TWI475335B - 抗蝕劑圖案形成方法以及使用該抗蝕劑圖案的圖案化基板的製造方法 - Google Patents

抗蝕劑圖案形成方法以及使用該抗蝕劑圖案的圖案化基板的製造方法 Download PDF

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Description

抗蝕劑圖案形成方法以及使用該抗蝕劑圖案的圖案化基板的製造方法
本發明是關於一種使用表面上具有預定突起及凹部圖案的模具形成抗蝕劑圖案的方法，以及使用所述抗蝕劑圖案製造圖案化基板之方法。
在製造磁記錄媒體(如離散軌道媒體(Discrete Track Media，DTM)及位元圖案化媒體(Bit Patterned Media，BPM))及半導體元件之應用中，使用奈米壓印法(nano imprinting method)將圖案轉移至塗佈在欲加工物件上之抗蝕劑上的圖案轉移技術是受到高度期待的。
奈米壓印法為用於製造光碟之熟知模壓技術的發展。在奈米壓印法中，將其上形成有突起及凹部圖案之模具(通常稱作模具、壓模或模板)按壓在塗佈在作為欲加工物件之基板上的抗蝕劑上。將原型按壓於抗蝕劑上使抗蝕劑機械變形或流動而精確地轉移精細圖案。一旦製造了模具，則可以簡單方式重複模製奈米級精細結構。因此，奈米壓印法為產生極少有害廢物及排放物之經濟轉移技術。因此，在各種領域中應用奈米壓印法是受到高度期望的。
已知存在如下案例，即，不能由模具之突起及凹部圖案之突起移除的抗蝕劑薄膜(殘餘膜)剩餘在抗蝕劑膜中藉由奈米壓印形成之抗蝕劑圖案之凹部中。亦已知所述殘餘膜影響蝕刻其上形成有該等抗蝕劑膜之基板的蝕刻步 驟。
因此，如專利文獻1中所揭示，蝕刻基板之步驟一般在移除殘餘膜後執行。
[先前技術文獻]
[專利文獻1]
日本專利第4322096號
已知在藉由蝕刻來移除殘餘膜時亦蝕刻抗蝕劑圖案之突起的側壁(所謂的「側面蝕刻(side etching)」)。在如專利文獻1中藉由使用氧氣或稀有氣體之電漿蝕刻來蝕刻殘餘膜之情況下，抗蝕劑圖案越精細，側面蝕刻之影響越顯著。因此，抗蝕劑圖案之突起可能被破壞且變得不連續。在所述情況下，在蝕刻作為抗蝕劑圖案之襯底層(backing layer)之基板的步驟中，在基板中不能形成目標圖案，且加工精度劣化。即使在蝕刻殘餘膜時，突起未被破壞至使其變得不連續之程度，突起之寬度因側面蝕刻而減小亦不可避免。在所述情況下，充當遮罩之突起可能因蝕刻基板之步驟期間的側面蝕刻而變得不連續或破裂，使得不能在基板上形成目標圖案且加工精度劣化。
為解決上述問題，殘餘膜蝕刻步驟完成時抗蝕劑圖案之突起的寬度必須等於殘餘蝕刻步驟前抗蝕劑圖案之突起的寬度，或者，若考慮到蝕刻襯底基板之步驟期間將發生的側面蝕刻，必須為寬於殘餘蝕刻步驟前抗蝕劑圖案之突起的寬度的目標值。
本發明鑒於上述情形而開發。本發明之一目的為提供 一種形成抗蝕劑圖案之方法，其使得殘餘膜蝕刻步驟後抗蝕劑圖案之突起的寬度為大於或等於殘餘膜蝕刻步驟前抗蝕劑圖案之突起的寬度的目標值。
本發明之另一目的為提供一種使用抗蝕劑圖案作為遮罩，並藉由蝕刻來製造基板的方法，其使得對應於抗蝕劑圖案之突起及凹部圖案的加工精度提高。
達成上述目的之本發明之抗蝕劑圖案形成方法包括：將表面上具有突起及凹部精細圖案之模具的突起及凹部精細圖案按壓在基板上之抗蝕劑膜上；分離模具與抗蝕劑膜，且將突起及凹部圖案轉移至抗蝕劑膜上；以及藉由反應性離子蝕刻法執行殘餘膜蝕刻步驟，以蝕刻抗蝕劑膜而移除其上已轉移有突起及凹部圖案之抗蝕劑膜的殘餘膜；且該方法之特徵為：殘餘膜蝕刻步驟包含：第一蝕刻步驟，其使用包含在蝕刻期間產生沈降物之沈降氣體的第一蝕刻氣體，以在蝕刻殘餘膜時沈降物沈積於抗蝕劑圖案之突起之側壁上的條件下蝕刻抗蝕劑膜，所述抗蝕劑圖案為轉移至抗蝕劑膜上之突起及凹部圖案；及第一蝕刻步驟後之步驟，其蝕刻抗蝕劑膜以使得包含沈積沈降物之突起的寬度變成大於或等於殘餘膜蝕刻步驟前突起之寬度的目標寬度。
在本說明書中，表述「沈降物沈積」於抗蝕劑圖案之突起(其為抗蝕劑圖案之突起圖案)之側壁上，指沈降物 僅沈積於側壁上之狀況，且亦指沈降物黏合於側壁之能力大於沈降物沈積於欲蝕刻側壁上之能力而使得沈降物沈積於側壁上的狀況。
表述「蝕刻殘餘膜」指沈降物黏合於抗蝕劑圖案之凹部之底部的能力小於沈降物沈積於欲蝕刻底部上之能力，使得沈降物不沈積於底部上且殘餘膜逐漸被蝕刻的狀況。
殘餘膜蝕刻步驟包含「第一蝕刻步驟後之步驟，其蝕刻抗蝕劑膜，使得包含沈積沈降物之突起的寬度變成大於或等於殘餘膜蝕刻步驟前突起之寬度的目標寬度」。這意謂著殘餘蝕刻步驟為如下步驟，其蝕刻抗蝕劑膜，使得包含沈積沈降物之突起的寬度變成大於或等於殘餘膜蝕刻步驟前藉由第一蝕刻步驟達成之突起的寬度的目標寬度。或者，其意謂抗蝕劑膜藉由第一蝕刻步驟後之其他蝕刻步驟蝕刻，使得包含沈積沈降物之突起的寬度變成大於或等於殘餘膜蝕刻步驟前突起之寬度的目標寬度。
「目標值(desired value)」為在使用形成有抗蝕劑圖案之抗蝕劑膜作為遮罩蝕刻襯底層基板時需要之突起寬度。寬度指包含所沈積沈降物之突起的寬度。
在本發明之抗蝕劑圖案形成方法中，沈降氣體較佳為由CHx F4-x 表示之氟碳(fluorocarbon)氣體，其中x為在0至3範圍內之整數。
在本發明之抗蝕劑圖案形成方法中，沈降氣體較佳為CF4 、CHF3 及CH2 F2 中之至少一者。
在本發明之抗蝕劑圖案形成方法中，第一蝕刻氣體中 沈降氣體之比率較佳在0.05至0.5的範圍內。
在本發明之抗蝕劑圖案形成方法中，第一蝕刻氣體較佳包含氧氣。在此情況下，第一蝕刻氣體中氧氣相對於沈降氣體之比率較佳在0.01至5的範圍內。
在本發明之抗蝕劑圖案形成方法中，第一蝕刻氣體較佳包含稀有氣體。在此情況下，第一蝕刻氣體中稀有氣體相對於沈降氣體之比率較佳在0.8至10的範圍內。
在本發明之抗蝕劑圖案形成方法中，第一蝕刻步驟期間之蝕刻較佳使得包含所沈積沈降物之突起的寬度大於目標值；且殘餘膜蝕刻步驟較佳在第一蝕刻步驟後包含第二蝕刻步驟，其蝕刻沈積於突起側壁上之沈降物，使得包含沈積沈降物之突起的寬度變成目標值。
在本發明之抗蝕劑圖案形成方法中，第一蝕刻氣體中沈降氣體之百分比較佳大於在第二蝕刻步驟期間使用之第二蝕刻氣體中沈降氣體之百分比。
在本發明之抗蝕劑圖案形成方法中，第一蝕刻氣體中氧氣之百分比較佳小於在第二蝕刻步驟期間使用之第二蝕刻氣體中氧氣之百分比。
在本發明之抗蝕劑圖案形成方法中，反應性離子蝕刻法較佳為使用感應耦合(inductive coupling)、電容耦合(capacitive coupling)及電子迴旋共振(electron cyclotron resonance)之一作為電漿產生技術的蝕刻法。
在本發明之抗蝕劑圖案形成方法中，較佳是基板在其上形成抗蝕劑膜之表面上具有至少一個遮罩層。
在本發明之抗蝕劑圖案形成方法中，至少一個遮罩層較佳包含至少一個包含鉻及/或氧化鉻之層。
此外，本發明的圖案化基板的製造方法的特徵包括：
藉由如申請專利範圍第1項至第14項中任一項所述之抗蝕劑圖案形成方法，於抗蝕劑膜上形成抗蝕劑圖案；以及使用抗蝕劑膜作為遮罩蝕刻基板，以在基板之表面上形成對應於抗蝕劑圖案之突起及凹部圖案。
本發明之抗蝕劑圖案形成方法之特徵為殘餘膜蝕刻步驟包含第一蝕刻步驟，所述第一蝕刻步驟使用包含在蝕刻期間產生沈降物之沈降氣體的第一蝕刻氣體蝕刻抗蝕劑膜，使得在蝕刻殘餘膜時沈降物沈積於抗蝕劑圖案之突起之側壁上，所述抗蝕劑圖案為轉移至抗蝕劑膜上之突起及凹部圖案。因此，包含沈積沈降物之突起的寬度可能變成大於或等於殘餘膜蝕刻步驟前突起之寬度的目標寬度。這被認為是因為沈積於側壁上之沈降物抑制抗蝕劑圖案之突起的抗蝕劑部分被蝕刻，且沈降物自身補償突起之經蝕刻抗蝕劑部分。
另外，本發明之形成圖案化基板之方法的特徵為藉由上述抗蝕劑圖案形成方法，於抗蝕劑膜上形成抗蝕劑圖案，及使用抗蝕劑膜作為遮罩蝕刻基板，以在基板之表面上形成對應於抗蝕劑圖案之突起及凹部圖案。因此，可使用突起具有大於或等於殘餘膜蝕刻步驟前突起之寬度的目標值之寬度的抗蝕劑圖案作為遮罩進行蝕刻。因此，可提 高圖案化基板製造中製造對應於抗蝕劑圖案之突起及凹部圖案的精度。
在下文中，參考隨附圖式描述本發明之實施例。然而，本發明並不限於下述實施例。請注意，在圖式中，構成元件之尺寸有別於其實際尺寸進行繪製以便於其視覺識別。
[抗蝕劑圖案形成方法]
首先描述抗蝕劑圖案形成方法之一實施例。圖1A為說明本發明之一實施例之抗蝕劑圖案形成方法中所用之模具的示意性剖視圖。圖1B為說明圖1A中模具之圖案化區域之一部分的橫截面的示意性放大圖。圖2A至圖2C為說明本發明實施例之抗蝕劑圖案形成方法之步驟的示意性剖視圖。
本發明實施例之抗蝕劑圖案形成方法將表面上具有突起及凹部精細圖案13之模具1按壓在基板3上形成之抗蝕劑膜2上(圖2A)。隨後，分離模具1與抗蝕劑膜2以將突起及凹部圖案13轉移至抗蝕劑膜2上(圖2B)。隨後，使用反應性離子蝕刻法執行殘餘膜蝕刻步驟以移除其上已轉移有突起及凹部圖案13之抗蝕劑膜2的殘餘膜2b(圖2C)。本發明之抗蝕劑圖案形成方法之特徵為殘餘蝕刻步驟包含第一蝕刻步驟，其使用包含在蝕刻期間產生沈降物4之沈降氣體的第一蝕刻氣體，以在蝕刻殘餘膜2b時沈降物4沈積於抗蝕劑圖案之突起2a之側壁上之條件下蝕刻抗 蝕劑膜2，所述抗蝕劑圖案為轉移至抗蝕劑膜2上之突起及凹部圖案13；及第二蝕刻步驟，其蝕刻抗蝕劑膜2以使得包含所沈積沈降物4之突起2a的寬度W3變成大於或等於殘餘膜蝕刻步驟前突起2a之寬度的目標寬度。
(模具)
如圖1A及圖1B所說明，模具1由支撐部分12及在支撐部分12之表面上形成的突起及凹部精細圖案13構成。
支撐部分12之材料可為：金屬，諸如矽、鎳、鋁、鉻、鋼、鉭及鎢；其氧化物、氮化物及碳化物。支撐部分12之材料的特定實例包含氧化矽、氧化鋁、石英玻璃、派熱司(PyrexTM )玻璃及鈉玻璃(soda glass)。
突起及凹部圖案13之形狀無特別限制，且可視需要根據奈米壓印模具之預定用途選擇。典型圖案之一實例為如圖1A及圖1B所說明之線/間隙圖案。在線/間隙圖案中視需要設定線(突起)之長度、線之寬度W1、線間距離W2及自凹部底部起算之線之高度H(凹部深度)。舉例而言，線之寬度W1在10奈米至100奈米範圍內，更佳在20奈米至70奈米範圍內，線間距離W2在10奈米至500奈米範圍內，更佳在20奈米至100奈米範圍內，且線之高度H在10奈米至500奈米範圍內，更佳在30奈米至100奈米範圍內。另外，構成突起及凹部圖案13之突起的形狀可為具有矩形、圓形或橢圓形橫截面之點(dot)。
