工程ごとに毎回わずかながら異なってしまう。

そのため、斜めにモールドが基板に接触するとポリマーが押し流される方向はその傾きの影響を受けて、全体的にその方向に流れる傾向がある。その結果、位置ズレを大きくしてしまう。

一方、本発明に係るモールドでは、ポリマーからモールドへのズレの力が最も強く加わる突起先端部が優先的にポリマーを押し流す方向が決まっている。そのため、プレス工程におけるモールドと基板との押し付け開始時の傾きバラツキの影響を受けにくいと考えられる。

（実施例２）
モールド１００を用いて、突起１２０、１２１の上面１２０ｃ、１２１ｃとベース層１３０の主面となす角を０°からその値を大きくしていくと、モールド１００を基板上に塗布されたポリマーを押し込んだときに、どれくらいの位置ズレが生じるかを調べた。

図１０は、モールド１００をガラス基板上に塗布された光硬化型樹脂含有ポリマーを１ＭＰａの圧力で、１０秒間押し付けてＵＶ照射し、アライメント位置ズレをＳＥＭで読み取り、グラフ化した図である。図１０の縦軸は、位置ズレの分散量を示し、横軸は、突起１２０、１２１の上面１２０ｃ、１２１ｃとベース層１３０の主面とのなす角θを０°からその値を大きくしていったときの、０°からの角度差を示す。

なお、実施例１と同様に、角度差が０°では、位置ズレの分散量は１σが約１５ｎｍであった。よって、この点を１として規格化している。規格化の説明は、実施例１と同様であるので、説明は省略する。

角度差が１°程度までは位置ズレの分散量は変化しないが、３°以上から急激に低減することがわかる。

これも、実施例１と同様に、突起１２０、１２１の上面１２０ｃ、１２１ｃとベース層１３０の主面とが傾きを有していることにより、ガラス基板上に塗布された光硬化型樹脂含有ポリマーを上面で押し出しやすいさ方向が決まり、ポリマーからの力は隣り合って設置される左右反転した突起で相殺しあうため、全体的にはゼロとなる。

そのため、プレス工程におけるモールドと基板との初期接触角度のバラツキの影響を受けにくくなるためと考えられる。

なし

Claims

同一直線上に、上面及び４つの側面を有する第１及び第２の突起が対になってベース層上に複数形成され、
前記第１及び第２の突起は鏡面対称的な形状であり、
前記第１の突起を構成する第１の側面と前記第２の突起を構成する第２の側面は互いに面内で対向しており、
前記第１及び第２の側面と前記ベース層主面とのなす角θ１が８５°以上９０°以下であり、
前記第１の突起内で前記第１の側面に対して対向する第３の側面、及び前記第２の突起内で前記第２の側面に対して対向する第４の側面と前記ベース層主面とのなす角θ２が７０°以上８８°以下であり、前記θ１は前記θ２よりも大きく、前記第１及び第２の側面と前記ベース層主面とのなす角と前記第３及び第４の側面と前記ベース層主面とのなす角との差が３°以上であるナノインプリントモールド。
前記第１及び第２の突起の上面と前記ベース層の主面とのなす角が３°以上２０°以下である請求項１に記載のナノインプリントモールド。
前記第３及び第４の側面の上部がアルミ酸化物である請求項１に記載のナノインプリントモールド。
前記第１及び第２の突起の上面が曲面形状又は、凹凸形状である請求項１に記載のナノインプリントモールド。
同一直線状に、上面及び４つの側面を有する第１及び第２の突起が対になってベース層上に複数形成され、
前記第１及び第２の突起は鏡面対称的な形状であり、前記第１の突起を構成する第１の側面と前記第２の突起を構成する第２の側面は互いに面内で対向しており、
前記第１及び第２の側面と前記ベース層主面とのなす角θ１が８５°以上９０°以下であり、
前記第１の突起内で前記第１の側面に対して対向する第３の側面、及び前記第２の突起内で前記第２の側面に対し対向する第４の側面と前記ベース層主面とのなす角θ２が８５°以上９０°以下であり、
前記第１及び第２の突起の上面と前記ベース層の主面とのなす角が２°以上２０°以下であり、
前記θ１は前記θ２よりも大きく、前記第１及び第２の側面と前記ベース層主面とのなす角と前記第３及び第４の側面と前記ベース層主面とのなす角との差が３°以上であるナノインプリントモールド。
請求項１に記載のナノインプリントモールドを用いて、基板上に塗布された光硬化型樹脂含有ポリマーを押圧して凹凸形状を前記光硬化型樹脂含有ポリマーに転写する請求項１に記載のナノインプリントモールド。