TW201801128A

TW201801128A - 監測技術製程的等離子體處理裝置及監測等離子體處理技術製程的方法

Info

Publication number: TW201801128A
Application number: TW106108413A
Authority: TW
Inventors: 張潔; 智林黃
Original assignee: 中微半導體設備（上海）有限公司
Priority date: 2016-06-28
Filing date: 2017-03-14
Publication date: 2018-01-01
Also published as: TWI633575B; CN107546141A; CN107546141B

Abstract

本發明公開了一種監測技術製程的等離子體處理裝置及監測等離子體處理技術製程的方法。裝置包括一處理基片的等離子體反應腔及監測基片處理製程的一監測裝置，所述監測裝置包括一入射光源，用於向等離子體處理裝置內的基片表面發射脈衝光訊號；一光譜儀，以第二脈衝頻率採集所述反應腔內發出的光訊號；所述第二脈衝頻率大於等於所述第一脈衝頻率的2倍，使得所述光譜儀在一個入射脈衝光訊號週期內採集至少兩組光訊號；一資料處理裝置，與所述光譜儀相連，用於對所述光譜儀採集到的光訊號進行運算，以消除反應腔內等離子體產生的背景光訊號對反射光訊號的影響。

Description

監測技術製程的等離子體處理裝置及監測等離子體處理技術製程的方法

本發明涉及等離子體技術處理技術領域，尤其涉及一種對等離子體處理製程進行監測的技術領域。

等離子體處理技術廣泛應用於半導體製作技術中。在對半導體基片進行沉積或刻蝕過程中，需要對技術製程進行密切監控，以確保沉積技術或刻蝕技術結果得到良好控制。目前常用的一種刻蝕技術控制方法為光學發射光譜法（OES）。等離子體中的原子或分子被電子激發到激發態後，在返回到另一個能態過程中會發射出特定波長的光線。不同原子或者分子所激發的光波的波長各不相同，而光波的光強變化反映出等離子體中原子或者分子濃度變化。OES是將能夠反映等離子刻蝕過程變化的、與等離子體化學組成密切相關的物質的等離子體的特徵譜線（OES特徵譜線）提取出來，通過即時檢測其特徵譜線訊號強度的變化，來提供等離子體刻蝕技術中的反應情況的資訊，這種方法的局限在於只能監測到薄膜刻蝕完成後的狀態，只有當一種被刻蝕的目標層刻蝕完畢，等離子體刻蝕到下一層目標層時，對應的等離子體的特徵譜線才會有明顯變化，因此該方法只能用於刻蝕技術的終點監測。

隨著積體電路中的器件集成密度及複雜度的不斷增加，對半導體技術過程的嚴格控制就顯得尤為重要。對於亞深微米的多晶矽柵刻蝕技術而言，由於柵氧層的厚度已經變得非常的薄，如何精確控制等離子體刻蝕過程是人們面臨的一個技術上的挑戰。目前半導體工業上所使用的高密度等離子體刻蝕機，如電感耦合等離子體(ICP)源，電容耦合等離子體(CCP)源，以及電子自旋共振等離子體(ECR)源等。其所產生的等離子體具有較高的刻蝕速率，如果技術控制不合理，出現的過度刻蝕很容易會造成下一層材料的損傷，進而造成器件的失效。因此必須對刻蝕過程中的一些參數，如刻蝕用的化學氣體、刻蝕時間、刻蝕速率及刻蝕選擇比等參數進行嚴格控制。此外，刻蝕機狀態的細微改變，如反應腔體內氣體流量、溫度、氣體的回流狀態、或是批與批之間晶片之間的差異，都會影響到對刻蝕參數的控制。因而必須監控刻蝕過程中各種參數的變化情況，以確保刻蝕過程中刻蝕的一致性。而干涉終點法（IEP）就是為了實現對刻蝕過程進行即時監控而設計的。

干涉終點法（IEP）為入射一光訊號至半導體基片表面，入射光訊號經半導體基片發射後攜帶了基片薄膜厚度變化的資訊，通過對反射後的光訊號波長進行測量，並根據測量結果進行分析計算，可以得出實際的刻蝕速率，實現即時監控基片薄膜的刻蝕過程。但是在對光譜監測過程中，等離子體中的原子或分子被電子激發到激發態後會發射的特定波長的光訊號一直存在，且強度較大，有時甚至等離子體發出的光訊號強度會超過入射光訊號強度，干擾對反射後的入射光訊號的讀取使得測量入射光訊號變得困難。

為了解決上述技術問題，本發明提供一種監測技術製程的等離子體處理裝置，包括一處理基片的反應腔及監測基片處理製程的一監測裝置，所述監測裝置包括：一入射光源，以第一脈衝頻率向反應腔內的基片表面發射入射脈衝光；一光譜儀，以第二脈衝頻率採集所述反應腔內發出的光訊號；所述第二脈衝頻率大於等於所述第一脈衝頻率的2倍，使得所述光譜儀在一個入射脈衝光訊號週期內採集至少兩組光訊號，其中一組光訊號包括入射光在基片表面的反射光訊號與反應腔內等離子體產生的背景光訊號之和，一組光訊號只有反應腔內等離子體產生的背景光訊號；一資料處理裝置，用於對所述光譜儀採集到的光訊號進行運算，以消除反應腔內等離子體產生的背景光訊號對反射光訊號的影響；所述資料處理裝置用消除背景光訊號影響後的反射光訊號作為計算依據，得到所述基片的處理終點。

較佳的，所述第二脈衝頻率是所述第一脈衝頻率的2的n次方倍，所述n大於等於1。

較佳的，所述入射光源發出的入射脈衝光為全光譜。

較佳的，所述入射光源為閃光燈。

較佳的，所述入射脈衝光的脈衝週期大小可變。

較佳的，所述光譜儀用於採集等離子體反應腔內光訊號的波長和強度，所述光譜儀為CCD影像控制器。

較佳的，所述光譜儀向所述入射光源發射脈衝訊號，以控制所述入射光源發送入射脈衝光訊號的週期。

進一步的，本發明還公開了一種監測等離子體處理技術製程的方法，所述方法在一等離子體處理裝置內進行，所述方法包括如下步驟：將基片放置在一等離子體處理裝置的反應腔內，對所述基片進行等離子體技術處理；向所述基片發射一脈衝式入射光訊號，所述入射光訊號在基片上發生反射，所述脈衝式入射光訊號的脈衝週期頻率為第一脈衝頻率；用一光譜儀以第二脈衝頻率採集所述反應腔內發出的光訊號，所述光訊號包括入射光在基片表面的反射光訊號及反應腔內等離子體產生的背景光訊號；設置所述第二脈衝頻率大於等於所述第一脈衝頻率的2倍；在一個第一脈衝頻率週期內，所述光譜儀採集到一組反射光訊號與等離子體產生的背景光訊號之和以及至少一組只有等離子體產生的背景光訊號；所述光譜儀將採集到的光訊號輸送到一資料處理裝置，所述資料處理裝置將光譜儀採集到的反射光訊號與等離子體產生的背景光訊號之和與一組只有等離子體產生的背景光訊號做減法，得到不受干擾的反射光訊號，所述資料處理裝置根據得到的不受干擾的反射光訊號計算得到所述基片的處理終點。

較佳的，所述光譜儀採集反射光訊號的高電平與所述入射光源發出的入射光訊號上升沿位置不同。

較佳的，所述光譜儀採集光訊號的頻率為入射光訊號脈衝頻率的兩倍，在一個入射光脈衝週期內，所述光譜儀包括兩個採集光訊號週期，其中第一個週期內採集反射光訊號與等離子體產生的背景光訊號之和，第二個週期只採集到等離子體產生的背景光訊號，所述第一週期內採集的光訊號與第二週期內採集的光訊號做減法即可消除背景光訊號對反射光訊號的干擾。

較佳的，所述光譜儀採集光訊號的頻率超過所述入射光訊號脈衝頻率的兩倍時，在一個入射光脈衝週期內，所述光譜儀採集若干組只有等離子體產生的背景光訊號，所述資料處理裝置選取其中一組背景光訊號與所述光譜儀採集到的反射光訊號與等離子體產生的背景光訊號之和做減法，以消除所述背景光訊號對反射光訊號的干擾。

較佳的，所述入射光訊號為全光譜訊號。

較佳的，所述光譜儀選擇一具有預設波長的光訊號進行訊號採集。

較佳的，所述入射光源發射微秒級持續時間的高能量脈衝。

較佳的，所述資料處理裝置為一電腦系統。

本發明的優點在於：選擇一持續發射脈衝光的入射光源作為主動光源向反應腔內的基片表面發射第一頻率的脈衝入射光，設置光譜儀採集反應腔內光訊號的頻率大於等於所述第一頻率的兩倍。即在一個脈衝入射光發光週期內光譜儀採集至少採集兩次光訊號，其中一次採集反射光訊號與背景光訊號之和，其餘只採集背景光訊號，每個週期內的採集反射光訊號與背景光訊號之和減去只採集的背景光訊號可以得到去除干擾後的反射光訊號。本發明採用持續發射脈衝式光訊號的閃光燈作為入射光源可以避免頻繁的對入射光源進行機械開關，降低入射光源的機械損傷；同時，由於閃光燈每個脈衝週期內發射入射光的時間短於通過機械開關控制的入射光源在一個週期內發射入射光的時間，可以延長入射光源的有效發光時間，提高入射光源的使用壽命。此外，本發明採用閃光燈作為入射光源，可以提供全光譜的入射光，全光譜的入射光可以讓等離子體處理裝置的使用者有更多波長範圍的選擇。同時，閃光燈可以按照一定週期發射持續時間較短的高能量光訊號，既能夠保證光譜儀接收到的反射光訊號強度夠大，同時入射光源的持續發光時間短暫可以延長光源的使用壽命，並減少光譜儀對採集到的光訊號進行積分的時間，提高運算效率。光譜儀採集到的光訊號可以即時處理運算，提高準確度和效率。

為使本發明的內容更加清楚易懂，以下結合說明書附圖，對本發明的內容作進一步說明。當然本發明並不局限於該具體實施例，本領域內的技術人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發明的保護範圍內。需說明的是，附圖均採用非常簡化的形式、使用非精準的比例，且僅用以方便、清晰地達到輔助說明本實施例的目的。

圖1示出一種設置干涉終點監測裝置的等離子體處理裝置結構示意圖。圖1中，等離子體處理裝置100內部放置半導體基片10，等離子體處理裝置100的反應腔內部通入的反應氣體在施加到等離子體處理裝置100的射頻功率的作用下解離成等離子體111，所述等離子體111對基片10進行刻蝕。基片10上通常包括複數層待刻蝕薄膜，刻蝕不同的薄膜需要用到不同的反應氣體和刻蝕技術參數。等離子體111在刻蝕不同薄膜過程中反應產物會發出不同波長的光訊號，這些光訊號作為背景光訊號，在刻蝕過程一直持續存在。

在本發明公開的干涉終點法（IEP）監測等離子體處理過程的裝置及方法中，一干涉終點監測裝置設置用於對等離子體處理裝置100進行終點監測。所述干涉終點監測裝置包括一入射光源102及一光譜儀104，一光訊號出入口103設置在等離子體處理裝置100的頂壁上，用以允許入射光源102發射的光訊號進入等離子體處理裝置入射到基片表面，並允許反射後的光訊號進入設置在等離子體處理裝置100外的光譜儀104。具體工作原理為：入射光源102發射入射光訊號至被刻蝕薄膜表面後，薄膜上表面反射的光線與穿透該薄膜後被下層材料反射的光線相互干涉。由於薄膜厚度決定了相互干涉的兩條光的光程差，不同的光程差又會形成交替相間的干涉條紋。因此，隨著刻蝕技術的進行，薄膜不斷被刻蝕減薄，在△d滿足下列公式的條件下，可以得到干涉加強：

△d＝λ/2n

式中，λ為入射光訊號的波長，n為薄膜材料的折射率，△d為被監測薄膜厚度的變化，每出現一個△d變化，則會在光譜儀104上示出一個光強的最大值。這樣隨著薄膜厚度的不斷減薄，會形成諸多的正弦波狀的訊號曲線。在已知入射光訊號波長和折射率的前提下，可以計算得出被監測薄膜的厚度變化△d，根據光譜儀接收到的正弦波訊號曲線，可以得出出現一個干涉加強的週期，利用該監測薄膜厚度的變化△d及產生該厚度變化的一個週期即可以計算出刻蝕技術中實際的刻蝕速率。在刻蝕薄膜總體厚度已知的前提下可以計算出到達刻蝕終點需要的時間。

在監測過程中，由於反應腔內等離子體發出的背景光訊號強度較大，有時甚至會超過入射光在基片薄膜上反射的光訊號強度，由於入射光和背景光訊號都為全光譜光訊號，當設置光譜儀採集某種波長的光訊號時，光譜儀104採集到的光訊號為該波長的反射光訊號和背景光訊號之和，無法如上文所述對刻蝕速率進行運算，為了避免光譜儀104在接收基片10薄膜反射光訊號時受到等離子體111發出的背景光訊號的影響，保證光譜儀104能夠準確讀取入射光訊號，本發明需要排除背景光訊號的干擾。

圖2示出入射光源102和光譜儀104的工作脈衝訊號曲線圖，其中第一幅曲線圖示出本發明等離子體反應腔內發出的反射光訊號與背景光訊號光強示意圖，第二幅曲線圖示出光譜儀104採集反應腔內光訊號的脈衝週期示意圖。本發明選擇設置入射光源102為一發射短持續時間的高能量光脈衝的光源，如具有全光譜的閃光燈，閃光燈在每個脈衝週期內發光的時間極短，通常為微秒級，因此，在第一幅曲線圖中，由於每個週期內反射光訊號的持續時間極短，可以近乎在一個時間點上發射暫態光訊號，故而將每個週期內反射光訊號強度表現為具有一定間隔的豎直線段，豎直線段的長度表示了脈衝反射光訊號的強度，兩條線段的間隔表示脈衝入射光訊號的週期。而等離子體發出的背景光訊號在整個等離子體技術期間一直存在，光強變化範圍較小，表示為一條大致水準的平滑曲線。為描述方便，將入射光源102的脈衝頻率稱作第一脈衝頻率，在每個入射光源102的脈衝週期內，反應腔內只有極短的時間存在反射光訊號，在週期內其餘時間只有背景光訊號存在。圖2的第二幅曲線圖中示出光譜儀104採集反應腔內光訊號的脈衝週期示意圖，當脈衝訊號位於高電平時，光譜儀104採集反應腔內光訊號並將採集到的光訊號輸送到資料處理裝置114中進行資料運算。為了表述方便，將光譜儀104採集光訊號的頻率稱作第二脈衝頻率。為了實現本發明的目的，第二脈衝頻率要大於等於第一脈衝頻率的兩倍，即在一個入射光脈衝週期內，光譜儀104對反應腔內的光訊號至少進行兩次訊號採集，其中一次採集到的光訊號包括反射光訊號和背景光訊號之和，其他次採集到的光訊號只有背景光訊號。光譜儀104將採集到的光訊號強度輸送到與之連接的資料處理裝置114，資料處理裝置114內計算每個入射光週期內光譜儀104採集到的反射光訊號和背景光訊號之和與背景光訊號之差，進而得出每個入射光週期內入射光在基片10上發生反射的反射光訊號光強。以消除背景光訊號對計算基片刻蝕速率的影響。

本發明中，所述入射光源102連接一控制入射光源102發光頻率的裝置，所述控制入射光源102發光頻率的如脈衝觸發裝置，脈衝觸發裝置可以控制入射光源102的脈衝頻率，本發明所述的脈衝入射光源102發射入射光訊號的週期可以通過多種方式設定，如本發明採用的閃光燈可以週期性的發出入射光訊號，為了更加靈活的調節入射光訊號的週期，也可以如圖3所示，所述光譜儀104在採集反應腔內光訊號的同時，輸送一脈衝訊號觸發入射光源的發光週期。圖3所示的實施例中，入射光源102的發光頻率和採集光訊號的頻率均由光譜儀104控制，因此，能夠更為準確的控制在一個入射光脈衝週期內，光譜儀104對反應腔內的光訊號至少進行兩次訊號採集。

本發明中，光譜儀104的採集頻率至少為入射光週期頻率的2倍才能在一個入射光週期內既採集到反射光訊號和背景光訊號之和，又採集到無反射光訊號只有背景光訊號的光強。圖2示出光譜儀104的採集頻率正好為入射光週期頻率的2倍時的情況，在另外的實施例中，光譜儀104的採集頻率可以為入射光週期頻率的2的n次方倍，此時，光譜儀104在一個入射光脈衝週期內可以採集到一組以上的只有背景光訊號的光強，選擇任一組與採集到的背景光訊號強度與光譜儀採集到反射光訊號光強與背景光訊號光強之和做減法運算，可以得到反射光訊號的光強。由於入射光訊號近乎於在一個時間點上的暫態脈衝，為了避免光譜儀104採集光訊號的高電平位於上升沿時訊號採集不穩定，較佳的，入射光訊號與光譜儀104採集光訊號的高電平具有不同的上升沿。