(基板)
作為加工目標之基板3在模具1具有透光特性之情況 下，在其形狀、結構、尺寸或材料方面無限制，且可根據預定用途選擇。在其上執行圖案轉移之基板3之表面為抗蝕劑塗佈表面。關於基板之形狀，在執行奈米壓印以製造資料記錄媒體之情況下，可使用具有圓盤(discoid)形狀之基板。關於基板之結構，可使用單層基板或可使用層合(laminated)基板。關於基板之材料，材料可選自用於基板之已知材料，諸如矽、鎳、鋁、玻璃及樹脂。這些材料可單獨或組合使用。基板之厚度無特別限制且可根據預定用途選擇。然而，基板之厚度較佳為0.05毫米或大於0.05毫米，且更佳為0.1毫米或大於0.1毫米。若基板之厚度小於0.05毫米，則在與模具緊密接觸期間基板可能彎曲，因此不能確保均勻緊密接觸狀態。同時，在模具1不具有透光特性之情況下，使用石英基板以使光可固化樹脂在使用不能透光之模具1之情況下可曝光。石英基板無特別限制，只要其具有透光特性且厚度為0.3毫米或大於0.3毫米即可，且可視需要根據預定用途選擇。可使用表面塗佈有矽烷偶合劑(silane coupling agent)之石英基板。或者，可使用表面塗佈有矽烷偶合劑之石英層合體。石英基板之厚度較佳為0.3毫米或大於0.3毫米。若石英基板之厚度小於0.3毫米，則可能在處理期間被破壞或由於壓印期間之壓力而被破壞。
基板3較佳在其抗蝕劑塗佈表面上具有具至少一個層之遮罩層3b。在此情況下，基板3由支撐基板3a及遮罩層3b構成。在藉由殘餘膜蝕刻步驟移除殘餘膜2b後，遮 罩層3b用於防止殘餘膜2b下面的結構(亦即基板3)被蝕刻。從而，可在「包含沈降物之抗蝕劑圖案之突起的寬度變成目標值」之時間點(其為殘餘蝕刻步驟之終點)發生在完全移除殘餘膜2b之時間點之後的情況下，抑制對基板3之破壞。亦即，可在抑制對基板3之破壞下繼續殘餘蝕刻步驟，即使在包含沈降物4之抗蝕劑圖案之突起2a的寬度W3變成目標值前殘餘膜2b已完全移除。遮罩層3b之材料選自提高蝕刻選擇比(抗蝕劑膜2之蝕刻速度/遮罩層3b之蝕刻速度)之材料。遮罩層3b之材料較佳為：金屬，諸如Cr、W、Ti、Ni、Ag、Pt及Au；或金屬氧化物，諸如CrO2 、WO2 及TiO2 。此外，遮罩層3b較佳具有至少一個包含鉻及/或氧化鉻之層。
(抗蝕劑膜)
構成抗蝕劑膜2之抗蝕劑無特別限制。本實施例可使用藉由向可聚合化合物中添加光聚合起始劑(2質量%)及氟單體(0.1質量%至1質量%)而製備的光可固化樹脂。必要時可進一步添加抗氧化劑(約1質量%)。藉由上述製程製備之光可固化抗蝕劑可藉由波長為360奈米之紫外光固化。關於具有低溶解性之抗蝕劑，較佳是添加少量丙酮(acetone)或乙酸乙酯(acetic ether)以溶解抗蝕劑，隨後移除溶劑。
可聚合化合物之實例包含：丙烯酸苯甲酯(benzyl acrylate)(威士高特(Viscoat)#160，由大阪有機化學工業株式會社(Osaka Organic Chemical Industries,K.K.)生 產)、卡必醇丙烯酸乙酯(ethyl carbitol acrylate)(威士高特#190，由大阪有機化學工業株式會社(Osaka Organic Chemical Industries,K.K.)生產)、聚丙二醇二丙烯酸酯(polypropylene glycol diacrylate)(阿尼克斯(Aronix)M-220，由東亞合成株式會社(TOAGOSEI K.K.)生產)及三羥甲基丙烷PO變性之三丙烯酸酯(trimethylol propane PO denatured triacrylate)(阿尼克斯M-310，由東亞合成株式會社(TOAGOSEI K.K.)生產)。另外，亦可使用由以下化學式1表示之化合物A作為可聚合化合物。
聚合起始劑之實例包含烷基苯甲酮(alkyl phenone)型光聚合起始劑，諸如2-(二甲基胺基)-2-[(4-甲基苯基)甲基]-1-[4-(4-嗎啉基)苯基]-1-丁酮(豔佳固(IRGACURE)379，由豐通化塑株式會社(Toyotsu Chemiplas K.K.)生產)。
另外，可使用由以下化學式2表示之化合物B作為氟單體。
[化學式2]
在光可固化樹脂藉由噴墨法塗佈之情況下，較佳使用藉由混合以質量計97：2：1比率之由化學式1表示之化合物、豔佳固379及由化學式2表示之氟單體形成的光可固化樹脂。另一方面，在光可固化樹脂藉由旋塗法塗佈之情況下，較佳使用以丙二醇單甲醚乙酸酯(Propylene Glycol Methyl Ether Acetate，PGMEA)稀釋至1質量%之可聚合化合物作為光可固化樹脂。
(模具按壓步驟)
殘餘氣體之量藉由在將模具1與基板3之間的氛圍減壓後，將模具1按壓在基板3上，或藉由使模具1與基板3之間的氛圍成為真空而減少。然而，在於真空環境中固化前，光固化樹脂可能揮發，使得均勻膜厚度難以維持。因此，較佳藉由用He氛圍或減壓之He氛圍替代基板3與模具1之間的氛圍而減少殘餘氣體之量。He可穿過石英基板，因此殘餘氣體(He)之量逐漸減少。因為He穿過石英基板耗費時間，故更佳使用減壓之He氛圍。
