JP5065787B2 - プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、および記憶媒体 - Google Patents
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Description
また、フォトレジスト膜に対して高い選択比で有機反射防止膜をエッチングすることができるプラズマエッチング方法およびプラズマエッチング装置を提供することを目的とする。
図1は、本発明の実施に用いられるプラズマエッチング装置の一例を示す概略断面図である。
ここでは、被処理体である半導体ウエハWとして、例えば図3に示すように、Si基板101の上に、エッチングストッパ膜102、エッチング対象膜103、反射防止膜(BARC)104、パターン化されたフォトレジスト膜105が順次形成されたものを用いる。
上部電極34には、従前のエッチングプロセス、特に上部電極34への高周波電力が小さいエッチングプロセスによってポリマーが付着している。そして、エッチング処理を行う際に上部電極34に適切な直流電圧を印加すると、図6に示すように、上部電極の自己バイアス電圧Vdcを深くすること、つまり上部電極34表面でのVdcの絶対値を大きくすることができる。このため、上部電極34に付着しているポリマーが印加された直流電圧によってスパッタされて半導体ウエハWに供給され、フォトレジスト膜105の上にデポとして付着する。このように直流電圧印加によりデポ付着効果が生じ、上述のような処理ガスによる堆積効果と相俟って、高スループットでの開口106の小径化を実現するとともに、亀裂修復作用をより促進し、回路ショートのおそれを一層小さくすることができる。
<条件A>
チャンバ内圧力:13.3Pa(100mT)
上部高周波パワー:500W
下部高周波パワー:400W
直流電圧:−1000V
プロセスガスおよび流量:
CF4=150mL/min(標準状態換算値(sccm))
CH2F2=20mL/min(sccm)
C5F8=7mL/min(sccm)
磁界:
センター=15T
エッジ =40T
温度:
上部電極およびウエハ=60℃
サセプタ=20℃
<条件B>
チャンバ内圧力:13.3Pa(100mT)
上部高周波パワー:500W
下部高周波パワー:400W
直流電圧:−500V
プロセスガスおよび流量:
CF4=150mL/min(sccm)
CH2F2=20mL/min(sccm)
磁界:
センター=15T
エッジ =40T
温度:
上部電極およびウエハ=60℃
サセプタ=20℃
本実施形態においては、被処理体である半導体ウエハWとして、例えば図10に示すように、Si基板201の上に、エッチングストッパ膜202、エッチング対象膜203、有機反射防止膜(BARC)204、パターン化されたフォトレジスト膜205が順次形成されたものを用い、エッチング対象膜203のエッチングに先立って有機反射防止膜(BARC)204をフォトレジスト膜205をマスクとしてエッチングする。
ここでは、ポーラスLow−k膜の上に有機反射防止膜形成し、さらにその上にエッチングマスクとしてArFレジスト膜を形成した被処理基板を用いた。このような基板を図1の装置に搬入して以下の条件で上部電極34に印加する直流電圧を変化させてプラズマエッチング処理を行った。
チャンバ内圧力:13.3Pa(100mT)
上部高周波パワー:500W
下部高周波パワー:400W
直流電圧:−500〜−1500V
プロセスガスおよび流量:
CF4=150mL/min(標準状態換算値(sccm))
CH2F2=20mL/min(sccm)
C5F8=7mL/min(sccm)
磁界:
センター=15T
エッジ =40T
温度:
上部電極およびウエハ=60℃
サセプタ=20℃
16…サセプタ(下部電極)
34…上部電極
44…給電棒
46,88…整合器
48…第1の高周波電源
50…可変直流電源
51…コントローラ
52…オン・オフスイッチ
66…処理ガス供給源
84…排気装置
90…第2の高周波電源
91…GNDブロック
101、201…Si基板
103、203…エッチング対象膜
104、204…有機反射防止膜
105、205…フォトレジスト膜
106…開口
107…CF系の堆積物
108…エッチングホール
W…半導体ウエハ(被処理基板)
Claims (9)
- エッチング対象膜の上に有機反射防止膜が形成され、さらにその上にフォトレジスト膜が形成された被処理体に対し、フォトレジスト膜をマスクとして有機反射防止膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、
第1電極および第2電極が上下に対向して設けられた処理容器内に、エッチング対象膜と有機反射防止膜とエッチングパターンとして開口が形成されたフォトレジスト膜とを有する被処理体を配置する工程と、
処理容器内にCF 4 ガス、CH 2 F 2 ガス、C x F y ガス(ただし、x/y≧0.5)を含む処理ガスを導入する工程と、
前記第1電極および第2電極の少なくとも一方に高周波電力を印加してプラズマを生成する工程と、
前記プラズマを形成している所定の期間、前記第1電極および第2電極のいずれかに、フォトレジスト膜に対し所定値以上の選択比で有機反射防止膜がエッチングされるように直流電圧を印加する工程と
を有することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 前記直流電圧は、−1000〜−1500Vの範囲であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチング方法。
- エッチング対象膜の上に有機反射防止膜が形成され、さらにその上にフォトレジスト膜が形成された被処理体に対し、フォトレジスト膜をマスクとして有機反射防止膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、
第1電極および第2電極が上下に対向して設けられた処理容器内に、エッチング対象膜と有機反射防止膜とエッチングパターンとして開口が形成されたフォトレジスト膜とを有する被処理体を配置する工程と、
処理容器内にCF4ガス、CH2F2ガス、CxFyガス(ただし、x/y≧0.5)を含む処理ガスを導入する工程と、
前記第1電極および第2電極の少なくとも一方に高周波電力を印加してプラズマを生成する工程と、
前記プラズマを生成している間の第1の期間、前記第1電極および第2電極のいずれかに、主にフォトレジスト膜の前記開口を小径化可能な条件で直流電圧を印加する工程と、
前記プラズマを生成している間の前記第1の期間の後の第2の期間、前記第1電極および第2電極のいずれかに、主にフォトレジスト膜に対し所定値以上の選択比で有機反射防止膜がエッチングされるような条件で直流電圧を印加する工程と
を有することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 前記第1の期間に前記直流電圧を−500〜−1500Vとし、前記第2の期間に前記直流電圧を−1000〜−1500Vとすることを特徴とする請求項3に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記CxFyガスは、C4F8ガス、C5F8ガス、およびC4F6ガスから選択される少なくとも1種であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記CxFyガスは、C5F8ガスであり、その流量が5〜10mL/min(sccm)であることを特徴とする請求項5に記載のプラズマエッチング方法。
- エッチング対象膜の上に有機反射防止膜が形成され、さらにその上にフォトレジスト膜が形成された被処理体に対し、フォトレジスト膜をマスクとして有機反射防止膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング装置であって、
被処理体が収容され真空に保持可能な処理容器と、
前記処理容器内に上下に対向するように設けられた第1電極および第2電極と、
前記処理容器内にCF 4 ガス、CH 2 F 2 ガス、C x F y ガス(ただし、x/y≧0.5)を含む処理ガスを導入するガス導入機構と、
前記第1電極および第2電極の少なくとも一方に高周波電力を印加して前記処理ガスのプラズマを生成する高周波電源ユニットと、
前記第1電極および第2電極のいずれかに直流電圧を印加する直流電源ユニットと、
フォトレジスト膜に対し所定値以上の選択比で有機反射防止膜がエッチングされるように前記直流電源ユニットを制御する制御部と
を具備することを特徴とするプラズマエッチング装置。 - エッチング対象膜の上に有機反射防止膜が形成され、さらにその上にフォトレジスト膜が形成された被処理体に対し、フォトレジスト膜をマスクとして有機反射防止膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング装置であって、
被処理体が収容され真空に保持可能な処理容器と、
前記処理容器内に上下に対向するように設けられた第1電極および第2電極と、
前記処理容器内にCF4ガス、CH2F2ガス、CxFyガス(ただし、x/y≧0.5)を含む処理ガスを導入するガス導入機構と、
前記第1電極および第2電極の少なくとも一方に高周波電力を印加して前記処理ガスのプラズマを生成する高周波電源ユニットと、
前記第1電極および第2電極のいずれかに直流電圧を印加する直流電源ユニットと、
前記高周波電源ユニットにより処理ガスのプラズマが形成されている間に、主に前記フォトレジスト膜の前記開口を小径化可能な条件で直流電圧が印加される期間と、主に前記フォトレジスト膜に対し所定値以上の選択比で有機反射防止膜がエッチングされるような条件で直流電圧が印加される期間とが存在するように前記直流電源ユニットを制御する制御部と
を具備することを特徴とするプラズマエッチング装置。 - コンピュータ上で動作し、プラズマエッチング装置を制御するプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項1から請求項6のいずれかのプラズマエッチング方法が行われるように、コンピュータに前記プラズマエッチング装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
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