CN101494159A - 半导体加工工艺的监测系统和方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种半导体加工工艺的监测系统，包括：连续光源、间歇机构、光路控制器、光学准直装置、光谱仪、数据处理单元和算法单元；所述连续光源发出的光经由间歇机构进入半导体加工腔室，所述光路控制器控制间歇机构将连续入射光转换成脉冲光，并控制光谱仪采集半导体加工室中发出的光谱信号，数据处理单元和算法单元用于处理数据并确定工艺终点；同时提供了一种半导体加工工艺的监测方法。本发明公开的半导体加工工艺的监测系统和方法中，干涉光谱信号不易受到等离子发射光谱及其波动的干扰，显著提高信噪比和分辨率，此外，通过对光源强度和寿命的实时监测，实现了对光源稳定性和使用寿命的精确控制，有利于改善工艺监测的精确度和可靠性。

Description

半导体加工工艺的监测系统和方法

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种半导体加工工艺的监测系统和方法。

背景技术

半导体加工是集成电路制造关键的工艺制程，例如等离子刻蚀就是其中一种常用的半导体加工技术，其原理在于，被刻蚀物质与等离子体中的活性基团反应，反应生成物脱离基底表面，被真空系统抽出腔体，从而除去特定层或者层的特定部分。其目的是完整地将掩膜图形复制到硅片表面，范围涵盖前端CMOS栅极大小的控制，以及后端金属的刻蚀，刻蚀质量好坏直接影响着图形的完整性、分辨率和精度。

在半导体加工过程中，监测刻蚀速率、加工深度等工艺参数相当重要，这通常需要准确的确定工艺终点，即工艺结束的时间。目前用于工艺终点监测的方法包括光谱发射法(Optical Emission Spectrometry，OES)和光干涉测量法(Interferometry Endpoint，IEP)。光谱发射法用于穿透一种材料而在另一种材料的表面终止的刻蚀过程，由于在刻蚀去除一种材料进入另一种材料时，刻蚀产生的反应物不同，其等离子体的发射光谱会产生变化，因此可以用作工艺终点的监测；显然，在刻蚀同种材料时该方法就没有作用，而采用光干涉测量法，在同一种材料内刻蚀到所需的深度后，通过监测被刻蚀膜层表面的反射光相互干涉而形成的干涉信号，监测膜层厚度从而控制刻蚀的终点。在实际的刻蚀工艺过程中，被刻蚀物可能为同种材料也可能为不同的材料，因此监测系统一般既可以采集等离子体发射光谱也可以采集干涉信号，以便原位的精确控制工艺终点。

专利公开号为CN1148563C的中国专利中公开了一种监测等离子刻蚀工艺的方法和装置。该技术采用OES和IEP的相结合的方法获取信号，主要包括：提供了宽光谱脉冲光源、用于采集信号的多通道光谱摄制仪和数据处理单元。其中脉冲光源发射宽带光辐射的周期与光谱摄制仪的采集数据的周期相同。同步器和总线接口把一个周期性的触发信号发送到电源，使脉冲光源产生一个宽带光脉冲照射刻蚀腔室，同时光谱摄制仪同步的采集干涉信号，脉冲光不照射刻蚀腔室时，光谱摄制仪通过另一通道采集刻蚀腔室中等离子光谱发射信号，然后经数据处理和算法展开模块，计算出工艺终点、刻蚀或淀积速率等参数。现有技术虽然可以原位监测薄膜厚度以及确定工艺终点，该方法本质上是用脉冲光源实现了OES和IEP信号的周期性交替采集，直到工艺终点，然而脉冲光源的强度稳定性不高，一般来说OES信号依赖于等离子体发射光谱本身，通过光谱仪监测发射光谱中的敏感波长并分析的该波长的变化趋势来确定工艺终点，但是由于在刻蚀过程中原位监测，IEP信号不可避免的会受到等离子发射光谱的影响，因此强度不稳定的脉冲光源更易受到等离子发射光谱及其波动的干扰，带来低信噪比的问题；此外，脉冲光源的波动还会导致入射光与反射光强度波动，造成较差的干涉信号分辨率，影响工艺监测的精确度和可靠性。

发明内容

本发明提供了一种半导体加工工艺的监测系统和方法，能够采集较高信噪比和分辨率的信号，改善了工艺监测的可靠性和精确度，此外，还能够实时监测光源的强度稳定性和寿命。

为解决上述问题，本发明提供了一种半导体加工工艺的监测系统，包括：连续光源、间歇机构、光路控制器、光学准直装置、光谱仪、数据处理单元和算法单元；所述连续光源发出的光经由所述间歇机构及光学准直装置进入半导体加工腔室，所述光路控制器控制间歇机构将连续光源发出的光转换成脉冲光，并控制所述光谱仪采集半导体加工腔室中发出的光谱信号，并将所述光谱信号送入数据处理单元进行处理，再由算法单元计算出工艺终点。

所述间歇机构为光电码盘或TTL电子快门。

所述系统还包括与采集光源信号的光谱仪相连接的光源强度和寿命评价单元。

所述连续光源为宽频高功率的氘卤灯，或宽频高功率的钨卤灯。

所述连续光源为宽频高功率的氘卤灯光谱范围为180-2000nm或180-1000nm，所述连续光源为宽频高功率钨卤灯光谱范围为330nm-850nm。

所述光谱信号包括光谱仪采集的半导体加工腔室中等离子体发射光谱信号和脉冲入射光在基底反射产生的干涉光谱信号。

所述光谱信号还包括光谱仪采集的连续光源的信号。

相应的，本发明还提供了一种半导体加工工艺的监测方法，预设目标加工深度作为工艺终点，所述方法包括：

将连续光源发出的光转换为脉冲光入射至半导体加工腔室；

采集半导体加工腔室中的光谱信号；

对所述光谱信号进行数据处理；

根据处理结果计算出加工深度并与预设的加工深度比较，如果一致则结束工艺，否则继续采集加工腔室中的光谱信号直至计算出的加工深度达到预设值。

所述光谱信号包括等离子发射光谱信号和脉冲入射光在基底反射产生的干涉光谱信号。

还包括采集所述连续光源信号以便实时监测连续光源的强度和寿命的步骤。

以特定频率打开或关闭连续光的入射光路，从而使连续光转变为脉冲光后入射至半导体加工腔室。

采集等离子发射光谱信号和脉冲入射光在基底反射产生的干涉光谱信号的步骤包括：判断入射光路是否打开，如果是，则采集入射脉冲光在基底反射产生的含有发射光谱背底的干涉光谱信号，否则采集半导体加工腔室中的等离子发射光谱信号。

所述数据处理的步骤包括：将采集的半导体加工腔室中的等离子发射光谱信号，经模数转换后记为发射光谱强度数据；将采集的含有发射光谱背底的干涉光谱信号，经模数转换后记为干涉光谱强度数据；然后分别由发射光谱强度数据和干涉光谱强度数据计算出实时的加工深度。

所述数据处理的步骤具体包括：将采集的半导体加工腔室中的等离子发射光谱信号，经模数转换后记为发射光谱强度数据；将采集的含有发射光谱背底的干涉光谱信号，减去所述发射光谱背底获得无背底的干涉光谱信号，经模数转换后记为干涉光谱强度数据；然后分别由发射光谱强度数据和干涉光谱强度数据计算出实时的加工深度。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：由光路控制器控制间歇机构将光源发出的连续光转换成脉冲光入射到加工腔室，与现有技术同样以OES和IEP的相结合的方法获取信号，但是连续光源强度稳定，其转换而成的脉冲入射光相对于脉冲光源发出的入射光的强度稳定性更好，产生相应的IEP信号不易受到等离子发射光谱及其波动的干扰，显著提高信噪比和分辨率，此外，通过对光源强度和寿命的实时监测，实现了对光源稳定性和使用寿命的精确控制，有利于改善工艺监测的精确度和可靠性。

附图说明

通过附图中所示的本发明的优选实施例的更具体说明，本发明的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。

