JP2005129893A - エッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 第1工程では,パターニングされたマスク層212の側壁に反応生成物を堆積させて,各パターン幅を広げるように,かつ,初期状態(a)においてパターン幅が異なっていた第1領域reg11に属するマスク層212−1のパターン幅と第2領域reg12に属するマスク層212−2のパターン幅が,第1工程終了時点(b)で一致するようにプロセス条件を設定する。第2工程では,反射防止膜210を縦方向にエッチングするだけでなく,マスク層212のパターン幅を狭めるトリミング処理も並列実施する。第2工程終了時点(c)では,マスク層および反射防止膜のパターン幅は,パターン密度に関わらず,ウェハ全域で均一に調整される。
【選択図】 図3
Description
本実施の形態にかかるプラズマ処理装置の一例として,平行平板型のプラズマ処理装置101の概略構成を図1に示す。
次に,図1に示したプラズマ処理装置101によって,エッチング処理される被処理体の例について,図2を参照しながら説明する。
本実施の形態においては,マスク層212をマスクとして用いて,その下の反射防止膜(被エッチング層)210を選択的にプラズマエッチングする。そして,このエッチング処置は,プロセス条件の異なる少なくとも2つの工程(第1工程と第2工程)に分けて実施される。
チャンバ内圧力:10mTorr
上部電極印加高周波電力:200W
下部電極印加高周波電力:100W
Heガス圧力(センター/エッジ):3/3Torr
チャンバ内温度(トップ/ウォール/ボトム):80/60/30℃
エッチング時間:185sec
Edge Roughness)と称されている。LERは,通常数nm程度と小さいが,パターンの微細化が進むとこのオーダでも無視できなくなる。より高性能であって超微細な半導体装置を製造するためには,LERを軽減させる必要がある。この点,本実施の形態によれば,第1工程において,マスク層212−1とマスク層212−2のパターン幅が拡大し,これに伴いライン端の平坦化も実現する。
チャンバ内圧力:20mTorr
上部電極印加高周波電力:600W
下部電極印加高周波電力:100W
オーバーエッチング:10%
次に,本発明の第2の実施の形態について図面を参照しながら説明する。第1の実施の形態において図3(a)に示した例では,第2領域reg12(パターン密度が「疎」である領域)に属するマスク層212−2のパターン幅L120が,第1領域reg11(パターン密度が「密」である領域)に属するマスク層212−1のパターン幅L110に比べて狭くなっている。マスク層212に対してフォト・グラフィ処理を行い,マスク層をパターニングしたときには,これと逆の現象が生じる可能性もある。すなわち,図8(a)に示すように,第2領域reg22(パターン密度が「疎」である領域)に属するマスク層212−2のパターン幅L220が,第1領域reg21(パターン密度が「密」である領域)に属するマスク層212−1のパターン幅L210に比べて広くなることもある。
チャンバ内圧力:10mTorr
上部電極印加高周波電力:200W
下部電極印加高周波電力:0W
Heガス圧力(センター/エッジ):3/3Torr
チャンバ内温度(トップ/ウォール/ボトム):80/60/30℃
エッチング時間:35.6sec
チャンバ内圧力:20mTorr
上部電極印加高周波電力:600W
下部電極印加高周波電力:100W
オーバーエッチング:10%
102 チャンバ
105 サセプタ
121 上部電極
140 第1の高周波電源
141 第1の整合器
150 第2の高周波電源
151 第2の整合器
200 被処理体
202 ウェハ
204 絶縁層
206 導体層
208 ハードマスク層
210 反射防止膜
212 マスク層
reg11 第1領域
reg12 第2領域
Claims (17)
- 予めパターニングされたマスク層の側壁にプラズマ反応生成物を堆積させて前記マスク層のパターン幅を広げる第1工程と,
パターン幅が広げられた前記マスク層をマスクとして,被エッチング層をエッチングする第2工程と,
を有することを特徴とする,エッチング方法。 - 前記第2工程において,前記マスク層の側壁をエッチングして前記マスク層のパターン幅を狭めながら,前記被エッチング層をエッチングすることを特徴とする,請求項1に記載のエッチング方法。
- 前記マスク層は,各パターンが接近して密に配置された第1領域と,各パターンが離間して疎に配置された第2領域とを有し,予めパターニングされた前記マスク層のパターン幅は,前記第1領域に属するマスク層と前記第2領域に属するマスク層との間で異なり,
前記第1工程において,前記第1領域に属するマスク層のパターン幅と前記第2領域に属するマスク層のパターン幅が一致するように,前記各領域に属するマスク層のパターン幅を広げることを特徴とする,請求項1または2に記載のエッチング方法。 - 前記第1工程において,処理ガスとして,CF系ガス,CHF系ガス,またはCH系ガスのいずれかを用いることを特徴とする,請求項1〜3のいずれかに記載のエッチング方法。
- 前記処理ガスは,CHF3であることを特徴とする,請求項4に記載のエッチング方法。
- 予めパターニングされたマスク層の側壁をエッチングして前記マスク層のパターン幅を狭める第1工程と,
パターン幅が狭められた前記マスク層をマスクとして,当該マスク層の側壁をエッチングして前記マスク層のパターン幅をさらに狭めながら,被エッチング層をエッチングする第2工程と,
を有することを特徴とする,エッチング方法。 - 前記マスク層は,各パターンが接近して密に配置された第1領域と,各パターンが離間して疎に配置された第2領域とを有し,予めパターニングされた前記マスク層のパターン幅は,前記第1領域に属するマスク層と前記第2領域に属するマスク層との間で異なり,
前記第1工程において,前記第1領域に属するマスク層のパターン幅と前記第2領域に属するマスク層のパターン幅が一致するように,前記各領域に属するマスク層のパターン幅を狭めることを特徴とする,請求項6に記載のエッチング方法。 - 前記第1工程において,処理ガスとして,O2ガスを用いることを特徴とする,請求項6〜7のいずれかに記載のエッチング方法。
- 前記第1工程において,前記マスク層および前記被エッチング層を備える被処理体が載置される電極に対して電力を印加しないことを特徴とする,請求項6〜8のいずれかに記載のエッチング方法。
- 前記マスク層は,フォトレジスト材から成ることを特徴とする,請求項1〜9のいずれかに記載のエッチング方法。
- 前記フォトレジスト材は,ArF光に感光することを特徴とする,請求項10に記載のエッチング方法。
- 前記被エッチング層は,反射防止膜から成ることを特徴とする,請求項1〜11のいずれかに記載のエッチング方法。
- 前記反射防止膜は,有機系材料から成ることを特徴とする,請求項12に記載のエッチング方法。
- 前記第2工程において,処理ガスとして,CF4ガスとO2ガスの両方のガスを用いることを特徴とする,請求項1〜13のいずれかに記載のエッチング方法。
- 前記第2工程において,処理ガスとして,CF4ガスを用いることを特徴とする,請求項1〜13のいずれかに記載のエッチング方法。
- 前記マスク層には,コンタクトホールのパターンが形成されていることを特徴とする,請求項1〜15のいずれかに記載のエッチング方法。
- 前記第1工程において,前記マスク層のパターン幅を監視し,当該パターン幅が目標寸法に到達したときに当該第1工程を終了することを特徴とする,請求項1〜16のいずれかに記載のエッチング方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004188013A JP4727171B2 (ja) | 2003-09-29 | 2004-06-25 | エッチング方法 |
TW093121953A TW200512791A (en) | 2003-09-29 | 2004-07-22 | Etching method |
KR1020040073632A KR100619111B1 (ko) | 2003-09-29 | 2004-09-15 | 에칭 방법 및 이를 실행시키기 위한 프로그램이 기억된 컴퓨터기억매체 |
US10/943,983 US7256135B2 (en) | 2003-09-29 | 2004-09-20 | Etching method and computer storage medium storing program for controlling same |
CNB2004100806705A CN1300637C (zh) | 2003-09-29 | 2004-09-29 | 蚀刻方法和记录用于控制该方法的程序的计算机记录媒体 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003337373 | 2003-09-29 | ||
JP2003337373 | 2003-09-29 | ||
JP2004188013A JP4727171B2 (ja) | 2003-09-29 | 2004-06-25 | エッチング方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005129893A true JP2005129893A (ja) | 2005-05-19 |
JP4727171B2 JP4727171B2 (ja) | 2011-07-20 |
Family
ID=34380387
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004188013A Expired - Fee Related JP4727171B2 (ja) | 2003-09-29 | 2004-06-25 | エッチング方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7256135B2 (ja) |
JP (1) | JP4727171B2 (ja) |
KR (1) | KR100619111B1 (ja) |
CN (1) | CN1300637C (ja) |
TW (1) | TW200512791A (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009505421A (ja) * | 2005-08-18 | 2009-02-05 | ラム リサーチ コーポレーション | ラインエッジ粗さを低減させた特徴のエッチング |
JP2009193988A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2010034393A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理制御方法及び記憶媒体 |
JP2012209290A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Fujifilm Corp | レジストパターン形成方法およびそれを用いたパターン化基板の製造方法 |
US8449785B2 (en) | 2009-03-05 | 2013-05-28 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method |
JP2014209593A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-11-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜の加工方法、半導体装置の作製方法 |
KR101534883B1 (ko) * | 2007-08-20 | 2015-07-07 | 램 리써치 코포레이션 | 마스크 트리밍 |
JP2015220251A (ja) * | 2014-05-14 | 2015-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 被エッチング層をエッチングする方法 |
US9293346B2 (en) | 2012-04-17 | 2016-03-22 | Tokyo Electron Limited | Method for etching organic film and plasma etching device |
JP2019041020A (ja) * | 2017-08-25 | 2019-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
JP2019041021A (ja) * | 2017-08-25 | 2019-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
JP2020017709A (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
JP2020077753A (ja) * | 2018-11-07 | 2020-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及び基板処理装置 |
JP2022105522A (ja) * | 2018-07-27 | 2022-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7723238B2 (en) * | 2004-06-16 | 2010-05-25 | Tokyo Electron Limited | Method for preventing striation at a sidewall of an opening of a resist during an etching process |
US7271107B2 (en) * | 2005-02-03 | 2007-09-18 | Lam Research Corporation | Reduction of feature critical dimensions using multiple masks |
US7539969B2 (en) * | 2005-05-10 | 2009-05-26 | Lam Research Corporation | Computer readable mask shrink control processor |
US7465525B2 (en) * | 2005-05-10 | 2008-12-16 | Lam Research Corporation | Reticle alignment and overlay for multiple reticle process |
US20060292876A1 (en) * | 2005-06-21 | 2006-12-28 | Tokyo Electron Limited | Plasma etching method and apparatus, control program and computer-readable storage medium |
US7271108B2 (en) * | 2005-06-28 | 2007-09-18 | Lam Research Corporation | Multiple mask process with etch mask stack |
US20070211402A1 (en) * | 2006-03-08 | 2007-09-13 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing apparatus, substrate attracting method, and storage medium |
JP2007294905A (ja) * | 2006-03-30 | 2007-11-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 半導体製造方法およびエッチングシステム |
JP4861893B2 (ja) * | 2006-07-28 | 2012-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板の処理システム |
US7491343B2 (en) * | 2006-09-14 | 2009-02-17 | Lam Research Corporation | Line end shortening reduction during etch |
JP2008078582A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマエッチング方法 |
JP4912907B2 (ja) * | 2007-02-06 | 2012-04-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
JP5065787B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2012-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、および記憶媒体 |
US7998872B2 (en) * | 2008-02-06 | 2011-08-16 | Tokyo Electron Limited | Method for etching a silicon-containing ARC layer to reduce roughness and CD |
JP4638550B2 (ja) | 2008-09-29 | 2011-02-23 | 東京エレクトロン株式会社 | マスクパターンの形成方法、微細パターンの形成方法及び成膜装置 |
US9601349B2 (en) * | 2009-02-17 | 2017-03-21 | Macronix International Co., Ltd. | Etching method |
CN102117737B (zh) * | 2009-12-30 | 2015-01-07 | 中国科学院微电子研究所 | 减小半导体器件中ler的方法及半导体器件 |
US11227767B2 (en) | 2018-05-03 | 2022-01-18 | Tokyo Electron Limited | Critical dimension trimming method designed to minimize line width roughness and line edge roughness |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09129614A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
JPH10242117A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000183027A (ja) * | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2002343780A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-29 | Applied Materials Inc | ガス導入装置、成膜装置、及び成膜方法 |
WO2003007357A1 (fr) * | 2001-07-10 | 2003-01-23 | Tokyo Electron Limited | Procede de gravure a sec |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE68923247T2 (de) * | 1988-11-04 | 1995-10-26 | Fujitsu Ltd | Verfahren zum Erzeugen eines Fotolackmusters. |
US6635185B2 (en) * | 1997-12-31 | 2003-10-21 | Alliedsignal Inc. | Method of etching and cleaning using fluorinated carbonyl compounds |
JP2000077386A (ja) * | 1998-08-27 | 2000-03-14 | Seiko Epson Corp | パターン形成方法 |
US6362111B1 (en) * | 1998-12-09 | 2002-03-26 | Texas Instruments Incorporated | Tunable gate linewidth reduction process |
TW525260B (en) * | 1999-08-02 | 2003-03-21 | Taiwan Semiconductor Mfg | Shallow trench isolation pull-back process |
US6461969B1 (en) * | 1999-11-22 | 2002-10-08 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Multiple-step plasma etching process for silicon nitride |
US6569774B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-05-27 | Micron Technology, Inc. | Method to eliminate striations and surface roughness caused by dry etch |
JP2003077900A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
US20040097077A1 (en) * | 2002-11-15 | 2004-05-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for etching a deep trench |
US20040224524A1 (en) * | 2003-05-09 | 2004-11-11 | Applied Materials, Inc. | Maintaining the dimensions of features being etched on a lithographic mask |
US6955961B1 (en) * | 2004-05-27 | 2005-10-18 | Macronix International Co., Ltd. | Method for defining a minimum pitch in an integrated circuit beyond photolithographic resolution |
-
2004
