JPH0637072A - テーパエッチング方法 - Google Patents
テーパエッチング方法Info
- Publication number
- JPH0637072A JPH0637072A JP18811592A JP18811592A JPH0637072A JP H0637072 A JPH0637072 A JP H0637072A JP 18811592 A JP18811592 A JP 18811592A JP 18811592 A JP18811592 A JP 18811592A JP H0637072 A JPH0637072 A JP H0637072A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist pattern
- etching
- taper
- hole
- contact hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ＬＳＩのコンタクトホールにテーパを付与する
場合に安定的なプラズマ条件でパーティクルの発生を抑
制しつつ簡易な方法で実施する。 【構成】レジストパターン３形成後、ポリマーデポジシ
ョンが生じ易い物質４としてＡｌをスパッタリング法に
よって厚さ約１００Åを付着させ、Ｃｌ2 ＋ＢＣｌ3 の
ガス系で異方性エッチングを行い、側壁以外のＡｌを除
去し、ＣＦ4 ：ＣＨＦ3 ＝１：１とし、デポジット性の
弱いプラズマ条件でドライエッチングする。Ｃ−Ｆ系ポ
リマーはＡｌ上に選択的にデポジットし、レジストパタ
ーンのホール５の直径が順次縮小し、順テーパ形状のコ
ンタクトホール８が形成される。
場合に安定的なプラズマ条件でパーティクルの発生を抑
制しつつ簡易な方法で実施する。 【構成】レジストパターン３形成後、ポリマーデポジシ
ョンが生じ易い物質４としてＡｌをスパッタリング法に
よって厚さ約１００Åを付着させ、Ｃｌ2 ＋ＢＣｌ3 の
ガス系で異方性エッチングを行い、側壁以外のＡｌを除
去し、ＣＦ4 ：ＣＨＦ3 ＝１：１とし、デポジット性の
弱いプラズマ条件でドライエッチングする。Ｃ−Ｆ系ポ
リマーはＡｌ上に選択的にデポジットし、レジストパタ
ーンのホール５の直径が順次縮小し、順テーパ形状のコ
ンタクトホール８が形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＬＳＩのコンタクトホー
ルにテーパを付与する方法に関する。
ルにテーパを付与する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩのコンタクトホールにテーパを付
与する方法としては従来、次のような技術があった。 （ａ） デポジション性の強いプラズマ条件でエッチン
グを行う技術。この手段はプラズマが不安定となり、不
必要なところに成膜するなど再現性が乏しく、また膜が
堆積すると経時変化を生じ、パーティクルの発生も大で
ある。 （ｂ） 基板温度を−５０℃程度まで下げることによっ
てデポジションを生じ易くする技術。この技術は基板を
−５０℃にも下げる必要があるので、装置が複雑とな
り、生産性も低く、高コストとなる。 （ｃ） レジストエッジを後退させながらエッチングす
る技術。この技術ではレジスト選択比、すなわちレジス
トエッチング速度と酸化膜のエッチング速度との比が悪
くなるので厚膜レジストが必要となる。また、段差のあ
る基板に適用することは困難である。
与する方法としては従来、次のような技術があった。 （ａ） デポジション性の強いプラズマ条件でエッチン
グを行う技術。この手段はプラズマが不安定となり、不
必要なところに成膜するなど再現性が乏しく、また膜が
堆積すると経時変化を生じ、パーティクルの発生も大で
ある。 （ｂ） 基板温度を−５０℃程度まで下げることによっ
てデポジションを生じ易くする技術。この技術は基板を
−５０℃にも下げる必要があるので、装置が複雑とな
り、生産性も低く、高コストとなる。 （ｃ） レジストエッジを後退させながらエッチングす
る技術。この技術ではレジスト選択比、すなわちレジス
トエッチング速度と酸化膜のエッチング速度との比が悪
くなるので厚膜レジストが必要となる。また、段差のあ
る基板に適用することは困難である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記問題点を
解決した新規なテーパエッチング方法を提供することを
目的とする。
解決した新規なテーパエッチング方法を提供することを
目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はポリマーデポジ
ションが生じ易い物質をレジストパターンのホールの側
壁に付着させた後、ドライエッチングを行い、エッチン
グ中にレジストパターン側壁にデポジションを生じさ
せ、レジストパターンのホールの直径を縮小させなが
ら、下方が小径のテーパを形成することを特徴とするテ
ーパエッチング方法である。
ションが生じ易い物質をレジストパターンのホールの側
壁に付着させた後、ドライエッチングを行い、エッチン
グ中にレジストパターン側壁にデポジションを生じさ
せ、レジストパターンのホールの直径を縮小させなが
ら、下方が小径のテーパを形成することを特徴とするテ
ーパエッチング方法である。
【０００５】
【作用】エッチング時に生じるポリマーデポジションは
材料依存性がある。ポリマーデポジションが生じ易い物
質をレジストパターンのホールの側壁に付着させた後
に、ドライエッチングを行う。これにより、エッチング
中にレジストパターン側壁にデポジションが生じ、ホー
ルの直径が順次小さくなっていくことによりテーパエッ
チングを行うことができる。
材料依存性がある。ポリマーデポジションが生じ易い物
質をレジストパターンのホールの側壁に付着させた後
に、ドライエッチングを行う。これにより、エッチング
中にレジストパターン側壁にデポジションが生じ、ホー
ルの直径が順次小さくなっていくことによりテーパエッ
チングを行うことができる。
【０００６】ポリマーデポジションが生じ易い物質とし
てはＡｌ、Ａｌ−Ｓｉをあげることができる。本発明の
原理を図２によって説明する。ＳｉＯ2 層２にフォトレ
ジストパターン３を形成し、そのホール５の側壁の内面
にポリマーデポジションが生じ易い物質４を付着させ
る。次に図２（ｂ）に示すようにドライエッチングする
と、物質４上にポリマーデポジション６を生成しながら
エッチングが進行する。したがって、生成するコンタク
トホール８は下方が縮小したテーパを有する形状にエッ
チングされる。ポリマーデポジション６はポリマーデポ
ジションが生じ易い物質４上に一定膜厚堆積した後は、
材料依存性が消滅する結果、堆積が停止する。したがっ
て、生成されたテーパコンタクトホール８はホールの上
端側では寸法縮＋割合が大きく、下端側はストレートに
近い形状のテーパとなる。
てはＡｌ、Ａｌ−Ｓｉをあげることができる。本発明の
原理を図２によって説明する。ＳｉＯ2 層２にフォトレ
ジストパターン３を形成し、そのホール５の側壁の内面
にポリマーデポジションが生じ易い物質４を付着させ
る。次に図２（ｂ）に示すようにドライエッチングする
と、物質４上にポリマーデポジション６を生成しながら
エッチングが進行する。したがって、生成するコンタク
トホール８は下方が縮小したテーパを有する形状にエッ
チングされる。ポリマーデポジション６はポリマーデポ
ジションが生じ易い物質４上に一定膜厚堆積した後は、
材料依存性が消滅する結果、堆積が停止する。したがっ
て、生成されたテーパコンタクトホール８はホールの上
端側では寸法縮＋割合が大きく、下端側はストレートに
近い形状のテーパとなる。
【０００７】
【実施例】図１（ａ）〜（ｄ）に示す工程によってコン
タクトホール（ＳｉＯ2 ）のテーパエッチングを行っ
た。以下、図にしたがって説明する。 （１）図１（ａ）に示すようにレジストパターン３形成
後、ポリマーデポジションが生じ易い物質４としてＡｌ
をスパッタリング法によって厚さ約１００Åを付着させ
る。 （２）Ｃｌ2 ＋ＢＣｌ3 のガス系で異方性エッチングを
行い、側壁以外のＡｌを除去する。（図１、（ｂ）） （３）ＣＦ4 とＣＨＦ3 とＡｒの混合ガス系でＳｉＯ2
エッチングを行う。このときのガス組成はＣＦ4 ：ＣＨ
Ｆ3 ＝１：１とし、デポジット性の弱いプラズマ条件と
した。このガス系は、ＳｉＯ2 のエッチングを行うと共
に、Ｃ−Ｆ系ポリマーを生じる。図１（ｃ）に示すよう
に、Ｃ−Ｆ系ポリマーはデポジションを生じ易い物質４
すなわちＡｌ上に選択的にデポジットする。 （４）エッチング中にＣ−Ｆ系ポリマー６によりレジス
トパターンのホール５の直径が順次縮小して行くので、
エッチングされる部分は順テーパ形状のコンタクトホー
ル８がエッチングにより形成される。
タクトホール（ＳｉＯ2 ）のテーパエッチングを行っ
た。以下、図にしたがって説明する。 （１）図１（ａ）に示すようにレジストパターン３形成
後、ポリマーデポジションが生じ易い物質４としてＡｌ
をスパッタリング法によって厚さ約１００Åを付着させ
る。 （２）Ｃｌ2 ＋ＢＣｌ3 のガス系で異方性エッチングを
行い、側壁以外のＡｌを除去する。（図１、（ｂ）） （３）ＣＦ4 とＣＨＦ3 とＡｒの混合ガス系でＳｉＯ2
エッチングを行う。このときのガス組成はＣＦ4 ：ＣＨ
Ｆ3 ＝１：１とし、デポジット性の弱いプラズマ条件と
した。このガス系は、ＳｉＯ2 のエッチングを行うと共
に、Ｃ−Ｆ系ポリマーを生じる。図１（ｃ）に示すよう
に、Ｃ−Ｆ系ポリマーはデポジションを生じ易い物質４
すなわちＡｌ上に選択的にデポジットする。 （４）エッチング中にＣ−Ｆ系ポリマー６によりレジス
トパターンのホール５の直径が順次縮小して行くので、
エッチングされる部分は順テーパ形状のコンタクトホー
ル８がエッチングにより形成される。
【０００８】Ｈ2 ＳＯ4 ＋Ｈ2 Ｏ2 の薬液でレジストと
Ａｌを除去する（図１、（ｄ））。得られたコンタクト
ホール８は上端の直径と下端の直径の差が０．１μｍの
テーパホールであった。このテーパの寸法はエッチング
条件により調整することができる。
Ａｌを除去する（図１、（ｄ））。得られたコンタクト
ホール８は上端の直径と下端の直径の差が０．１μｍの
テーパホールであった。このテーパの寸法はエッチング
条件により調整することができる。
【０００９】
【発明の効果】本発明によれば、ＣＦ4 ：ＣＨＦ3 ＝
１：１程度の比較的デポジット性の強くないプラズマ条
件でエッチングするため、安定、かつ低パーティクル
で、低コストとなる。
１：１程度の比較的デポジット性の強くないプラズマ条
件でエッチングするため、安定、かつ低パーティクル
で、低コストとなる。
【図１】実施例の工程図である。
【図２】本発明の原理を示す説明図である。
１ 基板 ２ ＳｉＯ2 層 ３ レジストパターン ４ ポリマーデポジションを生じ易い物質 ５ ホール ６ ポリマーデポジション ８ コンタクトホール
Claims (1)
- 【請求項１】 ポリマーデポジションが生じ易い物質を
レジストパターンのホールの側壁に付着させた後、ドラ
イエッチングを行い、エッチング中にレジストパターン
側壁にデポジションを生じさせ、レジストパターンのホ
ールの直径を縮小させながら、下方が小径のテーパを形
