JP5578782B2 - プラズマ処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 - Google Patents
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 42
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 138
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 114
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 90
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 73
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 58
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 35
- 238000009966 trimming Methods 0.000 claims description 29
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 69
- 239000010408 film Substances 0.000 description 52
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 30
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 23
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 16
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 14
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 238000002715 modification method Methods 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 1
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 125000000686 lactone group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003936 working memory Effects 0.000 description 1
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Description
[第1の実施形態]
レジスト: アクリレートベース用のArFレジスト
処理前のレジスト膜厚: 261nm
処理ガス: CF4=100sccm
チャンバ内の圧力: 100mTorr
高周波電力: 60MHz/13MHz=1000/30W
直流電圧VDC: 0V,−500V,−1000V,−1500V(4通り)
処理時間: 60秒
処理ガス: N2/O2=100/20sccm
チャンバ内の圧力: 10mTorr
高周波電力: 60MHz/13MHz=1000/0W
処理時間: 17秒
処理ガス: CF4/CHF3/Ar/O2/=225/125/600/60sccm
チャンバ内の圧力: 75mTorr
温度: 上部電極/チャンバ側壁/下部電極=60/60/30℃
高周波電力: 40MHz/13MHz=100/1000W
直流電圧VDC: −300V
処理時間: 30秒
[第2の実施形態]
レジスト: アクリレートベース用のArFレジスト
BARC: 有機膜
処理ガス: CF4/O2=250/13sccm
チャンバ内の圧力: 30mTorr
温度: 上部電極/チャンバ側壁/下部電極=60/60/30℃
高周波電力: 40MHz/13MHz=400/0W
直流電圧VDC: 0V,−500V,−1000V,−1500V,−1800V(5通り)
処理時間: 20秒
処理ガス: CF4/CHF3/Ar/O2=225/125/600/60sccm
チャンバ内の圧力: 75mTorr
温度: 上部電極/チャンバ側壁/下部電極=60/60/30℃
高周波電力: 40MHz/13MHz=100/1000W
直流電圧VDC: −300V
処理時間: 30秒
[第3の実施形態]
レジスト: アクリレートベース用のArFレジスト
BARC: 有機膜
処理ガス: CF4/O2=250/13sccm
チャンバ内の圧力: 30mTorr,100mTorr(2通り)
温度: 上部電極/チャンバ側壁/下部電極=60/60/30℃
高周波電力: 40MHz/13MHz=400/0W
直流電圧VDC: 0V,−1800V(2通り)
処理時間: 20秒,47秒(2通り)
処理ガス: CF4/CHF3/Ar/O2=225/125/600/60sccm
チャンバ内の圧力: 75mTorr
温度: 上部電極/チャンバ側壁/下部電極=60/60/30℃
高周波電力: 60MHz/13MHz=100/1000W
直流電圧VDC: −300V
処理時間: 30秒
12 サセプタ(下部電極)
26 排気装置
30 イオン引き込み用の高周波電源
60 上部電極
72 処理ガス供給部
74 プラズマ生成用の高周波電源
80 可変直流電源
110 制御部
Claims (19)
- 真空可能な処理容器内でプラズマに曝される電極表面がSiを含有する第1の電極と第2の電極とを所定の間隔を空けて平行に配置し、前記第1の電極に対向させて被処理基板を第2の電極で支持し、前記処理容器内を所定の圧力に真空排気し、前記第1の電極と前記第2の電極との間の処理空間にエッチャントガスを含む第1の処理ガスを供給し、前記第1の電極または第2の電極に第1の高周波を印加して前記処理空間で前記第1の処理ガスのプラズマを生成し、前記プラズマの下で前記基板上の被加工膜をその被加工膜の上に形成されたレジストパターンをマスクとしてエッチングするプラズマ処理方法であって、
前記処理容器内で前記基板に対して前記被加工膜のエッチング処理よりも前に行われるレジスト改質処理として、
前記処理容器内を所定の圧力に真空排気する工程と、
前記レジストパターンのエッチング耐性を向上させるために、前記第1の電極と前記第2の電極との間の処理空間にCF 4 ガスを含む第2の処理ガスを供給するとともに前記第1の電極または前記第2の電極に前記第1の高周波を印加して、前記処理空間で前記第2の処理ガスのプラズマを生成し、前記処理容器内で前記基板から離れた場所でプラズマに曝される所定のDC印加部材に負極性の直流電圧を印加し、前記DC印加部材より放出された電子を前記基板上のレジストパターンに打ち込む工程と
を有するプラズマ処理方法。 - 前記レジスト改質処理において、前記DC印加部材より放出された電子が1000eV以上のエネルギーで前記レジストパターンに打ち込まれるように、前記負極性直流電圧の絶対値を選定する、請求項1に記載のプラズマ処理方法。
- 前記負極性直流電圧の絶対値を1000V以上に選定する、請求項1に記載のプラズマ処理方法。