在100千帕至10兆帕之壓力下，將模具1按壓在基板3上。在較大壓力下，可促進樹脂流動，壓縮殘餘氣體， 使殘餘氣體溶解於光固化樹脂中且促進He穿過石英基板，從而使製造效率提高。然而，若壓力過大，則在模具1接觸基板3時，若在模具1與基板3之間有外來物件插入，模具及基板可能被破壞。因此，壓力較佳在100千帕至10兆帕範圍內，更佳在100千帕至5兆帕範圍內，且最佳在100千帕至1兆帕範圍內。壓力之下限設定為100千帕之理由為，在大氣中執行壓印時，在模具與基板之間的空間填充有液體之情況下，模具與基板之間的空間由大氣壓力(約101千帕)施壓。
(模具釋放步驟)
將模具1按壓在基板3上且在抗蝕劑膜2上形成突起及凹部圖案後，分離模具1與抗蝕劑膜2。作為分離方法之一實例，可固持模具1及基板3中之一者的外邊緣部分，同時藉由真空抽吸(vacuum suction)固持模具1及基板3中另一者之後表面，且外邊緣之固持部分或後表面之固持部分可沿與按壓方向相反之方向相對移動。當執行此步驟時，可固化樹脂上圖案中之突起的寬度與模具1之突起及凹部精細圖案13中相鄰突起之間的間隔W2相同。
(殘餘膜蝕刻步驟)
殘餘膜蝕刻步驟為移除抗蝕劑圖案之凹部底部殘餘膜2b的步驟。在本發明實施例中，殘餘膜蝕刻步驟包含第一蝕刻步驟及第二蝕刻步驟。反應性離子蝕刻(Reactive Ion Etching，RIE)抑制過切(undercutting，即側面蝕刻)。因此，具有高垂直異向性之蝕刻製程(離子之移動偏向凹 部深度方向)為較佳。RIE法較佳為電容耦合電漿(Capacitive Coupled Plasma，CCP)RIE、螺旋(helicon)波RIE、感應耦合電漿(Inductive Coupled Plasma，ICP)RIE或電子迴旋共振(E1ectron Cyclotron Resonance，ECR)RIE。此外，本發明較佳採用如下組態，其中偏壓功率(在電漿與低電極之間形成偏壓之功率)及電漿功率(形成電漿之功率)可獨立地控制，以利於控制偏壓功率。
(第一蝕刻步驟)
第一蝕刻步驟使用在蝕刻期間產生沈降物之沈降氣體，且在蝕刻殘餘膜2b時沈降物4沈積於抗蝕劑圖案之突起2a之側壁上的條件下蝕刻抗蝕劑膜2，所述抗蝕劑圖案為轉移至抗蝕劑膜2上之突起及凹部圖案13。在本說明書中，表述「在蝕刻殘餘膜時沈積物沈積…」指沈降物4沈積與蝕刻殘餘膜2b同時進行之情況，且亦指完全移除殘餘膜2b且僅沈降物4之沈積繼續進行之情況。在完全移除殘餘膜2b需要多個蝕刻步驟之情況下，這些蝕刻步驟整體對應於單一「第一蝕刻步驟」。
沈降氣體為在蝕刻期間產生沈降物(諸如反應產物及反應副產物)之氣體。沈降氣體較佳為容易產生沈降物之氟碳氣體。沈降氣體更佳為由CHx F4-x 表示之氟碳氣體。沈降氣體最佳為CF4 、CHF3 及CH2 F2 中之至少一者。在使用沈降氣體執行RIE的情況下，由沈降氣體產生之沈降物沈積於抗蝕劑圖案之突起2a的側壁上。沈積於側壁上之沈降物4用於防止側壁被蝕刻。從而抑制所謂的側面蝕刻， 且從而抑制在抗蝕劑圖案之突起2a中產生不連續。尤其在沈降氣體為由CHx F4-x 表示之氟碳氣體的情況下，沈降物4之沈積程度可藉由控制蝕刻氣體中沈降氣體之百分比、蝕刻氣體之流速、電漿功率、偏壓功率、壓力等而調節。亦即，可藉由調節沈降物4之沈積程度而將包含沈降物4之突起2a的寬度W3設定為小於或大於殘餘膜蝕刻步驟前突起之寬度W2的目標值。在本文中，抗蝕劑圖案之突起2a的寬度為突起之半高全寬(full width at half maximum)。舉例而言，若蝕刻氣體中沈降氣體之百分比增加，則沈降物4之沈積程度變大，因此包含沈降物4之突起2a的寬度W3變寬。相反地，若蝕刻氣體中沈降氣體之百分比減少，則沈降物4之沈積程度變小，因此包含沈降物4之突起2a的寬度W3變窄。
除沈降氣體以外，第一蝕刻氣體較佳亦包含氧氣及/或稀有氣體(惰性氣體)。作為稀有氣體，氬氣尤其較佳。從而可改良對蝕刻速率之控制特性。
在第一蝕刻步驟中，在蝕刻殘餘膜2b時沈降物4沈積於抗蝕劑圖案之突起2a之側壁上的條件下執行蝕刻。從而可蝕刻殘餘膜2b，同時用沈降物4保護突起2a之抗蝕劑部分並補償其經蝕刻部分。控制蝕刻氣體中沈降氣體之百分比、蝕刻氣體之流速、電漿功率、偏壓功率、壓力等以實現所述條件。舉例而言，上述蝕刻條件可藉由將蝕刻氣體中沈降氣體之比率設定在0.05至0.5範圍內、將蝕刻氣體之流速設定在50標準立方公分/分鐘(sccm)至200 標準立方公分/分鐘範圍內、將電漿功率設定在20瓦至100瓦範圍內、將偏壓功率設定在10瓦至50瓦範圍內且將壓力設定在0.3帕至3帕範圍內實現。
抗蝕劑圖案之突起的寬度相對於殘餘膜被蝕刻(包含過蝕刻)之量的變化程度可藉由計算高度方向之蝕刻速率相對於寬度方向之蝕刻速率的比率來理解。
(第二蝕刻步驟)
