JP4886513B2 - フィーチャ微小寸法の低減 - Google Patents
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Description
Claims (24)
- 複数の導電性ラインを形成する方法であって、
導電性レイヤを基板上に配置すること、
マスクを形成することであって、前記マスクは、前記マスクラインの間にマスク間隔を持つ複数のマスクラインを定義し、前記マスク間隔は幅を有し、前記マスクラインは幅および側壁を有する、マスクを形成すること、
プラズマ処理チャンバ内に前記基板を置くこと、
前記プラズマ処理チャンバ内に前記基板を置いたままで、前記マスクの前記側壁上にコンフォーマルレイヤを堆積することであって、前記コンフォーマルレイヤの堆積は堆積されたコンフォーマルレイヤの無いビアの底部を提供する、コンフォーマルレイヤを堆積すること、
前記プラズマ処理チャンバ内に前記基板を置いたままで、前記マスクを通して前記導電性レイヤをエッチングすることによって、導電性ラインおよび前記導電性ライン間の間隔を形成することであって、前記導電性ラインは幅を有し、前記導電性ライン間の前記間隔は幅を有し、前記導電性ライン間の前記間隔の前記幅は、前記マスク間隔の前記幅より小さく、前記導電性ラインの前記幅は前記ラインマスクの前記幅より大きい、導電性ラインおよび前記導電性ライン間の間隔を形成すること
を含み、
前記堆積することは、
第1ガス化学物質での第1堆積によって第1堆積プラズマを形成することであって、
第1堆積ガスの流れを供給することと、
プラズマ中に前記第1堆積ガスを形成することと、
前記第1堆積ガスの流れを停止することと、を含む、第1堆積プラズマを形成すること、および
第2ガス化学物質での第2堆積によって第2堆積プラズマを形成することであって、前記第1ガス化学物質は前記第2ガス化学物質と異なり、
前記第1堆積ガスと異なる第2堆積ガスの流れを供給することと、
プラズマ中に前記第2堆積ガスを形成することと、
前記第1堆積ガスの流れと前記第2堆積ガスの流れとが同時ではなく交互に起こるように前記第2堆積ガスの流れを停止することと、を含む、第2堆積プラズマを形成すること、を含む、方法。 - 請求項1に記載の方法であって、前記マスク間隔の前記幅に対する前記マスクラインの前記幅の比は、1:1より小さく、前記導電性ラインの間の前記間隔の前記幅に対する前記導電性ラインの前記幅の比は、1:1より小さくない方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記マスク間隔の前記幅に対する前記マスクラインの前記幅の比は、1:1より小さく、前記導電性ラインの間の前記間隔の前記幅に対する前記導電性ラインの前記幅の比は、1:1より大きい方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記コンフォーマルレイヤを第1エッチングレシピでエッチングすることをさらに含み、前記導電性レイヤの前記エッチングは、前記第1エッチングレシピと異なる第2エッチングレシピを用いる方法。
- 請求項1に記載の方法であって、前記プラズマ処理チャンバ内に前記基板を置いたままで、前記コンフォーマルレイヤおよびマスクを単一の剥離ステップで剥離することをさらに含む方法。
- レイヤ中にフィーチャを形成する方法であって、
前記レイヤ上にフォトレジストレイヤを形成すること、
前記フォトレジストレイヤをパターン付けすることによって、フォトレジスト側壁を持つフォトレジストフィーチャを形成することであって、前記フォトレジストフィーチャは第1微小寸法を有する、フォトレジストフィーチャを形成すること、
前記フォトレジストフィーチャの前記側壁上にコンフォーマルレイヤを堆積することによって、前記フォトレジストフィーチャの前記微小寸法を低減することであって、
第1ガス化学物質での第1堆積によって第1堆積プラズマを形成することであって、
第1堆積ガスの流れを供給することと、
プラズマ中に前記第1堆積ガスを形成することと、
前記第1堆積ガスの流れを停止することとを含む、第1堆積プラズマを形成すること、および
第2ガス化学物質での第2堆積によって第2堆積プラズマを形成することであって、前記第1ガス化学物質は前記第2ガス化学物質と異なり、
前記第1堆積ガスと異なる第2堆積ガスの流れを供給することと、
プラズマ中に前記第2堆積ガスを形成することと、
前記第1堆積ガスの流れと前記第2堆積ガスの流れとが同時ではなく交互に起こるように前記第2堆積ガスの流れを停止することとを含む、第2堆積プラズマを形成すること、を含む、コンフォーマルレイヤを堆積すること、および
前記レイヤ内にフィーチャをエッチングすることであって、前記レイヤフィーチャは、前記第1微小寸法より小さい第2微小寸法を有する、エッチングすること
を含み、前記コンフォーマルレイヤの堆積は堆積されたコンフォーマルレイヤの無いビアの底部を提供する、方法。 - レイヤ中にフィーチャを形成する方法であって、
前記レイヤ上にフォトレジストレイヤを形成すること、
前記フォトレジストレイヤをパターン付けすることによって、フォトレジスト側壁を持つフォトレジストフィーチャを形成することであって、前記フォトレジストフィーチャは第1微小寸法を有する、フォトレジストフィーチャを形成すること、
前記フォトレジストフィーチャの前記側壁上にコンフォーマルレイヤを堆積することによって、前記フォトレジストフィーチャの前記微小寸法を低減することであって、前記フォトレジストフィーチャの前記側壁上にコンフォーマルレイヤを堆積することは、
第1ガス化学物質での第1堆積によって第1堆積プラズマを形成することであって、
第1堆積ガスの流れを供給することと、
プラズマ中に前記第1堆積ガスを形成することと、
前記第1堆積ガスの流れを停止することとを含む、第1堆積プラズマを形成すること、および
第2ガス化学物質での第2堆積によって第2堆積プラズマを形成することであって、前記第1ガス化学物質は前記第2ガス化学物質と異なり、
前記第1堆積ガスと異なる第2堆積ガスの流れを供給することと、
プラズマ中に前記第2堆積ガスを形成することと、
前記第1堆積ガスの流れと前記第2堆積ガスの流れとが同時ではなく交互に起こるように前記第2堆積ガスの流れを停止することとを含む、第2堆積プラズマを形成すること、を含む、前記フォトレジストフィーチャの前記側壁上にコンフォーマルレイヤを堆積すること、および
前記レイヤ内にフィーチャをエッチングすることであって、前記レイヤフィーチャは、第2微小寸法を有し、前記第2微小寸法は、前記第1微小寸法の70%より大きくない、エッチングすること
を含み、前記レイヤの堆積は堆積されたレイヤの無いビアの底部を提供する、方法。 - レイヤ中にフィーチャを形成する方法であって、
前記レイヤ上にフォトレジストレイヤを形成すること、
前記フォトレジストレイヤをパターン付けすることによって、フォトレジスト側壁を持つフォトレジストフィーチャを形成することであって、前記フォトレジストフィーチャは第1微小寸法を有する、フォトレジストフィーチャを形成すること、
前記フォトレジストフィーチャの前記側壁上にコンフォーマルレイヤを堆積することによって、前記フォトレジストフィーチャの前記微小寸法を低減することであって、
第1ガス化学物質での第1堆積によって第1堆積プラズマを形成することであって、
第1堆積ガスの流れを供給することと、
プラズマ中に前記第1堆積ガスを形成することと、
前記第1堆積ガスの流れを停止することとを含む、第1堆積プラズマを形成すること、および
第2ガス化学物質での第2堆積によって第2堆積プラズマを形成することであって、前記第1ガス化学物質は前記第2ガス化学物質と異なり、
前記第1堆積ガスと異なる第2堆積ガスの流れを供給することと、
プラズマ中に前記第2堆積ガスを形成することと、
前記第1堆積ガスの流れと前記第2堆積ガスの流れとが同時ではなく交互に起こるように前記第2堆積ガスの流れを停止することとを含む、第2堆積プラズマを形成すること、を含む、コンフォーマルレイヤを堆積すること、および
前記レイヤ内にフィーチャをエッチングすることであって、前記レイヤフィーチャは、前記第1微小寸法より小さい第2微小寸法を有する、エッチングすること
を含む方法。 - 請求項8に記載の方法であって、前記フォトレジストフィーチャ上にコンフォーマルレイヤを堆積することは、
前記第1ガス化学物質での第3堆積によって第3堆積プラズマを形成すること、および
前記第2ガス化学物質での第4堆積によって第4堆積プラズマを形成すること
をさらに含む方法。 - 請求項8および9のいずれかに記載の方法であって、前記第2微小寸法は、前記第1微小寸法の70%より大きくない方法。
- 請求項10に記載の方法であって、前記側壁上に前記コンフォーマルレイヤを堆積することは、実質的に垂直な側壁を形成する方法。
- 請求項8ないし11のいずれかに記載の方法であって、前記フォトレジストレイヤは248nmフォトレジストから形成され、前記フィーチャは140nmより大きくないCDを有する方法。
- 請求項11に記載の方法であって、前記フォトレジストマスクおよび堆積されたコンフォーマルレイヤを単一の剥離ステップで剥離することをさらに含む方法。
- 請求項13に記載の方法であって、前記フォトレジストマスクおよび堆積されたコンフォーマルレイヤを前記剥離することは、前記フォトレジストマスクおよび堆積されたレイヤをアッシングすることを含む方法。
- 請求項10に記載の方法であって、前記コンフォーマルレイヤは側壁厚さを有し、前記コンフォーマルレイヤは、前記フィーチャの上部から底部まで実質的に同じ側壁厚さを有する方法。
- 請求項10に記載の方法であって、前記コンフォーマルレイヤは、側壁厚さおよびフォトレジストフィーチャ底部厚さを有し、前記側壁厚さは、前記フォトレジストフィーチャ底部厚さより大きい方法。
- レイヤ中にフィーチャを形成する方法であって、
前記レイヤ上にフォトレジストレイヤを形成すること、
前記フォトレジストレイヤをパターン付けすることによって、フォトレジスト側壁を持つフォトレジストフィーチャを形成することであって、前記フォトレジストフィーチャは第1微小寸法を有する、フォトレジストフィーチャを形成すること、
前記フォトレジストフィーチャの前記側壁上にコンフォーマルレイヤを堆積することによって、前記フォトレジストフィーチャの前記微小寸法を低減することであって、前記フォトレジストフィーチャの前記側壁上にコンフォーマルレイヤを堆積することは、
第1ガス化学物質での第1堆積によって第1堆積プラズマを形成することであって、
第1堆積ガスの流れを供給することと、
プラズマ中に前記第1堆積ガスを形成することと、
前記第1堆積ガスの流れを停止することとを含む、第1堆積プラズマを形成すること、および
第2ガス化学物質での第2堆積によって第2堆積プラズマを形成することであって、前記第1ガス化学物質は前記第2ガス化学物質と異なり、
前記第1堆積ガスと異なる第2堆積ガスの流れを供給することと、
プラズマ中に前記第2堆積ガスを形成することと、
前記第1堆積ガスの流れと前記第2堆積ガスの流れとが同時ではなく交互に起こるように前記第2堆積ガスの流れを停止することとを含む、第2堆積プラズマを形成すること、を含む、前記フォトレジストフィーチャの前記側壁上にコンフォーマルレイヤを堆積すること、および
前記レイヤ内にフィーチャをエッチングすることであって、前記レイヤフィーチャは、第2微小寸法を有し、前記第2微小寸法は、前記第1微小寸法の70%より大きくない、エッチングすること
を含む方法。 - 請求項17に記載の方法であって、前記第2微小寸法は、前記第1微小寸法の60%より大きくない方法。
- 請求項17に記載の方法であって、前記フォトレジストフィーチャ上に前記コンフォーマルレイヤを堆積することは、
前記第1ガス化学物質での第3堆積によって第3堆積プラズマを形成すること、および
前記第2ガス化学物質での第4堆積によって第4堆積プラズマを形成すること
をさらに含む方法。 - 請求項19に記載の方法であって、前記側壁上に前記コンフォーマルレイヤを堆積することは、実質的に垂直な側壁を形成する方法。
- レイヤ中にフィーチャを形成する装置であって、前記レイヤは、基板によって支持され、前記レイヤは、第1CDを持つフォトレジストフィーチャを持つフォトレジストマスクによって覆われ、前記装置は、
プラズマ処理チャンバであって、
プラズマ処理チャンバエンクロージャを形成するチャンバ壁、
前記プラズマ処理チャンバエンクロージャ内で基板を支持する基板支持、
前記プラズマ処理チャンバエンクロージャ内の圧力を制御する圧力レギュレータ、
プラズマを維持するために前記プラズマ処理チャンバエンクロージャに電力を供給する少なくとも1つの電極、
ガスを前記プラズマ処理チャンバエンクロージャ内に供給するガス吸気口、および
ガスを前記プラズマ処理チャンバエンクロージャから排気するガス出口
を備えるプラズマ処理チャンバ、
前記ガス吸気口と流体連通するガスソースであって、
第1堆積ガスソース、
第2堆積ガスソース、および
エッチャントガスソース
を備えるガスソース、
前記ガスソースおよび前記少なくとも1つの電極に制御可能に接続されたコントローラであって、
少なくとも1つのプロセッサ、および
コンピュータで読み取り可能な媒体であって、
前記フォトレジストフィーチャ内に、第2CDを持つフィーチャを形成するためにフォトレジストマスク上にコンフォーマル側壁堆積を形成するよう少なくとも3つの堆積サイクルを行うコンピュータで読み取り可能なコードであって、
前記第1堆積ガスソースから前記プラズマ処理チャンバエンクロージャへ第1堆積ガスのフローを供給するコンピュータで読み取り可能なコード、
前記第1堆積ガスソースから前記プラズマ処理チャンバエンクロージャへの前記第1堆積ガスのフローを停止するコンピュータで読み取り可能なコード、
前記第1堆積ガスの流れが停止された後で、前記第2堆積ガスソースから前記プラズマ処理チャンバエンクロージャへ第2堆積ガスのフローを供給するコンピュータで読み取り可能なコード、および
前記第2堆積ガスソースから前記プラズマ処理チャンバエンクロージャへの前記第2堆積ガスのフローを停止するコンピュータで読み取り可能なコード
を含む少なくとも3つの堆積サイクルを行うコンピュータで読み取り可能なコード、
前記少なくとも3つの堆積サイクルの完了後に、前記エッチャントガスソースから前記プラズマ処理チャンバへエッチャントガスのフローを供給するコンピュータで読み取り可能なコード、および
前記エッチャントガスを用いて前記レイヤ中でフィーチャをエッチングするコンピュータで読み取り可能なコードであって、前記レイヤ中の前記フィーチャは第3CDを有する、コード
を備えるコンピュータで読み取り可能な媒体を備えるコントローラ
を備える装置。 - 請求項21に記載の装置であって、前記第2CDは前記第1CDの70%より小さく、前記第3CDは前記第1CDの70%より小さい装置。
- 請求項21に記載の装置であって、前記側壁堆積は高度にコンフォーマルである装置。
- 請求項1,2,6−8,17のいずれかに記載の方法であって、前記第1堆積は、ブレッドロウフィング堆積およびファセッティング堆積からなるグループから選択され、前記第2堆積は、ブレッドロウフィング堆積およびファセッティング堆積からなるグループから選択され、前記第1堆積および第2堆積は、両方ともブレッドロウフィング堆積ではなく、両方ともファセッティング堆積ではない方法。
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