- 前記レジスト改質処理において、前記DC印加部材より放出された電子が1500eV以上のエネルギーで前記レジストパターンに打ち込まれるように、前記負極性直流電圧の絶対値を選定する、請求項1に記載のプラズマ処理方法。
- 前記負極性直流電圧の絶対値を1500V以上に選定する、請求項1に記載のプラズマ処理方法。
- 前記レジスト改質処理において、前記第1の電極にプラズマ生成用の前記第1の高周波を印加し、前記第2の電極上に形成される自己バイアスが100V以下になるように前記第2の電極にイオン引き込み制御用の第2の高周波を印加する、請求項1〜5のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記レジスト改質処理において、前記第1の電極にプラズマ生成用の前記第1の高周波を所望のパワーで印加し、前記第2の電極にイオン引き込み制御用の第2の高周波を50W以下のパワーで印加する、請求項1〜5のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記レジスト改質処理において、前記第1の電極にプラズマ生成用の前記第1の高周波を印加し、前記第2の電極には高周波を印加しない、請求項1〜5のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記レジスト改質処理の後で前記被加工膜のエッチング処理の前に、前記処理容器内で前記レジストパターンをパターン面と平行な横方向で所望のサイズに削るトリミング処理を行う、請求項1〜8のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記トリミング処理は、
前記処理容器内を所定の圧力に真空排気する工程と、
前記第1の電極と前記第2の電極との間の処理空間にエッチャントガスを含む第3の処理ガスを供給する工程と、
前記第1の電極または前記第2の電極に前記第1の高周波を印加して前記処理空間で前記第3の処理ガスのプラズマを生成する工程と、
前記プラズマの下で前記レジストパターンを前記所望のパターンまでエッチングする工程と
を含む、請求項9に記載のプラズマ処理方法。 - 前記DC印加部材が前記第1の電極である、請求項1〜10のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 真空可能な処理容器内で第1の電極と第2の電極とを所定の間隔を空けて平行に配置し、前記第1の電極に対向させて被処理基板を第2の電極で支持し、前記処理容器内を所定の圧力に真空排気し、前記第1の電極と前記第2の電極との間の処理空間にエッチャントガスを含む処理ガスを供給し、前記第1の電極または第2の電極に第1の高周波を印加して前記処理空間で前記処理ガスのプラズマを生成し、前記プラズマの下で前記基板上の被加工膜をその被加工膜の上に形成されたレジストパターンをマスクとしてエッチングするプラズマ処理方法であって、
(1)前記処理容器内で前記基板に対して前記被加工膜のエッチングが行われている最中に、前記レジストパターンのエッチング耐性を向上させるように、前記処理容器内の前記基板から離れた場所でプラズマに曝される所定のDC印加部材に負極性の直流電圧を印加して、前記DC印加部材より放出された電子を前記基板上のレジストパターンに打ち込み、
(2)前記被加工膜のエッチングと並行して前記レジストパターンがパターン面と平行な横方向で所望のサイズまで削られるように、前記処理容器内のガス圧力を100mTorr以上に選定し、エッチング時間を20秒以上に選定する、
プラズマ処理方法。 - 前記エッチング時間を47秒以上に選定する、請求項12に記載のプラズマ処理方法。
- 前記DC印加部材より放出された電子が1500eV以上のエネルギーで前記レジストパターンに打ち込まれるように、前記負極性直流電圧の絶対値を選定する、請求項12または請求項13に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第1の電極にプラズマ生成用の前記第1の高周波を印加し、前記第2の電極にイオン引き込み制御用の第2の高周波を印加する、請求項12〜14のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記第2の電極にプラズマ生成用の前記第1の高周波とイオン引き込み制御用の第2の高周波とを重畳して印加する、請求項12〜14のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記DC印加部材が前記第1の電極である、請求項12〜16のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
- 前記レジストパターンが、露光ビームにArFエキシマレーザ光を用いるレジストからなる、請求項1〜17のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法。
- コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、請求項1〜18のいずれか一項に記載のプラズマ処理方法が行われるようにプラズマ処理装置を制御することを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008318663A JP5578782B2 (ja) | 2008-03-31 | 2008-12-15 | プラズマ処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
TW098110460A TWI508162B (zh) | 2008-03-31 | 2009-03-30 | Plasma processing methods and computer readable memory media |
CN 200910129594 CN101552189B (zh) | 2008-03-31 | 2009-03-31 | 等离子体处理方法 |
US12/414,920 US8263499B2 (en) | 2008-03-31 | 2009-03-31 | Plasma processing method and computer readable storage medium |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008091490 | 2008-03-31 | ||
JP2008091490 | 2008-03-31 | ||
JP2008318663A JP5578782B2 (ja) | 2008-03-31 | 2008-12-15 | プラズマ処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009267352A JP2009267352A (ja) | 2009-11-12 |
JP5578782B2 true JP5578782B2 (ja) | 2014-08-27 |
Family
ID=41156342
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008318663A Active JP5578782B2 (ja) | 2008-03-31 | 2008-12-15 | プラズマ処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5578782B2 (ja) |