成することを特徴とするテーパエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18811592A JPH0637072A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | テーパエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18811592A JPH0637072A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | テーパエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637072A true JPH0637072A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16217973
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18811592A Withdrawn JPH0637072A (ja) | 1992-07-15 | 1992-07-15 | テーパエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637072A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980083001A (ko) * | 1997-05-10 | 1998-12-05 | 김영환 | 반도체 소자의 콘택홀 제조방법 |
| JP2007503720A (ja) * | 2003-08-26 | 2007-02-22 | ラム リサーチ コーポレーション | フィーチャ微小寸法の低減 |
| JP2009500811A (ja) * | 2005-05-31 | 2009-01-08 | ラム リサーチ コーポレーション | クリティカルディメンション低減およびラフネス抑制 |
| JP2012209290A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Fujifilm Corp | レジストパターン形成方法およびそれを用いたパターン化基板の製造方法 |
| KR101539172B1 (ko) * | 2014-01-20 | 2015-07-24 | 아주대학교산학협력단 | 플라즈마 식각을 이용한 원뿔형 나노 구조물 형성 방법 및 원뿔형 나노 구조물 |
| US11359375B2 (en) | 2020-09-14 | 2022-06-14 | Hsun-Jen Chuang | Enhanced non-coplanar double winding reinforcement method, structure built by the same, and crosstie for the same |
-
1992
- 1992-07-15 JP JP18811592A patent/JPH0637072A/ja not_active Withdrawn
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980083001A (ko) * | 1997-05-10 | 1998-12-05 | 김영환 | 반도체 소자의 콘택홀 제조방법 |
| JP2007503720A (ja) * | 2003-08-26 | 2007-02-22 | ラム リサーチ コーポレーション | フィーチャ微小寸法の低減 |
| JP4886513B2 (ja) * | 2003-08-26 | 2012-02-29 | ラム リサーチ コーポレーション | フィーチャ微小寸法の低減 |
| JP2009500811A (ja) * | 2005-05-31 | 2009-01-08 | ラム リサーチ コーポレーション | クリティカルディメンション低減およびラフネス抑制 |
| TWI381427B (zh) * | 2005-05-31 | 2013-01-01 | Lam Res Corp | 臨界尺寸縮減及粗糙度控制 |
| KR101274308B1 (ko) * | 2005-05-31 | 2013-06-13 | 램 리써치 코포레이션 | 임계 치수 감소 및 거칠기 제어 |
| JP2012209290A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Fujifilm Corp | レジストパターン形成方法およびそれを用いたパターン化基板の製造方法 |
| TWI475335B (zh) * | 2011-03-29 | 2015-03-01 | Fujifilm Corp | 抗蝕劑圖案形成方法以及使用該抗蝕劑圖案的圖案化基板的製造方法 |
| KR101539172B1 (ko) * | 2014-01-20 | 2015-07-24 | 아주대학교산학협력단 | 플라즈마 식각을 이용한 원뿔형 나노 구조물 형성 방법 및 원뿔형 나노 구조물 |
| US11359375B2 (en) | 2020-09-14 | 2022-06-14 | Hsun-Jen Chuang | Enhanced non-coplanar double winding reinforcement method, structure built by the same, and crosstie for the same |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |