JPS59147433A - エツチング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ヒ　　し発明の利用分野〕 μ　　　　本発明は、被エツチング物の表面に形成され
たパターンを＠接モニタすることにより。

己　　　エツチングをインク０セスで目鯛市制御する工
）　　　ツチング鉄直に関するものである。

町　　〔従来技術〕 ｐ　　　　　ＩＣ，ＬＳＩのノ（ターンを形成する蝕刻
技己　　　術に薬液を用いるいわゆるウェット・エラチ
ン１　　　グ法とプラズマ中の反応性ガスによるドライ
エツチング法かある。ドライ・エツチング法は蝕刻パタ
ーンの寸法精ＵＫ優れており、ＬＳＩ、超ＬＳＩの主流
技術となっているが。

反面、マスクとなるホトレジストと所望の被エツチング
材、あるいは所望の被エツチング材の下部に存在する別
の材料とのエツチング速匿比が、ウェット・エツチング
法の約５０に比らべ、２〜１５と小さい。このため、エ
ツチング終点を正確に精度よく検出し、エツチングを停
止させて、余分のエツチングの進行を防止することが１
要である。もし、エツチングの終点検出が不正確である
と、エツチングが未光子となったり１反対Ｋ、エツチン
グ時間が逸正憾より長くなって、エツチング・マスクで
あるホトレジストやＩ３ＪｒＭとする抜エツチング材の
下地筐でも蝕刻し又悪い影響を与える。

上記したプラズマを用いたエツチング終点検出法には、
（１）放’［Ｋよって眠気的に励起された種、エツチン
グ生成物または反応性エツチング樵によって放出される
光の検出を行なう発光分光分析法、（２）エツチングさ
れている材料の反射率の変化、またはエツチングされ−
ｃいる薄膜の元の干渉効果を用い、エツチングされ又い
る元の反射率を時間の関数とし又測定して、膜厚をモニ
タする光の反射法、（３）エツチング反応答器内に導入
されたカス流中の梅１反応生成物負をサンプリングし″
′Ｃ負貢分析を行ない、エツチングの進行に伴５信号の
変化を検知Ｊ−る方法、（４）エツチングの進行に伴っ
又変化する反応裡の濃度とエツチング生成物の濃度変動
によって生ずるフラズマインピータンスの変化を測定す
る方法、（５）エツチングの運行に伴って変化する７′
ラズマの組成の変化によって電子濃度や電子とイオン・
エネルキーの分布変動をＬａミル−２γフ゛ロープを用
いて観察する方法、（６）エツチングの進行に伴って変
化１−るエツチング谷器内の圧力変動を副層する方法が
ある。以上述べた公知の方法については、　ｐａｌＬＩ
　ＪｏＭａｒｃｏｕｘ　ｐａｎｇ　Ｄｏｗ　Ｆｏ。

の「プラズマエツチングの終点検出法Ｊ　（１９８１年
７月／り５ｏｌｒ、ｄ　５ｔａｔｅ　Ｔｅｃｈｙｌｏｌ
ｙ　７日本版第６２負）に評述されている。

中でも、最も広く使用され又いる発光分光分析法につい
て、従来技術の問題点を第１図にしたがって続開する。

上部１慎２．Ｆ部′ａ極６を収けたエツチング処理室１
には電極間の放電プラズマによる発光を取り出す採光窓
６が設けられている。

採光窓乙の外側にはレンズ７、モノクロメータ８．光′
電子増倍管９が同一光軸上に設置され又いる。光１予冷
倍菅９の出力は増幅器１゜で増幅され、終点判定装置１
１に送られる。

図示されていないエツチング用カス供給装置から、エツ
チング処理室ＩＫカスを導入し図示され℃いない真空ボ
ンダで排気して処理室内を一定の圧力（０，５〜５０ｐ
ａ　）に保つ。上部電極２と下郡電極乙に筒周波奄ｗ５
より尚周ｌＢＬ’＋ａ圧を印加すると％惟間で放電が発
生し下ｓ′ｔｋＬ極３上のウェハ４のエツチングが開始
する。このフーラズマ放亀による発光を採光窓６を逼し
てモノクロメータ８に取り込み、放電の発覚の中からエ
ツチングの進行状況と相関関係をもって変化才る波長の
光たり−を取り出す。例えｔＩ′ｉＡｌのエツチングで
は、４１分子、の発覚スペクトルの１つである３９ｔ５
ｎ７ｎの波長の光をモノクロメータ８で分離し、光電子
瑠倍雷９でその強度変化を測定゛Ｊ−ると、放亀諏始、
７１ｔのエツチング開始、終了の状況に応じた出力変化
か測定される。この出力信号を終点判定装置１１で〜、
気４５号処理してエツチング終了時点を検出′１−る。

上記の発覚分光分析法では、エツチング処理室の圧力変
動、尚周波電赤の出力変動に起因するプラズマ発光の５
ｆｆｌ　Ｉｌ＆　ｉ化が生ずる。このためエツチング光
子時点を正確に一！ｌ′１１尾し離い。筺だ、第２図に
示したように、エツチング完了時点近傍の光電子増倍管
の出力信号（１１Ｌ流で表示）の変化は、駕比率は大き
いものの、急峻でないため１判定のばらつきを生ずる。

第２図中、Ａは放電開始時点、Ｂはエツチング開始時点
、Ｃはエツチング終了時点を表わしている。

この方法は電極間に存在する反応種、あるいはエツチン
グ生成物を検出し工おり、直接ウェハ表向のエツチング
状態と相関関係を予め正確に求める必要があるが、エツ
チング・カスの流れ、処理室壁あるいは電極に付着した
有機反応生成物によって影響を受けたり、採光範囲によ
って相関関係がわずかに異なるなどの問題かあり、稍反
の尚いエツチング終点検出が困難でめった。

一万元の反射法は直接被エツチング材の表向状態を観察
する方法であるので、上記の発光分光分析法に見られる
よ５ｒｚ［味さは無いが、ＬＳＩウェハなどでは被エツ
チング材の表面の反射率はロフトによって異なり、ある
程良のはらつき（例えはＡｔの場合２０％）がある。ま
た、プラズマ放電の不安定さに起因する発光強度の変化
の影響を受は反射率の変化だけを検出し難（Ｓ／Ｎが悪
くなる。レーザ光を用いた被エツチング材表口での光干
渉をオリ用する方法では、エツチングの進行に伴なって
１元の強め合う信号と弱め合う信号が数回表われる。こ
のため終点検出アルゴリズムが複雑となり、誤判定し易
い。また１元の透過性のよい材料、下地材と被エツチン
グ物質の境界での反射が強い場合には比較的好結果が得
られるが、そうでｒｘい場合は、得られる信号のＳ／７
ｖが悪い。また、被エツチングの表面に微細なパターン
があると、　、５ＡＶの良い信号が得られない欠点がめ
る。

〔発明の目的〕

本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を取り除いた
エツチング処理におけるエツチング完了を相反よく検出
する装置を提供することにある。

〔発明の概要〕

上記目的を達成するために１本発明によるエツチング装
置は１選択エツチング中に、被エツチング物の表面に形
成されたパターンを投影光学系と光亀変換累子とを用い
て電気イ百号に変換し、そのようにして侮られる画像イ
百号の変化を検出する手段によって、エツチングの進行
状況をモニタすることにより、エツチングを自動的に停
止するか、あるいはエツチング条件を変えるように制（
１１１づ゛ることを要旨とする。すなわち、不発明は直
接エツチングが進行する仮エツチング丞板の表ｔｉｌ＋
パターンを検出し、エツチング′が完了すると下地材が
露出し、エンチング部と、マスクされたエツチングされ
７よかった部分との境界が明確になることに層目し、ウ
ェハ表面の画塚４百号を処理し、表面バター／のコント
ラストの変化からエツチングの進行および完了を検出す
るものである。

