JP4657473B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
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Description
本発明はプラズマ処理装置に関し、特に、上下電極にRFパワーを印加する場合に適用して好適なものである。
【0002】
【従来の技術】
従来のプラズマ処理装置では、ウエハをチャンバ内に固定するため、静電チャックを用いるものがある。この静電チャックを用いる方法では、静電チャックに高圧直流電圧を印加し、ウエハにクーロン力を作用させることにより、ウエハの固定が行われる。ここで、プラズマがない状態で、静電チャックに高圧直流電圧が印加されると、ウエハに作用するクーロン力により、ウエハ表面にパーティクルが付着する。このため、プロセス開始時には、RFパワーをオンした後に静電チャックの高圧直流電圧をオンし、プロセス終了時には、静電チャックの高圧直流電圧をオフした後にRFパワーをオフすることにより、プラズマのない状態で高圧直流電圧が静電チャックに印加されることを防止して、ウエハ表面へのパーティクルの吸着を低減していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この方法では、静電チャックの高圧直流電圧がオフした後も、ウエハがプラズマに曝されるため、エッチングが所望のエッチング量よりも進行し、仕上がり形状や寸法などに悪影響を及ぼし、デバイス性能が悪化するという問題があった。
【0004】
そこで、本発明の目的は、エッチング量を正確に制御しつつ、パーティクルの吸着を抑制することが可能なプラズマ処理装置を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、請求項1記載の発明によれば、静電チャックを介してウエハを固定するステップと、上下電極に高周波電力を印加することにより、前記ウエハのプラズマ処理を行うステップと、前記プラズマ処理の終了後に、前記プラズマ処理が進行しない範囲でプラズマ放電を維持するステップと、前記静電チャックを介してウエハの裏面に供給される冷却ガスの供給を停止するステップと、前記静電チャックへの直流電圧の印加を停止するステップと、前記直流電圧の印加を停止させた後に、前記プラズマ放電を停止させるステップとを備え、前記プラズマ放電を維持するステップは、前記プラズマ処理の終了時に、上部電極への高周波電力の印加を停止させるとともに、前記プラズマ処理が進行しない範囲でプラズマ放電が維持されるように、下部電極へ印加される高周波電力を制御することを特徴とする。
【0006】
これにより、プラズマ処理の終了後に、プラズマ放電を維持した場合においても、プラズマ処理が進行しないようにできる。このため、プラズマ放電を維持したまま、静電チャックへの直流電圧の印加を停止させた場合においても、プラズマ処理の終了後にエッチングがさらに進行することがなくなり、ウェハへのパーティクルの吸着を抑制しつつ、直流電圧の印加を停止させることが可能となる。
【0010】
これにより、プラズマ放電を維持する際の周波数を低くすることが可能となるとともに、ウェハに入射するイオンのエネルギーを制御しつつ、プラズマ放電を維持することができ、チャージアップダメージを低減することができる。
【0011】
また、請求項2記載の発明によれば、静電チャックを介してウエハを固定するステップと、上下電極に高周波電力を印加することにより、前記ウエハのプラズマ処理を行うステップと、前記プラズマ処理の終了後に、前記プラズマ処理が進行しない範囲でプラズマ放電を維持するステップと、前記静電チャックを介してウエハの裏面に供給される冷却ガスの供給を停止するステップと、前記静電チャックへの直流電圧の印加を停止するステップと、前記直流電圧の印加を停止させた後に、前記プラズマ放電を停止させるステップとを備え、前記プラズマ放電を維持するステップは、前記プラズマ処理の終了時に、前記プラズマ処理が進行しない範囲でプラズマ放電が維持されるように、前記上下電極へ印加される高周波電力を制御し、前記プラズマ放電を停止させるステップは、上部電極への高周波電力の印加を停止させた後に、下部電極への高周波電力の印加を停止させることを特徴とする。
【0012】
これにより、プラズマ密度およびイオンエネルギーの双方を制御しつつ、プラズマ処理が進行しない範囲でプラズマ放電を維持することができ、パーティクルの付着やオーバーエッチングの発生をより改善することが可能となるとともに、チャージアップダメージを低減することができる。
【0013】
また、請求項3記載の発明によれば、静電チャックを介してウエハを固定するステップと、上下電極に高周波電力を印加することにより、前記ウエハのプラズマ処理を行うステップと、前記プラズマ処理の終了後に、前記プラズマ処理が進行しない範囲でプラズマ放電を維持するステップと、前記静電チャックを介してウエハの裏面に供給される冷却ガスの供給を停止するステップと、前記静電チャックへの直流電圧の印加を停止するステップと、前記直流電圧の印加を停止させた後に、前記プラズマ放電を停止させるステップとを備え、前記プラズマ放電を維持するステップは、前記プラズマ処理の終了時に、下部電極へ印加される高周波電力をそのまま維持するとともに、前記プラズマ処理が進行しない範囲でプラズマ放電が維持されるように、上部電極へ印加される高周波電力を制御し、前記プラズマ放電を停止させるステップは、前記上部電極への高周波電力の印加を停止させた後に、前記下部電極への高周波電力の印加を停止させることを特徴とするプラズマ処理装置。
【0014】
これにより、イオンエネルギーの制御が行われない状態で、プラズマ放電が維持されることを防止することができ、チャージアップダメージを低減することができる。
【0019】
また、請求項4記載の発明によれば、サセプタ上にウエハを固定する静電チャックと、前記静電チャックに直流電圧を印加する直流電圧源と、上部電極と、下部電極と、前記上部電極に高周波電力を印加する上部電力印加手段と、前記下部電極に高周波電力を印加する下部電力印加手段とを備え、チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、プラズマ処理の終了後に、前記プラズマ処理が進行しない範囲でプラズマ放電を維持し、前記上部電極への高周波電力の印加を停止させた後、前記下部電極への高周波電力の印加を停止させるプラズマ放電制御手段と、前記プラズマ放電が維持されている間に、前記静電チャックへの直流電圧の印加を停止する直流電圧停止手段とを備えることを特徴とする。
【0020】
これにより、プラズマ処理の進行を抑制しつつ、プラズマ放電を維持することができ、ウェハへのパーティクルの吸着を抑制するために、プラズマ放電を維持したまま静電チャックへの直流電圧の印加を停止させた場合においても、オーバーエッチングの進行を抑制することができる。
【0022】
これにより、イオンエネルギーを制御しつつ、プラズマ処理が進行しない範囲でプラズマ放電を維持することができ、チャージアップダメージを伴うことなく、ウェハへのパーティクルの吸着を抑制することができる。
【0023】
また、請求項5記載の発明によれば、前記静電チャックを介してウエハの裏面に冷却ガスを供給する冷却ガス供給手段と、前記プラズマ処理の終了後、前記静電チャックへの直流電圧の印加の停止前に、前記冷却ガスの供給を停止させる冷却ガス停止手段とを備えることを特徴とする。
【0024】
これにより、ウェハのチャッキングを停止させる前に、ウェハ裏面にかかる圧力を低下させることが可能となり、ウェハチャッキングミスを防止することができる。
【0025】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係わるプラズマ処理装置について図面を参照しながら説明する。
【0026】
図1は、本発明の一実施形態に係わるプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。図1において、処理室1内には、上部電極2およびサセプタ3が設けられ、このサセプタ3は下部電極を兼ねている。ここで、上部電極2には、エッチングガスを処理室1内に導入するガス噴出孔2aが設けられている。また、サセプタ3は、サセプタ支持台4上に支持され、サセプタ支持台4は絶縁板5を介して処理室1内に保持されている。さらに、上部電極2およびサセプタ3には高周波電源11、12がそれぞれ接続され、処理室1内に導入されたエッチングガスをプラズマ化する。
【0027】
ここで、上部電極2は、処理室1内に導入されたガス分子を電離させ、プラズマを発生させる機能を主に有し、サセプタ3を兼ねる下部電極は、プラズマ密度やラジカルの組成比を変化させることなく、ウェハWに入射するイオンエネルギーを制御する機能を主に有する。なお、高周波電源11、12の周波数は、60MHzと13.56MHz、60MHzと2MHz、27.12MHzと800KHz、13.56MHzと13.56MHzとの組み合わせなどを用いることができる。なお、本実施例では、60MHzと13.56MHzとの組み合わせを使用した。
【0028】
サセプタ支持台4には冷媒室10が設けられ、液体窒素などの冷媒が冷媒供給管10aおよび冷媒排出管10bを介して冷媒室10内を循環する。そして、ここから生じる冷熱をサセプタ支持台4およびサセプタ3を介してウエハWに伝熱させることにより、ウエハWを冷却することができる。
【0029】
サセプタ3上には静電チャック6が設けられ、静電チャック6は、例えば、導電層7がポリイミドフィルム8a、8bにより挟まれた構成を有する。ここで、導電層7には直流高圧電源13が接続され、導電層7に直流高電圧を与えることにより、ウエハWにクーロン力を作用させて、ウエハWをサセプタ3上に固定することができる。
【0030】
また、サセプタ3および静電チャック6には、Heガスを導入するガス通路9が設けられ、ガス通路9は、開閉バルブ14aおよび流量調整バルブ14bを介してHeガス供給源14に接続されるとともに、流量調整バルブ15を介して真空ポンプ16に接続されている。そして、このガス通路9を介してHeガスをウエハWの裏面に噴出させることにより、サセプタ3上に載置されたウエハWを冷却することが可能となるとともに、ウエハWのチャッキングを解除する際には、ウエハW裏面の真空引きを行うことにより、ウエハW裏面と処理室1内との圧力差を解消し、ウエハWが吹き飛ぶことを防止することができる。
【0031】
処理室1には、ガス供給管1aおよび排気管1bが設けられ、ガス供給管1aは、ガス供給源に接続されている。ここで、排気管1bは真空ポンプに接続され、この真空ポンプで処理室1内を排気することにより、処理室1の圧力を調節することができる。
【0032】
また、処理室1にはエンドポイントディテクタ17が接続され、このエンドポイントディテクタ17を用いてウェハWから放射される発光スペクトルを監視することにより、エッチングの終点を検出することができる。なお、1つあるいは2つ以上の異なる波形の光をウェハWに照射し、反射干渉光強度の位相からエッチング深さを求めるようにしてもよい。
【0033】
図2は、本発明の第1実施形態に係わるプラズマ処理シーケンスを従来例と比較して示す図である。なお、‘EPD’はエンドポイントディテクタ17による終点検出、‘TopRF’は上部電極2へのRFパワーの印加、‘BottomRF’はサセプタ3へのRFパワーの印加、‘HV’は静電チャック6のオンオフ、‘BackHe’はウエハW裏面へのHeガスの導入をそれぞれ示している。
【0034】
図2(a)において、プラズマ処理を行う場合、ウエハWをサセプタ3上に載置する。そして、処理室1内を排気し、処理室1内の圧力を調節しつつ、エッチングガスを処理室1内に導入する。
【0035】
次に、高周波電源11からのRFパワーを上部電極2に印加した後(t2)、高周波電源12からのRFパワーをサセプタ3に印加することにより(t3)、エッチングガスをプラズマ化するとともに、ウェハWに入射するイオンエネルギーを制御する。それと同時に、高圧直流電源13(HV)をオンして、ウエハWを静電チャック6により固定するとともに、開閉バルブ14aを開いて、Heガス14(Back He)をウエハW裏面に噴出させ、ウエハWの温度を制御する。ここで、RFパワーを上部電極2に印加した後、RFパワーがサセプタ3に印加するとともに、高圧直流電源13をオンすることにより、プラズマのない状態で高圧直流電圧が静電チャック6に印加されることを防止することができ、ウエハW表面へのパーティクルの吸着を抑制することができる。
【0036】
次に、エンドポイントディテクタ17(EPD)がエッチングの終点を検出すると(t5)、高周波電源12からのRFパワー(Bottom RF)をオフするとともに(t5)、ウエハW裏面へのHeガス14の供給を停止する(t5)。また、エッチングが進行せず、かつ、プラズマ放電を維持可能な範囲、例えば、200W以下に、高周波電源11からのRFパワー(Top RF)を制御する(t5)。
【0037】
なお、終点の検出方法は、エンドポイントディテクタ17を用いる方法以外にも、エッチング時間の計測結果に基づいて終点を検出するようにしてもよい。
【0038】
これにより、ウエハWが静電チャック6から脱離可能となる前に、ウエハW裏面へのHeガス14の供給が停止されるので、Heガス14の圧力によりウエハWが吹き飛ぶことを防止できる。
【0039】
次に、高圧直流電源13をオフして、ウエハWを静電チャック6から脱離可能にする(t6)。そして、高周波電源11からのRFパワーをオフし、プラズマ放電を停止させる(t7)。
【0040】
これにより、高周波電源11からのRFパワーをオフする際には、プラズマ放電が維持されているので、ウェハへのパーティクルの吸着を抑制することが可能となる。また、この時のプラズマ放電は、エッチングが進行しないパワーに制御されているので、エンドポイントディテクタ17による終点検出後に、プラズマ放電を維持した場合においても、エッチングの進行を抑制できる。
【0041】
なお、ウエハW裏面へのHeガス14の供給を停止した時に、開閉バルブ15を開いて、ウエハWの裏面の真空引きを行うようにしてもよい。これにより、ウエハWの裏面の圧力を処理室1内の圧力と一致させることができ、ウェハチャッキングミスをより完全に防止することができる。
【0042】
一方、図2(b)に示すように、高圧直流電源13をオンした後に、RFパワーをオンすると、プラズマがない状態で、ウェハWにクローン力がかかり、エッチング開始時におけるウェハWへのパーティクルの吸着が増加する。また、エンドポイントディテクタ17(EPD)が終点を検出した時に(t5)、高周波電源12からのRFパワーをオフすると同時に、高周波電源11からのRFパワーをオフすると、プラズマがない状態で、ウェハWにクローン力がかかる。このため、エッチング終了時においても、ウェハWへのパーティクルの吸着が増加する。
【0043】
例えば、実験例として、シリコン酸化膜、多結晶シリコン膜および反射防止膜が積層されたサンプル上に、開口部がパターニングされたフォトレジスト膜をマスクとしてエッチングを行った後、パターン欠陥検査装置でウエハW上の欠陥の個数を数えた。
【0044】
図3は、この実験例におけるプラズマ処理シーケンスを示す図である。図3において、反射防止膜のエッチング条件として、Cl系混合ガスを用い、ウエハW裏面におけるHe圧力を3Torrにした。また、上部電極2のRFパワーを300Wにし、その0.5秒後に、静電チャック6をオンすると同時に、サセプタ3のRFパワーを30Wにしてエッチングを行った後、サセプタ3のRFパワーをオフすると同時に、上部電極2のRFパワーを200Wに低下させ、その3秒後に静電チャック6をオフし、そのさらに1秒後に上部電極2のRFパワーをオフした。
【0045】
また、多結晶シリコン膜表面上の自然酸化膜のエッチング条件として、Cl2系ガスを用いた。また、上部電極2のRFパワーを225Wにし、その0.5秒後に、静電チャック6をオンすると同時に、サセプタ3のRFパワーを200Wにしてエッチングを行った後、サセプタ3のRFパワーをオフにし、その3秒後に静電チャック6をオフし、そのさらに1秒後に上部電極2のRFパワーをオフした。
【0046】
また、多結晶シリコン膜のメインエッチング条件として、Cl2系混合ガスを用いた。また、上部電極2のRFパワーを635Wにし、その0.5秒後に、静電チャック6をオンすると同時に、サセプタ3のRFパワーを150Wにしてエッチングを行った後、サセプタ3のRFパワーをオフすると同時に、上部電極2のRFパワーを200Wに低下させ、その3秒後に静電チャック6をオフし、そのさらに1秒後に上部電極2のRFパワーをオフした。