图1是实施例一所述的半导体加工工艺的监测系统的示意图。

图2是实施例一所述的半导体加工工艺的监测方法的流程示意图。

图3是实施例二所述的半导体加工工艺的监测系统的示意图。

图4是实施例二所述的半导体加工工艺的监测方法中光源监测评价的流程示意图。

图5是实施例三所述的半导体加工工艺的监测系统的数据处理方法的示意图。

图6是实施例三所述的半导体加工工艺的监测系统的另一数据处理方法的示意图。

图7是实施例四所述的半导体加工工艺的监测系统的示意图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。

在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。

所述示意图只是实例，其在此不应限制本发明保护的范围。

实施例一

本发明揭示了一种半导体加工工艺的监测系统和方法，参照图1和图2阐述本发明的一个实施例。图1是本实施例所述半导体加工工艺的监测系统的示意图，图2是本实施例所述半导体加工工艺的监测方法的流程示意图。

如图1所示，本实施例所述的半导体加工工艺的监测系统包括：高功率的氘卤灯11、光电码盘12、光学准直装置13、光路控制器15、多通道CCD光谱仪16、数据处理单元17和算法单元18。

氘卤灯11提供宽频连续光源，其光谱范围为180-2000nm，用于发出连续稳定的入射光；光电码盘12即为间歇机构，其位于所述氘卤灯11的发射端，光电码盘12在光路控制器15的控制下以一定频率打开或关闭入射光路，从而将氘卤灯11发出的连续入射光转变为脉冲光；光学准直装置13，由多个精密光学透镜组成，用于会聚光束，所述入射脉冲光由光学准直装置13会聚为基本平行的光束后进入到加工腔室14内，光学准直装置13进一步也将反射光会聚后送入多通道CCD光谱仪16；所述多通道CCD光谱仪16收集加工腔室14发出的光谱信号，所述光谱信号包括加工腔室中等离子体发射光谱信号和含有发射光谱背底的干涉光谱信号，分别由多通道CCD光谱仪16的不同通道采集；所述光路控制器15控制光电码盘12和多通道CCD光谱仪16的动作同步，即当光电码盘12打开入射光路时，多通道CCD光谱仪16采集干涉光谱信号，当光电码盘12关闭入射光路时，多通道CCD光谱仪16采集等离子发射光谱信号；数据处理单元17用于处理所述光谱信号，算法单元18根据处理后的数据计算工艺终点。

图2是本实施例所述半导体加工工艺监测方法的流程示意图。参照图2阐述本实施例的半导体加工工艺监测方法。

首先按照步骤101，根据加工工艺的要求预设终点目标值，如加工深度预设为100nm。

打开氘卤灯提供连续光源，发出光谱范围为180-2000nm宽频连续入射光，如步骤103所示。

然后将连续光源发出的光转变为脉冲光入射至半导体加工腔室，即按照步骤105，所述光路控制器15控制所述光电码盘12以5Hz的频率打开或关闭入射光路，从而将连续光转变为脉冲光，经由光学准直装置13会聚后进入加工腔室14；

接着采集加工腔室中的等离子发射光谱信号和脉冲入射光在基底反射产生的干涉光谱信号。此过程中，如果光电码盘12在光路控制器15的控制下使入射光路打开，入射光照射到加工腔室14的基底上，由于在等离子的刻蚀作用下膜层厚度发生变化，使入射光在晶片表面上的反射光产生干涉光谱，则多通道CCD光谱仪16采集所述干涉光谱信号，如步骤107～步骤111所示，应当注意的是由于在加工过程中原位监测，所采集的干涉光谱信号不可避免的会含有等离子发射光谱的背底；如果光电码盘12在光路控制器15的控制下使入射光路关闭，入射的连续光被阻隔不能进入到加工腔室14内，加工腔室14内仅有等离子体发射光谱不产生干涉光谱信号，则多通道CCD光谱仪16采集所述的等离子体发射光谱信号，如步骤107～步骤109所示。

而后按照步骤113对所述等离子发射光谱信号和干涉光谱信号数据进行处理：在数据数据处理单元17，将所采集的加工腔室14中的等离子发射光谱信号，经模数转换后记为发射光谱强度数据；将所采集的含有等离子发射光谱背底的干涉光谱信号，减去所述发射光谱信号后得到无背底的干涉光谱信号，经模数转换后记为干涉光谱强度数据。

将处理后的数据送入算法单元18进行工艺终点计算。按照步骤107计算出的加工深度达到预设目标值100nm，则确定工艺终点，结束半导体加工；计算出的加工深度不到预设目标值100nm，则系统继续发送脉冲入射光进入加工腔室14，多通道CCD光谱仪16收集光谱信号，重复步骤105～步骤117监测加工过程，直至达到预设加工深度目标值。

实施例二

在半导体加工工艺监测过程中，光源的强度的漂移和扰动会降低干涉光谱信号的分辨率，直接影响工艺监测的精确度和可靠性，因此本实施例所述的半导体加工工艺监测系统和方法还提供了光源评价单元，能够实时监测连续光源的稳定性和寿命。以下结合附图3和图4阐述本实施例。

如图3所示本实施例所述的半导体加工工艺的监测系统，包括：高功率的氘卤灯11、光电码盘12、光学准直装置13、光路控制器15、多通道CCD光谱仪16、数据处理单元17、算法单元18和光源评价单元19。

氘卤灯11提供宽频连续光源，其光谱范围为180-2000nm，用于发出连续稳定的入射光，，所述光路控制器15始终控制多通道CCD光谱仪16实时采集光源强度信号并送入数据处理单元；光电码盘12即为间歇机构，其位于所述氘卤灯11的发射端，光电码盘12在光路控制器15的控制下以一定频率打开或关闭入射光路，从而将氘卤灯11发出的连续入射光转变为脉冲光；光学准直装置13，由多个精密光学透镜组成，用于会聚光束，所述入射脉冲光由光学准直装置13会聚为基本平行的光束后进入到加工腔室14内，光学准直装置13进一步也将反射光会聚后送入多通道CCD光谱仪16，所述多通道CCD光谱仪16收集加工腔室14发出的光谱信号和光源氘卤灯11的信号，所述的光谱信号包括加工腔室中等离子体发射光谱信号和含有发射光谱背底的干涉光谱信号；所述光路控制器15控制光电码盘12和多通道CCD光谱仪16的动作同步，即当光电码盘12打开入射光路时，多通道CCD光谱仪16采集干涉光谱信号，当光电码盘12关闭入射光路时，多通道CCD光谱仪16采集等离子发射光谱信号；算法单元18根据处理后的光谱信号数据计算工艺终点，数据处理单元17用于处理所述光谱信号和光源信号；光源评价单元19根据处理后的光源强度数据，实时监测光源的稳定性和寿命。

图4是本实施例所述的半导体加工工艺的监测方法中光源监测评价的流程示意图。

如图4所示，按照步骤101预设工艺终点目标值、步骤103氘卤灯11发出连续入射光；所述连续入射光信号由多通道CCD光谱仪16实时采集，如步骤102所示；随后所述采集的入射光信号被送入数据处理单元17，经模数转换后获得光源强度数据，如步骤104所示；按照步骤106、步骤108，经处理的数据进入光源评价单元19，检验光源强度是否波动，如果是，则自动进行强度校正，使强度保持稳定，如果否，则按照步骤105入射光进入间歇机构光电码盘12，经由间歇机构转换成脉冲光后再进入加工腔室；所述强度校正后，验证校正是否成功，即光源强度波动是否消除，如步骤110所示；如果否，则按照步骤112，停止刻蚀，此时光源达到使用寿命应更换光源，如果是，则按照步骤105入射光进入间歇机构光电码盘12，经由间歇机构转换成脉冲光后再进入加工腔室。在此以后的步骤，采用与实施例一相同的监测方法，直至达到预设目标值，本实施例不再重复。需要强调的是，对连续光源的监测和评价是实时进行的，以保证进入加工腔室14的入射光强度稳定，对采集信号无干扰。

实施例三

OES和IEP终点算法前，需要对多通道CCD光谱仪16所采集的信号进行数据处理。发射光谱数据记录了加工工艺过程中参与刻蚀的反应气体和生成气体所处的等离子体状态，以及同一光谱在刻蚀过程中的强弱随反应物或生成物的量发生变化的信息；干涉光谱数据则记录了工艺过程中由于加工腔室中的晶片膜层变化而产生的周期变化的反射光强度信息；而光源强度数据记录了工艺过程中光源强度的变化信息。