CN (1) | CN101552189B (ja) |
TW (1) | TWI508162B (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5171683B2 (ja) * | 2009-02-18 | 2013-03-27 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
TWI423736B (zh) * | 2010-02-12 | 2014-01-11 | Advanced Micro Fab Equip Inc | A plasma processing apparatus and a processing method thereof |
JP5662079B2 (ja) * | 2010-02-24 | 2015-01-28 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング処理方法 |
US8778603B2 (en) * | 2010-03-15 | 2014-07-15 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Method and system for modifying substrate relief features using ion implantation |
JP5674375B2 (ja) * | 2010-08-03 | 2015-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
JP5702968B2 (ja) * | 2010-08-11 | 2015-04-15 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置及びプラズマ制御方法 |
JP5840973B2 (ja) * | 2011-03-03 | 2016-01-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法及びコンピュータ記録媒体 |
TWI611454B (zh) * | 2011-09-26 | 2018-01-11 | Tokyo Electron Ltd | 電漿蝕刻方法 |
JP5934523B2 (ja) * | 2012-03-02 | 2016-06-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法及びコンピュータ記録媒体 |
JP6029522B2 (ja) * | 2013-04-16 | 2016-11-24 | 東京エレクトロン株式会社 | パターンを形成する方法 |
WO2015084523A1 (en) * | 2013-12-05 | 2015-06-11 | Tokyo Electron Limited | Direct current superposition freeze |
JP6243722B2 (ja) * | 2013-12-10 | 2017-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング処理方法 |
JP6230954B2 (ja) * | 2014-05-09 | 2017-11-15 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
US20160013020A1 (en) * | 2014-07-14 | 2016-01-14 | Lam Research Corporation | Systems and methods for producing energetic neutrals |
JP6817692B2 (ja) | 2015-08-27 | 2021-01-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004533110A (ja) * | 2001-03-28 | 2004-10-28 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | Eビーム放射を使用した、改良されたトランジスタゲート |
US7022611B1 (en) * | 2003-04-28 | 2006-04-04 | Lam Research Corporation | Plasma in-situ treatment of chemically amplified resist |
JP4672456B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2011-04-20 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP4827081B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2011-11-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP2007234770A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法およびコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
JP4869811B2 (ja) * | 2006-07-19 | 2012-02-08 | 東京応化工業株式会社 | 微細パターンの形成方法 |
WO2008021609A1 (en) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Tokyo Electron Limited | Method of treating a mask layer prior to performing an etching process |
JP4614995B2 (ja) * | 2007-08-23 | 2011-01-19 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2008
- 2008-12-15 JP JP2008318663A patent/JP5578782B2/ja active Active
-
2009
- 2009-03-30 TW TW098110460A patent/TWI508162B/zh active
- 2009-03-31 CN CN 200910129594 patent/CN101552189B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101552189A (zh) | 2009-10-07 |
TW200952069A (en) | 2009-12-16 |
CN101552189B (zh) | 2013-03-06 |
JP2009267352A (ja) | 2009-11-12 |
TWI508162B (zh) | 2015-11-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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