【0047】
また、多結晶シリコン膜のオーバーエッチング条件として、HBr混合ガスを用いた。また、上部電極2のRFパワーを375Wにし、その0.5秒後に、静電チャック6をオンすると同時に、サセプタ3のRFパワーを50Wにしてエッチングを行った後、サセプタ3のRFパワーをオフすると同時に、上部電極2のRFパワーを200Wに低下させ、その3秒後に静電チャック6をオフし、そのさらに1秒後に上部電極2のRFパワーをオフした。
【0048】
この結果、処理2枚目のウェハWにおいて、図2(a)のシーケンスでは、図2(b)のシーケンスに対し、欠陥の個数が5.3%に低下した。また、処理13枚目のウェハWにおいて、図2(a)のシーケンスでは、図2(b)のシーケンスに対し、欠陥の個数が8.6%に低下した。また、処理24枚目のウェハWにおいて、図2(a)のシーケンスでは、図2(b)のシーケンスに対し、欠陥の個数が4.5%に低下した。
【0049】
なお、上述した実施形態では、上下電極印加RIE装置を例にとって説明したが、エッチング装置以外に適用してもよく、例えば、プラズマCVD装置などでもよい。これにより、膜厚を正確に制御しつつ、パーティクルの吸着を抑制することが可能となる。
【0050】
また、マグネトロンプラズマ処理装置、ECR(電子サイクロトロン共鳴)プラズマ処理装置、HEP(ヘリコン波励起プラズマ)処理装置、ICP(誘導結合プラズマ)処理装置、TCP(転送結合プラズマ)処理装置などに適用するようにしてもよい。
【0051】
図4は、本発明の第2〜4実施形態に係わるプラズマ処理シーケンスを示す図である。なお、上述した図2(a)の実施形態では、エンドポイントディテクタ17が終点を検出した時に(t5)、高周波電源12からのRFパワーをオフすると同時に、エッチングが進行せず、かつ、プラズマ放電を維持可能な範囲に、高周波電源11からのRFパワーを制御した。これに対し、図4(a)の実施形態では、エンドポイントディテクタ17が終点を検出した時に(t5)、高周波電源11からのRFパワーをオフすると同時に、エッチングが進行せず、かつ、プラズマ放電を維持可能な範囲に、高周波電源12からのRFパワーを制御する。
【0052】
これにより、ウェハWに入射するイオンエネルギーを制御しつつ、エッチングが進行しないようにプラズマ放電を維持することができ、パーティクルの吸着を抑制することが可能となるとともに、チャージアップダメージを低減することができる。
【0053】
また、図4(b)の実施形態では、エンドポイントディテクタ17が終点を検出した時に(t5)、高周波電源11、12のRFパワーのいずれもオフすることなく、エッチングが進行せず、かつ、プラズマ放電を維持可能な範囲に、高周波電源11、12のRFパワーを制御する。そして、高圧直流電源13をオフして、静電チャック6からウエハWを脱離可能にする(t6)。その後、高周波電源11からのRFパワーをオフした後(t7)、高周波電源12からのRFパワーをオフする(t8)。
【0054】
これにより、プラズマ密度およびイオンエネルギーの双方を制御しつつ、プラズマ処理が進行しない範囲でプラズマ放電を維持することができ、パーティクルの付着やオーバーエッチングの発生をより改善することが可能となるとともに、チャージアップダメージを低減することができる。
【0055】
また、図4(c)の実施形態では、エンドポイントディテクタ17が終点を検出した時に(t5)、高周波電源12のRFパワーを低下させることなくそのまま維持するとともに、エッチングが進行せず、かつ、プラズマ放電を維持可能な範囲に、高周波電源11のRFパワーを制御する。そして、高圧直流電源13をオフして、静電チャック6からウエハWを脱離可能にする(t6)。その後、高周波電源11からのRFパワーをオフした後(t7)、高周波電源12からのRFパワーをオフする(t8)。
【0056】
これによっても、イオンエネルギーの制御が行われない状態で、プラズマ放電が維持されることを防止することができ、チャージアップダメージを低減することができる。
【0057】
図5は、本発明の第5実施形態に係わるプラズマ処理シーケンスを従来例と比較して示す図である。なお、上述した第1実施形態はRFパワーの印加の開始方法および終了方法に関するもの、第2〜第4実施形態はRFパワーの印加の終了方法に関するのであるのに対し、この第5実施形態はRFパワーの印加の開始方法に関するものである。
【0058】
図5(b)において、従来の方法では、ウエハWをサセプタ3上に載置した後、高圧直流電源13をオンして、ウエハWを静電チャック6で固定するとともに(t1)、Heガス14をウエハW裏面に噴出させる(t1)。そして、高周波電源11からのRFパワーをオンした後(t2)、高周波電源12からのRFパワーをオンする(t3)。
【0059】
一方、本実施形態では、図5(a)に示すように、ウエハWを静電チャック6により固定するとともに(t1)、Heガス14をウエハW裏面に噴出させる(t1)。そして、高周波電源12からのRFパワーをオンした後(t2)、高周波電源11からのRFパワーをオンする(t3)。
【0060】
これにより、RFパワーの印加を開始する場合に、イオンエネルギーの制御が行われない状態で、プラズマ放電が開始されることを防止することができ、チャージアップダメージを低減することができる。
【0061】
例えば、実験例として、Cl2系ガスを流量50sccmで用い、上部電極2のRFパワーを525W、サセプタ3のRFパワーを70W、圧力を5mTorr、電極間間隔を115mmとして、シリコン酸化膜上の多結晶シリコン膜のエッチングを行った。この場合、図5(b)のシーケンスでは、シリコン酸化膜絶縁耐圧の不良率が8%だったのに対し、図5(a)のシーケンスでは、シリコン酸化膜絶縁耐圧の不良率が0%だった。
【0062】
なお、図5の実施形態では、高圧直流電源13をオンしてから、高周波電源12からのRFパワーをオンし、さらに、高周波電源11からのRFパワーをオンする方法について説明したが、高周波電源12からのRFパワーをオンし、さらに、高周波電源11からのRFパワーをオンしてから、高圧直流電源13をオンしてもよい。これにより、RFパワーの印加を開始する段階においても、チャージアップダメージを低減することが可能となるだけでなく、パーティクルの吸着を抑制することも可能となる。
【0063】
また、高圧直流電源13をオンする前に、高周波電源11、12からのRFパワーをオンする場合には、高周波電源11、12からのRFパワーを、その間エッチングが進行せず、かつ、プラズマ放電を維持可能な範囲に制御してもよい。
これにより、パーティクルの吸着を抑制しつつ、所定の条件に達しないうちに、エッチングが進行することを防止することができる。
【0064】
また、図5の実施形態では、高周波電源11、12からのRFパワーをオフする場合、高周波電源11、12からのRFパワーを同時にオフする方法について説明したが、高周波電源11からのRFパワーをオフしてから、高周波電源12からのRFパワーをオフしてもよい。
【0065】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、エッチング量を正確に制御しつつ、パーティクルの吸着を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態に係わるプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。
【図2】本発明の第1実施形態に係わるプラズマ処理シーケンスを従来例と比較して示す図である。
【図3】本発明の一実施形態に係わるプラズマ処理シーケンスの実験例を示す図である。
【図4】本発明の第2〜4実施形態に係わるプラズマ処理シーケンスを示す図である。
【図5】本発明の第5実施形態に係わるプラズマ処理シーケンスを従来例と比較して示す図である。
【符号の説明】
1 処理室
1a ガス供給管
1b 排気管
2 上部電極
2a ガス噴出孔
3 サセプタ
6 静電チャック
11、12 高周波電源
13 高圧直流電源
14 Heガス供給源
14a 開閉バルブ
14b、15 流量調整バルブ
16 真空ポンプ
17 エンドポイントディテクタ
Claims (5)