第二蝕刻步驟為蝕刻在第一蝕刻步驟中沈積於突起2a之側壁上的沈降物4之不需要部分的步驟。圖3A為說明在本發明實施例之抗蝕劑圖案形成方法中在第一蝕刻步驟後且在第二蝕刻步驟前抗蝕劑圖案之狀況的示意性剖視圖。圖3B為說明在本發明實施例之抗蝕劑圖案形成方法中在第二蝕刻步驟後抗蝕劑圖案之狀況的示意性剖視圖。在包含沈降物4之抗蝕劑圖案之突起2a的寬度W3變成目前值Wo前殘餘膜2b被完全移除的情況下，第一蝕刻步驟可在包含沈降物4之突起2a的寬度W3變成目標值Wo的時間點停止，以達成寬度W3之目標值Wo。然而，在完全移除殘餘膜2b前寬度W3變成目標值Wo之情況下，必須在寬度W3變成目標值Wo之時間點後繼續第一蝕刻步驟，因為必須完全移除殘餘膜2b。亦即，在完全移除殘餘膜2b之時間點(或停止第一蝕刻步驟之時間點；參考圖3A)，寬度W3比目標值Wo寬。因此，需要修整加工將寬度W3修整至目標值Wo。因此，第二蝕刻步驟執行蝕刻以使大於目標值Wo之寬度W3變成目標值(圖3B)。應注 意，在第一蝕刻步驟可達成寬度W3之目標值Wo且完全移除殘餘膜2b的情況下，可免除第二蝕刻步驟。
如圖3A所說明，亦存在第一蝕刻步驟後沈降物之殘餘物5剩餘在抗蝕劑圖案之凹部底部的情況。第二蝕刻步驟亦用於移除所述殘餘物5(圖3B)。
如上所述，第二蝕刻步驟用於修整抗蝕劑圖案之突起2a且移除沈降物之殘餘物5。較佳是在第二蝕刻步驟中蝕刻氣體中沈降氣體之百分比小於第一蝕刻步驟中蝕刻氣體中沈降氣體之百分比的情況下執行蝕刻以實現這些功能。
如上所述，本發明之抗蝕劑圖案形成方法之特徵為殘餘膜蝕刻步驟包含第一蝕刻步驟，其使用包含在蝕刻期間產生沈降物之沈降氣體的第一蝕刻氣體，以在蝕刻殘餘膜時沈降物沈積於抗蝕劑圖案之突起之側壁上的條件下蝕刻抗蝕劑膜，所述抗蝕劑圖案為轉移至抗蝕劑膜上之突起及凹部圖案。因此，包含沈積沈降物之突起的寬度可能變成大於或等於殘餘膜蝕刻步驟前突起之寬度的目標寬度。這被認為是因為沈積於側壁上之沈降物抑制抗蝕劑圖案之突起的抗蝕劑部分被蝕刻，且沈降物自身補償突起之經蝕刻抗蝕劑部分。
(抗蝕劑圖案形成方法之設計修改)
在第一實施例中，第二蝕刻步驟為用於修整抗蝕劑圖案之突起與移除沈降物之殘餘物的唯一蝕刻步驟。然而，本發明並不限於此組態。亦即，具有這些功能之蝕刻步驟可包含多個蝕刻步驟，其可在彼此不同之蝕刻條件下連續 或不連續地執行。此處之表述「不連續地執行」指蝕刻步驟之間間隔較長時間的情況、改變蝕刻裝置之情況等。
考慮如下情況，其中用於修整抗蝕劑圖案之突起與移除沈降物之殘餘物的蝕刻步驟之總數表示為N，且在第i(i=1、2、......、N+1)殘餘膜蝕刻步驟中蝕刻氣體中所包括之沈降氣體的百分比表示為DGi 。亦即，i=1時之殘餘膜蝕刻步驟對應於移除殘餘膜且產生沈降物之第一蝕刻步驟，且i=2至N+1時之殘餘膜蝕刻步驟對應於用於修整突起且移除沈降物殘餘物之蝕刻步驟。在所述情況下，蝕刻條件較佳設定成使得在任意第j蝕刻步驟及任意第k蝕刻步驟(1j<kN+1)，存在至少一個DGj >DGk 之組合。這是因為可藉由以逐步方式抑制沈降物產生而更有利地移除沈降物之殘餘物。此外，殘餘膜蝕刻步驟期間蝕刻氣體中所包含之沈降氣體的百分比較佳設定成使得其滿足如下不等式(1)。
DG1 >DG2 >......>DGN+1 (1)
另外，若第i(i及N與上述相同)殘餘膜蝕刻步驟之蝕刻氣體中所包含之氧氣的百分比表示為OGi ，則蝕刻條件較佳設定成使得在任意第m蝕刻步驟及任意第n蝕刻步驟(1m<nN+1)，存在至少一個OGm >OGn 之組合。此外，殘餘膜蝕刻步驟期間蝕刻氣體中所包含之氧氣的百分比較佳設定成使得其滿足如下不等式(2)。
OG1 <OG2 <......<OGN+1 (2)
[製造圖案化基板之方法]
隨後描述本發明之一實施例之圖案化基板之製造方法。在本發明實施例中，使用上述抗蝕劑圖案形成方法製造圖案化基板。圖4A至圖4C為說明本發明實施例之圖案化基板之製造方法的步驟的示意性剖視圖。
首先，使用上述抗蝕劑圖案形成方法在基板上形成具有預定圖案之抗蝕劑膜。抗蝕劑膜之圖案藉由本發明之抗蝕劑圖案形成方法形成。因此，抗蝕劑圖案之突起的寬度為大於或等於蝕刻殘餘膜步驟前突起之寬度的目標寬度。隨後，使用圖案化抗蝕劑膜作為遮罩蝕刻基板，以形成對應於抗蝕劑膜上形成之突起及凹部圖案的突起及凹部圖案而獲得具有預定圖案之圖案化基板。
在基板3具有層合結構且在其表面上包含遮罩層3b之情況下，使用上述抗蝕劑圖案形成方法在其上具有遮罩層3b之基板3上形成圖案化抗蝕劑膜2(圖4A)。抗蝕劑膜藉由本發明之抗蝕劑圖案形成方法形成。因此，抗蝕劑圖案之突起的寬度為大於或等於蝕刻殘餘膜步驟前突起之寬度的目標寬度。隨後，使用抗蝕劑膜2作為遮罩執行乾式蝕刻以在遮罩層3b中形成對應於抗蝕劑膜2中形成之突起及凹部圖案的突起及凹部圖案(圖4B)。進一步使用遮罩層3b作為蝕刻終止層於基板3上施用乾式蝕刻而在基板中形成突起及凹部圖案(圖4C)，從而獲得具有預定圖案 之圖案化基板。
乾式蝕刻法無特別限制，只要能夠在基板中形成突起及凹部圖案即可，且可根據預定用途選擇。乾式蝕刻法之實例包含：離子研磨(ion milling)；反應性離子蝕刻(RIE)；及濺射蝕刻。這些方法中，離子研磨法及反應性離子蝕刻(RIE)較佳。