本発明の；Ｓ　；Ｉ８Ｏな実施の鴨様においては、上記
画像信号の変化を検出する手段は、上記画揮信号を与え
られた２値化Ｍ１１ｉｆＫしたがって２１ｉ１Ｌ化する
２値化サンプリング回路と、七のようにし′″Ｃ得られ
る２値化ｉ［！ＩＩ像４Ｎ号を記憶する画摩メモリ回路
と、２’　ＩＩＩＬ化画像の黒白の割合を演算し、エツ
チングの終点を判定する演算回路と、上記各回路に刈し
てＨ丁要のタイミング１３号を与える同期回路と、上記
２暗化サンプリング回路に与える所定の２匝化胸１直を
設定する２ＩＩ［化量１区設定回路とで構成され。

エツチング中すウエハ表面の・２１１［化画像の黒白の
割合がハ「定値を越える時点をエツチングの終了時点と
判定する。

以下に１図面を診照しなから、実軸汐Ｕを用いて本発明
を一層評細に読切するが、それらは例示に′ｉ４きす、
不発明の枠を越えることなしにいろいろな変形や改良が
あり得ることは勿論である。

〔発明の笑り例〕

第６図は本発明によるエツチング装置の構成を示す図で
、エツチング処理室１２には上部′ｗＬ極１３と下部電
極１４から構成される平行平板ＲＬ極が設置しである。

下部電極１４には尚周波＠　ｙ７．１６が接続してあり
、対向する上部電極１３はアースを位と７よりている。

また上部電極１３の一部を網目状とし、処理室１２の一
部には透明なガラス窓１７を設け、上方より上部電極１
４上のウェハ１１’Ｗ＆４できるようにしである。

さらに、ガラス窓１７の上方にはレンズ１８．撮１家用
ノ゛Ｖカメラ１９が設置してあり、ＴＶカメラ１９の出
力信号ケーブルはエツチング終点判に一制例装置２０に
接続しである。エツチング終、Ｑ判足・制御装置２０の
出力は尚周波喝碑１６に人力される。

エツチング処理室１２に図示されていないガス供絽装置
からエラチン公ガスを供胎し１図示されてい７．ｃい排
気ｉｔｔでエツチング処理室向火排気しｌ【がら−一足
の圧力（０，５〜５０ｐｃｔ）に株ち、商周波亀源１６
から高周波電圧（１６５１ｒｆＪｉｚ　）を下部ｉａ＆
　１４　Ｋ印力ｎし、上部醸＜ｍ　１３との間にグ０−
放屯を発生さ、ぜると、プラズマ中のイオン・ラジカル
によってウェハ１５の表面をエツチングする。

エツチング中のウェハ１５０表面パターンをレンズ１８
によっ−ＣＴＶカメラ１９の撮像素子面上に琲影するよ
う配置しである。上部電極１６の網は、レンズ１８との
距離を接近させることにより、ウェハ１５の表面パター
ンが鮮明な画１象とし″′ｃＴＶカメラに入力するよう
にしである。

また、エツチング処理室ｊ２の１部にはガラス窓１７と
は別個にガラス窓２３が設けてあり、レーザ発振器２１
から発射したビームをレンズ２２によって拡げ、カラス
窓２３を通してウェハ１５全面に照射するように配置し
である。レンズ１８とＴＶカメラ１９０間にはハーフミ
ラ−２７を設け、ランプ２４から発した光をレンズ２５
、色フィルタ２６、ハーフミラ−２７、レンズ１８、カ
ラス窓１７を通してウェハ１５を照射するよう罠も配置
し又ある。

つぎに半導体ウェハな例にとりあげエツチングの進行状
況をモニタする方法について説明する。

第４図は、下部電極１４上のウェハ１５の表面パターン
検出領域２日を示したもので、第５図はウェハ１５の表
面の断面図である。基板材料５ｉ２９の上にＳｉｎ、５
０　、　Ａ１３１％ホトレジスト３２で構成されており
、ホトレジスト３２がマスクとなり、Ａ１５１をエツチ
ング加工する。（α）はエツチング開始前の状態を表わ
し、（７１はエツチングの途中、（Ｃ１は、４１３１の
エツチングが完了し、下地である。Ｓｉ０，３０をもエ
ツチングし又いる状態で、いわゆるオーバエッチである
。第６図は、終点判定装置２０の内部回路の一部を示し
たもので、ＴＶカメラのビデオ信号をバンド１バス◆フ
イルター３３［導キ、ハンド・バスφフィルター３３の
出力は比較回路６４に接続しである。また同じ比較回ｗ
１３４［は、閾１１１侶号発生回路３５と高周阪蒐諒制
側１回路６６が接続され又いる。

つきに主要部の出力信号波形を第７図に示し、動作につ
いて説明する。（ｃｔｌに示す信号は第４図に示すパタ
ーン検出領域の矢印の部分を走査している場合のＴＶカ
メラのビデオ信号である。これをバンド・バス会フィル
タ３６によっＣ好ましく７【い１戊８阪成分と高周波成
分を遮断し、（ｂｌに示すノイズの少ない信号とする。

エツチング進行すると、第５図ｆｉｌに示しんように、
　Ａ１６１が仄巣に浸蝕され薄くなり下地の５ｉｎ２６
０を辿し℃さらに下層の５ｉ２ｑがかすかに見えてくる
。このためストライプ上のパターンをエツチングすると
、ストライプパターンに対しｒ；　Ｌ、た信号の変化が
見られるように７より、（Ｃ１に示す信号か侮られる。

さらにエツチングが進行すると、（ｄｉに示すように、
ストライプ・パターン部の信号が間離になりＡ１５１の
エツチングが完了したあとは、（ｅ）に示すように、ス
トライプ・パターン部の４ｇ　ｇ振幅ａはほぼ一足とな
る。比較回路３４には、國１直信号発生回′＃６３５か
接続してろるりで、８：悪の閾１直毎号αｔＡ、あるい
はαｔｈ、を発生させ、（ｇｌに示す１６号と比較する
。比較回路３４では、ａがαｔｈ、より大きく７【った
時、尚８阪ｍ詠制御回路６６に信号を送り、エツチンク
用下部電極１４への入力電力を制御する。例えは、αが
αＬｈ２より太きくなった時点で、烏周阪′ｉ＠、源を
泗断１−れは、エツチングを停止させることができる。

１だ、ａかαｔｈ２より大きくなってから一足時間乞お
い′″Ｃ＝周波′亀源を連断ずれは過当なコ閥エツチン
グ状態を得ることかできる。

さらに”ｔＡ２のｉ＆ｆｆｉ　（Ｉの大小によっては、
不足エツチング、あるいは最適エツチング光子条件を侮
ることが可能である。

これは、ホトレジスト６２、Ａ１３１．５ｉＯ２５０−
５ｉ２９の反射率が谷々異なり、親察される色も異７す
るためで、符に、４１は規聞あるいは白色に近く、Ｌ（
耐重が４０〜８０％と向いが、５ｉは１０〜２０％で、
４１とＳｔの反射率の皮が大きい、７゛Ｖカメラ１９で
は、ウェハ上の２〜３μ〃Ｌのｗ、細回路パターンを検
出することは不可能である７Ｊ’　１ｍ　常の５０〜１
０ＵμＩｎのダイシンク用ストライプパターンは十分に
検出ＢＪ能である。

上記の例では、Ａｔと５ｉの比軟的反射率の差が大きい
場合であり、プラズマの発九馨利用し、ウェハかもの反
射光を検出したが１反射率の差か小ざい場合は、プラズ
マの発光そのものではパターンの識別が困難となる場合
がある。ここの時は、第３図に示したランプ２４、レン
ズ２５、色フイルタ２６％ハーフミラ−２７を用いて、
ウェハ１５を特殊な波長の元で照明づる。すなわち、透
−元の分光波長特性な／’５１＋望の旭に収冗した色フ
ィルタ２６を用いる。例えは単色性の優れた５６０〜５
６０ｒＬｍ、の波長を透過さぜる干渉フィルタを用いる
と、白色に近いプラズマの発光色に見えたウェハ１５は
、緑色に看色し又見えるとともにタイシング用ストライ
プ・パターンかより鮮明に見えるようになり、ＴＶ左カ
メラ９のビデオ信号中にψの艮好なパターン検出信号が
得られるこれは材料が異なると分光反射５４％性もそれ
に応じて異なるためである。

良好７７　ハターン検出信号を借る別の方法はレーザ光
派器２１から発射したレーザ・ビームを糾め方向からウ
ニノー１５を照射するもので。

ウェハ１５から反射したレーザ光の大部分は。

ＴＶ左カメラ９には届ρ）ないで、エツチングによっ又
形成されたパターンすなわちわずかな段差部分で乱反射
した光が１°Ｖカメラ１９に届く。こりた１わ、エツチ
ングが進行すると、耕しく形；α、された段差が明るく
見え始めるので。

艮好なパターン検出１６号が得られる。したがっ又、こ
の恢出旧号を用い、前述した方法により、尚１＠波胤源
への入力電力を制御して、エツチングｗ　’：ｔｔｌＪ
倚できる。

この笑ＪＭ例では、鍋刑波′亀源１６への人力電力を側
御する方法について述べたが、エツチング処理室１２へ
導入′３−るエツチングカスの賞を？ｆｆ１Ｊ偽し７之
り、真徂排気示の排気速度を可変オリフィスで）ｔｉｌ
Ｊ　卸し、エツチング圧力ヲ仕怠にコントロール゛５−
　ｂことによっ℃、エツチンクをｔｔｉＪ　１ｒ中ｅ＋
Ｊ目七であること（工いう葦でもｌよい。

以上の米ＩＭヤリにおい゛℃エツチング蛙点判定制飾鉄
直イピ下すじのように構成−４’”れは一層有利である
。

第８図において第３図と共通する引用番号は第３図にお
けるものと同じ部分を表わす。

この実施例においては、エツチング終点判定制御装置２
０は２値化サンプリング回路４１，２値化閾１区設定回
路４２１画像メモリ回路４６．黒／白割合演算回路４４
．および上記各回路４１゜４３　、４４に対して所要の
タイミング信号を与える同期回路４５から成っている。

この装置の動作を第９図（α）に示すウェハなエツチン
グする場合について説明する。

第９図（ａｌにおいて、４６はウェハーバター　７のス
トライプパターンを示し、ストライプパターン４６に囲
まれた半導体回路パターン部分４７が、半導体の１チツ
プに相等する。ウェハ表面のストライプパターン４６は
フォトレノストの途布され℃いない部分であり、エツチ
ングによって破エツチング材か食刻され、下地膜層が現
われ、反射光が大きく変化する。これに対し１回路バタ
・−ン部分２１はフォトレジストが４０％程度の割合で
途布され℃いるので、エツチングによって回路パターン
の配線が食刻されても反射光の夏化は小さい。纂９図（
ｂ）はエツチング途中、（Ｃ１はエツチングの終了時付
近を示す。