- 静電チャックを介してウエハを固定するステップと、
上下電極に高周波電力を印加することにより、前記ウエハのプラズマ処理を行うステップと、
前記プラズマ処理の終了後に、前記プラズマ処理が進行しない範囲でプラズマ放電を維持するステップと、
前記静電チャックを介してウエハの裏面に供給される冷却ガスの供給を停止するステップと、
前記静電チャックへの直流電圧の印加を停止するステップと、
前記直流電圧の印加を停止させた後に、前記プラズマ放電を停止させるステップとを備え、
前記プラズマ放電を維持するステップは、前記プラズマ処理の終了時に、上部電極への高周波電力の印加を停止させるとともに、前記プラズマ処理が進行しない範囲でプラズマ放電が維持されるように、下部電極へ印加される高周波電力を制御する
ことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 静電チャックを介してウエハを固定するステップと、
上下電極に高周波電力を印加することにより、前記ウエハのプラズマ処理を行うステップと、
前記プラズマ処理の終了後に、前記プラズマ処理が進行しない範囲でプラズマ放電を維持するステップと、
前記静電チャックを介してウエハの裏面に供給される冷却ガスの供給を停止するステップと、
前記静電チャックへの直流電圧の印加を停止するステップと、
前記直流電圧の印加を停止させた後に、前記プラズマ放電を停止させるステップとを備え、
前記プラズマ放電を維持するステップは、前記プラズマ処理の終了時に、前記プラズマ処理が進行しない範囲でプラズマ放電が維持されるように、前記上下電極へ印加される高周波電力を制御し、前記プラズマ放電を停止させるステップは、上部電極への高周波電力の印加を停止させた後に、下部電極への高周波電力の印加を停止させることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 静電チャックを介してウエハを固定するステップと、
上下電極に高周波電力を印加することにより、前記ウエハのプラズマ処理を行うステップと、
前記プラズマ処理の終了後に、前記プラズマ処理が進行しない範囲でプラズマ放電を維持するステップと、
前記静電チャックを介してウエハの裏面に供給される冷却ガスの供給を停止するステップと、
前記静電チャックへの直流電圧の印加を停止するステップと、
前記直流電圧の印加を停止させた後に、前記プラズマ放電を停止させるステップとを備え、
前記プラズマ放電を維持するステップは、前記プラズマ処理の終了時に、下部電極へ印加される高周波電力をそのまま維持するとともに、前記プラズマ処理が進行しない範囲でプラズマ放電が維持されるように、上部電極へ印加される高周波電力を制御し、前記プラズマ放電を停止させるステップは、前記上部電極への高周波電力の印加を停止させた後に、前記下部電極への高周波電力の印加を停止させることを特徴とするプラズマ処理装置。 - サセプタ上にウエハを固定する静電チャックと、
前記静電チャックに直流電圧を印加する直流電圧源と、
上部電極と、下部電極と、前記上部電極に高周波電力を印加する上部電力印加手段と、前記下部電極に高周波電力を印加する下部電力印加手段とを備え、チャンバ内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
プラズマ処理の終了後に、前記プラズマ処理が進行しない範囲でプラズマ放電を維持し、前記上部電極への高周波電力の印加を停止させた後、前記下部電極への高周波電力の印加を停止させるプラズマ放電制御手段と、
前記プラズマ放電が維持されている間に、前記静電チャックへの直流電圧の印加を停止する直流電圧停止手段と
を備えることを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記静電チャックを介してウエハの裏面に冷却ガスを供給する冷却ガス供給手段と、前記プラズマ処理の終了後、前記静電チャックへの直流電圧の印加の停止前に、前記冷却ガスの供給を停止させる冷却ガス停止手段とを備えることを特徴とする請求項4記載のプラズマ処理装置。
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