離子研磨法亦稱作離子束蝕刻(ion beam etching)。在離子研磨法中，將惰性氣體(諸如Ar)引入離子源中產生離子。使所產生之離子加速穿過柵極(grid)且與樣品基板碰撞而執行蝕刻。離子源之實例包含：卡夫曼型離子源(Kauffman type ion source)；高頻率離子源(high frequency ion source)；電子轟擊離子源(electron bombardment ion source)；雙三極體離子源(duoplasmatron ion source)；福瑞曼離子源(Freeman ion source)；以及電子迴旋共振(ECR)離子源。
可使用Ar氣體作為離子束蝕刻期間的處理氣體。可使用氟系氣體或氯系氣體作為RIE期間的蝕刻劑。
如上所述，本發明之形成圖案化基板之方法的特徵為藉由上述抗蝕劑圖案形成方法於抗蝕劑膜上形成抗蝕劑圖案，且特徵為使用抗蝕劑膜作為遮罩蝕刻基板，以在基板表面上形成對應於抗蝕劑圖案之突起及凹部圖案。因此，可使用突起具有大於或等於殘餘膜蝕刻步驟前突起之寬度的目標值之寬度的抗蝕劑圖案作為遮罩進行蝕刻。因此，可提高圖案化基板製造中，製造對應於抗蝕劑圖案之突起 及凹部圖案的精度。
下文描述本發明抗蝕劑圖案形成方法之實例。
<實例1-1>
(抗蝕劑圖案的形成)
將光可固化抗蝕劑塗佈設置在石英基板上之鉻層(5奈米)上，以形成抗蝕劑膜(60奈米)。光可固化抗蝕劑之組分為按以質量計97：2：1之比率混合在一起的由化學式1表示之化合物、豔佳固379及由化學式2表示之氟單體。之後，將具有突起及凹部圖案之Si模具(其中突起之寬度為20奈米，突起之高度為40奈米，且突起間之週期性間隔為40奈米)按壓在抗蝕劑膜上。然後，照射紫外光來固化抗蝕劑膜，而分離Si模具與抗蝕劑膜，以將Si模具上之突起及凹部圖案轉移至抗蝕劑膜上。此時，在藉由圖案轉移形成之抗蝕劑圖案中，突起之寬度為20奈米，突起之高度為40奈米且突起間之週期性間隔為40奈米。
量測抗蝕劑膜之抗蝕劑圖案之凹部中的殘餘膜的厚度。殘餘膜之厚度如下量測：藉由刮除或膠帶剝離來剝離抗蝕劑膜之圖案化區域之一部分而暴露基板，隨後用原子力顯微鏡(Atomic Force Microscope，AFM)觀察剝離區域與圖案化區域之間的邊界。
使用感應耦合電漿(ICP)反應性離子蝕刻裝置，藉由蝕刻氣體之電漿，以下文所示之蝕刻條件執行本發明之第一蝕刻步驟。第一蝕刻步驟之執行終點為超過適當移除殘餘膜之時間點的時間點，且超過的量為到達所述適當移 除殘餘膜之時間點所經時間之50%。亦即，以過蝕刻量為殘餘膜平均厚度之50%的時間點為目標執行第一蝕刻步驟。此處，執行時間基於預先量測之蝕刻速度及殘餘膜之厚度計算。
(蝕刻條件)
蝕刻氣體：CHF3 氣體、氧氣及氬氣，以1：1：10之比率混合
電漿功率：50瓦
偏壓功率：25瓦
壓力：2帕
相對於殘餘膜平均厚度之蝕刻量：150%
(評估抗蝕劑圖案之方法)
使用能夠量測長度之掃描電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope，SEM，由日本電子株式會社(Nippon Electron K.K.)生產)從俯視圖評估殘餘膜蝕刻步驟後抗蝕劑圖案之突起的寬度。另外，同時評估橫截面結構。沿抗蝕劑圖案之突起的寬度方向(垂直於突起之側壁的方向)的蝕刻速率E1由抗蝕劑圖案之突起的寬度(殘餘膜蝕刻步驟後包含沈積於突起上之沈降物的寬度)計算，且沿突起之高度方向的蝕刻速率E2由殘餘膜蝕刻步驟後突起之高度計算。隨後，計算沿寬度方向之蝕刻速率E1相對於沿高度方向之蝕刻速率E2的比率E1/E2。
<實例1-2>
除了使用CHF3 氣體、氧氣及氬氣以4：1：10之比率混 合的蝕刻氣體以外，以與實例1-1相同之方式形成且評估抗蝕劑圖案。
<實例1-3>
除了使用CHF3 氣體、氧氣及氬氣以8：1：10之比率混合的蝕刻氣體以外，以與實例1-1相同之方式形成且評估抗蝕劑圖案。
<實例1-4>
除了使用CHF3 氣體、氧氣及氬氣以12：1：10之比率混合的蝕刻氣體以外，以與實例1-1相同之方式形成且評估抗蝕劑圖案。
<實例1-5>
除了使用CHF3 氣體及氬氣以1：10之比率混合的蝕刻氣體以外，以與實例1-1相同之方式形成且評估抗蝕劑圖案。
<實例1-6>
除了使用CHF3 氣體及氬氣以1：5之比率混合的蝕刻氣體以外，以與實例1-1相同之方式形成且評估抗蝕劑圖案。
<比較實例1-1>
除了使用氧氣及氬氣以1：10之比率混合的蝕刻氣體以外，以與實例1-1相同之方式形成且評估抗蝕劑圖案。
<比較實例1-2>
除了使用氧氣及氬氣以1：1之比率混合的蝕刻氣體以外，以與實例1-1相同之方式形成且評估抗蝕劑圖案。
(結果1)
下表1說明實例1-1至實例1-6及比較實例1-1及比較實例1-2之評估結果。圖5為說明實例1-1至實例1-6中所用之蝕刻氣體中CHF3 之百分比與E1/E2值之間的關係的圖。圖中之圓形圖標曲線表示蝕刻氣體包含氧氣之情況，且圖中之正方形圖標曲線表示蝕刻氣體不包含氧氣之情況。表1中E1/E2之值的符號為正，表示殘餘膜蝕刻步驟後抗蝕劑圖案之突起的寬度大於殘餘膜蝕刻步驟前抗蝕劑圖案之突起的寬度。由這些結果證實，沈降物沈積於抗蝕劑圖案之突起側壁上之程度可藉由控制蝕刻條件來控制。亦即，證實了可使殘餘膜蝕刻步驟後抗蝕劑圖案之突起的寬度為大於或等於殘餘膜蝕刻步驟前抗蝕劑圖案之突起的寬度的目標值。
<實例2>
(形成抗蝕劑圖案)
以與實例1-1相同之方式將Si模具之突起及凹部圖案轉移至光可固化抗蝕劑膜上，並量測殘餘膜之厚度。
