CN104733336B - 等离子体去胶工艺的终点检测系统和方法 - Google Patents

等离子体去胶工艺的终点检测系统和方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种等离子体去胶工艺的终点检测方法和检测系统，检测方法，包括，产生预设光；所述预设光能够被反应腔室内的特定气体或粒子所吸收，所述特定气体或粒子是在等离子体去胶工艺中被消耗的气体或粒子或者产生的气体或粒子；获取所述预设光在射入反应腔室之前的入射光强；获取经过反应腔室后从所述反应腔室射出的所述预设光的出射光强；比较所述入射光强和所述出射光强，并判断比较结果是否不小于预设阈值，如果是，则确定等离子体去胶工艺达到终点；其中，所述预设阈值是应腔室内没有进行等离子体去胶工艺时，进入反应腔室前的入射光强I0和穿过反应腔室之后从反应腔室射出的出射光强Imin的比较结果。

Description

等离子体去胶工艺的终点检测系统和方法
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及等离子体去胶工艺的终点检测系统和方法。
背景技术
光刻胶除了在光刻过程中用作从光刻掩模板到晶圆片的图像转移媒介，还用作刻蚀时不需刻蚀区域的保护膜。当刻蚀完成后，光刻胶已经不再有用，需要将其彻底去除，完成去除光刻胶的过程的工序就是去胶。
常用的去胶方法有溶剂去胶、氧化去胶以及等离子体去胶三种。其中，等离子体去胶是利用高频电磁场使氧气在高频电场作用下电离形成等离子体，等离子体的氧化能力非常强，与光刻胶反应使光刻胶变成易挥发的物质被排出系统，达到去胶的目的。
为了降低等离子体损伤，等离子体去胶工艺主要采用远程等离子体进行去胶。所谓远程等离子体就是利用等离子源在反应腔室之外合成等离子体，然后利用气流、电场、磁场等将等离子体引入反应腔室。
对于远程等离子体去胶工艺来说，由于产生等离子体的区域与反应腔室不在同一区域，因此在反应腔室的芯片表面没有等离子体的产生，因而也就不会产生等离子体发射光谱(OES)，所以，不能利用等离子体发射光谱(OES)的方式对去胶工艺进行终点检测，需要采用其它方式对远程等离子体去胶工艺的终点进行检测。
发明内容
有鉴于此，本发明提供了一种等离子体去胶工艺的终点检测系统和方法。该等离子体去胶工艺的终点检测系统和方法利用反应腔室的气体或粒子对特定光吸收的特性和光的吸收原理对远程等离子体去胶工艺进行终点检测。
为了实现上述发明目的，本发明采用了如下技术方案：
一种等离子体去胶工艺的终点检测方法，包括，
产生预设光；所述预设光能够被反应腔室内的特定气体或粒子所吸收，所述特定气体或粒子是在等离子体去胶工艺中被消耗的气体或粒子，或者，所述特定气体或粒子是在等离子体去胶工艺中产生的气体或粒子；
获取所述预设光在射入反应腔室之前的的入射光强；
获取经过反应腔室后从所述反应腔室射出的所述预设光的出射光强；
比较所述入射光强和所述出射光强，并判断比较结果是否不小于预设阈值，如果是，则确定等离子体去胶工艺达到终点；
其中，所述预设阈值是应腔室内没有进行等离子体去胶工艺时，进入反应腔室前的入射光强I0和穿过反应腔室之后从反应腔室射出的出射光强Imin的比较结果。
可选地，所述光强为所述预设光的所有波长的光的强度。
可选地，所述光强为至少一个特定波长的光的强度。
可选地，所述等离子体去胶工艺为远程等离子体去胶工艺。
可选地，所述预设阈值是反应腔室内没有进行等离子体去胶工艺时，测出的进入反应腔室前的入射光强I0和穿过反应腔室之后从反应腔室射出的出射光强Imin的差值I0-Imin，所述比较所述入射光强和所述出射光强，并判断比较结果是否不小于预设阈值，如果是，则等离子体去胶工艺达到终点，具体为，
将所述入射光强和所述出射光强相减，得到两者的测量差值；
判断所述测量差值是否不小于I0-Imin，如果是，确定等离子体去胶工艺达到终点。
可选地，所述所述预设阈值是反应腔室内没有进行等离子体去胶工艺时，测出的进入反应腔室前的入射光强I0和穿过反应腔室之后从反应腔室射出的出射光强Imin的比值I0/Imin，所述比较所述入射光强和所述出射光强，并判断比较结果是否不小于预设阈值，如果是，则等离子体去胶工艺达到终点，具体为，
将所述入射光强和所述出射光强相除，得到两者的测量比值；
判断所述测量比值是否不小于I0/Imin，如果是，确定等离子体去胶工艺达到终点。
一种等离子体去胶工艺的终点检测系统，包括，入射光源、第一光谱仪或第一能量计数器、反应腔室、第二光谱仪或第二能量计数器以及终点检测计算器；
其中，所述第一光谱仪或第一能量计数器位于所述入射光源和反应腔室之间，第二光谱仪或第二能量计数器位于所述反应腔室和所述终点检测计算器之间；
所述入射光源用于产生预设光，所述预设光能够被反应腔室内的特定气体或粒子所吸收，所述特定气体或粒子在等离子体去胶工艺中被消耗；
所述第一光谱仪或第一能量计数器用于获取所述预设光在射入反应腔室之前的入射光强；
所述第二光谱仪或第二能量计数器用于获取预设光经过反应腔室后从所述反应腔室射出的出射光强；
所述终点检测计算机用于比较所述入射光强和所述出射光强。
可选地，还包括，位于所述入射光源和所述反应腔室之间的扩束镜和准直透镜。
可选地，还包括，位于所述反应腔室和所述第二光谱仪或第二能量计数器之间的聚束镜。
可选地，还包括，位于所述入射光源和所述第一光谱仪或第一能量计数器之间的分光器。
在等离子体去胶过程中，反应腔室内的特定气体或粒子在等离子体的作用下会与光刻胶发生反应被消耗掉，这些气体或粒子会吸收一定波长的预设光。根据吸收光谱的公式I＝I0e-αcl，可以得出所以根据通过对吸收光的光强的测试可以定量地得知反应腔室内气体或粒子浓度。因而，本发明提供的等离子体去胶工艺通过比较入射到反应腔室内的预设光的入射强度和从反应腔室内射出的出射光强，并根据入射前后的光强的比较结果来确定去胶工艺的终点。当两者的比较结果不小于预设阈值时，去胶工艺达到终点，反之，则去胶工艺没有达到终点。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例的一种等离子体去胶工艺的终点检测系统结构示意图；
图2是本发明实施例的等离子体去胶工艺的终点检测方法流程示意图；
图3是本发明实施例的另外一种等离子体去胶工艺的终点检测系统结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
光谱分析由于每种原子都有自己的特征谱线，因此可以根据光谱来鉴别物质和确定它的化学组成，这种方法叫做光谱分析。做光谱分析时，可以利用发射光谱，也可以利用吸收光谱。光谱分析方法的优点是非常灵敏而且迅速。
但是由于远程等离子体去胶工艺在反应腔室内不产生等离子体，因而在反应腔室内也就不会产生等离子体发射光谱(OES)。所以，发射光谱分析方法不能实现对远程等离子体去胶工艺的终点检测。
然而在反应腔室内存在一些能够吸收一定光强的气体或粒子，而这些气体或粒子在等离子体去胶过程中会被消耗。当反应腔室内没有进行去胶工艺时，由于不消耗气体或粒子，在反应腔室内这些气体或粒子的浓度较大，此时，穿过反应腔室的光被吸收的强度较大，从反应腔室射出的光的强度较小，该出射光在光谱仪上形成的吸收光谱的谱线强度也较小。而在去胶过程中，由于被消耗，这些气体或粒子的浓度减小，导致穿过反应腔室的光被吸收的强度也会减小，因而从反应腔室射出的光的强度会较大，该出射光在光谱仪上形成的吸收光谱的谱线强度也较大。所以，通过比较光的强度大小能够确定反应腔室内是否进行去胶工艺。同时，也能实现对反应腔室内的去胶工艺的终点检测。
另外，在等离子体去胶工艺过程中，也会产生一些特定的气体，如CO2，这些特定的气体也会有一定的特征吸收光谱谱线。当反应腔内进行去胶工艺时，产生的气体浓度增加，产生的气体也会吸收反应腔内的特定波长的光，使得该特定波长的光的出射光强减弱，当反应腔内未进行去胶工艺时，不产生该特定的气体，相应地，该特定的气体浓度降低，该特定气体出射光的的吸收光强增强。因此通过对这些气体的吸收光谱中的光的强度变化也能实现对反应腔室内的去胶工艺的终点检测。
具体地：根据公式：I＝I0e-αcl，可以得出c的计算公式：其中，I0是发射光源的入射光强，I是经过反应腔室后的出射光强，α是特定气体或粒子的吸收系数，c是特定气体或粒子的浓度，l是预设光在反应腔室内的光路长度。因此，通过第一能量计数器得到的入射光强I0和通过第二能量计数器得到的出射光强I可以得出位于反应腔室内的特定气体或粒子的浓度c。
为了实现利用吸收光谱的方法实现对远程等离子体去胶工艺的终点检测，本发明实施例的等离子体去胶工艺的终点检测系统如图1所示，该检测系统主要包括：
入射光源01、第一能量计数器02、反应腔室03、第二能量计数器04以及终点检测计算器05。
其中，入射光源01用于产生预设光，产生的预设光能够被反应腔室内的特定气体或粒子吸收。所述的特定气体或粒子可以是在等离子体去胶工艺中与光刻胶发生反应被消耗的气体或粒子，或者所述的特定气体或粒子是在等离子体去胶工艺过程中产生的气体或粒子。由于在去胶过程中，光刻胶会发生氧化反应，会消耗氧气，所以该特定气体可以为反应腔室内的氧气。相应地，在去胶过程中，会产生二氧化碳气体，所以该特定气体可以为二氧化碳气体。因此，本发明可以通过氧气或二氧化碳气体的特征吸收光谱来检测去胶工艺过程的终点。
本实施例所述的预设光可以为包括一个特定波长的普通光，也可以包括两个或两个以上特定波长的普通光。此外，该预设光也可以是激光。
第一能量计数器02用于获取所述预设光在射入反应腔室03之前的入射光强I0；
第二能量计数器04用于获取预设光经过反应腔室03后从反应腔室03射出的出射光强I。
所述终点检测计算机05用于比较所述入射光强和出射光强。
上述所述的检测系统检测去胶工艺的终点的方法流程如下。结合图2对检测方法进行详细描述。
S21、入射光源01产生预设光。
S22、第一能量计数器获取所述预设光在射入反应腔室之前的的入射光强：
当预设光打到第一能量计数器02上，该预设光的能量被第一能量计数器02收集，第一能量计数器02能够获取到该预设光的能量，即入射光强I0。
S23、第二能量计数器获取经过反应腔室后从所述反应腔室射出的所述预设光的出射光强：
该入射光强为I0的预设光射入反应腔室03，在反应腔室03内，该预设光会被反应腔室内的气体或粒子吸收，造成光能量的减少，然后从反应腔室03射出的出射光达到第二能量计数器04上，其能量被第二能量计数器04收集，第二能量计数器04获取到该预设光的出射能量I。
S24、比较所述入射光强和所述出射光强：
由第一能量计数器02获取到的预设光的入射光强I0和由第二能量计数器04获取到的预设光的出射光强I传送到终点检测计算机05上。由终点检测计算机05对入射光强和出射光强I进行比较计算。该比较计算的方法可以将入射光强I0与出射光强I相减得到两者的差值，也可以将入射光强I0与出射光强I进行相除，得到两者的比值。
S25、判断比较结果是否不小于预设阈值：
具体地，工作人员判断该比较结果(差值或比值)不小于预设阈值，如果是，则执行步骤S26，如果否，执行步骤S27。
需要说明的是，该预设阈值可以是反应腔室03内没有进行等离子体去胶工艺时，测出的进入反应腔室前的入射光强I0和穿过反应腔室之后从反应腔室射出的出射光强Imin的差值(I0-Imin)。该预设阈值还可以是反应前反应腔室内没有进行等离子体去胶工艺时，进入反应腔室前的入射光强I0与穿过反应腔室之后从反应腔室射出的出射光强Imin的比值I0/Imin。需要说明的是，当反应腔室内没有进行等离子体去胶工艺时，其内部的特定气体或粒子的浓度没有被消耗，浓度最大，吸收穿过反应腔室03的光最多，从而从反应腔室射出的出射光强最小为Imin。
当实际测量的进出反应腔室的光强差(I0-I)小于预设阈值(I0-Imin)时，说明，出射光强I较大，由公式可知，反应腔室内的特定气体或粒子的浓度较小，这说明，该特定气体或粒子被消耗，表明进行等离子体去胶工艺。当进出反应腔室的光强差(I0-I)不小于预设阈值(I0-Imin)时，说明，反应腔室内的特定气体或粒子的浓度不小于未进行等离子体去胶工艺时的浓度，说明，如果先前进行等离子体去胶工艺，则此时等离子体去胶工艺达到终点。
同理，当实际测量的进出反应腔室的光强比值I0/I小于预设阈值I0/Imin时，反应腔室内进行等离子体去胶工艺。当进出反应腔室的光强比值I0/I不小于预设阈值I0/Imin时，说明，如果先前进行等离子体去胶工艺，则此时等离子体去胶工艺达到终点。
S26、确定等离子体去胶工艺达到终点：
S27、确定等离子体去胶工艺没有达到终点。
上述所述的方法通过向反应腔室内入射光，通过比较进出反应腔室内的光强，可以确定等离子体去胶工艺是否达到终点。该利用吸收光谱的方法检测去胶工艺终点的方法较为简单、准确。
此外，由于由入射光源01产生的光有可能不稳定，直接由第一能量计数器02收集获取到的该预设光的能量值可能不准确。为了使得第一能量计数器获得准确的预设光射入反应腔室内的入射光强，还可以在入射光源01和第一能量计数器02之间设置一分光器06。该分光器06将由入射光源产生预设光的能量一分为二(即平均分成两束光)，一束光直接进入第一能量计数器，由第一能量计数器获取该光的能量，另外一束光射入反应腔室03。由于通过分光器06分出的两束光的能量相同，所以进入第一能量计数器的光的能量也就是射入反应腔室03的入射光强。而且，通过分光器06分出的光的强度较为稳定，因而能够准确测出进入反应腔室03的光强。
进一步地，由于由入射光源产生的预设光或者经过分光器分出的光可能为非准直光或者较为集中，所以，在反应腔室之前还可以设置一扩束镜和准直晶07。由入射光源产生的光或由分光器分出的光先经过扩束镜和准直镜07，在进入反应腔室03。
进一步地，由于从反应腔室03射出的预设光可能会发生散射，使得第二能量计数器04获取到的出射光强不准确，所以还可以在反应腔室03和第二能量计数器04之间设置一聚束镜08。该聚束镜08可以消除射出的预设光的散射，使得第二能量计数器获取的出射光强更加准确。
需要说明的是，上述实施例采用能量计数器获得预设光的所有波长的光的强度，通过比较射入反应腔室前后的所有波长的光的强度的差值(I0-I)或比值I0/I，来确定去胶工艺终点。另外，由于每种原子都有自己的特征谱线，在反应腔室内的特定气体或粒子也有自己的特征谱线，因此，可以利用特征谱线的强度来确定去胶工艺的终点。此时，该等离子体去胶工艺的终点检测系统如图3所示。其中，上述所述的第一能量计数器替换为第一光谱仪02’，第二能量计数器替换为第二光谱仪04’。
该检测系统的检测方法与图2所示的检测方法相似，具体如下：
入射光源01产生预设光，该预设光至少包括一种特定波长的光。
然后该预设光经过第一光谱仪02’，在第一光谱仪02’形成吸收光谱。该吸收光谱上形成不同波长光的吸收峰，从光的吸收峰的强度能够得出预设光中不同波长的光进入反应腔室03之间的强度。
然后再将该吸收光谱传送给终点检测计算机05。
射入反应腔室03的预设光从反应腔室03射出而后进入第二光谱仪04’，在该第二光谱仪04’上形成从反应腔室射出的预设光的吸收光谱。该吸收光谱上也形成了不同波长光的吸收峰，从该吸收峰上能够得出该预设光从反应腔室射出后光的强度。从入射光和出射光的吸收光谱上，可以选择其中一个特征吸收峰来进行比对进出光强的差值或比值是否不大于预设阈值。相应地，此处，所述的预设阈值应该是该特征吸收峰对应的特定波长的光的预设阈值。该特定波长的光的预设阈值与所有波长的光的预设阈值相似，其区别仅在于该特定波长的光的预设阈值是该特定波长的，而不是所有波长的光的。
在等离子体去胶工艺中，由于会消耗氧气，所以，可以利用氧的特征吸收谱线760nm的光强进行比较。除了氧的特征吸收谱线以外，还可以采用氮的特征吸收谱线，也可以采用碳氧化合物的特征吸收谱线的光强进行比较。
当采用光谱仪形成的吸收光谱对特征谱线进行进出光强的比较时，还可以采用多个特征吸收峰进行比较。这样可以避免由于光源不稳定导致的去胶工艺终点检测的误判断。这是因为，当光源不稳定时，如果采用单个特征吸收峰进行比较，可能会出现进出光强差或比值不小于预设阈值，但是，实际上去胶光刻工艺没有达到终点。当采用多个特征吸收峰进行比较时，不仅可以比较预设阈值，同时还可以判断这两个特征吸收峰的变化趋势是否相同，当这两个条件都符合时，才确定达到终点。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种等离子体去胶工艺的终点检测方法，其特征在于，包括，
产生预设光；所述预设光能够被反应腔室内的特定气体或粒子所吸收，所述特定气体或粒子是在等离子体去胶工艺中被消耗的气体或粒子；
获取所述预设光在射入反应腔室之前的入射光强；
获取经过反应腔室后从所述反应腔室射出的所述预设光的出射光强；
比较所述入射光强和所述出射光强，并判断比较结果是否不小于预设阈值，如果是，则确定等离子体去胶工艺达到终点；
其中，所述预设阈值是反应腔室内没有进行等离子体去胶工艺时，进入反应腔室前的入射光强I0和穿过反应腔室之后从反应腔室射出的出射光强Imin的比较结果。
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述光强为所述预设光的所有波长的光的强度。
3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述光强为至少一个特定波长的光的强度。
4.根据权利要求1-3任一项所述的检测方法，其特征在于，所述等离子体去胶工艺为远程等离子体去胶工艺。
5.根据权利要求1-3任一项所述的检测方法，其特征在于，所述预设阈值是反应腔室内没有进行等离子体去胶工艺时，测出的进入反应腔室前的入射光强I0和穿过反应腔室之后从反应腔室射出的出射光强Imin的差值I0-Imin，所述比较所述入射光强和所述出射光强，并判断比较结果是否不小于预设阈值，如果是，则等离子体去胶工艺达到终点，具体为，
将所述入射光强和所述出射光强相减，得到两者的测量差值；
判断所述测量差值是否不小于I0-Imin，如果是，确定等离子体去胶工艺达到终点。
6.根据权利要求1-3任一项所述的检测方法，其特征在于，所述预设阈值是反应腔室内没有进行等离子体去胶工艺时，测出的进入反应腔室前的入射光强I0和穿过反应腔室之后从反应腔室射出的出射光强Imin的比值I0/Imin，所述比较所述入射光强和所述出射光强，并判断比较结果是否不小于预设阈值，如果是，则等离子体去胶工艺达到终点，具体为，
将所述入射光强和所述出射光强相除，得到两者的测量比值；
判断所述测量比值是否不小于I0/Imin，如果是，确定等离子体去胶工艺达到终点。
7.一种等离子体去胶工艺的终点检测系统，其特征在于，包括，入射光源、第一光谱仪或第一能量计数器、反应腔室、第二光谱仪或第二能量计数器以及终点检测计算器；
其中，所述第一光谱仪或第一能量计数器位于所述入射光源和反应腔室之间，第二光谱仪或第二能量计数器位于所述反应腔室和所述终点检测计算器之间；
所述入射光源用于产生预设光，所述预设光能够被反应腔室内的特定气体或粒子所吸收，所述特定气体或粒子在等离子体去胶工艺中被消耗；
所述第一光谱仪或第一能量计数器用于获取所述预设光在射入反应腔室之前的入射光强；
所述第二光谱仪或第二能量计数器用于获取预设光经过反应腔室后从所述反应腔室射出的出射光强；
所述终点检测计算机用于比较所述入射光强和所述出射光强。
8.根据权利要求7所述的检测系统，其特征在于，还包括，位于所述入射光源和所述反应腔室之间的扩束镜和准直透镜。
9.根据权利要求7或8所述的检测系统，其特征在于，还包括，位于所述反应腔室和所述第二光谱仪或第二能量计数器之间的聚束镜。
10.根据权利要求9所述的检测系统，其特征在于，还包括，位于所述入射光源和所述第一光谱仪或第一能量计数器之间的分光器。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107546141B (zh) * 2016-06-28 2020-12-04 中微半导体设备(上海)股份有限公司 监测等离子体工艺制程的装置和方法
CN106504971B (zh) * 2017-01-03 2018-03-16 京东方科技集团股份有限公司 一种等离子刻蚀方法及等离子刻蚀装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6060328A (en) * 1997-09-05 2000-05-09 Advanced Micro Devices, Inc. Methods and arrangements for determining an endpoint for an in-situ local interconnect etching process
CN101494159A (zh) * 2008-01-22 2009-07-29 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 半导体加工工艺的监测系统和方法
CN102347197A (zh) * 2011-10-31 2012-02-08 中微半导体设备(上海)有限公司 刻蚀终点动态检测方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5969805A (en) * 1997-11-04 1999-10-19 Micron Technology, Inc. Method and apparatus employing external light source for endpoint detection
JP3800942B2 (ja) * 2000-04-26 2006-07-26 日本電気株式会社 半導体ウェハの研磨終了点検出装置及びその方法
JP2002246352A (ja) * 2001-02-20 2002-08-30 Semiconductor Leading Edge Technologies Inc Ｃｍｐ終点検出装置、ｃｍｐ終点検出方法、及びｃｍｐ研磨面モニタ方法
KR100426988B1 (ko) * 2001-11-08 2004-04-14 삼성전자주식회사 반도체 제조장비의 식각 종말점 검출장치 및 그에 따른검출방법
US7169440B2 (en) * 2002-04-16 2007-01-30 Tokyo Electron Limited Method for removing photoresist and etch residues
JP2004146738A (ja) * 2002-10-28 2004-05-20 Nidec Copal Electronics Corp プラズマ処理の終点検知方法およびその装置
JP4349848B2 (ja) * 2003-06-12 2009-10-21 パナソニック株式会社 終点検出方法および終点検出装置
CN101174082A (zh) * 2006-10-30 2008-05-07 应用材料股份有限公司 用于光掩模刻蚀的终点检测
JP2009206403A (ja) * 2008-02-29 2009-09-10 Sekisui Chem Co Ltd エッチング状態判定方法及び装置
CN102652946A (zh) * 2011-03-04 2012-09-05 富葵精密组件(深圳)有限公司 等离子清洁装置及等离子清洁方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6060328A (en) * 1997-09-05 2000-05-09 Advanced Micro Devices, Inc. Methods and arrangements for determining an endpoint for an in-situ local interconnect etching process
CN101494159A (zh) * 2008-01-22 2009-07-29 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 半导体加工工艺的监测系统和方法
CN102347197A (zh) * 2011-10-31 2012-02-08 中微半导体设备(上海)有限公司 刻蚀终点动态检测方法

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