- 2004-06-25 JP JP2004188013A patent/JP4727171B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-22 TW TW093121953A patent/TW200512791A/zh unknown
- 2004-09-15 KR KR1020040073632A patent/KR100619111B1/ko active IP Right Grant
- 2004-09-20 US US10/943,983 patent/US7256135B2/en active Active
- 2004-09-29 CN CNB2004100806705A patent/CN1300637C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09129614A (ja) * | 1995-10-27 | 1997-05-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
JPH10242117A (ja) * | 1997-02-26 | 1998-09-11 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000183027A (ja) * | 1998-12-11 | 2000-06-30 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2002343780A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-29 | Applied Materials Inc | ガス導入装置、成膜装置、及び成膜方法 |
WO2003007357A1 (fr) * | 2001-07-10 | 2003-01-23 | Tokyo Electron Limited | Procede de gravure a sec |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009505421A (ja) * | 2005-08-18 | 2009-02-05 | ラム リサーチ コーポレーション | ラインエッジ粗さを低減させた特徴のエッチング |
KR101534883B1 (ko) * | 2007-08-20 | 2015-07-07 | 램 리써치 코포레이션 | 마스크 트리밍 |
JP2009193988A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2010034393A (ja) * | 2008-07-30 | 2010-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理制御方法及び記憶媒体 |
US8449785B2 (en) | 2009-03-05 | 2013-05-28 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing method |
JP2012209290A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Fujifilm Corp | レジストパターン形成方法およびそれを用いたパターン化基板の製造方法 |
US9293346B2 (en) | 2012-04-17 | 2016-03-22 | Tokyo Electron Limited | Method for etching organic film and plasma etching device |
JP2014209593A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-11-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜の加工方法、半導体装置の作製方法 |
JP2018139330A (ja) * | 2013-03-22 | 2018-09-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2015220251A (ja) * | 2014-05-14 | 2015-12-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 被エッチング層をエッチングする方法 |
JP2019041020A (ja) * | 2017-08-25 | 2019-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
JP2019041021A (ja) * | 2017-08-25 | 2019-03-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体を処理する方法 |
US11133192B2 (en) | 2017-08-25 | 2021-09-28 | Tokyo Electron Limited | Workpiece processing method |
JP2020017709A (ja) * | 2018-07-27 | 2020-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
JP7066565B2 (ja) | 2018-07-27 | 2022-05-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
JP2022105522A (ja) * | 2018-07-27 | 2022-07-14 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
JP7278456B2 (ja) | 2018-07-27 | 2023-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2020077753A (ja) * | 2018-11-07 | 2020-05-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及び基板処理装置 |
JP7195113B2 (ja) | 2018-11-07 | 2022-12-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及び基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1300637C (zh) | 2007-02-14 |
TWI357092B (ja) | 2012-01-21 |
CN1603959A (zh) | 2005-04-06 |
US20050070111A1 (en) | 2005-03-31 |
TW200512791A (en) | 2005-04-01 |
US7256135B2 (en) | 2007-08-14 |
KR20050031375A (ko) | 2005-04-06 |
KR100619111B1 (ko) | 2006-09-04 |
JP4727171B2 (ja) | 2011-07-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20071212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100825 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110413 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |