JP2012209290A - レジストパターン形成方法およびそれを用いたパターン化基板の製造方法 - Google Patents
レジストパターン形成方法およびそれを用いたパターン化基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2012209290A JP2012209290A JP2011071406A JP2011071406A JP2012209290A JP 2012209290 A JP2012209290 A JP 2012209290A JP 2011071406 A JP2011071406 A JP 2011071406A JP 2011071406 A JP2011071406 A JP 2011071406A JP 2012209290 A JP2012209290 A JP 2012209290A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- resist pattern
- gas
- resist
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 141
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 95
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 21
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 293
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 133
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 39
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims description 20
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 17
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 12
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 12
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 5
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 33
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 155
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 11
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- FTALTLPZDVFJSS-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl prop-2-enoate Chemical compound CCOCCOCCOC(=O)C=C FTALTLPZDVFJSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PUBNJSZGANKUGX-UHFFFAOYSA-N 2-(dimethylamino)-2-[(4-methylphenyl)methyl]-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=C(C)C=C1 PUBNJSZGANKUGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- GCTPMLUUWLLESL-UHFFFAOYSA-N benzyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 GCTPMLUUWLLESL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 1
- CNEKKZXYBHKSDC-UHFFFAOYSA-N ethyl acetate;propane-1,2-diol Chemical compound CC(O)CO.CCOC(C)=O CNEKKZXYBHKSDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 229920005650 polypropylene glycol diacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C33/00—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor
- B29C33/38—Moulds or cores; Details thereof or accessories therefor characterised by the material or the manufacturing process
- B29C33/3842—Manufacturing moulds, e.g. shaping the mould surface by machining
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
- B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
- B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【解決手段】凹凸パターンが転写されたレジスト膜2の残膜エッチング工程が、エッチングの際に堆積物4を生成する堆積性ガスを含有する第1のエッチングガスを用いて、レジストパターンにおける凸部の側壁に堆積物4が堆積しかつ残膜がエッチングされる条件でレジスト膜2をエッチングする第1のエッチング工程を含み、堆積物4を含めた上記凸部の幅が残膜エッチング工程前における上記凸部の幅以上の所望の幅となるように第1のエッチング工程以後の工程によってレジスト膜2をエッチングする。
【選択図】図3A
Description
微細な凹凸パターンを表面に有するモールドを用いて、凹凸パターンを基板上のレジスト膜に押し付け、
モールドをレジスト膜から剥離して、凹凸パターンをレジスト膜に転写し、
凹凸パターンが転写されたレジスト膜の残膜を除去するように反応性イオンエッチング法によりこのレジスト膜をエッチングする残膜エッチング工程を実施する方法であって、
残膜エッチング工程が、エッチングの際に堆積物を生成する堆積性ガスを含有する第1のエッチングガスを用いて、上記凹凸パターンの転写パターンであるレジストパターンにおける凸部の側壁に堆積物が堆積しかつ残膜がエッチングされる条件でレジスト膜をエッチングする第1のエッチング工程を含み、堆積物を含めた上記凸部の幅が残膜エッチング工程前における上記凸部の幅以上の所望の幅となるように第1のエッチング工程以後の工程によってレジスト膜をエッチングするものであることを特徴とするものである。
残膜エッチング工程は、第1のエッチング工程の後に、堆積物を含めた上記凸部の幅が所望の値となるように、上記凸部の側壁に堆積した堆積物をエッチングする第2のエッチング工程を含むことが好ましい。
上記に記載の形成方法によりレジスト膜にレジストパターンを形成し、
このレジスト膜をマスクとして基板をエッチングすることにより、レジストパターンに対応した凹凸パターンを基板の表面に形成することを特徴とするものである。
まず、レジストパターン形成方法の実施形態について説明する。図1Aは本発明の実施形態のレジストパターン形成方法に係るモールドを示す概略断面図であり、図1Bは図1Aにおけるモールドの凹凸パターン領域の一部の断面を示す概略拡大図である。また、図2Aから図2Cはレジストパターン形成方法の実施形態の工程を示す概略断面図である。
モールド1は、例えば図1Aおよび図1Bに示すように、支持部12と、支持部12の表面上に形成された微細な凹凸パターン13とから構成される。
加工対象となる基板3は、モールド1が光透過性を有する場合、その形状、構造、大きさ、材質等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。基板3のパターン転写の対象となる面がレジスト塗布面となる。例えば基板3が情報記録媒体の製造向けのものである場合には、基板3の形状は通常円板状である。構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよい。材質としては、基板材料として公知のものの中から、適宜選択することができ、例えば、シリコン、ニッケル、アルミニウム、ガラス、樹脂、などが挙げられる。これらの基板材料は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。基板3の厚さとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、0.05mm以上が好ましく、0.1mm以上がより好ましい。基板3の厚さが0.05mm未満であると、基板3とモールドとの接着時に基板3側に撓みが発生し、均一な接着状態を確保できない可能性がある。一方、モールド1が光透過性を有しない場合は、光硬化性レジストの露光を可能とするために石英基板を用いる。石英基板は、光透過性を有し、厚さが0.3mm以上であれば、特に制限されることなく、目的に応じて適宜選択される。例えば、石英基板表面をシランカップリング剤で被覆したものや、前記積層体の表面をシランカップリング剤で被覆したものなどが挙げられる。石英基板の厚さは、通常0.3mm以上が好ましい。0.3mm以下では、ハンドリングやインプリント中の押圧で破損しやすい。
レジスト膜2を構成するレジストは、特に制限されるものではないが、本実施形態では例えば重合性化合物に、光重合開始剤(2質量%程度)、フッ素モノマー(0.1〜1質量%)を加えて調製された光硬化性樹脂を用いることができる。また、必要に応じて酸化防止剤(1質量%程度)を添加することもできる。上記の手順により作成した光硬化性のレジストは波長360nmの紫外光により硬化することができる。溶解性の悪いものについては少量のアセトンまたは酢酸エチルを加えて溶解させた後、溶媒を留去することが好ましい。
モールド1と基板3間の雰囲気を減圧または真空雰囲気にした後に、モールド1を押し付けることで残留気体を低減する。ただし、高真空雰囲気下では硬化前のレジストが揮発し、均一な膜厚を維持することが困難となる可能性がある。そこで、好ましくはモールド1と基板3間の雰囲気を、He雰囲気または減圧He雰囲気にすることで残留気体を低減する。Heは石英基板を透過するため、取り込まれた残留気体(He)は徐々に減少する。Heの透過には時間を要すため減圧He雰囲気とすることがより好ましい。
モールド1を押し付けてレジスト膜2にレジストパターンを形成した後、モールド1をレジスト膜2から剥離する。剥離させる方法としては、例えばモールド1または基板3のどちらかの外縁部を保持し、他方の基板3またはモールド1の裏面を吸引保持した状態で、外縁の保持部もしくは裏面の保持部を押圧と反対方向に相対移動させることで剥離させる方法が挙げられる。この工程を経た時点では、レジストパターンの凸部の幅は、モールド1の凹凸パターン13の凸部同士の間隔W2に一致する。
残膜エッチング工程は、レジストパターンの凹部の底にある残膜2bを除去するための工程である。本実施形態では、残膜エッチング工程は第1のエッチング工程および第2のエッチング工程とから構成される。反応性イオンエッチング(RIE)は、アンダーカット(サイドエッチ)を抑制するため、垂直異方性(イオンの運動が凹部の深さ方向に偏っている度合)の高いものが好ましく、特に誘導結合型プラズマ(ICP)−RIE、容量結合型プラズマ(CCP)−RIEまたは電子サイクロトロン共鳴型(ECR)−RIEであることが好ましい。さらに、本発明においてバイアス電力(プラズマと下部電極との間にバイアスを形成するための電力)は、その制御を容易にするため、プラズマ電力(プラズマを形成するための電力)と独立して制御可能な方式を採用することが好ましい。
第1のエッチング工程は、エッチングの際に堆積物を生成する堆積性ガスを含有する第1のエッチングガスを用い、凹凸パターン13の転写パターンであるレジストパターンにおける凸部2aの側壁に堆積物4が堆積しかつ残膜2bがエッチングされる条件で、レジスト膜2をエッチングする工程である。本明細書において、「堆積物が堆積しかつ残膜がエッチングされる」とは、堆積物4の堆積と残膜2bのエッチングとが同時に行われていること、および、残膜2bが完全に除去され、堆積物4の堆積のみがそのままの状態で継続して行われていることを含む意味である。残膜2bが完全に除去されるまでに複数のエッチング工程を経る場合にはそれらが全体として1つの「第1のエッチング工程」に相当する。
第2のエッチング工程は、第1のエッチング工程において堆積した堆積物4のうち不要な部分をエッチングする工程である。図3Aはレジストパターン形成方法において第1のエッチング工程後かつ第2のエッチング工程前のレジストパターンの状態を示す概略断面図である。また、図3Bレジストパターン形成方法において第2のエッチング工程後のレジストパターンの状態を示す概略断面図である。第1のエッチング工程において、堆積物4を含めたレジストパターンの凸部2aの幅W3が所望の値Woとなる前に残膜2bが完全に除去される場合には、堆積物4を含めた上記凸部2aの幅W3が所望の値Woとなる時点に合わせて第1のエッチング工程を終了すれば、上記幅W3を所望の値Woとすることが可能である。しかし、残膜2bが完全に除去される前に上記幅W3が所望の値Woとなる場合には、残膜2bを完全に除去しなければならないため上記幅W3が所望の値Woとなる時点を超えて第1のエッチング工程を継続しなければならない。つまり、残膜2bが完全に除去された時点(或いは第1のエッチング工程を終了した時点)においては、上記幅W3が所望の値Woよりも大きくなるため(図3A)、当該幅W3が所望の値Woとなるようなトリミング処理が必要となる。そこで、第2のエッチング工程では、上記のように所望の値Woよりも大きくなった上記幅W3が所望の値Woとなるようにエッチングが行われる(図3B)。なお、第1のエッチング工程のみで上記幅W3を所望の値Woとすることができかつ残膜2bを完全に除去することができる場合には第2のエッチング工程は不要となる。
第1の実施形態においては、レジストパターンの凸部のトリミング機能と堆積物の残渣の除去機能とを有するエッチング工程は、第2のエッチング工程のみであったが、本発明はこのような形態に限られない。つまり、この2つの機能を有するエッチング工程は、エッチング条件が互いに異なり連続的又は非連続的に実施される複数のエッチング工程から構成されてもよい。ここで、非連続的とは、エッチング工程同士の間隔を長時間空ける場合やエッチング装置を変更する場合等を意味する。
次に、本発明のパターン化基板の製造方法の実施形態について説明する。本実施形態では、前述したレジストパターン形成方法を用いてパターン化基板の製造を行う。図4Aから図4Cは、パターン化基板の製造方法の実施形態の工程を示す概略断面図である。
(レジストパターンの形成)
クロム層(5nm)付きの石英基板の当該クロム層上に光硬化性レジストを塗布してレジスト膜(60nm)を形成した。光硬化性レジストの成分は、上記構造式(1)で示される化合物、IRGACURE 379および上記構造式(2)で示されるフッ素モノマーをそれぞれ質量比97:2:1の割合で混合したものである。その後、凸部の幅が20nmであり、凸部の高さが40nmであり、凸部の周期間隔が40nmである凹凸パターンを有するSiモールドを当該レジスト膜に対して押し付け、紫外光を照射することでレジスト膜を硬化し、Siモールドをレジスト膜から剥離して、Siモールドの凹凸パターンをレジスト膜に転写した。この時点でのレジストパターンについて、凸部の幅は20nmであり、凸部の高さは40nmであり、凸部の周期間隔は40nmである。
エッチングガス:CHF3ガス、酸素ガスおよびアルゴンガスをそれぞれ1:1:10の割合で混合した。
プラズマ電力:50W
バイアス電力:25W
圧力:2Pa
残膜の平均の厚さに対するエッチング量:150%
測長可能な走査型電子顕微鏡(SEM)(日本電子株式会社製)にて、残膜エッチング工程後におけるレジストパターンの凸部の幅をTOPVIEW観察により評価した。また、同時に断面構造の評価も行った。そして、残膜エッチング工程前後のレジストパターンの凸部の幅(残膜エッチング工程後においては当該凸部に堆積した堆積物を含めた幅)からレジストパターンの凸部の幅方向(凸部の側面に垂直な方向)のエッチングレートE1を算出し、残膜エッチング工程前後の当該凸部の高さから当該凸部の高さ方向のエッチングレートE2を算出した。そして、高さ方向のエッチングレートE2に対する幅方向のエッチングレートE1の比E1/E2を算出した。
エッチングガスとして、CHF3ガス、酸素ガスおよびアルゴンガスをそれぞれ4:1:10の割合で混合したものを用いた点以外は、実施例1−1と同様にレジストパターンの形成および評価を行った。
エッチングガスとして、CHF3ガス、酸素ガスおよびアルゴンガスをそれぞれ8:1:10の割合で混合したものを用いた点以外は、実施例1−1と同様にレジストパターンの形成および評価を行った。
エッチングガスとして、CHF3ガス、酸素ガスおよびアルゴンガスをそれぞれ12:1:10の割合で混合したものを用いた点以外は、実施例1−1と同様にレジストパターンの形成および評価を行った。
エッチングガスとして、CHF3ガス、およびアルゴンガスをそれぞれ1:10の割合で混合したものを用いた点以外は、実施例1−1と同様にレジストパターンの形成および評価を行った。
エッチングガスとして、CHF3ガス、およびアルゴンガスをそれぞれ1:5の割合で混合したものを用いた点以外は、実施例1−1と同様にレジストパターンの形成および評価を行った。
エッチングガスとして、酸素ガスおよびアルゴンガスをそれぞれ1:10の割合で混合したものを用いた点以外は、実施例1−1と同様にレジストパターンの形成および評価を行った。
エッチングガスとして、酸素ガスおよびアルゴンガスをそれぞれ1:1の割合で混合したものを用いた点以外は、実施例1−1と同様にレジストパターンの形成および評価を行った。
下記の表1は、上記実施例1−1から1−6並びに比較例1および2の結果を示すものである。そして、図5は、上記実施例1−1から1−6におけるエッチングガス全体に対するCHF3の割合とE1/E2の値との関係を示すグラフである。グラフ中の丸い点は、エッチングガスが酸素ガスを含有する場合を表し、四角い点はエッチングガスが酸素ガスを含有しない場合を表す。表1においてE1/E2の符号がプラスであることは、残膜エッチング工程後のレジストパターンの凸部の幅が残膜エッチング工程前における当該凸部の幅より広くなっていることを意味する。これらの結果より、本発明のレジストパターン形成方法によれば、エッチング条件を制御してレジストパターンの凸部の側壁への堆積物の付着度合いを制御できることが確認された。つまり、残膜をエッチングする工程後のレジストパターンの凸部の幅を、残膜をエッチングする工程前におけるレジストパターンの凸部の幅以上の所望の幅とすることが可能であることが確認された。
(レジストパターンの形成)
Siモールドの凹凸パターンの光硬化性レジスト膜への転写、および残膜の厚さの測定については実施例1−1と同様である。
エッチングガス:CHF3ガス、およびアルゴンガスをそれぞれ1:3の割合で混合した。
プラズマ電力:50W
バイアス電力:25W
圧力:2Pa
残膜の平均の厚さに対するエッチング量:100%
エッチングガス:酸素ガスおよびアルゴンガスをそれぞれ1:1の割合で混合した。
プラズマ電力:25W
バイアス電力:25W
圧力:0.6Pa
残膜の平均の厚さに対するエッチング量:50%
測長可能なSEMにてTOPVIEW及び断面観察により、レジストパターンの凸部幅に関する増減について評価した。具体的には、第1のエッチング工程後の上記凸部の幅が、第1のエッチング工程前の上記凸部の幅に対して増加したか或いは減少したかを評価した。
測長可能なSEMにてTOPVIEW及び断面観察により、第2のエッチング工程におけるレジストパターンのトリミング効果について評価した。具体的には、第2のエッチング工程終了時の上記凸部の幅が第1のエッチング工程終了時の上記凸部の幅に対して減少している場合をトリミング効果ありと評価した。
上記残膜エッチング工程後にレジストパターンの凹部の底に残る堆積物の残渣の有無を評価した。具体的には、上記残膜エッチング工程を実施した後、塩素系ガスを用いたプラズマにてクロム層のエッチングを行い、SEM観察によりクロム層の残存状況を調べ、クロム層が部分的にでも残存している場合を残渣ありと、クロム層が残存していない場合を残渣なしと評価した。ここでクロム層のエッチングの終了点は、少なくともクロム膜を丁度除去できる時点からそれまでの経過時間の50%分だけ超過した時点とした。
上記の残膜エッチング工程を実施した後、塩素系ガスを用いたプラズマにてクロム層のエッチングを行った。クロム層のエッチングは、少なくともクロム膜を丁度除去できる時点からそれまでの経過時間の50%分だけ超過した時点とした。次いで、フッ素系ガスプラズマを用いて石英基板を深さ60nmエッチングし、レジストパターンに対応した凹凸パターンを石英基板に形成した。
測長可能なSEMにて、パターン化基板に形成された凹凸パターンの欠陥の有無を評価した。具体的には、凹凸パターンの欠陥として、凹凸パターンの凸部の断線およびクロムの残存により凹凸パターンを形成不可能な領域の有無を評価した。図6及び図6Bは、凹凸パターンの評価基準を説明するためのSEM画像を示す図である。パターン化基板の凸部の断線の有無は、図6Aのような場合を断線なしと評価し、図6Bのような場合を断線ありと評価した。また、残膜エッチング工程後に堆積物の残渣がある場合を、凹凸パターンを形成不可能な領域があると評価した。以上の結果、いずれの欠陥もなかった場合を凹凸パターンの欠陥なし(表では○)と、いずれかの欠陥があった場合を凹凸パターンの欠陥あり(表では×)と評価した。
第2のエッチング工程を実施せずに、第1のエッチング工程における残膜の平均の厚さに対するエッチング量を150%とした点以外は、実施例2と同様にレジストパターンの形成および評価、並びにパターン化基板の製造および評価を行った。
第1のエッチング工程を実施せずに、第2のエッチング工程における残膜の平均の厚さに対するエッチング量を150%とした点以外は、実施例2と同様にレジストパターンの形成および評価、並びにパターン化基板の製造および評価を行った。
下記の表2は、上記実施例2並びに比較例2−1および2−2の結果を示すものである。これらの結果より、本発明の第2のエッチング工程を含むレジストパターン形成方法によれば、第1のエッチング工程において残渣が生じる場合においても第2のエッチング工程によって残渣を除去でき、かつ残膜をエッチングする工程後のレジストパターンの凸部の幅を、残膜をエッチングする工程前におけるレジストパターンの凸部の幅以上の所望の幅とすることが可能であることが確認された。
2 レジスト膜
2a 凸部
2b 残膜
3 基板
3a 支持基板
3b マスク層
4 レジストパターンの凸部側壁に堆積した堆積物