相比於通過設置入射光源週期性開通和斷開以使光譜儀104採集得到脈衝式反射光訊號，本發明採用持續發射脈衝式光訊號的閃光燈作為入射光源可以避免頻繁的對入射光源進行機械開關，降低入射光源的機械損傷；同時，由於閃光燈每個脈衝週期內發射入射光的時間短於通過機械開關控制的入射光源在一個週期內發射入射光的時間，可以延長入射光源的有效發光時間，提高入射光源的使用壽命。此外，本發明採用閃光燈作為入射光源，可以提供全光譜的入射光，全光譜的入射光可以讓等離子體處理裝置的使用者有更多波長範圍的選擇。同時，閃光燈可以按照一定週期發射持續時間較短的高能量光訊號，既能夠保證光譜儀接收到的反射光訊號強度夠大，同時入射光源的持續發光時間短暫可以延長光源的使用壽命，並減少光譜儀對採集到的光訊號進行積分的時間，提高運算效率。光譜儀採集到的光訊號可以即時處理運算，提高準確度和效率。

光譜儀104將每個入射光訊號週期採集到的反射光訊號光強與背景光訊號光強之和以及背景光訊號強度輸送到與之相連接的資料處理裝置，通過在資料處理裝置114內對二者進行減法運算即可得到入射光源102在基片10薄膜上發生反射後的反射光訊號。通過設置入射光源102持續發射脈衝式入射光訊號，可以去除背景光訊號，只留下對監測刻蝕技術有用的基片薄膜上的反射光訊號，通過對該反射光訊號的波長進行讀取並按照上文描述的公式計算，即可得到等離子體處理裝置100內部基片10薄膜的實際刻蝕速率，從而準確監控基片薄膜的刻蝕技術進程。所述資料處理裝置為一電腦系統。

本發明所述的脈衝入射光源102發射入射光訊號的週期可以通過多種方式設定，如本發明採用的閃光燈可以週期性的發出入射光訊號，為了更加靈活的調節入射光訊號的週期，也可以如圖3所示，所述光譜儀104輸送一脈衝訊號觸發入射光源的發光週期。採用圖3所示的方式觸發入射光源102可以有效的控制反射光訊號週期與光譜儀採集光訊號週期的關係，實現光譜儀對光訊號的精確採集。

本發明所述的IEP除了可以監測刻蝕技術外，還可以監測沉積技術的過程，與刻蝕技術不同的是，沉積技術是一個薄膜厚度不斷變大的過程，通過向沉積反應腔內投射一入射光訊號，根據上文描述，可以計算得出沉積技術的沉積速率，當根據該準確的沉積速率及需要沉積的薄膜厚度可以準確得知沉積技術的終點。

本發明雖然以較佳實施方式公開如上，但其並不是用來限定本發明，任何所屬技術領域具有通常知識者在不脫離本發明的精神和範圍內，都可以做出可能的變動和修改，因此本發明的保護範圍應當以本發明申請專利範圍所界定的範圍為準。

100‧‧‧等離子體處理裝置
10‧‧‧基片
102‧‧‧入射光源
103‧‧‧光訊號出入口
104‧‧‧光譜儀
111‧‧‧等離子體
114‧‧‧資料處理裝置

圖1示出一種設置干涉終點監測裝置的等離子體處理裝置結構示意圖；

圖2示出入射光源和光譜儀的工作脈衝訊號曲線圖；以及

圖3示出另一種設置干涉終點監測裝置的等離子體處理裝置結構示意圖。

100‧‧‧等離子體處理裝置

10‧‧‧基片

102‧‧‧入射光源

103‧‧‧光訊號出入口

104‧‧‧光譜儀

111‧‧‧等離子體

114‧‧‧資料處理裝置

Claims

一種監測技術製程的等離子體處理裝置，包括處理基片的一反應腔及監測基片處理製程的一監測裝置，其中，該監測裝置包括：一入射光源，以第一脈衝頻率向該反應腔內的基片表面發射入射脈衝光；一光譜儀，以第二脈衝頻率採集該反應腔內發出的光訊號；該第二脈衝頻率大於等於該第一脈衝頻率的2倍，使得該光譜儀在一個入射脈衝光訊號週期內採集至少兩組光訊號，其中一組光訊號包括入射脈衝光在基片表面的反射光訊號與該反應腔內等離子體產生的背景光訊號之和，一組光訊號只有該反應腔內等離子體產生的背景光訊號；一資料處理裝置，用於對該光譜儀採集到的光訊號進行運算，以消除該反應腔內等離子體產生的背景光訊號對反射光訊號的影響；該資料處理裝置用消除背景光訊號影響後的反射光訊號作為計算依據，得到基片的處理終點。
如申請專利範圍第1項所述的監測技術製程的等離子體處理裝置，其中：該第二脈衝頻率是該第一脈衝頻率的2的n次方倍，n大於等於1。
如申請專利範圍第1項所述的監測技術製程的等離子體處理裝置，其中：該入射光源發出的入射脈衝光為全光譜。
如申請專利範圍第1項所述的監測技術製程的等離子體處理裝置，其中：該入射光源為閃光燈。
如申請專利範圍第1項所述的監測技術製程的等離子體處理裝置，其中：入射脈衝光的脈衝週期大小可變。
如申請專利範圍第1項所述的監測技術製程的等離子體處理裝置，其中，該光譜儀用於採集等離子體反應腔內光訊號的波長和強度，該光譜儀為CCD影像控制器。
如申請專利範圍第1項所述的監測技術製程的等離子體處理裝置，其中，該光譜儀向該入射光源發射脈衝訊號，以控制該入射光源發送入射脈衝光訊號的週期。
一種監測等離子體處理技術製程的方法，該方法在一等離子體處理裝置內進行，其中，該方法包括如下步驟：將一基片放置在該等離子體處理裝置的一反應腔內，對該基片進行等離子體技術處理；一入射光源向該基片發射一脈衝式入射光訊號，該入射光訊號在該基片上發生反射，該脈衝式入射光訊號的脈衝週期頻率為第一脈衝頻率；用一光譜儀以第二脈衝頻率採集該反應腔內發出的光訊號，該光訊號包括入射光在該基片表面的反射光訊號及該反應腔內等離子體產生的背景光訊號；設置該第二脈衝頻率大於等於該第一脈衝頻率的2倍；在一個該第一脈衝頻率週期內，該光譜儀採集到一組反射光訊號與等離子體產生的背景光訊號之和以及至少一組只有等離子體產生的背景光訊號；該光譜儀將採集到的光訊號輸送到一資料處理裝置，該資料處理裝置將該光譜儀採集到的反射光訊號與等離子體產生的背景光訊號之和與一組只有等離子體產生的背景光訊號做減法，得到不受干擾的反射光訊號，該資料處理裝置根據得到的不受干擾的反射光訊號計算得到該基片的處理終點。
如申請專利範圍第8項所述的監測等離子體處理技術製程的方法，其中：該光譜儀採集反射光訊號的高電平與該入射光源發出的入射光訊號上升沿位置不同。
如申請專利範圍第8項所述的監測等離子體處理技術製程的方法，其中：該光譜儀採集光訊號的頻率為入射光訊號脈衝頻率的兩倍，在一個入射光脈衝週期內，該光譜儀包括兩個採集光訊號週期，其中第一個週期內採集反射光訊號與等離子體產生的背景光訊號之和，第二個週期只採集到等離子體產生的背景光訊號，該第一週期內採集的光訊號與第二週期內採集的光訊號做減法，以消除背景光訊號對反射光訊號的干擾。
如申請專利範圍第8項所述的監測等離子體處理技術製程的方法，其中：該光譜儀採集光訊號的頻率超過該入射光訊號脈衝頻率的兩倍時，在一個入射光脈衝週期內，該光譜儀採集複數組只有等離子體產生的背景光訊號，該資料處理裝置選取其中一組背景光訊號與該光譜儀採集到的反射光訊號與等離子體產生的背景光訊號之和做減法，以消除該背景光訊號對反射光訊號的干擾。
如申請專利範圍第8項所述的監測等離子體處理技術製程的方法，其中：該入射光訊號為全光譜訊號。
如申請專利範圍第8項所述的監測等離子體處理技術製程的方法，其中：該光譜儀選擇一具有預設波長的光訊號進行訊號採集。
如申請專利範圍第8項所述的監測等離子體處理技術製程的方法，其中：該入射光源發射微秒級持續時間的高能量脈衝。
如申請專利範圍第8項所述的監測等離子體處理技術製程的方法，其中：該資料處理裝置為一電腦系統。