本实施例结合附图阐述所述的半导体加工工艺监测系统的OES、IEP和光源强度数据的处理方法。

如图5所示，多通道CCD光谱仪16分别采集连续光源强度信号、等离子发射光谱信号和含有发射光谱背底的干涉光谱信号，然后将所述的信号都送入数据处理单元17，把所述的连续光源信号经模数转换后获得光源强度数据，所述等离子发射光谱信号经模数转换后获得发射光谱强度数据，而对于所述含有发射光谱背底的干涉光谱信号则减去发射光谱的背底，将干涉光谱中的等离子的发射光谱噪声去除，然后经模数转换后获得干涉光谱强度数据，最后将光源强度数据送入光源评价单元19进行光源强度与寿命的评价，发射光谱强度数据和干涉光谱强度数据送入算法单元用来计算实时的加工深度。

以上只是优选的情况，对于本发明所述的半导体加工工艺监测系统，处理数据还可以按照图6所示的方法，即不需减去发射光谱背底，而是将采集到的含有发射光谱背底的干涉光谱信号直接经模数转换获得干涉光谱强度数据。

如图6所示，多通道CCD光谱仪16分别采集连续光源强度信号、等离子发射光谱信号和含有发射光谱背底的干涉光谱信号，然后将所述的信号都送入数据处理单元17，把所述的连续光源强度信号经模数转换后获得光源强度数据，所述等离子发射光谱信号经模数转换后获得发射光谱强度数据，而对于所述含有发射光谱背底的干涉光谱信号，虽然背底对干涉光谱有一定的影响，但是本实施例所述的氘卤灯11提供了高功率且强度稳定的入射光，使背底强度对干涉光的影响可以忽略不计，能够得到较高的干涉信号信噪比，因此无需减去发射光谱的背底，而是将采集到的含有发射光谱背底的干涉光谱信号经模数转换后获得干涉光谱强度数据，最后将处理后的光源强度数据送入光源评价单元19进行光源强度与寿命的监测与评价，处理后的发射光谱强度数据和干涉光谱强度数据送入算法单元用来计算实时的加工深度。

实施例四

本实施例揭示了所述的连续光源采用宽频高功率的钨卤灯、所述间歇机构为TTL电子快门的半导体加工工艺监测系统。

图7是本实施例所述的半导体加工工艺监测系统的示意图。参照图7所示，所述的半导体加工工艺的监测系统包括：高功率的钨卤灯11’、TTL电子快门12’、光学准直装置13、光路控制器15、多通道CCD光谱仪16、数据处理单元17和算法单元18。

钨卤灯11’提供宽频连续光源，其光谱范围为330-850nm，用于发出连续稳定的入射光；TTL电子快门12’即为间歇机构，其位于所述钨卤灯11’的发射端，TTL电子快门12’在光路控制器15的控制下以一定频率打开或关闭入射光路，从而将钨卤灯11’发出的连续入射光转变为脉冲光；所述光路控制器15控制TTL电子快门12’和多通道CCD光谱仪16的动作同步，即当TTL电子快门12’打开入射光路时，多通道CCD光谱仪16采集干涉光谱信号，当TTL电子快门12’关闭入射光路时，多通道CCD光谱仪16采集等离子发射光谱信号。光学准直装置13、光路控制器15、多通道CCD光谱仪16、数据处理单元17和算法单元18都与实施例一相同，在此不再重复。

与实施例一不同，本实施例中采用TTL电子快门12’作为间歇机构，同样也能够将光源发出的连续入射光转变为脉冲光，其它能够以一定频率打开或闭合光路的装置也可实现本发明的目的，相对于单纯采用脉冲光源发出脉冲光的系统，虽然入射至加工腔室的都是脉冲光束，但是由于本发明将强度稳定的连续光通过间歇机构转换成脉冲光，所获得的脉冲入射光较之由脉冲光源发出脉冲入射光强度更稳定，更有利于提高信号的信噪比和分辨率。

需要说明的是，实施例中所述间歇机构为光电码盘或TTL电子快门，但并不仅限于此，熟悉本领域的技术人员应该容易的推知，能够将连续的入射光转换为脉冲光的其他装置均可作为本发明所述的间歇机构，也在本发明的保护范围之内。

此外，以上这些实施例中所述的连续光源可以用氘卤灯也可以采用宽频高功率的钨卤灯，其它同样能够提供强度稳定、连续的入射光的宽频高功率光源也属于本发明的保护范围。

以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明。任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (15)

1、一种半导体加工工艺的监测系统，包括：连续光源、间歇机构、光路控制器、光学准直装置、光谱仪、数据处理单元和算法单元；所述连续光源发出的光经由所述间歇机构及光学准直装置进入半导体加工腔室，所述光路控制器控制间歇机构将连续光源发出的光转换成脉冲光，并控制所述光谱仪采集半导体加工腔室中发出的光谱信号，并将所述光谱信号送入数据处理单元进行处理，再由算法单元计算出工艺终点。

2、根据权利要求1所述的半导体加工工艺的监测系统，其特征在于：所述间歇机构为光电码盘或TTL电子快门。

3、根据权利要求1所述的半导体加工工艺的监测系统，其特征在于：所述系统还包括与采集光源信号的光谱仪相连接的光源强度和寿命评价单元。

4、根据权利要求1所述的半导体加工工艺的监测系统，其特征在于：所述连续光源为宽频高功率的氘卤灯，或宽频高功率的钨卤灯。

5、根据权利要求4所述的半导体加工工艺的监测系统，其特征在于：所述连续光源为宽频高功率的氘卤灯的光谱范围为180-2000nm，所述连续光源为宽频高功率的钨卤灯的光谱范围为330nm-850nm。

6、根据权利要求4所述的半导体加工工艺的监测系统，其特征在于：所述连续光源为宽频高功率的氘卤灯的光谱范围为180-1000nm。

7、根据权利要求1所述的半导体加工工艺的监测系统，其特征在于：所述光谱信号包括光谱仪采集的半导体加工腔室中等离子体发射光谱信号和脉冲入射光在基底反射产生的干涉光谱信号。

8、根据权利要求7所述的半导体加工工艺的监测系统，其特征在于：所述光谱信号还包括光谱仪采集的连续光源的信号。

9、一种半导体加工工艺的监测方法，预设目标加工深度作为工艺终点，所述方法包括：

将连续光源发出的光转换为脉冲光入射至半导体加工腔室；

采集半导体加工腔室中的光谱信号；

对所述光谱信号进行数据处理；

根据处理结果计算出加工深度并与预设的加工深度比较，如果一致则结束工艺，否则继续采集加工腔室中的光谱信号直至计算出的加工深度达到预设值。

10、根据权利要求9所述的半导体加工工艺的监测方法，其特征在于：所述光谱信号包括等离子发射光谱信号和脉冲入射光在基底反射产生的干涉光谱信号。

11、根据权利要求9所述的半导体加工工艺的监测方法，其特征在于：还包括采集所述连续光源信号以便实时监测连续光源的强度和寿命的步骤。

12、根据权利要求9所述半导体加工工艺的监测方法，其特征在于：以特定频率打开或关闭连续光的入射光路，从而使连续光转变为脉冲光后入射至半导体加工腔室。

13、根据权利要求10所述的半导体加工工艺的监测方法，其特征在于：采集等离子发射光谱信号和脉冲入射光在基底反射产生的干涉光谱信号的步骤包括：判断入射光路是否打开，如果是，则采集入射脉冲光在基底反射产生的含有发射光谱背底的干涉光谱信号，否则采集半导体加工腔室中的等离子发射光谱信号。

14、根据权利要求9或10所述的半导体加工工艺的监测方法，其特征在于：所述数据处理的步骤包括：将采集的半导体加工腔室中的等离子发射光谱信号，经模数转换后记为发射光谱强度数据；将采集的含有发射光谱背底的干涉光谱信号，经模数转换后记为干涉光谱强度数据；然后分别由发射光谱强度数据和干涉光谱强度数据计算出实时的加工深度。

15、根据权利要求9或10所述的半导体加工工艺的监测方法，其特征在于：所述数据处理的步骤具体包括：将采集的半导体加工腔室中的等离子发射光谱信号，经模数转换后记为发射光谱强度数据；将采集的含有发射光谱背底的干涉光谱信号，减去所述发射光谱背底获得无背底的干涉光谱信号，经模数转换后记为干涉光谱强度数据；然后分别由发射光谱强度数据和干涉光谱强度数据计算出实时的加工深度。

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