JP2007234770A - プラズマエッチング方法およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】被処理体Wに形成された反射防止膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法は、第1電極34および第2電極16が上下に対向して設けられた処理容器10内に基板上にエッチング対象膜、反射防止膜およびパターン化されたフォトレジスト膜が順次形成された被処理体を配置する工程と、処理容器10内に処理ガスを導入する工程と、第1電極34および第2電極16のいずれかに高周波電力を印加してプラズマを生成する工程と、いずれかの電極に直流電圧を印加する工程とを有する。
【選択図】図1
Description
また、反射防止膜のエッチングの際に、エッチング均一性を損なうことなく、かつエッチングレートを低下させることなく所望のCDシュリンクを実現することができるプラズマエッチング方法を提供することを目的とする。
さらに、このようなプラズマエッチング方法を実行させるプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を提供することを目的とする。
前記いずれかの電極に直流電圧を印加する工程とを有することを特徴とするプラズマエッチング方法を提供する。
を有することを特徴とするプラズマエッチング方法を提供する。
を有することを特徴とするプラズマエッチング方法を提供する。
図1は、本発明の実施に用いられるプラズマエッチング装置の一例を示す概略断面図である。
ここでは、被処理体である半導体ウエハWとして、図3に示すように、Si基板101の上に、エッチングストッパ膜102、エッチング対象膜103、反射防止膜(BARC)104、パターン化されたフォトレジスト膜105が順次形成されたものを用いる。
20〜100nm程度である。また、エッチング対象膜103としては層間絶縁膜が例示され、例えばSiO2膜および/またはLow−k膜が例示される。反射防止膜104は、有機系が主流であり、厚さは20〜100nm程度である。フォトレジスト膜105としては、ArFレジストが例示され、厚さは100〜400nm程度である。
ここでは、基本的に第1の実施形態で用いた図3の構造の半導体ウエハWを被処理体として用いる。
16…サセプタ(下部電極)
34…上部電極
44…給電棒
46,88…整合器
48…第1の高周波電源
50…可変直流電源
51…コントローラ
52…オン・オフスイッチ
66…処理ガス供給源
84…排気装置
90…第2の高周波電源
91…GNDブロック
101…Si基板
103…エッチング対象膜
104…反射防止膜
105…フォトレジスト膜
W…半導体ウエハ(被処理基板)
Claims (12)
- 被処理体に形成された反射防止膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、
第1電極および第2電極が上下に対向して設けられた処理容器内に基板上にエッチング対象膜、反射防止膜およびパターン化されたフォトレジスト膜が順次形成された被処理体を配置する工程と、
処理容器内に処理ガスを導入する工程と、
前記第1電極および第2電極のいずれかに高周波電力を印加してプラズマを生成する工程と、
前記いずれかの電極に直流電圧を印加する工程と
を有することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 前記直流電圧は、−200〜−1500Vの範囲であることを特徴とする請求項1に記載のプラズマエッチング方法。
- 被処理体に形成された反射防止膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、
第1電極および第2電極が上下に対向して設けられた処理容器内に、基板上にエッチング対象膜、反射防止膜およびパターン化されたフォトレジスト膜が順次形成された被処理体を配置する工程と、
処理容器内に処理ガスを導入する工程と、
前記第1電極および第2電極のいずれかに高周波電力を印加してプラズマを生成する工程と、
前記プラズマを生成している際に、前記いずれかの電極に、その後の下地のエッチング対象膜のエッチングの際に所望のCD分布が得られるように所定の直流電圧を印加する工程と
を有することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 前記直流電圧は、−200〜−1500Vの範囲であることを特徴とする請求項3に記載のプラズマエッチング方法。
- テスト用の被処理体について、予め、下地のエッチング対象膜のエッチングの際に所望のCD分布が得られるような直流電圧値を求めておき、その際の直流電圧値を前記いずれかの電極に印加して前記所定の直流電圧を印加する工程を実施することを特徴とする請求項3または請求項4に記載のプラズマエッチング方法。
- 被処理体に形成された反射防止膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって、
第1電極および第2電極が上下に対向して設けられた処理容器内に基板上にエッチング対象膜、反射防止膜およびパターン化されたフォトレジスト膜が順次形成された被処理体を配置する工程と、
処理容器内に処理ガスを導入する工程と、
前記第1電極および第2電極のいずれかに高周波電力を印加してプラズマを生成し、前記フォトレジスト膜をマスクとして前記反射防止膜をエッチングする工程と、
前記エッチングの際に、前記反射防止膜のエッチングパターン寸法が前記フォトレジスト膜のパターン寸法よりも所定量小さくなるようにいずれかの電極に所定値の直流電圧を印加する工程と
を有することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 第1電極および第2電極が対向して設けられた処理容器内に基板上にエッチング対象膜、反射防止膜およびパターン化されたフォトレジスト膜が順次形成された被処理体を配置する工程と、
処理容器内に処理ガスを導入する工程と、
前記第1電極および第2電極のいずれかに高周波電力を印加してプラズマを生成してエッチングする工程と、
前記エッチングの際に、前記反射防止膜のエッチングパターン寸法が前記フォトレジスト膜のパターン寸法よりも所定量小さくなるようにいずれかの電極に所値の直流電圧を印加する工程と、
前記レジスト膜のパターン寸法よりも小さいエッチングパターンが形成された反射防止膜をエッチングマスクとして、前記フォトレジストのパターン寸法よりも小さいパターン寸法で前記エッチング対象膜をエッチングする工程と
を有することを特徴とするプラズマエッチング方法。 - 前記直流電圧は、−200〜−1500Vの範囲であることを特徴とする請求項6または請求項7に記載のプラズマエッチング方法。
- テスト用の被処理体について、予め前記反射防止膜のパターン寸法が所望の寸法になるような直流電圧値を求めておき、その際の直流電圧値を前記いずれかの電極に印加することを特徴とする請求項6ないし請求項8のいずれか1項に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記第1電極は上部電極であり、前記第2電極は被処理体を載置する下部電極であり、前記プラズマを生成するための高周波電力および前記直流電圧は前記第1電極に印加されることを特徴とする請求項1から請求項9のいずれか1項に記載のプラズマエッチング方法。
- 前記第2電極にはイオン引き込み用の高周波電力が印加されることを特徴とする請求項10に記載のプラズマエッチング方法。
- コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、請求項1から請求項11のいずれか1項に記載のプラズマエッチング方法が行われるように、コンピュータにプラズマ処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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