5 レジストパターンの凹部の底に残った堆積物の残渣
12 支持部
13 凹凸パターン
Claims (15)
- 微細な凹凸パターンを表面に有するモールドを用いて、前記凹凸パターンを基板上のレジスト膜に押し付け、
前記モールドを前記レジスト膜から剥離して、前記凹凸パターンを前記レジスト膜に転写し、
前記凹凸パターンが転写された前記レジスト膜の残膜を除去するように反応性イオンエッチング法により該レジスト膜をエッチングする残膜エッチング工程を実施する方法であって、
前記残膜エッチング工程が、エッチングの際に堆積物を生成する堆積性ガスを含有する第1のエッチングガスを用いて、前記凹凸パターンの転写パターンであるレジストパターンにおける凸部の側壁に前記堆積物が堆積しかつ前記残膜がエッチングされる条件で前記レジスト膜をエッチングする第1のエッチング工程を含み、前記堆積物を含めた前記凸部の幅が残膜エッチング工程前における前記凸部の幅以上の所望の幅となるように前記第1のエッチング工程以後の工程によって前記レジスト膜をエッチングするものであることを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 前記堆積性ガスがCHxF4−xで表されるフルオロカーボンガスであることを特徴とする請求項1に記載のレジストパターン形成方法。
(xは0〜3の整数を表す。) - 前記堆積性ガスがCF4、CHF3およびCH2F2の少なくとも1つであることを特徴とする請求項2に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記第1のエッチングガス中の前記堆積性ガスの割合が0.05〜0.5であることを特徴とする請求項1から3に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記第1のエッチングガスが酸素ガスを含有するものであることを特徴とする請求項1から4いずれかに記載のレジストパターン形成方法。
- 前記第1のエッチングガス中における前記堆積性ガスに対する前記酸素ガスの割合が0.01〜5であることを特徴とする請求項5に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記第1のエッチングガスが希ガスを含有するものであることを特徴とする請求項1から6いずれかに記載のレジストパターン形成方法。
- 前記第1のエッチングガス中における前記堆積性ガスに対する前記希ガスの割合が0.8〜10であることを特徴とする請求項7に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記第1のエッチング工程が、前記堆積物を含めた前記凸部の幅が前記所望の値より大きくなるように前記堆積物が堆積する条件で前記レジスト膜をエッチングするものであり、
前記残膜エッチング工程が、該第1のエッチング工程の後に、前記堆積物を含めた前記凸部の幅が前記所望の値となるように、前記凸部の側壁に堆積した前記堆積物をエッチングする第2のエッチング工程を含むことを特徴とする請求項1〜8に記載のレジストパターン形成方法。 - 前記第1のエッチングガス中の前記堆積性ガスの割合が、前記第2のエッチング工程において使用される第2のエッチングガス中の堆積性ガスの割合よりも大きいことを特徴とする請求項9に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記第1のエッチングガス中の酸素ガスの割合が、前記第2のエッチング工程において使用される第2のエッチングガス中の酸素ガスの割合よりも小さいことを特徴とする請求項9または10に記載のレジストパターン形成方法。
- 前記反応性イオンエッチング法が、誘導結合、容量結合および電子サイクロトロン共鳴のいずれかのプラズマ発生法を用いたエッチング法であることを特徴とする請求項1から11いずれかに記載のレジストパターン形成方法。
- 前記基板が、前記レジスト膜が形成される表面に1層以上のマスク層を有することを特徴とする請求項1から12いずれかに記載のレジストパターン形成方法。
- 前記マスク層が、クロムおよび/またはクロム酸化物を含有する層を少なくとも1層有することを特徴とする請求項13に記載のレジストパターン形成方法。
- 請求項1から14いずれかに記載の方法によりレジスト膜にレジストパターンを形成し、
該レジスト膜をマスクとして前記基板をエッチングすることにより、前記レジストパターンに対応した凹凸パターンを前記基板の表面に形成することを特徴とするパターン化基板の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011071406A JP5634313B2 (ja) | 2011-03-29 | 2011-03-29 | レジストパターン形成方法およびそれを用いたパターン化基板の製造方法 |
KR1020137028314A KR101512262B1 (ko) | 2011-03-29 | 2012-03-29 | 레지스트 패턴 형성 방법 및 레지스트 패턴을 사용한 패턴화 기판의 제조 방법 |
TW101110951A TWI475335B (zh) | 2011-03-29 | 2012-03-29 | 抗蝕劑圖案形成方法以及使用該抗蝕劑圖案的圖案化基板的製造方法 |
PCT/JP2012/059290 WO2012133932A1 (en) | 2011-03-29 | 2012-03-29 | Method for forming resist patterns and method for producing patterend substrates employing the resist patterns |
US14/039,249 US20140024217A1 (en) | 2011-03-29 | 2013-09-27 | Method for forming resist patterns and method for producing patterend substrates employing the resist patterns |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011071406A JP5634313B2 (ja) | 2011-03-29 | 2011-03-29 | レジストパターン形成方法およびそれを用いたパターン化基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012209290A true JP2012209290A (ja) | 2012-10-25 |
JP5634313B2 JP5634313B2 (ja) | 2014-12-03 |
Family
ID=46148928
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011071406A Active JP5634313B2 (ja) | 2011-03-29 | 2011-03-29 | レジストパターン形成方法およびそれを用いたパターン化基板の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20140024217A1 (ja) |
JP (1) | JP5634313B2 (ja) |
KR (1) | KR101512262B1 (ja) |
TW (1) | TWI475335B (ja) |
WO (1) | WO2012133932A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0367584A (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-22 | Mitsubishi Materials Corp | 細胞培養用担体 |
JP2014096494A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成方法 |
JP2014133310A (ja) * | 2013-01-08 | 2014-07-24 | Dainippon Printing Co Ltd | インプリントモールドの製造方法 |
WO2015008719A1 (ja) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | セントラル硝子株式会社 | 膜形成用組成物およびその膜、並びにそれを用いる有機半導体素子の製造方法 |
WO2015008720A1 (ja) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | セントラル硝子株式会社 | 膜形成用組成物およびその膜、並びにそれを用いる有機半導体素子の製造方法 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI502733B (zh) | 2012-11-02 | 2015-10-01 | 環旭電子股份有限公司 | 電子封裝模組及其製造方法 |
JP2016157782A (ja) | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社東芝 | パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
WO2018044942A1 (en) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | Patara Pharma, LLC | Cromolyn compositions for treatment of chronic cough due to idiopathic pulmonary fibrosis |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05102107A (ja) * | 1991-10-08 | 1993-04-23 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0637072A (ja) * | 1992-07-15 | 1994-02-10 | Kawasaki Steel Corp | テーパエッチング方法 |
JP2000502512A (ja) * | 1996-10-07 | 2000-02-29 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 種々の基板を異方性プラズマ加工する方法 |
JP2005129893A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-05-19 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法 |
JP2005150335A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Tdk Corp | レジストパターン形成方法並びに磁気記録媒体及び磁気ヘッドの製造方法 |
JP2008198988A (ja) * | 2007-01-16 | 2008-08-28 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
JP2011258769A (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7250371B2 (en) | 2003-08-26 | 2007-07-31 | Lam Research Corporation | Reduction of feature critical dimensions |