第３図（αｌ　、　（ｂｌおよび（Ｃ１は画像メモリ回
路４４に人力されるそれぞれ第２図（αｌ　、　＜ｂｌ
および（（？１に対する２　１ｉ化ｌ１ｌＩｌ像である
。

エツチング処理室１２は所定のエツチング・プロセスに
対応したエツチングガス流量、例えはＣＣ１４，５０ｃ
ｃ／　ｍｉｎ　、および一定の圧力例えは９Ｐαが保た
れ、放電開始／停止スイッチ１６ｂをつｆいで尚周波電
源１６αより例えは１５．５６ＭＨｚ　、　４００　Ｆ
出力の高周波を下部電極１４と上部電極１３との闇に印
加すると、上記下部電極１４と下部電極１３の闇にプラ
ズマ放電が生じ、ウェハ１５の表面がエツチングされ℃
いく。

上記エツチングと兼行してエツチング　処理室の外に設
けた照明光源２４をレンズ２５を逼し又ハーフミラ−２
７で反射させ、エツチング処理室１２にとりつけた窓カ
ラス１７および上部゛電極１３の網目状部分１３αを逃
してエツチング中のウェハ１５の表面を照明し、ウェハ
表面の反射光を照明光の逆の経路で上部′ｗＬ極網自網
目状部分αとハーフミラ−２７を通してＴＶカメラ１９
に取り込む。ＴＶカメラ１９はウェハ表面の反射Ｉｌ！
ｌｌ１Ｉ！を画像信号に変換するか、この画像信号はエ
ツチングの運台に伴い、第９図（α）→（ｂｒ→（Ｃ１
の如く変化していく。上記画像信号を２値化サンブリン
グ回路４１に入力し、同期回路４５０同期信号のタイミ
ングで、エツチング開始時に所定１区（例えはフルレン
ジ１ｒの画１＃！侶号に対して０．７Ｖ）に設定された
２１直化閾１１１４設定回路４２から出力される２値化
閾憾により、該画像４５号を２値化づ−ると、上記両度
信号ｆｉｌ　（＆ｌ　（ｃ−１に対応してその２値化画
像は第１０図（αｌ　、　［ｂｌ　、　（Ｃ１となる。

つきに該２　ｆｉｌｌ化画像を同期回路４５の所景の同
期信号により、画像メモリ回路４５に記憶する一万、同
期回路４５０所要の同期信号により、画像メモリ（ロ）
路４３のメモリ内容から画像の黒／白の割合を白／黒割
合演葬回路４４で演算する。黒／白の割合は例えは（α
）０％、　（Ａ＋　２チ、（Ｃ１１７％以上であり１例
えは、黒／白＝１７チを検出した時点をエツチングの終
了時点とするならは、それを判定した時爪で、あるいは
場合によってはその後所定時間エツチングを継続（オー
バーエツチング）した後に、為周波電源回路１６の放電
開始／停止スイッチ１６ｂを切断することにより、エツ
チング放電の継続時間を制御することが可能となる。

この実施の態［によれは、エツチング中プラズマにさら
されているウェハ表面の反射画像を所定の固定量１区で
２値化し′Ｃ取り込み、黒／白の割合の変化を観察して
いくことにより、ウェハ表面のエツチングの進行状況が
直接的にモニタできるので、エツチングの終点検出を筒
鞘度に再現性よく行うことが可能となり、半導体の製品
歩留向上の効果がある。

本実施例については、平行平板電極を設けたドライエツ
チングについて述べたが、本発明においてはエツチング
手段に関しては限定するものではなく、円筒形プラズマ
エツチング装置、ウェットエツチング装置においても実
施可能なことは明らかである。

〔発明の効果〕

以上述べたとおり１本発明によれは、被エツチング材の
表面のエツチング・パターンの状態変化を、直接光学的
手段で、インプロセスで測定可能である。このため発光
分光分析法、買置分析法などの０４１　ｉ法では、エツ
チングの終点が不明確でめった問題、また′ｆ、反射法
では、５／Ａ’の良い４ａ号が得られず、エツチングの
終点検出誤差を±１０％以下に減少できなかった問題を
解決し、±１％以下の高梢展終点検出を実現し、ＬＳＩ
の歩留を同上できた。

特に、奸谷オーバエツチング賞が±１０％以下の仕様の
ＬＳＩの歩留向上効果は著しい。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の発光分光分析法によるエッチング終点検
出装置とエツチング室の構成図、第２図は発光分光分析
法の出力信号の特徴説明図、第６図は本発明によるエツ
チング装置の構成図。 鵠４図はパターン検出領域を示す図、第５図（α）。 （ｂｌ　、　（Ｃ１はエツチング進行に伴う変化を説明
するための仮エツチング材の表面付近の障１面図、第６
図は本発明の第１の実施の態株によるエツチング終点判
定制御装置のブロック図、第７図（ａｉかも（ｅ）まで
は、エツチング終点判定制御装置内での信号処理方法を
説明するための各部波形図。 第８図は１本発明の第２の実施の態様によるブロック図
で示されたエツチング終点判定制御装置を含む１本発明
によるエツチング装置の構成図、巣９図および第１０図
は第８図に示す装置の動作を説明するためのウェハ表面
のそれぞれ反射画像および２１１に化画像である。 １２・・・エツチング処理室１３・・・上部−極１４・
・・下部′１極　　　　１８・・・レンズ１９・・・Ｔ
Ｖカメラ ２０・・・エツチング終点判定制御装置２１・・・レー
ザ発振器　　２２・・・レンズ２４・・・ランフ２５・
・・レンズ ２６・・・芭フィルタ　　　２７・・・ハーフミラ−１
６・・・Ｉ！ｆＩＭＩ　Ｗ　電１％を回ｙ、　　３３・
・・バンド・バス・フィルタ６４・・・比較１ｇ回路　
　　　６５・・・闇１１住信号発生回路６６・・・高周
波゛亀源制御回路 ４１・・２１１Ｌ化サンプリング回路 ４２・・・２値化−値設定回路 ４３・・１問像メモリ回路 ４４・・・黒／日割酋演カ＝回路 ４５・・・同期回路 代理人弁理士　島　楡　明ム 第１　図 第２閃 第３閃 第　４　図 第５図 （？） （Ｃ） 第６図 絶９図 ４ｑ ＜ｂ） （Ｃ） 殆１０図 （ａ） （式） ）

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ｔ　選択エツチング中に、仮エツチング物の２面に形成
   されたパターンを投影光学系と光１震挨累子とを用いて
   電気イｇ号に変換し、そσようにして得られろ画像信号
   の変化を検出【エツチングの進行状況を検出する手段に
   よ町エツチングを自動的に停止するか、あるいを；エツ
   チング条件を変えるように制御するこ２を特徴とするエ
   ツチング装置。 Ｚ　上記画像信号の変化を検出する手段が、−配ｌＩ！
   ｌＩ像１ｇ号を与えられた２　１ｔｉ化閾稙にしたズつ
   て２１１化する２１区化サンプリング回路と。 そのようにして侍られる２値化画像信号な鱈憶する画像
   メモリ回路と、その２値化画像σ黒白の割合を演臭し、
   エツチングの終点を１定する演算回路と、上記各回路に
   対し′″Ｃ／７ｒ！のタイミング信号を与える同期回路
   と、上９２稙化サングリングｌ！ＩＩ！１ｗ！ＩＫ与え
   る所足の２イＬ化閾１１ｉＬを設定する２値化間１１設
   定回路とで構成すれ、エツチング中のウエノ・表面の２
   １直イし画像の黒白り割合が所定の１１敗を越える時点
   とそ　　エツチングの終了時点と判定することヲ特徴工
   　　　とする、特許請求の範囲第１項籠己載σ〕エッチ
   ）　　　ング装貢。 ３、　上記手段がパターンのエツチング部分とエン　　
   　ツチングされない部分の亀気佃号の差により１　　　
   検出するように構成したことを特徴とする特許請求の範
   囲第１狽８ｄ躯のエツチング装置。