使用感應耦合電漿(ICP)反應性離子蝕刻裝置，用蝕刻氣體之電漿，以如下蝕刻條件1執行本發明之第一蝕刻步驟。第一蝕刻步驟之執行終點為適當移除殘餘膜之時間點。此處，執行時間基於預先量測之蝕刻速度及殘餘膜之厚度計算。
隨後，使用感應耦合電漿(ICP)反應性離子蝕刻裝置，用蝕刻氣體之電漿，以如下蝕刻條件2執行本發明之第二蝕刻步驟。第二蝕刻步驟之執行終點為可移除50%殘餘膜之時間點。此處，執行時間基於預先量測之蝕刻速度及殘餘膜之厚度計算。
亦即，在本發明實例中，殘餘蝕刻步驟包含第一蝕刻步驟及第二蝕刻步驟。第一蝕刻步驟及第二蝕刻步驟的過蝕刻量共為殘餘膜平均厚度的50%。
(蝕刻條件1)
蝕刻氣體：CHF3 氣體及氬氣，以1：3之比率混合
電漿功率：50瓦
偏壓功率：25瓦
壓力：2帕
相對於殘餘膜平均厚度之蝕刻量：100%
(蝕刻條件2)
蝕刻氣體：氧氣及氬氣，以1：1之比率混合
電漿功率：50瓦
偏壓功率：25瓦
壓力：0.6帕
相對於殘餘膜平均厚度之蝕刻量：50%
(評估抗蝕劑圖案之突起的寬度增加及減小的方法)
使用能夠量測長度之SEM，從俯視圖及橫截面評估抗蝕劑圖案之突起的寬度增加及減小。特定言之，評估第一蝕刻步驟後突起之寬度相較於第一蝕刻步驟前突起之寬度是增加還是減小。
(評估抗蝕劑圖案之修整作用的方法)
使用能夠量測長度之SEM，從俯視圖及橫截面評估第二蝕刻步驟之修整作用。特定言之，將第二蝕刻步驟完成後突起之寬度相較於第一蝕刻步驟完成後突起之寬度減小的情況評估為展現修整作用。
(評估殘餘物存在之方法)
評估殘餘膜蝕刻步驟後沈降物之殘餘物是否剩餘在抗蝕劑圖案之凹部底部。特定言之，在執行殘餘蝕刻步驟後藉由使用氯系氣體之電漿蝕刻鉻層。隨後，藉由SEM觀察檢驗鉻層是否剩餘。將鉻層剩餘之情況(即使只有部分)評估為含有殘餘物，且鉻層不再存在之情況評估為不含殘餘物。此處，鉻層蝕刻步驟之執行終點為可適當移除鉻膜之時間點之後經到達所述時間點所經時間之50%的時間點。
(製造圖案化基板)
執行上述殘餘膜蝕刻步驟後，藉由使用氯系氣體之電漿蝕刻鉻層。鉻層蝕刻步驟執行至可適當移除鉻膜之時間點之後經到達所述時間點所經時間之50%的時間點。隨後，藉由氟系氣體電漿蝕刻石英基板至60奈米之深度，在石英基板中形成對應於抗蝕劑圖案之突起及凹部圖案。
(評估圖案化基板之方法)
使用能夠量測長度之SEM評估圖案化基板中所形成之突起及凹部圖案中缺陷的存在。特定言之，評估突起及凹部圖案之突起之不連續及由於剩餘鉻而不能形成突起及凹部圖案之區域是否存在。圖6A及圖6B為說明用於解釋本發明實例之圖案化基板之評估標準的SEM影像的圖。關於圖案化基板之突起之不連續的存在，諸如圖6A中所說明之情況評估為不具有不連續，且諸如圖6B中所說明之情況評估為具有不連續。另外，將殘餘膜蝕刻步驟後存在沈降物之殘餘物的情況評估為不能形成突起及凹部圖案之區域。藉由上文所述，兩種缺陷均不存在的情況評估為「無缺陷」(表2中之「良好」)，且兩種缺陷中之至少一者存在的情況評估為「缺陷」(表2中之「不良」)。
<比較實例2-1>
除了不執行第二蝕刻步驟，且第一蝕刻步驟中之蝕刻量相對於殘餘膜平均厚度為150%以外，以與實例2相同之方式形成且評估抗蝕劑圖案以及製造且評估圖案化基板。
<比較實例2-2>
除了不執行第一蝕刻步驟，且第二蝕刻步驟中之蝕刻量相對於殘餘膜平均厚度為150%以外，以與實例2相同之方式形成且評估抗蝕劑圖案以及製造且評估圖案化基板。
(結果2)
下表2說明實例2及比較實例2-1及比較實例2-2之評估結果。由這些結果證實，根據包含第二蝕刻步驟之本發明抗蝕劑圖案形成方法，即使在第一蝕刻步驟中產生殘餘物之情況下，也可移除沈降物之殘餘物。另外，證實可使殘餘膜蝕刻步驟後抗蝕劑圖案之突起的寬度為大於或等於殘餘膜蝕刻步驟前抗蝕劑圖案之突起的寬度的目標值。
此外，證實本發明之形成圖案化基板之方法可有利地在圖案化基板上形成突起及凹部圖案且可提高突起及凹部圖案之加工精度。
1‧‧‧模具
2‧‧‧抗蝕劑膜
2a‧‧‧突起/突起之側壁
2b‧‧‧殘餘膜
3‧‧‧基板
3a‧‧‧支撐基板
3b‧‧‧遮罩層
4‧‧‧沈降物
5‧‧‧殘餘物
12‧‧‧支撐部分
13‧‧‧突起及凹部精細圖案/突起及凹部圖案
W1‧‧‧寬度
W2‧‧‧距離/間隔/寬度
W3‧‧‧寬度
Wo‧‧‧目標值
H‧‧‧高度
圖1A為說明本發明之一實施例之抗蝕劑圖案形成方法中所用之模具的示意性剖視圖。
圖1B為說明圖1A中模具之圖案化區域之一部分的橫截面的示意性放大圖。
圖2A為說明本發明實施例之抗蝕劑圖案形成方法之步驟的示意性剖視圖。
圖2B為說明本發明實施例之抗蝕劑圖案形成方法之步驟的示意性剖視圖。
圖2C為說明本發明實施例之抗蝕劑圖案形成方法之步驟的示意性剖視圖。
圖3A為說明在抗蝕劑圖案形成方法中在第一蝕刻步驟後且在第二蝕刻步驟前抗蝕劑圖案之狀況的示意性剖視圖。
圖3B為說明在抗蝕劑圖案形成方法中在第二蝕刻步驟後抗蝕劑圖案之狀況的示意性剖視圖。
圖4A為說明本發明之一實施例之製造圖案化基板之方法的步驟的示意性剖視圖。
圖4B為說明本發明實施例之製造圖案化基板之方法的步驟的示意性剖視圖。
圖4C為說明本發明實施例之製造圖案化基板之方法的步驟的示意性剖視圖。
圖5為說明本發明實例中所用之蝕刻氣體中CHF3 之百分比與E1/E2值之間的關係的圖。
圖6A為用於解釋本發明實例之圖案化基板之評估標準的SEM影像的圖。
圖6B為用於解釋本發明實例之圖案化基板之評估標準的SEM影像的圖。
2‧‧‧抗蝕劑膜
3‧‧‧基板
3a‧‧‧支撐基板
3b‧‧‧遮罩層
4‧‧‧沈降物
W3‧‧‧寬度

Claims (15)

  1. 一種抗蝕劑圖案形成方法，包括：使用表面上具有精細的凹凸圖案之模具，而將所述凹凸圖案按壓在基板上之抗蝕劑膜上；分離所述模具與所述抗蝕劑膜，而將所述凹凸圖案轉移至所述抗蝕劑膜上；以及藉由反應性離子蝕刻法執行殘餘膜蝕刻步驟，以蝕刻所述抗蝕劑膜而移除其上已轉移有所述凹凸圖案之所述抗蝕劑膜的殘餘膜；該方法之特徵為：所述殘餘膜蝕刻步驟包含：第一蝕刻步驟，其使用包含在蝕刻期間產生沈降物之沈降氣體的第一蝕刻氣體，以在蝕刻所述殘餘膜時所述沈降物沈積於抗蝕劑圖案之凸部之側壁上的條件下蝕刻所述抗蝕劑膜，所述抗蝕劑圖案為所述凹凸圖案之轉移圖案；及所述第一蝕刻步驟後之步驟，其蝕刻所述抗蝕劑膜，使得包含所述沈降物之所述凸部的寬度變成大於或等於所述殘餘膜蝕刻步驟前所述凸部之寬度的目標寬度。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之抗蝕劑圖案形成方法，其中所述沈降氣體為由CHx F4-x 表示之氟碳氣體，其中x為在0至3範圍內之整數。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之抗蝕劑圖案形成方法，其中所述沈降氣體為CF4 、CHF3 及CH2 F2 中之至少一者。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之抗蝕劑圖案形成方法，其中所述第一蝕刻氣體中所述沈降氣體之比率在0.05至0.5範圍內。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之抗蝕劑圖案形成方法，其中所述第一蝕刻氣體包含氧氣。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之抗蝕劑圖案形成方法，其中所述第一蝕刻氣體中所述氧氣相對於所述沈降氣體之比率在0.01至5的範圍內。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之抗蝕劑圖案形成方法，其中所述第一蝕刻氣體包含稀有氣體。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之抗蝕劑圖案形成方法，其中所述第一蝕刻氣體中所述稀有氣體相對於所述沈降氣體之比率在0.8至10的範圍內。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之抗蝕劑圖案形成方法，其中所述第一蝕刻步驟以所述沈降物沈積的條件蝕刻所述抗蝕劑膜，使得包含所述沈降物之所述凸部之所述寬度變成大於目標值；以及所述殘餘膜蝕刻步驟在所述第一蝕刻步驟後包含第 二蝕刻步驟，其蝕刻沈積於所述凸部之所述側壁上之所述沈降物，使得包含所述沈降物之所述凸部之所述寬度變成所述目標值。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之抗蝕劑圖案形成方法，其中所述第一蝕刻氣體中所述沈降氣體之比率大於在所述第二蝕刻步驟期間使用之第二蝕刻氣體中沈降氣體之比率。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之抗蝕劑圖案形成方法，其中所述第一蝕刻氣體中氧氣之比率小於在所述第二蝕刻步驟期間使用之第二蝕刻氣體中氧氣之比率。
  12. 如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述之抗蝕劑圖案形成方法，其中所述反應性離子蝕刻法為使用感應耦合、電容耦合及電子迴旋共振之一作為電漿產生技術的蝕刻法。
  13. 如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述之抗蝕劑圖案形成方法，其中所述基板在其上形成所述抗蝕劑膜之表面上具有大於或等於一個的遮罩層。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之抗蝕劑圖案形成方法，其中所述遮罩層包含至少一個包含鉻及/或氧化鉻之層。
  15. 一種圖案化基板的製造方法，其特徵包括：藉由如申請專利範圍第1項至第14項中任一項所述 之抗蝕劑圖案形成方法於抗蝕劑膜上形成抗蝕劑圖案；以及使用所述抗蝕劑膜作為遮罩，蝕刻所述基板，以在所述基板之表面上形成對應於所述抗蝕劑圖案的凹凸圖案。
TW101110951A 2011-03-29 2012-03-29 抗蝕劑圖案形成方法以及使用該抗蝕劑圖案的圖案化基板的製造方法 TWI475335B (zh)

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