US7686970B2 (en) * | 2004-12-30 | 2010-03-30 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
US8001924B2 (en) * | 2006-03-31 | 2011-08-23 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography |
US7776628B2 (en) * | 2006-11-16 | 2010-08-17 | International Business Machines Corporation | Method and system for tone inverting of residual layer tolerant imprint lithography |
US20090148619A1 (en) * | 2007-12-05 | 2009-06-11 | Molecular Imprints, Inc. | Controlling Thickness of Residual Layer |
US20090212012A1 (en) * | 2008-02-27 | 2009-08-27 | Molecular Imprints, Inc. | Critical dimension control during template formation |
US8980751B2 (en) * | 2010-01-27 | 2015-03-17 | Canon Nanotechnologies, Inc. | Methods and systems of material removal and pattern transfer |
US9372399B2 (en) * | 2010-08-26 | 2016-06-21 | Asml Netherlands B.V. | Imprint lithography method and imprintable medium |
FR2969772B1 (fr) * | 2010-12-22 | 2012-12-28 | Commissariat Energie Atomique | Procédé de lithographie par nano impression |
-
2011
- 2011-03-29 JP JP2011071406A patent/JP5634313B2/ja active Active
-
2012
- 2012-03-29 KR KR1020137028314A patent/KR101512262B1/ko active IP Right Grant
- 2012-03-29 TW TW101110951A patent/TWI475335B/zh not_active IP Right Cessation
- 2012-03-29 WO PCT/JP2012/059290 patent/WO2012133932A1/en active Application Filing
-
2013
- 2013-09-27 US US14/039,249 patent/US20140024217A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05102107A (ja) * | 1991-10-08 | 1993-04-23 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH0637072A (ja) * | 1992-07-15 | 1994-02-10 | Kawasaki Steel Corp | テーパエッチング方法 |
JP2000502512A (ja) * | 1996-10-07 | 2000-02-29 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 種々の基板を異方性プラズマ加工する方法 |
JP2005129893A (ja) * | 2003-09-29 | 2005-05-19 | Tokyo Electron Ltd | エッチング方法 |
JP2005150335A (ja) * | 2003-11-14 | 2005-06-09 | Tdk Corp | レジストパターン形成方法並びに磁気記録媒体及び磁気ヘッドの製造方法 |
JP2008198988A (ja) * | 2007-01-16 | 2008-08-28 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理方法 |
JP2011258769A (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光デバイスの製造方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0367584A (ja) * | 1989-08-04 | 1991-03-22 | Mitsubishi Materials Corp | 細胞培養用担体 |
JP2014096494A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-05-22 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成方法 |
JP2014133310A (ja) * | 2013-01-08 | 2014-07-24 | Dainippon Printing Co Ltd | インプリントモールドの製造方法 |
WO2015008719A1 (ja) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | セントラル硝子株式会社 | 膜形成用組成物およびその膜、並びにそれを用いる有機半導体素子の製造方法 |
WO2015008720A1 (ja) * | 2013-07-19 | 2015-01-22 | セントラル硝子株式会社 | 膜形成用組成物およびその膜、並びにそれを用いる有機半導体素子の製造方法 |
JP2015038976A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-26 | セントラル硝子株式会社 | 膜形成用組成物およびその膜、並びにそれを用いる有機半導体素子の製造方法 |
JP2015038198A (ja) * | 2013-07-19 | 2015-02-26 | セントラル硝子株式会社 | 膜形成用組成物およびその膜、並びにそれを用いる有機半導体素子の製造方法 |
CN105393342A (zh) * | 2013-07-19 | 2016-03-09 | 中央硝子株式会社 | 膜形成用组合物及其膜、以及使用其的有机半导体元件的制造方法 |
US9842993B2 (en) | 2013-07-19 | 2017-12-12 | Central Glass Company, Limited | Film-forming composition, film formed thereby, and method for manufacturing organic semiconductor element using same |
US9966575B2 (en) | 2013-07-19 | 2018-05-08 | Central Glass Company, Limited | Composition for forming films, film produced from said composition, and method for producing organic semiconductor element using said composition |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012133932A1 (en) | 2012-10-04 |
TWI475335B (zh) | 2015-03-01 |
JP5634313B2 (ja) | 2014-12-03 |
US20140024217A1 (en) | 2014-01-23 |
WO2012133932A4 (en) | 2012-12-27 |
KR20140024345A (ko) | 2014-02-28 |
TW201241581A (en) | 2012-10-16 |
KR101512262B1 (ko) | 2015-04-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5634313B2 (ja) | レジストパターン形成方法およびそれを用いたパターン化基板の製造方法 | |
JP5337776B2 (ja) | ナノインプリント方法およびそれを利用した基板の加工方法 | |
US20160379800A1 (en) | Plasma etching method and method of manufacturing patterned substrate | |
JP5865208B2 (ja) | モールドの製造方法 | |
JP2013077695A (ja) | ナノインプリント用のモールドおよびその製造方法並びにそのモールドを用いたナノインプリント方法およびパターン化基板の製造方法 | |
JP2013161893A (ja) | ナノインプリント用のモールド、並びにそれを用いたナノインプリント方法およびパターン化基板の製造方法 | |
JP6016578B2 (ja) | ナノインプリント方法、その方法に使用されるモールドおよびその方法を利用したパターン化基板の製造方法 | |
JP2014110367A (ja) | ナノインプリント方法およびそれを用いたパターン化基板の製造方法 | |
KR20140031248A (ko) | 몰드 제조용 마스크 블랭크스 및 몰드의 제조 방법 | |
WO2014076922A1 (ja) | ナノインプリント方法およびそれを用いたパターン化基板の製造方法 | |
JP5599355B2 (ja) | モールドの製造方法 | |
JP2013222791A (ja) | ナノインプリント方法およびナノインプリント用基板並びにそれらを用いたパターン化基板の製造方法 | |
JP6236918B2 (ja) | ナノインプリント用テンプレートの製造方法 | |
JP2013202900A (ja) | モールドおよびその製造方法並びにナノインプリント方法およびパターン化基板の製造方法 | |
JP6479058B2 (ja) | パターン形成マスク用薄膜層付基体およびパターン化基体の製造方法 | |
JP6037914B2 (ja) | 保護膜のエッチング方法およびテンプレートの製造方法 | |
JP2012212760A (ja) | レジストパターン形成方法およびモールド製造方法 | |
WO2015133102A1 (ja) | パターン形成方法およびパターン化基板製造方法 | |
WO2012133187A1 (ja) | ナノインプリント用モールドの製造方法および基板作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130703 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141007 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141014 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5634313 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |